电容电感的选择.docx

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电容电感的选择

电容电感的选择及EMI中的应用（转载于internet）

电容谐振频率

电容值      DIP（MHz）      STM（MHz）

1.0μF        2.5                5

0.1μF        8                  16

0.01μF        25                50

1000pF        80                160

100pF        250                500

10pF        800                1.6（GHz）

一NPO电容器

NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。

它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。

NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。

在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。

NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。

其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。

NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。

下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。

封装DC=50VDC=100V

08050.5---1000pF0.5---820pF

12060.5---1200pF0.5---1800pF

1210560---5600pF560---2700pF

22251000pF---0.033μF1000pF---0.018μF

NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。

二X7R电容器

X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。

当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。

X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。

它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。

下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。

封装DC=50VDC=100V

0805330pF---0.056μF330pF---0.012μF

12061000pF---0.15μF1000pF---0.047μF

12101000pF---0.22μF1000pF---0.1μF

22250.01μF---1μF0.01μF---0.56μF

三Z5U电容器

Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。

这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。

对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。

但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。

尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。

尤其是在退耦电路的应用中。

下表给出了Z5U电容器的取值范围。

封装DC=25VDC=50V

08050.01μF---0.12μF0.01μF---0.1μF

12060.01μF---0.33μF0.01μF---0.27μF

12100.01μF---0.68μF0.01μF---0.47μF

22250.01μF---1μF0.01μF---1μF

Z5U电容器的其他技术指标如下:

工作温度范围+10℃---+85℃

温度特性+22%-----56%

介质损耗最大4%

四Y5V电容器

Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。

Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。

Y5V电容器的取值范围如下表所示

封装DC=25VDC=50V

08050.01μF---0.39μF0.01μF---0.1μF

12060.01μF---1μF0.01μF---0.33μF

12100.1μF---1.5μF0.01μF---0.47μF

22250.68μF---2.2μF0.68μF---1.5μF

Y5V电容器的其他技术指标如下:

工作温度范围-30℃---+85℃

温度特性+22%-----82%

介质损耗最大5%

电容电感的选择及EMI中的应用（转载于internet）

电容后面加一个电阻主要有三个作用,一是降低频率响应,1\\2piRC,由于C的值越大,体积越大,所以为了节省体积,用C值小的电容,通过增加一个R,可以降低截止频率的值，切断高频的NOISE,二是ESD作用,三是抑制串扰噪声,加一个电阻减少了电流,减小了相互之间的串扰

电阻并在电源滤波电容上是为了泄放，目的是保持电压的相对平稳，防止电路产生负阻振荡。

电阻并在有槽路的电容上是起阻尼作用，降低Q值展宽频带。

电阻并在四端网络的电容上是为了改变时间常数

首先设电容器极板在t时刻的电荷量为q,极板间的电压为u.,根据回路电压方程可得：

U-u=IR（I表示电流），又因为u=q/C,I=dq/dt（这儿的d表示微分哦），代入后得到

U-q/C=R*dq/dt,也就是Rdq/（U-q/C）=dt,然后两边求不定积分，并利用初始条件：

t=0,q=0就得到q=CU【1-e^-t/（RC）】这就是电容器极板上的电荷随时间t的变化关系函数。

顺便指出，电工学上常把RC称为时间常数。

相应地，利用u=q/C,立即得到极板电压随时间变化的函数，u=U【1-e^-t/（RC）】。

从得到的公式看，只有当时间t趋向无穷大时，极板上的电荷和电压才达到稳定，充电才算结束。

但在实际问题中，由于1-e^-t/（RC）很快趋向1，故经过很短的一段时间后，电容器极板间电荷和电压的变化已经微乎其微，即使我们用灵敏度很高的电学仪器也察觉不出来q和u在微小地变化，所以这时可以认为已达到平衡，充电结束。

举个实际例子吧，假定U=10伏，C=1皮法，R=100欧，利用我们推导的公式可以算出，经过t=4.6*10^（-10）秒后，极板电压已经达到了9.9伏。

真可谓是风驰电掣的一刹那，

当电压太高，会击穿电容，从而坏掉。

额定电压一般为安全电压，和中间介质，电极好坏都有关系

云母电容:

用金属箔或者在云母片上喷涂银层做电极板，极板和云母一层一层叠合后，再压铸在胶木粉或封固在环氧树脂中制成。

它的特点是介质损耗小，绝缘电阻大、温度系数小，适宜用于高频电路。

陶瓷电容:

