跨导运算放大器及其Spice电路模型的构建OTA资料文档.docx
- 文档编号:9416689
- 上传时间:2023-02-04
- 格式:DOCX
- 页数:33
- 大小:424.81KB
跨导运算放大器及其Spice电路模型的构建OTA资料文档.docx
《跨导运算放大器及其Spice电路模型的构建OTA资料文档.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《跨导运算放大器及其Spice电路模型的构建OTA资料文档.docx(33页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
跨导运算放大器及其Spice电路模型的构建OTA资料文档
2.1CMOS模拟集成电路基本单元
2.1.1MOS场效应管的基本结构
绝缘栅场效应管又叫作MOS场效应管,意为金属-氧化物-半导体场效应管。
图2.1为MOS场效应管的结构和电路符号。
图中的N型硅衬底是杂质浓度低的N型硅薄片。
在它上面再制作两个相距很近的P区,分别引为漏极和源极,而由金属铝构成的栅极则是通过二氧化硅绝缘层与N型衬底及P型区隔离。
这也是绝缘栅MOS场效应管名称的由来。
因为栅极与其它电极隔离,所以栅极是利用感应电荷的多少来改变导电沟道去控制漏源电流的。
MOS场效应管的导电沟道由半导体表面场效应形成。
栅极加有负电压,而N型衬底加有正电压。
由于铝栅极和N型衬底间电场的作用,使绝缘层下面的N型衬底表面的电子被排斥,而带正电的空穴被吸引到表面上来。
于是在N型衬底的表面薄层形成空穴型号的P型层,称为反型层,它把漏源两极的P区连接起来,构成漏源间的导电沟道。
沟道的宽窄由电场强弱控制。
MOS场效应管的栅极与源极绝缘,基本不存在栅极电流,输入电阻非常高。
[20,21]
图2.1 MOS场效应管的结构和电路符号
Fig.2.1StructureandcircuitsymbolthatMOSField-EffectTransistor
场效应管有P型和N型之分。
这里的P型或N型,指的是导电沟道是P型还是N型,即导电沟道中是空穴导电还是电子导电。
因为场效应管中只有一种载流子参加导电,所以又常称为“单极型晶体管”。
P型沟道和N型沟道的MOS场效应管又各分为“耗尽型”和“增强型”两种。
耗尽型指栅极电压为零时,就存在导电沟道,漏源中间有一定电流。
增强型MOS场效应管,则只有在栅极电压大于零的情况下,才存在导电沟道。
2.1.2MOS场效应管的模型化
2.1.2.1MOS场效应管的大信号模型
MOS管的大信号(直流)特性可以用它的电流方程来描述。
以
N沟道增强型MOS管为例,特性曲线和电流方程如图2.2所示。
图2.2 特性曲线和电流方程
Fig.2.2Characteristicpropertycurveandelectriccurrentequation
如果栅源偏置电压
大于MOS管的阈值电压
,则在P型衬底的表面由于静电感应会产生大量的电子,形成导电沟道。
当漏区相对于源区加一正电压
时,在器件内部的沟道中就会产生电流
。
MOS管的工作状态可分为三个区,即电阻区(线性区)、饱和区和截止区。
(1)截止区:
VGS 此时不能产生导电沟道,漏极电流ID=0。 (2)电阻区: VGS>VT且VDS (2.1) 其中,W是沟道宽度,L是沟道长度,VT阈值电压, 称为跨导参数, 是载流子的沟道迁移率, 是单位电容的栅电容。 (3)饱和区: VGS>VT且VDS>VGS-VT。 临界饱和条件为VDS=VGS-VT,临界饱和时的漏极电流为: (2.2) 在饱和区,VDS增大时,ID几乎不变,所以上式也是饱和区的漏极电流一般公式。 当考虑到沟道长度调变效应之后,饱和区的MOS管漏极电流为: (2.3) 其中,λ为沟道长度调制系数,对于长度为L的MOS管,其大信号特性可近似认为λ是常数,并只取决于生产工艺,而与 无关。 [22,23] 2.1.2.2MOS场效应管的小信号模型 输入信号的幅度与电源电压相比较一般很小,它在直流偏置工作点附近变化时,可以近似认为器件工作在线性区间。 大信号特性可以确定器件的直流工作点,小信号特性可以用来设计器件和电路的性能。 MOS管的小信号模型可以直接由直流模型得出。 在大多数应用中,MOS管被偏置在饱和区工作,考虑到栅源、栅漏及漏源之间的寄生电容,MOS管的饱和区小信号模型如图2.3所示。 (2.4) 式中, 为跨导,表征输入电压对输出电流的控制能力。 对于在饱和区工作的模型参数,应用式2.2和2.4得: (2.5) 其中, 是漏极的直流电流。 