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    电子基础知识大全.docx

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    1、电子基础知识大全2C31C简介2C31C是硅补偿二极管,这种二极管具有良好的温压与温度特性。在收音机、收录机及音响设备中运用广泛。主要用作电源稳压及温度补偿,采用环氧树脂陶瓷圆片封装,多为白色。主要参数为:稳定电压为0.60.7V, 最大工作电流20mA, 最大耗散功率为50mW, 电压稳定度为30mV, 电压温度系数为3mV/。 代换时可用国产2CZ52系列或IN4002、IN4148等直接代换。74系列集成电路的分类及区别74系列集成电路大致可分为6大类: 74(标准型); 74LS(低功耗肖特基); 74S(肖特基); 74ALS(先进低功耗肖特基); 74AS(先进肖特基); 74F(

    2、高速)。 近年来还出现了高速CMOS电路的74系列,该系列可分为3大类: HC为COMS工作电平; HCT为TTL工作电平,可与74LS系列互换使用; HCU适用于无缓冲级的CMOS电路。 这9种74系列产品,只要后边的标号相同,其逻辑功能和管脚排列就相同。根据不同的条件和要求可选择不同类型的74系列产品,比如电路的供电电压为3V就应选择74HC系列的产品。LED数码管的识别 在电子制作中,经常会用到数码管。所以对于数码管的识别也就必不可免,这里作者将自己制作中整理的资料记录下来,供大家参考。 数码管一般分共阴和供阳两种,见下图。 PTC元件简介 目前,彩电、冰箱内部电源电路,常用PTC元件做

    3、保护装置。本文向大家介绍一些该元件的特点。 PTC元件常见的是正温度系数的热敏电阻。它是钛酸钡(BaTiO3)固溶体中掺入微量稀土元素,用陶瓷工艺法制成元件体,再引出电极和导线,包裹树脂密封而成。 PTC特性是指PTC元件电阻率随温度变化的规律,称为正电阻温度系数特性。如附图所示,当温度在某一特定值时,即A点(居里点)以下时,电阻率呈下降趋势,变化甚微;若达到居里点温度再升高,PTC元件的电阻率突变,呈指数曲线上升,这种现象称为PTC特性。改变钛酸钡中掺入的稀土元素的成分和数量,即可改变居里点温度的高低。 PTC在电源接通的1-2秒后,即呈高阻状态,温度高于65度左右发生转折;断开电源后,要经

    4、过1.5-2分钟才能冷却到低阻状态。因此,彩电、电冰箱电路设计中利用其特点,来实现过压、过流、过载保护来延长仪器使用寿命。同时加强了安全防护半导体的特性大家知道:半导体的导电性能比导体差而比绝缘体强。实际上,半导体与导体、绝缘体的区别在不仅在于导电能力的不同,更重要的是半导体具有独特的性能(特性)。1 在纯净的半导体中适当地掺入一定种类的极微量的杂质,半导体的导电性能就会成百万倍的增加-这是半导体最显著、最突出的特性。例如,晶体管就是利用这种特性制成的。2 当环境温度升高一些时,半导体的导电能力就显著地增加;当环境温度下降一些时,半导体的导电能力就显著地下降。这种特性称为“热敏”,热敏电阻就是

    5、利用半导体的这种特性制成的。3 当有光线照射在某些半导体时,这些半导体就像导体一样,导电能力很强;当没有光线照射时,这些半导体就像绝缘体一样不导电,这种特性称为“光敏”。例如,用作自动化控制用的“光电二极管”、“光电三极管”和光敏电阻等,就是利用半导体的光敏特性制成的。 由此可见,温度和光照对晶体管的影响很大。因此,晶体管不能放在高温和强烈的光照环境中。在晶体管表面涂上一层黑漆也是为了防止光照对它的影响。最后,明确一个基本概验:所谓半导体材料,是一种晶体结构的材料,故“半导体”又叫“晶体”。-拓普电子不同介质电容的识别笔者根据收藏的资料,整理出不同介质电容英文字母的标称符号,如附表,以便大家在

