苏州大学模电选择填空题汇编.docx
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苏州大学模电选择填空题汇编.docx
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苏州大学模电选择填空题汇编
2014年苏州学院模电复习试题--仲济磊命制
(I)
一、填空题(本大题共10小题,每空1分,共10分)
请在每小题的空格中填上正确答案。
错填、不填均无分。
1.变容二极管是利用PN结的势垒电容而制成的,应工作在反偏状态。
2.晶体三极管的三个电极对地电位分别为VA=-2V,VB=-2.2V,VC=-6V,则该管的管型是_PNP型锗管__。
3.负反馈放大电路产生自激振荡的条件是___AF=-1__。
4.MOS管作为开关应用时,其工作状态应在非饱和区和_截止区__之间转换。
5.晶体管的高频参数fT是指β(ω)下降到___0_dB时所对应的频率。
6.集成运算放大器最大输出电压为±Vom,若该运放工作在开环或正反馈状态,其输出电压是_正负Vom_。
7.在放大电路中,要稳定输出电压,应引入_电压_负反馈。
8.在差分放大器中,已知Vi1=15mv,Vi2=10mv,则输入差模电压Vid=_5mv=Vi1-Vi2_。
9.理想集成运放的共模抑制比为__正无穷大,因此具有很强的抑制共模信号的能力。
10.场效应管工作在饱和区时,其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈_平方_关系。
二、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
1.二极管的伏安方程是(A)
A.iD=Is(
-1)B.iD=Is
C.iD=-IsD.iD=Is
2.晶体三极管工作在饱和状态时,其两个PN结的偏置状态是(A)
A.发射结正偏,集电结正偏B.发射结正偏,集电结反偏
C.发射结反偏,集电结正偏D.发射结反偏,集电结反偏
3.场效应管共漏极放大电路的信号是从(C)
A.栅极输入,漏极输出B.源极输入,漏极输出
C.栅极输入,源极输出D.漏极输入,源极输出
4.设计一运算电路实现三角波——方波的变换,应选用______实现。
(D)
A.同相比例电路B.反相比例电路
C.积分电路D.微分电路
5.当集成运放工作在线性放大状态时,可运用______两个重要的概念。
(B)
A.开环和闭环B.虚短和虚断
C.虚短和虚地D.线性和非线性
6.要增大放大器的输出电阻及减小输入电阻,可采用______放大电路。
(A)
A.电流并联负反馈B.电压并联负反馈
C.电流串联负反馈D.电压串联负反馈
7.由运算放大器构成的电压比较器,抗干扰能力最强的是(C)
A.单限电压比较器B.过零电压比较器
C.迟滞电压比较器D.窗口电压比较器
8.负反馈放大电路的开环增益是A,反馈系数为kf,则闭环增益Af的表达式是(A)
A.
B.
C.AkfD.1+Akf
9.设计一负反馈放大器,实现电压——电流的变换,应引入(C)
A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈
C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈
10.放大电路在信号的高频段时,放大倍数下降的原因是(B)
A.耦合电容和旁路电路的存在B.晶体管极间电容和分布电容的存在
C.晶体管非线性的影响D.放大电路的静态工作点设置不合理
11.放大器产生零点漂移的主要原因是(B)
A.电压增益太大B.环境温度变化
C.采用直接耦合方式D.采用阻容耦合方式