图2.3 小信号模型 Fig.2.3Smallsignalmodel 当电路在低频工作时可以不考虑这些寄生电容的影响,此时的小信号等效电路如图2.4所示。 图2.4不考虑电容影响的小信号等效电路 Fig.2.4Smallsignalequivalentcircuitthatdo’tconsidercapacitanceaffects 2.1.3CMOS电流镜 电流镜是模拟集成电路中普遍存在的一种标准部件,在传统的电压模式运算放大器设计中,电流镜用来产生偏置电流和作为有源负载。 2.1.3.1基本CMOS电流镜 (a)基本NMOS电流镜(b)基本PMOS电流镜 图2.5 基本CMOS电流镜 Fig.2.5FundamentalCMOSelectriccurrentmirror 基本CMOS电流镜如图2.5所示,其中图(a)为NMOS电流镜,图(b)为PMOS电流镜。 在图(a)中,M1的栅源短接,VDSI>VGS-VTI,所以Ml总工作于饱和区。 只要VDS2>VDS1-VT2,M2也工作于饱和区,漏极的交流输出电阻很高,这是图(a)作为电流镜的必要条件。 在这个条件下,由式2.3,有: (2.6) (2.7) 如果Ml与M2完全匹配,有 ,VT1=VT2,,λ1=λ2=λ,则: (2.8) 对于基本CMOS电流镜,由于沟道长度调制效应的影响,当MOS管的漏源电压不等时,会引起电流镜电流跟随误差。 但由于λ很小,所以误差也很小。 2.1.3.2CMOS级联电流镜 (a)NMOS级联电流镜(b)PMOS级联电流镜 图2.6 CMOS级联电流镜 Fig.2.6 CMOSlevelunitesthevoltaicmirror 图2.6为级联电流镜电路图。 图中M1与M3级联,M2与M4级联。 图2.6(a)为NMOS级联电流镜,图2.6(b)为PMOS级联电流镜。 在图2.6中,有IO=ID2,IR=ID1,VGS1=VGS2,由式2.3得: (2.9) 因为M1与M3级联,ID1=ID3,又VDS1=VGS1,VDS3=VGS3,那么当M1与M3的工艺参数相同时,由饱和区漏极电流表达式可知: VGS1=VGS3。 M2与M4级联,有ID2=ID4,由饱和区漏极电流表达式可知: VGS2=VGS4。 对于VDS1、VDS2,有VDS1=VGS1,VDS2=VGS3-VGS4+VGS1,又VGS1=VGS2,可得: VDS1=VDS2。 如果M1、M2的工艺参数相等,那么可得: (2.10) 当 时,有: (2.11) 由于级联电流镜的漏源电压基本相等,其电流跟随特性较好,跟随精度较高。 2.1.4基本源耦差分对电路的跨导分析 源耦合差分放大器在模拟集成电路中有着广泛的应用,如集成运放的输入级均采用差分放大器的电路结构[24]。 这是因为差分放大器只对差分信号进行放大,而对共模信号可进行抑制,有很强的抗干扰能力,并具有漂移小、级与级间很容易直接耦合等优点。 如图2.7所示为一个基本的MOS源耦合差分对管电路。 图中的M1、M2是完全对称的,其工作电流(IDI、ID2)由电流源Iss提供。 输出电流ID1、ID2的大小依赖于输入电压的差值(Vi1-Vi2),但ID1和ID2之和恒等于电流源Iss,在M1和M2的漏极分别接上电阻负载或MOS管有源负载,即构成差分放大器,由电流输出转换成电压输出,实现电压放大。 图2.7基本源耦合差分放大器电路 Fig.2.7Fundamentalsourcecouplingdifferencesamplifierscircuit MOS管M1和M2满足理想对称条件,其体效应和沟道长度调制效应均可忽略,并且始终工作在饱和区,则根据MOS管在饱和区的电流方程式有: (2.12) (2.13) 式中, 差模输入电压为: (2.14) 又: (2.15) 则联立可得: (2.16) (2.17) 从而得到源耦合差分对的输出电流为: (2.18) 跨导: (2.19) 上式表明,CMOS源耦差分放大器的跨导与Iss的平方根成正比,同时也与K的平方根成正比,可通过调节偏置电流或差分对管沟道宽长比W/L来调节跨导的数值。 2.2MOS-OTA基本电路模型及工作原理 跨导运算放大器,简称OTA(OperationalTransconductanceAmplifier),是一种电压输入、电流输出的电子放大器,可分为双极型和MOS型两种,它们的功能在本质上是相同的,都是线性电压控制电流源。 