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二极管的型号区分共11页
二极管的型号命名规定由五个部分组成
晶体二极管的分类
一、根据构造分类
半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。
与PN结不可分割的点接触型和肖特基型,也被列入一般的二极管的范围内。
包括这两种型号在内,根据PN结构造面的特点,把晶体二极管分类如下:
1、点接触型二极管
点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的。
因此,其PN结的静电容量小,适用于高频电路。
但是,与面结型相比较,点接触型二极管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大电流和整流。
因为构造简单,所以价格便宜。
对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言,它是应用范围较广的类型。
2、键型二极管
键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。
其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。
与点接触型相比较,虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加,但正向特性特别优良。
多作开关用,有时也被应用于检波和电源整流(不大于50mA)。
在键型二极管中,熔接金丝的二极管有时被称金键型,熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
3、合金型二极管
在N型锗或硅的单晶片上,通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。
正向电压降小,适于大电流整流。
因其PN结反向时静电容量大,所以不适于高频检波和高频整流。
4、扩散型二极管
在高温的P型杂质气体中,加热N型锗或硅的单晶片,使单晶片表面的一部变成P型,以此法PN结。
因PN结正向电压降小,适用于大电流整流。
最近,使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。
5、台面型二极管
PN结的制作方法虽然与扩散型相同,但是,只保留PN结及其必要的部分,把不必要的部分用药品腐蚀掉。
其剩余的部分便呈现出台面形,因而得名。
初期生产的台面型,是对半导体材料使用扩散法而制成的。
因此,又把这种台面型称为扩散台面型。
对于这一类型来说,似乎大电流整流用的产品型号很少,而小电流开关用的产品型号却很多。
6、平面型二极管
在半导体单晶片(主要地是N型硅单晶片)上,扩散P型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。
因此,不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。
由于半导体表面被制作得平整,故而得名。
并且,PN结合的表面,因被氧化膜覆盖,所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。
最初,对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的,故又把平面型称为外延平面型。
对平面型二极管而言,似乎使用于大电流整流用的型号很少,而作小电流开关用的型号则很多。
7、合金扩散型二极管
它是合金型的一种。
合金材料是容易被扩散的材料。
把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质,就能与合金一起过扩散,以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。
此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。
8、外延型二极管
用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。
制造时需要非常高超的技术。
因能随意地控制杂质的不同浓度的分布,故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。
9、肖特基二极管
基本原理是:
在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。
肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。
其耐压程度只有40V左右。
其特长是:
开关速度非常快:
反向恢复时间trr特别地短。
因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管。
二、根据用途分类
1、检波用二极管
就原理而言,从输入信号中取出调制信号是检波,以整流电流的大小(100mA)作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。
锗材料点接触型、工作频率可达400MHz,正向压降小,结电容小,检波效率高,频率特性好,为2AP型。
类似点触型那样检波用的二极管,除用于检波外,还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。
也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。
2、整流用二极管
就原理而言,从输入交流中得到输出的直流是整流。
以整流电流的大小(100mA)作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流。
面结型,工作频率小于KHz,最高反向电压从25伏至3000伏分A~X共22档。
分类如下:
①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型。
3、限幅用二极管
大多数二极管能作为限幅使用。
也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。
为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用,通常使用硅材料制造的二极管。
也有这样的组件出售:
依据限制电压需要,把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。
4、调制用二极管
通常指的是环形调制专用的二极管。
就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。
即使其它变容二极管也有调制用途,但它们通常是直接作为调频用。
5、混频用二极管
使用二极管混频方式时,在500~10,000Hz的频率范围内,多采用肖特基型和点接触型二极管。
6、放大用二极管