12.由NPN管组成的单级共发射电路,当集电极电阻Rc增大时,工作点Q的ICQ和VCEQ的变化是(C)
A.ICQ增大、VCEQ增大B.ICQ增大、VCEQ减小
C.ICQ不变、VCEQ减小D.ICQ不变、VCEQ不变
13.随着温度的升高,晶体三极管的______将减小。
(B)
A.βB.VBE(on)
C.ICBOD.ICEO
14.集成运算放大电路的输入级通常采用______电路。
(C)
A.共集电极放大B.共发射极放大
C.差分放大D.共基极放大
15.设计一单级晶体管放大器,要求输入电阻大,输出电阻小,应选择______电路。
(D)
A.共发射极放大B.共基极放大
C.共源极放大D.共集电极放大
(II)
一、填空题(本大题共10小题,每小题1分,共10分)
请在每小题的空格中填上正确答案。
错填、不填均无分。
1.在N型半导体中,掺入__+5__价杂质元素。
2.半导体中有__自由电子__和空穴两种载流子。
3.晶体三极管工作在放大状态时,其发射结应正偏,集电结应__反偏___。
4.PNP型晶体三极管处于放大状态时,三个电极中_发射__极电位最高。
5.N沟道MOS管,VGS越向正值方向增大,ID越_大___。
6.MOS场效应管按栅极开路时有无导电沟道分为增强型和_耗尽型__两种类型。
7.与共发、共集组态相比较,共基组态的输入电阻较__小_。
8.晶体管放大电路的非线性失真分为饱和和_截止__两种。
9.希望增大放大电路的输入电阻并稳定输出电流,应引入___电流串联__负反馈。
10.某一放大电路,其信号源内阻很大,应引入__并联__负反馈电路,才能使反馈更加有效。
二、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
1.当PN结外加正向电压时,阻挡层的宽度将(B)
A.增大B.减小
C.不变D.近似不变
2.当PN结反向工作时,其结电容主要是(A)
A.势垒电容B.扩散电容
C.平面电容D.势垒和扩散电容并存
3.晶体三极管工作在饱和区时,要求(B)
A.发射结正偏,集电结反偏B.发射结正偏,集电结正偏
C.发射结反偏,集电结反偏D.发射结反偏,集电结正偏
4.三极管的ICEO大,说明其(D)
A.工作电流大B.击穿电压高
C.寿命长D.热稳定性差
5.结型场效应管的基本工作原理是(B)
A.改变导电沟道中的载流子浓度B.改变导电沟道中的横截面积
C.改变导电沟道中的有效长度D.改变导电沟道中的体积
6.衡量场效应管控制能力的主要参数是(C)
A.电流放大倍数B.电压放大倍数
C.跨导D.转移电阻
7.有两个放大电路Ⅰ和Ⅱ,其|Av|都为100,它们分别与具有相同内阻的电压源连接后,测得V01=4.85V,V02=4.95V,由此得知电路Ⅱ比Ⅰ好,因为它的(B)
A.放大倍数大B.输入电阻高
C.输出电阻小D.频带宽
8.在差动放大电路中,共模输入信号等于两个输入信号的(D)
A.和值B.差值
C.迭加D.平均值
9.已知某一放大器的A=100,现要求引入负反馈后,增益Af=10,问反馈系数kf应为多少?
(C)
A.0.01B.0.05
C.0.09D.0.10
10.反馈量是指(B)
A.反馈网络从放大电路输出回路中取出的信号
B.反馈到输入回路的信号
C.前面两信号之比
D.前面两信号之差
11.稳压二极管正常工作时,它处在______状态。
(B)
A.截止B.击穿
C.导通D.不定
12.已知三极管的ICQ=1mA,则在常温下跨导gm为(B)
A.19.2msB.38.5ms
C.77msD.154ms
13.已知场效应管的λ=0.01,IDQ=1mA,则rds为(C)
A.10kΩB.50kΩ
C.100kΩD.200kΩ
14.下列哪个答案不是共集电极电路的特点?