    6、选购电容器产品和维修时,正确识别。附表 钽电解 CA 复合介质 CH 铌电解 CO 漆膜介质 CQ 铝电解 CD 云母 CY 其它电解 CE 合金电解 CG 高频瓷介 CC 纸介 CZ 低频瓷介 CT 聚苯乙稀 CB 涤纶 CL 聚丙稀 CBB 玻璃膜 CO 聚四氟乙稀 CBF 玻璃釉 CI 聚碳酸脂 CLS 金属化纸介 CJ 拆卸扁平封装集成电路简法 取直径为1毫米的铜线10厘米长,一端弯成小钩,另一端绕到起子上便于拉扯。电烙铁头部一定要尖细,以不使集成块两脚短接为宜。 拆卸集成块时,将铜线的小钩伸进集成块内钩住一个引脚。在以后的操作中应尽量使铜线的钩头压贴在电路板上,然后把发热的烙铁头压到

    7、钩住的引脚上,随着焊锡的熔化,轻轻拉扯铜线的另一端,使铜线的钩子从集成块引脚与电路板间扯出,迅速移去电烙铁。这时集成块引脚与电路的联系断开。该集成块引脚仅仅向上移动了一毫米左右,不会对集成块造成机械损坏。 用这种方法拆卸集成块大约需要十分钟左右。不过,该方法的不足之处是:有时可能会把电路板上的铜箔拉扯开来。所以用力要均匀。电烙铁温度不应太高。场效应晶体管介绍场效应晶体管(FET)简称场效应管,它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(108109)、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应

    8、管(JFET)因有两个PN结而得名,绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中,应用最为广泛的是MOS场效应管,简称MOS管(即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET);此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管,以及最近刚问世的MOS场效应管、VMOS功率模块等。按沟道半导体材料的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分,场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。电解电容极性的判别不知道极性的电解电容可用万用表的电阻挡测量其极性。 我们知道只有电解电容的正极接电

    9、源正(电阻挡时的黑表笔),负端接电源负(电阻挡时的红表笔)时,电解电容的漏电流才小(漏电阻大)。反之,则电解电容的漏电流增加(漏电阻减小)。 测量时,先假定某极为“+”极,让其与万用表的黑表笔相接,另一电极与万用表的红表笔相接,记下表针停止的刻度(表针靠左阻值大),然后将电容器放电(既两根引线碰一下),两只表笔对调,重新进行测量。两次测量中,表针最后停留的位置靠左(阻值大)的那次,黑表笔接的就是电解电容的正极。 测量时最好选用R*100或R*1K挡。电子二极管 电子管又称真空管,它是电子设备工作的心脏,电子管的发展又是电子工业发展的起点。世界上第一只电子管是英国弗莱明发明的二极管。 1882年

    10、,弗莱明曾担任爱迪生电光公司技术顾问。1884年,弗莱明出访美国时拜会了爱迪生,共同讨论了电光的问题。爱迪生向弗莱明展示了一年前他在进行白炽灯研究时,发现的一个有趣现象(人们称之为爱迪生效应):把一根电极密封在碳丝灯泡内,靠近灯丝,当电流通过灯丝使之发热时,金属板极上就有电流流过。爱迪生进一步试验让板极通过电流计与灯丝的阳极相连时有电流,而与灯丝阴极相连时则没有电流。 弗莱明对这一现象非常感兴趣,回国后,他对此进行了一些研究,认为:在灯丝板极之间的空间是电的单行路。 1896年,马可尼无线电报公司成立,弗莱明被聘为顾问。在研究改进无线电报接收机中的检波器时,他就设想采用爱迪生效应进行检波。弗莱