用陶瓷做介质，在陶瓷基体两面喷涂银层，然后烧成银质薄膜做极板制成。

它的特点是体积小，耐热性好、损耗小、绝缘电阻高，但容量小，适宜用于高频电路。

铁电陶瓷电容容量较大，但是损耗和温度系数较大，适宜用于低频电路。

薄膜电容:

结构和纸介电容相同，介质是涤纶或者聚苯乙烯。

涤纶薄膜电容，介电常数较高，体积小，容量大，稳定性较好，适宜做旁路电容。

聚苯乙烯薄膜电容，介质损耗小，绝缘电阻高，但是温度系数大，可用于高频电路。

金属化纸介电容

结构和纸介电容基本相同。

它是在电容器纸上覆上一层金属膜来代替金属箔，体积小，容量较大，一般用在低频电路中。

油浸纸介电容:

它是把纸介电容浸在经过特别处理的油里，能增强它的耐压。

它的特点是电容量大、耐压高，但是体积较大。

铝电解电容:

它是由铝圆筒做负极，里面装有液体电解质，插入一片弯曲的铝带做正极制成。

还需要经过直流电压处理，使正极片上形成一层氧化膜做介质。

它的特点是容量大，但是漏电大，稳定性差，有正负极性，适宜用于电源滤波或者低频电路中。

使用的时候，正负极不要接反。

钽、铌电解电容:

它用金属钽或者铌做正极，用稀硫酸等配液做负极，用钽或铌表面生成的氧化膜做介质制成。

它的特点是体积小、容量大、性能稳定、寿命长、绝缘电阻大、温度特性好。

用在要求较高的设备中。

半可变电容:

也叫做微调电容。

它是由两片或者两组小型金属弹片，中间夹着介质制成。

调节的时候改变两片之间的距离或者面积。

它的介质有空气、陶瓷、云母、薄膜等。

可变电容:

它由一组定片和一组动片组成，它的容量随着动片的转动可以连续改变。

把两组可变电容装在一起同轴转动，叫做双连。

可变电容的介质有空气和聚苯乙烯两种。

空气介质可变电容体积大，损耗小，多用在电子管收音机中。

聚苯乙烯介质可变电容做成密封式的，体积小，多用在晶体管收音机中。

NPO（COG）:

电气性能最稳定，基本上不随温度、电压与时间的改变面改变，适用于对稳定性要求高的高频电路；

X7R（2X1）:

电气性能较稳定,在温度、电压与时间改变时性能的变化并不显著，适用于隔直、偶合、旁路与对容量稳定性要求不太高的鉴频电路，由于X7R是一种强电介质，因面能造出容量比NPO介质更大的电容器；

Y5V（2F4）（Z5U）：

具有较低高的介电常数，常用于生产比容较大的、标称容量较高的大容量电容器产品，但其容量稳定性较X7R差，容量、损耗对温度，电压等测试条件较敏感。

1.14.1、退藕电容的一般配置原则

●电源输入端跨接一个10～100uF的电解电容器，如果印制电路板的位置允许，采用100uF以上的电解电容器的抗干扰效果会更好。

●为每个集成电路芯片配置一个0.01uF的陶瓷电容器。

如遇到印制电路板空间小而装不下时，可每4～10个芯片配置一个1～10uF钽电解电容器，这种器件的高频阻抗特别小，在500kHz～20MHz范围内阻抗小于1Ω，而且漏电流很小（0.5uA以下）。

●对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和ROM、RAM等存储型器件，应在芯片的电源线（Vcc）和地线（GND）间直接接入去耦电容。

●去耦电容的引线不能过长，特别是高频旁路电容不能带引线。

●在印制板中有接触器、继电器、按钮等元件时．操作它们时均会产生较大火花放电，必须RC电路来吸收放电电流。

一般R取1~2K，C取2.2~47UF。

●CMOS的输入阻抗很高，且易受感应，因此在使用时对不用端要接地或接正电源。

●设计时应确定使用高频低频中频三种去耦电容，中频与低频去耦电容可根据器件与PCB功耗决定,可分别选47-1000uF和470-3300uF；高频电容计算为:

C=P/V*V*F。

●每个集成电路一个去耦电容。

每个电解电容边上都要加一个小的高频旁路电容。

●用大容量的钽电容或聚酷电容而不用电解电容作电路充放电储能电容。

使用管状电时，外壳要接地。

由于大部分能量的交换也是主要集中于器件的电源和地引脚，而这些引脚又是独立的直接和地电平面相连接的。

这样，电压的波动实际上主要是由于电流的不合理分布引起。

但电流的分布不合理主要是由于大量的过孔和隔离带造成的。

这种情况下的电压波动将主要传输和影响到器件的电源和地线引脚上。

为减小集成电路芯片电源上的电压瞬时过冲，应该为集成电路芯片添加去耦电容。

这可以有效去除电源上的毛刺的影响并减少在印制板上的电源环路的辐射。

　　当去耦电容直接连接在集成电路的电源管腿上而不是连接在电源层上时，其平滑毛刺的效果最好。

这就是为什么有一些器件插座上带有去耦电容，而有的器件要求去耦电容距器件的距离要足够的小。

1.14.2、配置电容的经验值

好的高频去耦电容可以去除高到1GHZ的高频成份。

陶瓷片电容或多层陶瓷电容的高频特性较好。

设计印刷线路板时，每个集成电路的电源，地之间都要加一个去耦电容。

去耦电容有两个作用：

一方面是本集成电路的蓄能电容，提供和吸收该集成电路开门关门瞬间的充放电能；另一方面旁路掉该器件的高频噪声。

数字电路中典型的去耦电容为0.1uf的去耦电容有5nH分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说对于10MHz以下的噪声有较好的去耦作用，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。

1uf，10uf电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频率噪声的效果要好一些。

在电源进入印刷板的地方放一个1uf或10uf的去高频电容往往是有利的，即使是用电池供电的系统也需要这种电容。

每10片左右的集成电路要加一片充放电电容，或称为蓄放电容，电容大小可选10uf。

最好不用电解电容，电解电容是两层溥膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感，最好使用胆电容或聚碳酸酝电容。

去耦电容值的选取并不严格，可按C=1/f计算；即10MHz取0.1uf。

由于不论使用怎样的电源分配方案，整个系统会产生足够导致问题发生的噪声，额外的过滤措施是必需的。

这一任务由旁路电容完成。

一般来说，一个1uf-10uf的电容将被放在系统的电源接入端，板上每个设备的电源脚与地线脚之间应放置一个0.01uf-0.1uf的电容。

旁路电容就是过滤器。

放在电源接入端的大电容（约10uf）用来过滤板子产生的低频（比如60hz线路频率）。

板上工作中的设备产生的噪声会产生从100mhz到更高频率间的合共振（harmonics）。

每个芯片间都要放置旁路电容，这些电容比较小，大约0.1u左右。

电容器是电路中最基本的元件之一，利用电容滤除电路上的高频骚扰和对电源解耦是所有电路设计人员都熟悉的。

但是，随着电磁干扰问题的日益突出，特别是干扰频率的日益提高，由于不了解电容的基本特性而达不到预期滤波效果的事情时有发生。

本文介绍一些容易被忽略的影响电容滤波性能的参数及使用电容器抑制电磁骚扰时需要注意的事项。

1电容引线的作用

　　在用电容抑制电磁骚扰时，最容易忽视的问题就是电容引线对滤波效果的影响。

电容器的容抗与频率成反比，正是利用这一特性，将电容并联在信号线与地线之间起到对高频噪声的旁路作用。

然而，在实际工程中，很多人发现这种方法并不能起到预期滤除噪声的效果，面对顽固的电磁噪声束手无策。

出现这种情况的一个原因是忽略了电容引线对旁路效果的影响。

　　实际电容器的电路模型如图1所示，它是由等效电感（ESL）、电容和等效电阻（ESR）构成的串联网络。

图1实际电容器的等效电路

　　理想电容的阻抗是随着频率的升高降低，而实际电容的阻抗是图1所示的网络的阻抗特性，在频率较低的时候，呈现电容特性，即阻抗随频率的增加而降低，在某一点发生谐振，在这点电容的阻抗等于等效串联电阻ESR。