(D)
A.输入电阻很高B.电压增益约为1
C.输出电阻很低D.输入输出电压反相
15.某放大电路的增益为105,则折算成dB数为(C)
A.60dBB.80dB
C.100dBD.120dB
(III)
一、填空题(本大题共10小题,每小题1分,共10分)
请在每小题的空格中填上正确答案。
错填、不填均无分。
1.温度升高,对二极管的各种参数将发生影响,其中反向饱和电流将_变大___。
2.半导体有两种导电方式:
在外加电场作用下将形成__漂移_电流。
3.晶体三极管ICEO的中文含义是_基极开路时集射极之间穿过的电流_____。
4.晶体三极管工作在放大区时具有_电流放大_作用。
5.MOS管作开关应用时,其工作状态应在截止区和__非饱和区__之间转换。
6.场效应管的非饱和区又称变阻区,它是沟道未被__夹断__的工作区。
7.三种基本组态晶体管放大电路中,_共基__组态输入电阻最低。
8.在单级放大电路中,若输入电压为正弦波形,用示波器观察v0和vi的波形,当放大电路为共射电路时,则v0和vi的相位__相反_。
9.某一放大电路,要使输出电压稳定,应引入_电压_负反馈电路。
10.已知放大电路输入信号电压为1mV,输出电压为1V,加入负反馈后,为达到同样输出时需要的输入信号为10mV,该电路的反馈系数F为_0.009_。
二、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
1.PN结击穿后,它的反向电流将(D)
A.急剧减小B.减小
C.几乎不变D.急剧增大
2.PN结反向工作时,流过的电流主要是(B)
A.扩散电流B.漂移电流
C.传导电流D.扩散和漂移电流并存
3.工作在放大状态的某NPN晶体三极管,各电极电位关系为(B)
A.VC
C.VC
4.以下晶体管的参数中,不属于管子的极限参数的是(D)
A.VBR(CEO)B.ICM
C.PCMD.β
5.场效应管工作在饱和区时具有______的转移特性。
(C)
A.线性B.指数律
C.平方律D.对数律
6.场效应管是一种(A)
A.电压控制器件B.电流控制器件
C.双极型器件D.少子工作的器件
7.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12kΩ的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为(C)
A.10kΩB.2kΩ
C.4kΩD.3kΩ
8.设单级共射放大电路Avsm=100dB,fH=105Hz,当输入信号频率f=106Hz时,该电路的电压放大倍数约为(C)
A.100dBB.90dB
C.80dBD.70dB
9.反馈放大电路的含义是(B)
A.输出与输入之间有信号通路
B.电路中存在反向传输的信号通路
C.除放大电路以外还有信号通路
D.电路中存在使输入信号削弱的反向传输通路
10.负反馈放大电路产生自激的条件是(B)
A.
(jωo)=1B.
(jωo)=-1
C.
(jωo)<1D.
(jωo)>1
11.在纯净的半导体中加入少量的+5价元素,形成(B)
A.本征半导体B.N型半导体
C.P型半导体D.杂质半导体
12.温度减少时,晶体三极管的______将增加。
(A)
A.VBE(on)B.β
C.ICBOD.ICEO
13.P沟道增强型MOS管工作在饱和区的条件是(B)
A.VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th)B.VGS>VGS(th),VDS C.VGS 14.设计一只单级晶体管放大电路,要求输入电压和输出电压同相,输出电阻很低,应选择(C) A.共射放大B.共基放大 C.共集放大D.共源放大 15.直流负反馈的作用是(A) A.稳定直流工作点B.稳定电压放大倍数 C.稳定输出电流D.稳定输出电压 (IV) 一、填空题(本大题共10小题,每小题1分,共10分) 请在每小题的空格中填上正确答案。 错填、不填均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与__温度_有很大关系。 2.稳压管是一种特殊的二极管,它一般工作在_反向击穿__状态。 3.VA的大小可用来表示晶体三极管输出特性曲线的上翘程度,其值与__基区__宽度有关。 4.常温下,若晶极管的ICQ=2mA,则gm=_13______。 5.场效应管按结构分为结型和__绝缘栅型___两种类型。 6.N沟道场效应管工作在变阻区时,其等效电阻与VGS有关,VGS越大,则等效电阻_越大___。 7.设置合适且稳定的静态工作点是保证放大器不出现__非线性__失真的前提。 8.差动放大电路中,射极耦合电阻REE对共模信号_抑制_。 9.串联负反馈只有在信号源内阻_小_时,其反馈效果才显著。 10.负反馈放大电路中,要稳定输出电流,应引入__电流__负反馈。 二、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。 错选、多选或未选均无分。 