但是,由于集成工艺和电路设计的不同,产生它们在性能上的一些不同,相对双极型跨导运算放大器而言,CMOS跨导运算放大器的增益值较低,增益可调范围较小,但它的输入阻抗高、功耗低,易与其他电路结合实现CMOS集成系统。 2.2.1OTA的基本概念 OTA的电路符号如图2.8所示。 “-”号代表反相输入端,“+”号代表同相输入端。 IO是输出电流,Iabc是用于调节OTA跨导的外部控制电流。 图2.8OTA的电路符号 Fig.2.8TheOTAcircuitsymbol 理想OTA的传输特性是: (2.20) 其中,Vid是差模电压,Vp、Vn分别是同相端与反相端电压。 gm是跨导,它是外部控制电流Iabc的函数。 理想OTA的输入和输出阻抗都是无穷大。 2.2.2CMOS-OTA基本电路模型及工作原理 CMOS跨导运算放大器作为一种通用电路单元,在模拟信号处理领域得到广泛应用。 CMOS电路的输入阻抗高,级间连接容易,又特别适用于大规模集成,因而CMOSOTA在集成电路,特别是在集成系统中的位置远比双极型OTA重要。 CMOSOTA的结构框图如图2.9所示[24]: 图2.9CMOS跨导运放结构框图 Fig.2.9StructurediagramofCMOSOTA 由图2.9可知,CMOSOTA的结构由差动式跨导输入级和M1~M4四个电流镜组成。 差动式输入级将输入电压信号变换为电流信号,完成跨导型增益作用;电流镜M1~M3将双端输出的电流变换为单端输出电流;电流镜M4将外加偏置电流IB传输到输入级作尾电流,并控制放大器的增益值。 在上述四个电流镜中,M1、M2为P沟道,M3、M4为N沟道。 输出电流IO由下列方程式给出: (2.21) 式中, 、 、 分别为三个电流镜M1、M2、M3的电流传输比,如果取 ,则输出电流IO为: (2.22) 若差动式跨导输入级的增益用gm表示,则跨导运算放大器的输出电流与输入电压关系式为: (2.23) (2.24) 式中,Gm是跨导运算放大器增益。 在CMOS跨导运算放大器的电路结构中,差动式跨导输入级是结构的核心部分,也是传输特性非线性误差的主要来源,对跨导运放的性能改善,主要是改善跨导输入级的线性范围和线性程度。 如果跨导运算放大器的增益不是由电流控制,而是由电压控制,即可删去图2.9中的电流镜M4,并在相应位置加入电压控制信号。 由图2.9结构图看出,CMOS跨导运算放大器包含的基本电路是差动式跨导输入级和电流镜。 在跨导输入级中,有基本型源耦差分电路和各种改进型电路,在电流镜电路中,主要有基本电流镜、威尔逊电流镜和共源-共栅电流镜。 2.3CMOS跨导运算放大器Spice建模及其测试 2.3.1Spice概述 Spice是由美国加利福尼亚大学伯克利分校在1972年完成的通用电路分析程序。 Spice是这个程序(SimulationProgramwithIntegratedCircuitEmphasis)的缩写。 由于Spice采用完全开放的政策以及它的强大的功能,自问世以来,在全世界的电工、电子工程界得到了广泛的应用,围绕它的改进工作一直不断的进行,版本不断更新,其中以1981年的Spice2G版本最为流行,并于1988年被定为美国国家工业标准。 1984年,美国Microsim公司推出的基于Spice程序的个人计算机(PC机)版本PSpice(Personal-Spice),使Spice的版本不仅可以在大型计算机上运行,而且也可以在PC机上运行了。 此后各种版本的PSpice不断问世。 PSpice是电子电路计算机辅助分析设计中的电子电路模拟软件。 它主要用在所设计的电路硬件实现之前,先对电路进行模拟分析,就如同对所设计的电路进行搭试,然后用各种仪器来进行调整和测试一样,这些工作完全由计算机来完成。 用户根据要求来设置不同的参数,计算机就像扫频仪一样,分析电路的频率响应,能像示波器一样,测试电路的瞬态响应,还可以对电路进行交直流分析、噪声分析、MonteCarlo统计分析、最坏情况分析等,使用户的设计达到最优。 用计算机仿真有如下优点: (1)为电路设计人员节省了大量的时间; (2)节省了各种仪器设备;(3)生产产品一致性好、可靠性高;(4)产品的更新率高、新产品投放市场快等[25,26]。 2.3.2基本CMOS跨导运算放大器电路 基本CMOSOTA的电路图如图2.10所示。 图2.10CMOS跨导运算放大器电路图 Fig.2.10CMOSOTAcircuitdiagram 差分对管M1、M2和电流镜M3、M4组成跨导输入级,其输入是电压,输出是电流,跨导由外控电流Iabc控制。 M9和M10组成电流镜,把M2的电流镜像地映射到输出端。 