在谐振点以上，由于ESL的作用，电容阻抗随着频率的升高而增加，这是电容呈现电感的阻抗特性。

在谐振点以上，由于电容的阻抗增加，因此对高频噪声的旁路作用减弱，甚至消失。

　　电容的谐振频率由ESL和C共同决定，电容值或电感值越大，则谐振频率越低，也就是电容的高频滤波效果越差。

ESL除了与电容器的种类有关外，电容的引线长度是一个十分重要的参数，引线越长，则电感越大，电容的谐振频率越低。

因此在实际工程中，要使电容器的引线尽量短，电容器的正确安装方法和不正确安装方法如图2所示。

图2滤波电容的正确安装方法与错误安装方法

　　根据LC电路串联谐振的原理，谐振点不仅与电感有关，还与电容值有关，电容越大，谐振点越低。

许多人认为电容器的容值越大，滤波效果越好，这是一种误解。

电容越大对低频干扰的旁路效果虽然好，但是由于电容在较低的频率发生了谐振，阻抗开始随频率的升高而增加，因此对高频噪声的旁路效果变差。

表1是不同容量瓷片电容器的自谐振频率，电容的引线长度是1.6mm（你使用的电容的引线有这么短吗？

）。

表1

电容值自谐振频率（MHz）电容值自谐振频率（MHz）

1mF1.7　　　820pF38.5

0.1mF4　　　680pF42.5

0.01mF12.6　560pF45

3300pF19.3　470pF49

1800pF25.5　390pF54

1100pF33　330pF60

　　尽管从滤除高频噪声的角度看，电容的谐振是不希望的，但是电容的谐振并不是总是有害的。

当要滤除的噪声频率确定时，可以通过调整电容的容量，使谐振点刚好落在骚扰频率上。

2.温度的影响

　　由于电容器中的介质参数受到温度变化的影响，因此电容器的电容值也随着温度变化。

不同的介质随着温度变化的规律不同，有些电容器的容量当温度升高时会减小70%以上，常用的滤波电容为瓷介质电容，瓷介质电容器有超稳定型：

COG或NPO，稳定型：

X7R，和通用型：

Y5V或Z5U三种。

不同介质的电容器的温度特性如图2所示。

图3不同介质电容器的温度特性

　　从图中可以看到，COG电容器的容量几乎随温度没有变化，X7R电容器的容量在额定工作温度范围变化12%以下，Y5V电容器的容量在额定工作温度范围内变化70%以上。

这些特性是必须注意的，否则会出现滤波器在高温或低温时性能变化而导致设备产生电磁兼容问题。

　　COG介质虽然稳定，但介质常数较低，一般在10～100，因此当体积较小时，容量较小。

X7R的介质常数高得多，为2000～4000，因此较小的体积能产生较大的电容，Y5V的介质常数最高，为5000～25000。

　　许多人在选用电容器时，片面追求电容器的体积小，这种电容器的介质虽然具有较高的介质常数，但温度稳定性很差，这会导致设备的温度特性变差。

这在选用电容器时要特别注意，尤其是在军用设备中。

3.电压的影响

　　电容器的电容量不仅随着温度变化，还会随着工作电压变化，这一点在实际工程必须注意。

不同介质材料的电容器的电压特性如图3所示。

从图中可以看出，X7R电容器在额定电压状态下，其容量降为原始值的70%，而Y5V电容器的容量降为原始值的30%！

了解了这个特性，在选用电容时要在电压或电容量上留出余量，否则在额定工作电压状态下，滤波器会达不到预期的效果。

图4电容器的电压特性

　　综合考虑温度和电压的影响时，电容的变化如图4所示。

图5电容器的温度/电压特性

5.穿心电容的使用

　　在实际工程中，要滤除的电磁噪声频率往往高达数百MHz，甚至超过1GHz。

对这样高频的电磁噪声必须使用穿心电容才能有效地滤除。

普通电容之所以不能有效地滤除高频噪声，是因为两个原因，一个原因是电容引线电感造成电容谐振，对高频信号呈现较大的阻抗，削弱了对高频信号的旁路作用；另一个原因是导线之间的寄生电容使高频信号发生耦合，降低了滤波效果，如图5所示。

图6普通电容在高频滤波中的问题

　　穿心电容之所以能有效地滤除高频噪声，是因为穿心电容不仅没有引线电感造成电容谐振频率过低的问题，而且穿心电容可以直接安装在金属面板上，利用金属面板起到高频隔离的作用。

但是在使用穿心电容时，要注意的问题是安装问题。

穿心电容最大的弱点是怕高温和温度冲击，这在将穿心电容往金属面板上焊接时造成很大困难。

许多电容在焊接过程中发生损坏。

特别是当需要将大量的穿心电容安装在面板上时，只要有一个损坏，就很难修复，因为在将损坏的电容拆下时，会造成邻近其它电容的损坏。

　　随着电子设备复杂程度的提高，设备内部强弱电混合安装、数字逻辑电路混合安装的情况越来越多，电路模块之间的相互骚扰成为严重的问题。

解决这种电路模块相互骚扰的方法之一是用金属隔离舱将不同性质的电路隔离开。

但是所有穿过隔离舱的导线要通过穿心电容，否则会造成隔离失效。

当不同电路模块之间有大量的联线时，在隔离舱上安装大量的穿心电容是十分困难的事情。

为了解决这个问题，国外许多厂商开发了“滤波阵列板”，这是用特殊工艺事先将穿心电容焊接在一块金属板构成的器件，使用滤波阵列板能够轻而易举地解决大量导线穿过金属面板的问题。