1.P型半导体是在本征半导体中加入以下何种物质后形成的? ( C ) A.电子B.空穴 C.三价硼元素D.五价磷元素 2.当半导体二极管的反向击穿电压小于6V时,主要发生何种击穿? ( A ) A.雪崩击穿B.齐纳击穿 C.热击穿D.碰撞击穿 3.衡量双极型三极管放大能力的参数是( B ) A.ICBOB.β C.ICEOD.VBE(on) 4.三极管工作在饱和区,要求( A ) A.发射结正偏,集电结正偏B.发射结正偏,集电结反偏 C.发射结反偏,集电结正偏D.发射结反偏,集电结反偏 5.场效应管本质上是一个( B ) A.电流控制电流源器件B.电压控制电流源器件 C.电流控制电压源器件D.电压控制电压源器件 6.MOS场效应管的高频小信号电路模型,适合分析下列哪种情况? ( D ) A.输入信号很大B.输出信号很大 C.输入输出信号都很大D.输入输出信号都很小 7.差分放大器由双端输入变为单端输入,差模电压增益( C ) A.增加一倍B.为双端输入时的1/2 C.不变D.不确定 8.共射基本放大电路中,若测得VCEQ=VCC,则可以判断三极管处在( C ) A.放大状态B.饱和状态 C.截止状态D.击穿状态 9.对于电压并联负反馈,若满足深度负反馈条件,则有( A ) A. i= fB. i= f C. i> fD. i> f 10.希望放大器具有高的输入电阻和稳定的输出电压,应引入_______负反馈( A ) A.电压串联B.电压并联 C.电流串联D.电流并联 11.P型半导体中的多数载流子是指( B ) A.自由电子B.空穴 C.自由电子—空穴对D.等离子 12.若测得放大电路中某三极管三个管脚电位分别为5V,5.3V和10V,则该管一定是( C ) A.硅材料NPN管B.硅材料PNP管 C.锗材料NPN管D.锗材料PNP管 13.下列哪种情况不是场效应管的正常工作区? ( D ) A.饱和区B.非饱和区 C.截止区D.击穿区 14.下列哪种情况不是集成运算放大器的特点? ( C ) A.电压增益无穷大B.输入电阻无穷大 C.输出电阻无穷大D.共模抑制比无穷大 15.已知某负反馈放大电路的Rf=0.01,Af=10,则可断定该电路的A约为( A ) A.10B.11 C.12D.13 (V) 一、填空题(本大题共10小题,每小题1分,共10分) 请在每小题的空格中填上正确答案。 错填、不填均无分。 1.在P型半导体中,导电时以__空穴__为主。 2.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于_杂质的浓度__。 3.晶体三极管工作在放大区时,IC=__β_IB。 4.晶体三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置和_集电_结反向偏置。 5.场效应管工作在非饱和区时,其ID和VDS之间呈_平方率_关系。 6.通常将开始形成反型层所需的VGS值称为__开启_电压。 7.三种晶体三极管基本组态放大电路中,_共基_组态输入电阻最小。 8.已知某晶体三极管的高频参数fT、β,则共基截止频率fα约为__HβfT/β_。 9.需要一个阻抗变换电路,其输入电阻小,应引入并联_负反馈电路。 10.为充分提高负反馈的效果,串联负反馈要求信号源内阻__小__。 二、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。 错选、多选或未选均无分。 1.半导体中的载流子是指(D) A.自由电子B.空穴 C.离子D.自由电子和空穴 2.稳压二极管在稳压状态时,它的PN结处在______状态。 (B) A.反向截止B.反向击穿 C.正向导通D.零偏 3.测得三极管IB=30μA时,IC=2.4mA,而IB=40μA时,IC=3mA,则该管的交流电流放大倍数为(B) A.80B.60 C.75D.100 4.晶体三极管的输出特性曲线分为四个区,请问哪个区具有基区宽度调制效应? (C) A.饱和区B.截止区 C.放大区D.击穿区 5.根据场效应管的转移特性,可知场效应管是一种______器件。 (C) A.电压控制电压源B.电流控制电压源 C.电压控制电流源D.电流控制电流源 6.某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自源极流出,大小为8mA,则该管是(B) A.P沟道耗尽型MOS管B.N沟道耗尽型MOS管 C.P沟道增强型MOS管D.N沟道增强型MOS管 7.共集电极放大电路的特点之一是(A) A.输入电阻高B.电压增益大 C.输入输出反相D.输出电阻高 8.集成运算放大器实质上是一种(C) A.交流放大器B.高增益的交流放大器 C.高增益的直接耦合放大器D.高增益的高频放大器 9.负反馈可以改善放大器的性能,问关于放大器下述哪种说法不正确? (D) A.减少放大器的增益B.改变输入电阻 C.改变输出电阻D.改善信号源的噪声系数 10.某放大电路的电压增益为40dB,而加入负反馈后变为6dB,它的反馈深度F为(B) A.30dBB.34dB C.46dBD.50dB 11.