M5~M8组成两个电流镜,把M1的电流镜像地映射到输出端。 输出电流等于M1和M2的漏极电流之差。 2.3.3Spice建模与测试 2.3.3.1跨导曲线仿真 利用Spice软件对图2.10所示COMS OTA的跨导特性进行仿真分析,取VDD=12V,VSS=-12V,RL=10K。 具体仿真网单文件如下: COMS_OTA_1 VIP1020M VIN20-20M VDD4012 VSS50-12 Iabc09 RL10010K M17233MOD1W=6UL=24U M26133MOD1W=6UL=24U .MODELMOD1NMOSLEVEL=2 M39955MOD2W=28UL=10U M43955MOD2W=28UL=10U .MODELMOD2NMOSLEVEL=2 M57744MOD3W=320UL=6U M68744MOD3W=320UL=6U .MODELMOD3PMOSLEVEL=2 M78855MOD4W=20UL=10U M810855MOD4W=20UL=10U .MODELMOD4NMOSLEVEL=2 M96644MOD5W=68UL=6U M1010644MOD5W=68UL=6U .MODELMOD5PMOSLEVEL=2 .OP .DCIabc100U300U1U .PROBE .END 当增益控制电流Iabc的变化范围为100uA到300uA时,仿真结果如图2.11(a)所示。 在此区间段内,跨导曲线线性度较差。 减小增益控制电流Iabc变化的范围,截取Iabc的变化范围为从150uA到250uA区间时,进行仿真。 所得仿真结果如图2.11(b)所示。 此区间段跨导曲线呈线性。 (a) (b) 图2.11跨导曲线 Fig.2.11Transconductancecurve 取输入电压幅值分别为6V、4V、2V、1V,进行多组跨导曲线的仿真。 仿真结果如图2.12所示。 经观察,当电压幅值为6V时,跨导的线性度最高。 当电压幅值取值为4V、2V、1V时,所对应的跨导特性曲线线性度逐渐变差。 图2.12多组跨导曲线 Fig.2.12Multiunittransconductancecurve 2.3.3.2直流传输特性 观察输入电压与输出电流之间的关系,取外部控制电流Iabc分别为10uA、20uA、50uA时,所得直流传输特性曲线如下图2.13所示,截取输入电压为-1V~1V范围进行观察,对于不同的外部控制电流,跨导均呈线性。 并且控制电流Iabc越大,跨导越大。 图2.13直流传输特性曲线 Fig.2.13Direct-currenttransferscharacteristicpropertycurve 2.3.3.3输出电压瞬态分析 取RL=10K,Iabc=200U,VIP=SIN(0{AMP}5K00180),VIN=SIN(0{AMP}5K),输入电压幅值动态变化,设置变化范围为1.5V到4.5V,步长为1.5V,进行输出电压瞬态分析。 仿真结果如图2.14所示。 经观察,输入电压幅值为1.5V、3V、4.5V时,输出电压波形均无明显失真。 图2.14输入电压幅值动态变化时的输出电压瞬态分析 Fig.2.14Outputvoltagetransientanalysiswhenenteringvoltageamplitudechanges 取输入电压为固定值,VIP=SIN(025K00180),VIN=SIN(025K),Iabc=200uA,负载RL动态变化,设置变化范围为40K到100K,步长为20K,进行输出电压瞬态分析。 仿真结果如图2.15所示。 经观察,输出电阻达到100K,输出电压波形无明显失真。 图2.15输出电阻动态变化时的输出电压瞬态分析 Fig.2.15Outputvoltagetransientanalysiswhenoutputresistancechanges 2.3.3.4幅频特性和相频特性 取VIP=-VIN=20M,VDD=12V,VSS=-12V,RL=10K,增益控制电流Iabc=200uA。 进行幅频特性、相频特性分析。 幅频特性仿真结果如图2.16所示。 观察仿真结果,能够发现,该CMOS-OTA电路的上限截止频率能够达到约50MHz。 图2.16幅频特性 Fig.2.16Amplitude-frequencycharacteristic 相频特性仿真结果如图2.17所示。 图2.17相频特性 Fig.2.17Phase-frequencycharacteristic 2.4大线性范围的宽带CMOS-OTA电路模型及其仿真 2.4.1MOS管组合线性单元 K.Bult提出了一种二管组合线性单元,如图2.18(a)所示。 (a)二管单元(b)三管单元 图2.18组合线性单元 Fig.2.18Compositelinearcell(CLC) 图中M1与M2有相同的K及 值,栅源电压VA和VB之和保持为常数VC。 (2.25) 根据MOS管在饱和区的电流方程式,可以写出: (2.26) (2.27) 其中, 由式2.26~2.27,可以解出两管电流之差为 (2.28) 式2.28表明,在VC是常数条件下,二管电流之差与 成线性关系,由于 (2.29) 因此,在VC保持常数条件下,二管电流之差同样与VB或VA成线性关系。 利用图2.18(a)的二管单元,可以构成三管线性V-I变换单元,如图2.18(b)所示。 图中M1、M2组成上述二管单元,新增加的M3与M2参数相等,M3电流由VN调节,M3与M2串联,其栅源电压相等,即VB=VN。 由式2.28和2.29可以写出: (2.30) 式2.30表明,M1与M2二管电流之差与VN成线性关系。 因此,图2.18 (b)是一种线性V-I变换单元,为使CMOS管开启并工作在饱和区,VN与VC的数值应分别满足: (2.31) (2.32) 2.4.2基于组合线性单元的OTA结构 在图2.18(b)中,虽然实现了线性V-I变换,但尚不能作为跨导型运算放大器,因为其输入信号不能浮地,信号的直流电平直接影响电路的偏置。 跨导型运放结构应能满足下列基本要求: 对单浮地输入信号作正常放大;对双共地输入信号作差动放大,且有共模抑制能力;双端输入、单端输出;独立偏置且不受信号大小影响。 采用图2.18(b)三管线性单元,设计一种新型的跨导运放,基本结构如图2.19(a)所示。 (a)基本结构(b)改进结构 图2.19基于组合单元的跨导运放结构 Fig.2.19OTAstructurebasedonCLC 该结构的主要特征是: M1、M2、M3与M4、M5、M6分别组成三管线性V-I变换单元,形成左右对称结构。 M1、M2与M4、M5的输出电流先作交叉叠加,后取差值输出。 M3、M6组成基本源耦差分对,并用恒定尾电流偏置,提高共模抑制能力。 分析图2.19(a)电路的电流-电压传输特性,该电路中的MOS管均具有相同的K、VT 值,可以写出下列方程: (2.33) (2.34) 取Ia与Ib之差作输出电流Io,即: (2.35) VID是差模输入电压,对M3、M6形成大小相等,极性相反的栅源信号电压,即: (2.36) 联立上述公式,可得: (2.37) 结果表明,输出电流与差模输入电压成线性关系,增益 可以由 加以调节。 在图2.19(b)中,增加P沟道MOS管M7、M8及可控电压VC2。 M1与M7、M4与M8分别构成CMOS对管,其等效栅源电压由VC1和VC2之差决定,由于VC2仅与M7、M8的栅极相连,不提供电流,稳定性好,提高了 的压控调节精度。 2.4.3大线性范围的CMOS-OTA电路模型 CMOS高线性度压控跨导运算放大器电路如图2.20所示[27]。 在电路中,M1、M2、M3与M4、M5、M6分别组成三极管V-I变换单元,形成左右对称结构。 M1、M2与M4、M5的输出电流先作交叉叠加,后取差值输出。 M3、M6组成基本源耦差分对,并用恒定尾电流偏置,提高共模抑制能力。 M1与M7、M4与M8分别构成CMOS对管,其等效栅-源电压由VC1与VC2之差决定。 VC2仅与M7、M8相连,不提供电流,稳定性好,提高了gm的压控调节精度。 M9~M18组成三个电流镜,M19~M20组成基本电流镜,传送偏置尾电流,M21~M24组成电压偏置电路,所有晶体管的衬底与源极连接,利用VC2作增益控制电压。 图2.20高线性度压控跨导运算放大器电路 Fig.2.20HighlinearitydegreepressurechargestheOTAcircuit 2.4.4电路仿真 2.4.4.1跨导曲线仿真 利用Spice软件对图2.20所示的改进型COMSOTA的跨导特性进行仿真,具体仿真网单文件如下: COMS_OTA VDD4012 VSS50-12 VC11103.17 VC230-2 VIP102 VIN20-2 RL1202K M614266MOD1
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 运算放大器 及其 Spice 电路 模型 构建 OTA 资料 文档
![提示](https://static.bdocx.com/images/bang_tan.gif)