但是这种滤波阵列板的价格往往较高，每针的价格约30元。

　　1999年，北京天亦通公司开发成功了TLZ–1系列滤波阵列板（专利申请中）。

这种滤波阵列板的滤波性能接近国外产品，但价格仅为国外产品的1/10以下。

TLZ–1系列滤波阵列板的密度是标准2.54mm，可以直接与扁平电缆插座配合，便于安装，可广泛用于电子设备的滤波隔离（图6）。

图7滤波阵列板用于电路隔离

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在电子设备的PCB板电路中会大量使用感性元件和EMI滤波器元件。

这些元件包括片式电感和片式磁珠，以下就这两种器件的特点进行描述并分析他们的普通应用场合以及特殊应用场合。

表面贴装元件的好处在于小的封装尺寸和能够满足实际空间的要求。

除了阻抗值，载流能力以及其他类似物理特性不同外，通孔接插件和表面贴装器件的其他性能特点基本相同。

片式电感在需要使用片式电感的场合，要求电感实现以下两个基本功能：

电路谐振和扼流电抗。

谐振电路包括谐振发生电路，振荡电路，时钟电路，脉冲电路，波形发生电路等等。

谐振电路还包括高Q带通滤波器电路。

要使电路产生谐振，必须有电容和电感同时存在于电路中。

在电感的两端存在寄生电容，这是由于器件两个电极之间的铁氧体本体相当于电容介质而产生的。

在谐振电路中，电感必须具有高Q，窄的电感偏差，稳定的温度系数，才能达到谐振电路窄带，低的频率温度漂移的要求。

高Q电路具有尖锐的谐振峰值。

窄的电感偏置保证谐振频率偏差尽量小。

稳定的温度系数保证谐振频率具有稳定的温度变化特性。

标准的径向引出电感和轴向引出电感以及片式电感的差异仅仅在于封装不一样。

电感结构包括介质材料（通常为氧化铝陶瓷材料）上绕制线圈，或者空心线圈以及铁磁性材料上绕制线圈。

在功率应用场合，作为扼流圈使用时，电感的主要参数是直流电阻（DCR）,额定电流，和低Q值。

当作为滤波器使用时，希望宽带宽特性，因此，并不需要电感的高Q特性。

低的DCR可以保证最小的电压降，DCR定义为元件在没有交流信号下的直流电阻。

片式磁珠片式磁珠的功能主要是消除存在于传输线结构（PCB电路）中的RF噪声,RF能量是叠加在直流传输电平上的交流正弦波成分，直流成分是需要的有用信号,而射频RF能量却是无用的电磁干扰沿着线路传输和辐射（EMI）。

要消除这些不需要的信号能量，使用片式磁珠扮演高频电阻的角色（衰减器），该器件允许直流信号通过，而滤除交流信号。

通常高频信号为30MHz以上，然而，低频信号也会受到片式磁珠的影响。

片式磁珠由软磁铁氧体材料组成，构成高体积电阻率的独石结构。

涡流损耗同铁氧体材料的电阻率成反比。

涡流损耗随信号频率的平方成正比。

使用片式磁珠的好处：

小型化和轻量化在射频噪声频率范围内具有高阻抗，消除传输线中的电磁干扰。

闭合磁路结构，更好地消除信号的串绕。

极好的磁屏蔽结构。

降低直流电阻，以免对有用信号产生过大的衰减。

显著的高频特性和阻抗特性（更好的消除RF能量）。

在高频放大电路中消除寄生振荡。

有效的工作在几个MHz到几百MHz的频率范围内。

要正确的选择磁珠，必须注意以下几点：

1、不需要的信号的频率范围为多少；

2、噪声源是谁；

3、需要多大的噪声衰减；

4、环境条件是什么（温度，直流电压，结构强度）；

5、电路和负载阻抗是多少；

6、是否有空间在PCB板上放置磁珠；

前三条通过观察厂家提供的阻抗频率曲线就可以判断。

在阻抗曲线中三条曲线都非常重要，即电阻，感抗和总阻抗。

总阻抗通过ZR22πfL（）2+:

=fL来描述。

典型的阻抗曲线如下图所示：

通过这一曲线，选择在希望衰减噪声的频率范围内具有最大阻抗而在低频和直流下信号衰减尽量小的磁珠型号。

片式磁珠在过大的直流电压下，阻抗特性会受到影响，另外，如果工作温升过高，或者外部磁场过大，