温度增加时,在ID不变的情况下,晶体二极管的VD(on)将(B) A.增大B.减小 C.不变D.未知 12.已知某晶体三极管的β=99,则该管的共基电流放大系数α为(C) A.1.00B.0.995 C.0.99D.0.985 13.当场效应管的VGS A.饱和区B.非饱和区 C.击穿区D.截止区 14.要求晶体管工作在放大区,若是NPN晶体管,则三个电极电位VB、VE、VC之间应满足何种关系? (A) A.VC>VB>VEB.VC>VE>VB C.VC 15.反馈放大器工作在开环状态是指(C) A.考虑信号源作用B.接入反馈网络 C.断开反馈网络D.考虑负载作用 (VI) 一、填空题(本大题共10小题,每空1分,共10分) 请在每小题的空格中填上正确答案。 错填、不填均无分。 1.当PN结外加正向电压时,耗尽层的宽度将__变窄_。 2.在比例运算电路中,__同相_比例运算电路的闭环增益大于等于1。 3.理想集成运放的输出电阻为__零_,因此具有很强的带负载能力。 4.晶体三极管的三种基本组态放大电路中,___共射极放大电路__具有倒相作用。 5.负反馈放大电路的开环放大倍数为100,而闭环放大倍数为10,则该电路的反馈深度为__10=A/Af____。 6.在差分放大电路中,常用__共模抑制比__来表示抑制共模信号的能力,希望它越大越好。 7.晶体三极管工作在饱和区时,发射结正偏,集电结_正偏___。 8.根据栅—源电压为零时,导电沟道是否存在,将场效应管分为_增强型_和耗尽型。 9.反馈放大器是一个由基本放大器和_反馈网络__构成的闭合环路。 10.在差分放大器中,已知Vi1=20mv,Vi2=10mv,则共模电压Vic=_15mv__。 二、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。 错选、多选或未选均无分。 1.半导体二极管是温度的敏感器件,当温度升高时,参数IS和VD(on)的变化是(A) A.IS上升,VD(on)下降B.IS上升,VD(on)上升 C.IS下降,VD(on)下降D.IS下降,VD(on)上升 2.晶体管共集电极放大电路的信号是从(B) A.基极输入,集电极输出B.基极输入,发射极输出 C.发射极输入,集电极输出D.集电极输入,发射极输出 3.二极管的小信号模型是(D) A.B. C.D. 4.放大器电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12KΩ的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为(D) A.10KΩB.2KΩ C.3KΩD.4KΩ 5.对放大电路,要求增大输入电阻,稳定输出电流,应选择(A) A.电流串联负反馈B.电压并联负反馈 C.电流并联负反馈D.电压串联负反馈 6.与工作在运算电路中的运放不同,电压比较器中的运放通常工作在(B) A.深度负反馈状态B.开环或正反馈状态 C.放大状态D.线性工作状态 7.典型差动放大电路的公共射极电阻REE,对_____抑制作用。 (B) A.差模信号有B.共模信号有 C.差模与共模信号均有D.差模与共模信号均没有 8.同相输入的过零电压比较器的电压比较特性曲线是(B) A.B. C.D. 9.同相比例电路中引入的负反馈是(A) A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈 C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈 10.负反馈放大电路的开环增益是A,反馈系数为kf,则环路增益的表达式是() A. B.-Akf C.AkfD.1+Akf 11.场效应管用作放大交流小信号时,应工作在(A) A.饱和区B.非饱和区 C.截止区D.击穿区 12.对放大电路,闭环是指电路(C) A.考虑交流信号源内阻B.接入直流电源 C.存在反馈通路D.接入负载 13.当信号频率等于截止频率时,放大倍数的值约为中频放大倍数的_____倍。 (C) A.0.1B.0.5 C.0.707D.0.9 14.判别负反馈放大电路的反馈极性所用的方法通常称为(B) A.方框图法B.瞬时极性法 C.短路法D.开路法 15.集成运算放大器实质上是一种(D) A.交流放大器B.高电压增益的交流放大器 C.高增益的高频放大器D.高电压增益的直接耦合放大器 (VII) 一、填空题(本大题共10小题,每小题1分,共10分) 请在每小题的空格中填上正确答案。 错填、不填均无分。 1.PN结的反向击穿有雪崩和__齐纳__两种击穿。 2.杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的,少数载流子是由__本征激发___产生的。 3.衡量双极型三极管放大能力的参数是__电流放大系数β_
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