用二极管放大,大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大,以及用变容二极管的参量放大。
因此,放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管。
7、开关用二极管
有在小电流下(10mA程度)使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。
小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管,也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管。
开关二极管的特长是开关速度快。
而肖特基型二极管的开关时间特短,因而是理想的开关二极管。
2AK型点接触为中速开关电路用;2CK型平面接触为高速开关电路用;用于开关、限幅、钳位或检波等电路;肖特基(SBD)硅大电流开关,正向压降小,速度快、效率高。
8、变容二极管
用于自动频率控制(AFC)和调谐用的小功率二极管称变容二极管。
日本厂商方面也有其它许多叫法。
通过施加反向电压,使其PN结的静电容量发生变化。
因此,被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。
通常,虽然是采用硅的扩散型二极管,但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管,因为这些二极管对于电压而言,其静电容量的变化率特别大。
结电容随反向电压VR变化,取代可变电容,用作调谐回路、振荡电路、锁相环路,常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路,多以硅材料制作。
9、频率倍增用二极管
对二极管的频率倍增作用而言,有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃(即急变)二极管的频率倍增。
频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器,可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同,但电抗器的构造却能承受大功率。
阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管,从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短,因此,其特长是急速地变成关闭的转移时间显著地短。
如果对阶跃二极管施加正弦波,那么,因tt(转移时间)短,所以输出波形急骤地被夹断,故能产生很多高频谐波。
10、稳压二极管
是代替稳压电子二极管的产品。
被制作成为硅的扩散型或合金型。
是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管。
作为控制电压和标准电压使用而制作的。
二极管工作时的端电压(又称齐纳电压)从3V左右到150V,按每隔10%,能划分成许多等级。
在功率方面,也有从200mW至100W以上的产品。
工作在反向击穿状态,硅材料制作,动态电阻RZ很小,一般为2CW型;将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型。
11、PIN型二极管(PINDiode)
这是在P区和N区之间夹一层本征半导体(或低浓度杂质的半导体)构造的晶体二极管。
PIN中的I是"本征"意义的英文略语。
当其工作频率超过100MHz时,由于少数载流子的存贮效应和"本征"层中的渡越时间效应,其二极管失去整流作用而变成阻抗元件,并且,其阻抗值随偏置电压而改变。
在零偏置或直流反向偏置时,"本征"区的阻抗很高;在直流正向偏置时,由于载流子注入"本征"区,而使"本征"区呈现出低阻抗状态。
因此,可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用。
它常被应用于高频开关(即微波开关)、移相、调制、限幅等电路中。
12、雪崩二极管(AvalancheDiode)
它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。
产生高频振荡的工作原理是栾的:
利用雪崩击穿对晶体注入载流子,因载流子渡越晶片需要一定的时间,所以其电流滞后于电压,出现延迟时间,若适当地控制渡越时间,那么,在电流和电压关系上就会出现负阻效应,从而产生高频振荡。
它常被应用于微波领域的振荡电路中。
13、江崎二极管(TunnelDiode)
它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。
其基底材料是砷化镓和锗。
其P型区的N型区是高掺杂的(即高浓度杂质的)。
隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。
发生隧道效应具备如下三个条件:
①费米能级位于导带和满带内;②空间电荷层宽度必须很窄(0.01微米以下);简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。
江崎二极管为双端子有源器件。
其主要参数有峰谷电流比(IP/PV),其中,下标"P"代表"峰";而下标"V"代表"谷"。
江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中(其工作频率可达毫米波段),也可以被应用于高速开关电路中。
14、快速关断(阶跃恢复)二极管(StepRecovaryDiode)
它也是一种具有PN结的二极管。
其结构上的特点是:
在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区,从而形成"自助电场"。
由于PN结在正向偏压下,以少数载流子导电,并在PN结附近具有电荷存贮效应,使其反向电流需要经历一个"存贮时间"后才能降至最小值(反向饱和电流值)。
阶跃恢复二极管的"自助电场"缩短了存贮时间,使反向电流快速截止,并产生丰富的谐波分量。
利用这些谐波分量可设计出梳状频谱发生电路。
快速关断(阶跃恢复)二极管用于脉冲和高次谐波电路中。
15、肖特基二极管(SchottkyBarrierDiode)
它是具有肖特基特性的"金属半导体结"的二极管。
其正向起始电压较低。
其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。
其半导体材料采用硅或砷化镓,多为N型半导体。
这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。
由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。
其工作频率可达100GHz。
并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
16、阻尼二极管
具有较高的反向工作电压和峰值电流,正向压降小,高频高压整流二极管,用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用。