    11、明在真空玻璃管内封装入两个金属片,给阳极板加上高频交变电压后,出现的爱迪生效应,在交流电通过这具装置时被变成了直流电。弗莱明把这种装有两个电极的管子叫作真空二极管,它具有整流和检波两种作用,这是人类历史上第一只电子器件。弗莱明将此项发明用于无线电检波,并于1904年11月16日在英国取得专利。 -电子三极管在弗莱明为改进无线电检波器而发明二极管的同时,美国物理学博士弗雷斯特也在潜心研究检波器。正当他的研究步步深入时,传来了英国的弗莱明发明成功真空二极管的消息,使他大受震动。是改弦易辙还是继续下去呢?他想到弗莱明的二极管可用于整流和检波,但还不能放大电信号。于是,德弗雷斯特又 经过两年的研制,终

    12、于改进了弗莱明的二极管,作出了新的发明。在二极管的阴极和阳极中间插入第三个具有控制电子运动功能的电极(棚极)。棚极上电压的微弱信号变化,可以调制从阴极流向阳极的电流,因此可以得到与输入信号变化相同,但强度大大增加的电流。这就是德弗雷斯特发明的三极管的“放大”作用。 1912年,德弗雷斯特又成功地做了几个三极管的连接实验,得到了比单个三极管大得多的放大能力。很快,德弗雷斯特研制出第一个电子放大器用于电话中继器,放大微弱的电话信号,他是在电话中使用电子产品的第一人。此外,三极管还可振荡产生电磁波,也就是说,所以,国外许多人都将三极管的发明看作是电子工业真正的诞生。 -拓普电子电子元器件的焊接用电烙

    13、铁焊接元件是基本的装配工艺,它对保证电子产品的质量起着关键的作用。下面介绍一些元器件的焊接要点。1. 焊接最好是松香、松香油或无酸性焊剂。不能用酸性焊剂,否则会把焊接的地方腐蚀掉。2. 焊接前,把需要焊接的地方先用小刀刮净,使它显出金属光泽,涂上焊剂,再涂上一层焊锡。3. 焊接时电烙铁应有足够的热量,才能保证焊接质量,防止虚焊和日久脱焊。4. 烙铁在焊接处停留的时间不宜过长。5. 烙铁离开焊接处后,被焊接的零件不能立即移动,否则因焊锡尚未凝固而使零件容易脱焊。6. 对接的元件接线最好先绞和后再上锡。7. 在焊接晶体管等怕高温器件时,最好用小平嘴钳或镊子夹住晶体管的引出脚,焊接时还要掌握时间。8

    14、. 半导体元件的焊接最好采用较细的低温焊丝,焊接时间要短。电子制作中敷铜板的选择常用的敷铜板有以下几种:1. TFZ-62、TFZ-63敷铜箔酚醛纸基层压板。这种电路板无铜箔面的条纹较明显,质地较软,但价格便宜,可用在工作频率不太高的场合。2. THFB-65敷铜箔酚醛玻璃布层压板。这种电路板具有良好的透明度。可用在工作温度、工作频率均较高设备中。3. 聚四氟乙烯敷铜板。这是以聚四氟乙烯板为基材,敷以铜箔热压而成的一种敷铜板,可用在高频和超高频线路中。4. 聚笨乙烯敷铜板。这是用胶粘剂在聚笨乙烯板上敷一层铜箔所制成的基板,可用在高频和超高频线路中电阻额定功率值在电路图上的符号所谓电阻的额定功率

    15、值,指的是电阻所承受的最高电压和最大电流的乘积。每个电阻都有其额定功率值,常见电阻的额定功率一般分为1/8W、1/4W、1/2W、1W、2W、3W、4W、5W、10W等。其中1/8W和1/4W的电阻较为常用,不过,在大电流场合,大功率的电阻也用得很普遍。下图为各额定功率值功率的电阻在电路图上的符号。不难看出,额定功率值在1W以上用罗马数字表示。所谓电阻的额定功率值,指的是电阻所承受的最高电压和最大电流的乘积。每个电阻都有其额定功率值,常见电阻的额定功率一般分为1/8W、1/4W、1/2W、1W、2W、3W、4W、5W、10W等。其中1/8W和1/4W的电阻较为常用,不过,在大电流场合,大功率的

    16、电阻也用得很普遍。下图为各额定功率值功率的电阻在电路图上的符号。不难看出,额定功率值在1W以上用罗马数字表示。动圈式话筒音头性能的简易判断介绍两种判断动圈式话筒音头性能的方法:1. 将万用表拨在R*10挡,用表断续碰触音头线圈的两输出端,其音膜将发出“啪、啪”声音,如果声音较大,而且生硬,干涩,则说明音头性能较差;如果发出的声音比较柔和、细腻,则可初步认为音头性能较好。2. 将万用表调至DC50uA挡或其他更小电流挡,用表笔接音头线圈两端输出端,用嘴向音膜吹气,看表针偏转角度,若幅度较大,说明音头的灵敏度较高,性能较好。反之,则差。以上方法只能对动圈式话筒音头性能作初步判断,对于用于不同场合的

    17、话筒,需经实测对比才能判断其优劣。注:以上测试均用的是指针式万用表。防止电烙铁空烧的方法这里介绍一个防止电烙铁空烧的简单方法(见附图): 在烙铁电源线(烙铁的手柄)串接一个船形开关,并在开关内部两个触点并联焊接一只1N4007二极管。这样在不用烙铁时断开开关,只有半波电压通过,烙铁出于保持温度状态。使用时拨动开关接通电源,烙铁升温焊接。这样可有效防止烙铁干烧。高频管和低频管的判别高频管和低频管因其特性和用途不同而一般不能互相代用。 这里介绍如何用万用表来快速判别它高频管与低频管。判别方法为: 首先用万用表测量三极管发射极的反向电阻,如果是测量PNP型管,万用表的负端接基极,正端接发射极;如果是

    18、测量NPN型管,万用表的正端接基极,负端接发射极。然后用万用表的R*1K挡测量,此时万用表的表针指示的阻值应当很大,一般不超过满刻度值的1/10。再将万用表转换到R*10K挡,如果表针指示的阻值变化很大,超过满刻度值的1/3,则此管为高频管;反之,如果万用表转换到R*10K挡后,表针指示的阻值变化不大,不超过满刻度值的1/3,则所测的管子为低频管。光电二极管及光电三极光电二极管、光电三极管是电子电路中广泛采用的光敏器件。光电二极管和普通二极管一样具有一个PN结,不同之处是在光电二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射,实现光电转换,在电路图中文字符号一般为VD。光电三极管除具有光电转换的功

    19、能外,还具有放大功能,在电路图中文字符号一般为VT。光电三极管因输入信号为光信号,所以通常只有集电极和发射极两个引脚线。同光电二极管一样,光电三极管外壳也有一个透明窗口,以接收光线照射。光电二极管与光电三极管外壳形状基本相同,其判定方法如下:遮住窗口,选用万用表R*1K挡,测两管脚引线间正、反向电阻,均为无穷大的为光电三极管。正、反向阻值一大一小者为光电二极管。光电二极管检测:首先根据外壳上的标记判断其极,外壳标有色点的管脚或靠近管键的管脚为正极,另一管脚为负载。如无标记可用一块黑布遮住其接收光线信号的窗口,将万用表置R*1 K挡测出正极和负极,同时测得其正向电阻应在10K20K间,其反向电阻

    20、应为无穷大,表针不动。然后去掉遮光黑布,光电二极管接收窗口对着光源,此时万用表表针应向右偏转,偏转角度大小说明其灵敏度高低,偏转角度越大,灵敏度越高。光电三极管检测:光电三极管管脚较长的是发射极,另一管脚是集电极。检测时首先选一块黑布遮住起接收窗口,将万用表置R*1 K挡,两表笔任意接两管脚,测得结果其表针都不动(电阻无穷大),在移去遮光布,万用表指针向右偏转至15K35K,其向又偏转角度越大说明其灵敏度越高。检测结果凡符合以上规律的光电二极管、光电三极管可初步认为其能满足使用需要。 管检测硅高速开关二极管近年来问世的硅高速开关二极管具有良好的高频开关特性,其反向恢复时间(trr)只有几纳秒(