17、瞬变电压抑制二极管
TVP管,对电路进行快速过压保护,分双极型和单极型两种,按峰值功率(500W-5000W)和电压(8.2V~200V)分类。
18、双基极二极管(单结晶体管)
两个基极,一个发射极的三端负阻器件,用于张驰振荡电路,定时电压读出电路中,它具有频率易调、温度稳定性好等优点。
19、发光二极管
用磷化镓、磷砷化镓材料制成,体积小,正向驱动发光。
工作电压低,工作电流小,发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。
三、根据特性分类
点接触型二极管,按正向和反向特性分类如下。
1、一般用点接触型二极管
这种二极管正如标题所说的那样,通常被使用于检波和整流电路中,是正向和反向特性既不特别好,也不特别坏的中间产品。
如:
SD34、SD46、1N34A等等属于这一类。
2、高反向耐压点接触型二极管
是最大峰值反向电压和最大直流反向电压很高的产品。
使用于高压电路的检波和整流。
这种型号的二极管一般正向特性不太好或一般。
在点接触型锗二极管中,有SD38、1N38A、OA81等等。
这种锗材料二极管,其耐压受到限制。
要求更高时有硅合金和扩散型。
3、高反向电阻点接触型二极管
正向电压特性和一般用二极管相同。
虽然其反方向耐压也是特别地高,但反向电流小,因此其特长是反向电阻高。
使用于高输入电阻的电路和高阻负荷电阻的电路中,就锗材料高反向电阻型二极管而言,SD54、1N54A等等属于这类二极管。
4、高传导点接触型二极管
它与高反向电阻型相反。
其反向特性尽管很差,但使正向电阻变得足够小。
对高传导点接触型二极管而言,有SD56、1N56A等等。
对高传导键型二极管而言,能够得到更优良的特性。
这类二极管,在负荷电阻特别低的情况下,整流效率较高。
1N4007是你所问二极管的型号
1N是日本电子元件命名法:
1代表有一个PN节为二极管。
2代表有两个PN节为三极管。
1N4000系列为硅整流二极管
相关参数如下:
型号电流A耐压值V
1N4001150
1N40021100
1N40031200
1N40041400
1N40051600
1N40061800
1N400711000
电子行业常用的元件:
整流二极管:
1N4001~4007
检波二极管:
1N4148
三极管:
9011、9012、9013、9014、9016、9018(小功率)
稳压IC:
7805、7812、7905、7912
运放IC:
LM324、LM386、(比较器LM339)、TD2822
功放IC:
TDA2019、2030
时基IC:
555、556
数字IC:
4001、4011、40106、4066、4017、4060
半导体二极管的型号命名--E点城
半导体二极管的型号命名
1.国产半导体器件的命名方法
二极管的型号命名通常根据国家标准GB_249—74规定,由五部分组成。
第一部分:
用数字表示器件电极的数目。
第二部分:
用汉语拼音字母表示器件材料和极性。
第三部分:
用汉语拼音字母表示器件的类型。
第四部分:
用数字表示器件序号。
第五部分:
用汉语拼音字母表示规格号。
如表5.1所示。
表5.1国产半导体器件的命名方法
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
第五部分
符号
意义
字母
意义
字母
意义
字母
意义
意义
意义
2
二极管
A
N型,锗材料
P
普通
X
低频小功率
(fa<3MHz,Pc<1W)
反映二
极管、三
极管参数
的差别
反映二极
管、三极管承
受反向击穿电
压的高低。
如
A、B、C、D…其
中A承受的反
向击穿电压最
低,B稍高
B
P型,锗材料
W
稳压管
C
N型,硅材料
Z
整流管
G
高频小功率
(fa>3MHz,Pc<1W)
D
P型,硅材料
L
整流堆
3
三极管
A
PNP型,锗材料
N
阻尼管
D
低频大功率
(fa<3MHz,Pc>1W)
B
NPN型,锗材料
K
开关管
C
PNP型,硅材料
F
发光管
A
高频大功率
(fa>3MHz,Pc>1W)
D
NPN型,硅材料
S
隧道管
E
化合物材料
U
光电管
T
可控硅
CS
场效应管
BT
特殊器件
2.日本半导体器件的命名方法
日本半导体器件命名型号由五部分组成。
第一部分:
用数字表示半导体器件有效数目和类型。
1表示二极管,2表示三
极管。
第二部分:
用S表示已在日本电子工业协会登记的半导体器件。
第三部分:
用字母表示该器件使用材料、极性和类型。
第四部分:
表示该器件在日本电子工业协会的登记号。
第五部分:
表示同一型号的改进型产品。
具体符号意义如表5·2所示。
表5.2日本半导体器件的命名
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
第五部分
序号
意义
符号
意义
序号
意义
序号
意义
序号
意义
O
光电二极管或三极管
S
已在日本电子工业协会注册登记的半导体器件
A
PNP高频晶体管
多位数字
该器件在日
本电子工业协会的注册登记号
A
B
C
D
该器件为原
型号产品的改
进产品
B
NP低频晶体管
C
NPN高频晶体管
1
二极管
D
NPN低频晶体管
2
三极管或有三个电极的其他器件
E
P控制极可控硅
G
N控制极可控硅
H
N基极单结晶管
J
P沟道场效应管
3
四个电极的器件
N沟道场效应管
M
双向可控硅
3.美国半导体器件的命名方法
美国电子工业协会半导体分立器件命名型号由五部分组成。
第一部分为前缀。
第二部分、第三部分、第四部分为型号基本部分。
第五部分为后缀。
这五部分符号及意义如表5.3所示。
表5.3美国半导体器件的命名
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
第五部分
用符号表示器件的类别
用数字表示PN结数目
美国电子工业协会注册标志
美国电子工业协会登记号
用字母表示器分挡
序号
意义
序号
意义
序号
意义
序号
意义
序号
意义
JAN或J
军用品
1
二极管
N
该器件是在美国电子工业协会注册登记的半导体器件
多位
数字
该器件在美国
电子工业协的
注册登记号
A
B
C
D
同一型
号器件的
不同挡别
4、常用的1N4000系列二极管耐压比较如下:
型号 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007
耐压(V) 50 100 200 400 600 800 1000
电流(A) 均为1
希望以上资料对你有所帮助,附励志名言3条:
1、上帝说:
你要什么便取什么,但是要付出相当的代价。
2、目标的坚定是性格中最必要的力量源泉之一,也是成功的利器之一。
没有它,天才会在矛盾无定的迷径中徒劳无功。
3、当你无法从一楼蹦到三楼时,不要忘记走楼梯。
要记住伟大的成功往往不是一蹴而就的,必须学会分解你的目标,逐步实施。
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- 二极管 型号 区分 11
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