    21、1纳秒=10-9秒)。由于它的体积很小,价格又非常便宜,现已被广泛用于电子计算机、电视机中的开关电路,还被用到控制电路高频电路中。硅高速开关二极管的典型产品有1N4148、1N4448。二者除零偏压结电容(即反向偏压VR=0时的结电容)值略有差异之外,其他技术指标完全相同,见下表。这两种管子均采用DO-35波封形式,通常靠近黑色环的引线为负极。1N4148、1N4448可代替国产2CK43、2CK44、2CK702CK73、2CK75、2CK77、2CK83等型号的开关二极管。应当指出,1N4148、1N4448型硅高速开关二极管仅适用于高频小电流工作条件,不能用到高频大电流的电路(例如开关电

    22、源)中。 硅管、锗管的判别硅管和锗管在特性上有很大不同,使用时应加以区别。我们知道,硅管和锗管的PN结正向电阻是不一样的,即硅管的正向电阻大,锗管的小。利用这一特性就可以用万用表来判别一只晶体管是硅管还是锗管。 判别方法如下: 将万用表拨到R*100挡或R*1K挡。测量二极管时,万用表的正端接二极管的负极,负端接二极管的正极;测量NPN型的三极管时,万用表的负端接基极,正端接集电极或发射极;测量PNP型的三极管时,万用表的正端接基极,负端接集电极或发射极。 按上述方法接好后,如果万用表的表针指示在表盘的右端或靠近满刻度的位置上(即阻值较小),那么所测的管子是锗管;如果万用表的表针在表盘的中间或

    23、偏右一点的位置上(即阻值较大),那么所测的管子是硅管。 硅柱及其简易测试硅柱又叫硅堆,是一种高频高压硅整流二极管,工作电压在几千伏至几万伏之间。常用在电视机、雷达或其它电子产品中作高频高压整流。硅柱是由若干个硅高频二极管的管芯串联起来组成,外面采用高频陶瓷封装。其反向峰值电压取决于串联管芯的反向峰值电压。常见的型号有2DGL、2CGL系列。如硅柱2DGL封装面上标有15KV,表示它最高反向峰值电压为15KV。 判断硅柱好坏及正、负极性,可用万用表R*10K挡。测其正向电阻时,表略有摆动,大约为几百千欧;反向电阻应为“”(表针不动) 恒流源电路如图1所示,输出电流Io=Uxx/R+Iq。一般在选

    24、择R时应使IoIq,以避免或减小Iq变化时影响恒流特性。此电路可以给各种充电电池充电,实际使用时,可以将不同的R接入,并用开关进行转换,可调整不同的充电电流。 继电器主要参数的简易检测测试电路如附图所示。将待测继电器电磁线圈接在A、B两端,接通电源后,将电位器RP的阻值由最大逐渐调小,当调到某一阻值时继电器动作,常开触点闭合,此时毫安表的读数就是继电器的吸合电流。需要说明,继电器的工作电流比吸和电流要大,一般为吸合电流的2倍。此时,再缓慢增大电位器RP的阻值,直到继电器由吸合状态突然释放,此时电流表的读数就是继电器的释放电流值。将继电器与测量电路断开,用万用表的欧姆挡测量继电器电磁线圈的直流电

    25、阻。继电器的工作电流(取吸合电流的2倍)乘以电磁线圈的直流电阻,就是继电器的工作电压值。附图中GB可使用12V-30V的直流稳压电源,RP为10K线绕电位器,电流表可用万用表的毫安挡。检测差分对管的方法差分对管是把两只性能一致的晶体管封装成一体的半导体器件。它能以最简方式构成性能优良的差分放大器,经常用于仪器、仪表的输入极和前置放大极。差分对管有两种结构形式,一种是硅高频小功率差分对管,典型产品有3CSG3,ECM1A等;另一种是硅小功率差分对管,国产型号有3DG06A-O6D。用万用表检测差分对管的主要内容有:(1)识别电极;(2)判断属于PNP型,还是NPN型;(3)估测放大能力;(4)比

    26、较两只配对管参数的一致性。其中。(1)(3)项与普通晶体管的情况相同,不再赘述。只有第(4)项为新增加的测量项目。注意事项:(1)检测差分对管时应选择万用表的档。这是因为差分对管的正常工作电压较高,否则电流增益上不去。档的电池电压太低,即使接上偏置电阻,也不容易使管子进入放大区,因而测不出值。(2)因档提供的测试电流很小,故只能估测差分对管的放大能力,进行相对比较。如果按式计算值,会比典型值偏低许多。(3)测差分对管时,应交换两支表笔的位置。晶体二极管的类型和选用类型-根据结构不同,常把二极管分为点接触和面接触型两种(见图10)。 点接触型二极管由于接触面点小,不能通过大电流,故只适合用于小电

    27、流整流,又因为接触点小,所以极间电容量也很小,故适用于高频电路检波。 面接触型二极管与点接触型二极管相反,由于接触面大,可以通过较大的电流,但极间电容量大,因此不能用于高频电路,而主要用做整流。 选用-选用检波二极管主要考虑工作频率高,反向电流小(极表明检波效率高)。常用的点接触型二极管有2AP12AP9、2AP92AP10、2AP112AP17等型号;对小功率整流二极管,主要考虑最大整流电流与最高工作电压应符合电路要求,一般采用面接触型2CP12CP6、2CP102CP20、2CP1A2CP1H等型号。 在业余条件下,损坏了一个PN结的高频晶体三极管可当作检波二极管使用,而损坏了一个PN结的

    28、低频三极管则可做小电流整流二极管使用。-拓普电子晶体二极管的主要参数晶体二极管一般可用到十万小时以上。但是如果使用不合理,他就不能充分发挥作用,甚至很快地被损坏。要合理地使用二极管,必须掌握他的主要参数,因为参数是反应质量和特性的。最高工作频率fM(MC)-二极管能承受的最高频率。通过PN结交流电频率高于此值,二极管接不能正常工作。最高反向工作电压VRM(V)-二极管长期正常工作时,所允许的最高反压。若越过此值,PN结就有被击穿的可能,对于交流电来说,最高反向工作电压也就是二极管的最高工作电压。最大整流电流IOM(mA)-二极管能长期正常工作时的最大正向电流。因为电流通过二极管时就要发热,如果

    29、正向电流越过此值,二极管就会有烧坏的危险。所以用二极管整流时,流过二极管的正向电流(既输出直流)不允许超过最大整流电流。-拓普电子晶闸管的触发能力检测两例们知道,要使晶闸管导通,必须满足下述条件:晶闸管处于正向接法,即阳极接电源正极,阴极接电源负极;给门要加上正触发信号VGT。 晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用,仅当阳极电压VA降某一规定值或施加反向电压时,晶闸管才能关断。 检查晶闸管触发能力的电路见图1。万用表选择R1(或R10)档。因表内电池电压仅1.5V低于正常的VGT值,(一般为2.54V),故不会损坏晶闸管。测量分两步进行:第一步,先断开开关S,此时晶闸管尚未导通,测出的电阻值较大

    30、,表针应停在无穷大处。然后合上开关,将门极与阳极接通,使门极电位升高,这相当于加上正触发信号,因此晶闸管导通,电阻读数为几欧至十几欧。第二步,再把开关断开,若读数不变,证明晶闸管质量良好。 图中的开关可用一根导线代替,导线的一端固定在阳极上,另一端搭在门极上时相当于开关闭合。本方法仅适宜检查3CT13CT5等小功率晶闸管或小功率快速晶闸管(亦称高频晶闸管)。 对于大功率晶闸管,因其通态压降较大,加之R1档提供的阳极电流低于维持电流IH,所以晶闸管不能完全导通,在开关断开时晶闸管会随之关断。检查3CT103CT100型晶闸管,可采用双表法,把两块万用表的R1档上再串联两节1.5V电池,把电源电压提升到4.5V左右。 实例:按图1所示电路检查一只3CT20/500型晶闸管。把MF10型万用表均拨到R1档,然后串联使用。用一根导线将门极与阳极知路,这时MF30型万用表的读数为


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