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温控风扇参考论文
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任务书
温控自动风扇系统
摘要:
本设计为一种温控风扇系统,具有灵敏的温度感测和显示功能,系统AT89S52单片机作为控制平台对风扇转速进行控制。
可由用户设置高、低温度值,测得温度值在高低温度之间时打开风扇弱风档,当温度升高超过所设定的温度时自动切换到大风档,当温度小于所设定的温度时自动关闭风扇,控制状态随外界温度而定。
引言
生活中,我们经常会使用一些与温度有关的设备。
比如,现在虽然不少城市家庭用上了空调,但在占中国大部分人口的农村地区依旧使用电风扇作为降温防暑设备,春夏(夏秋)交替时节,白天温度依旧很高,电风扇应高转速、大风量,使人感到清凉;到了晚上,气温降低,当人入睡后,应该逐步减小转速,以免使人感冒。
虽然电风扇都有调节不同档位的功能,但必须要人手动换档,睡着了就无能为力了,而普遍采用的定时器关闭的做法,一方面是定时时间长短有限制,一般是一两个小时;另一方面可能在一两个小时后气温依旧没有降低很多,而风扇就关闭了,使人在睡梦中热醒而不得不起床重新打开风扇,增加定时器时间,非常麻烦,而且可能多次定时后最后一次定时时间太长,在温度降低以后风扇依旧继续吹风,使人感冒;第三方面是只有简单的到了定时时间就关闭风扇电源的单一功能,不能满足气温变化对风扇风速大小的不同要求。
又比如在较大功率的电子产品散热方面,现在绝大多数都采用了风冷系统,利用风扇引起空气流动,带走热量,使电子产品不至于发热烧坏。
要使电子产品保持较低的温度,必须用大功率、高转速、大风量的风扇,而风扇的噪音与其功率成正比。
如果要低噪音,则要减小风扇转速,又会引起电子设备温度上升,不能两全其美。
为解决上述问题,我们设计了这套温控自动风扇系统。
本系统采用高精度集成温度传感器,用单片机控制,能显示实时温度,并根据使用者设定的温度自动在相应温度时作出小风、大风、停机动作,精确度高,动作准确。
1、方案论证
本系统实现风扇的温度控制,需要有较高的
2.全表态工作:
0~24HZ;
3.256X8字节内部RAM;
4.32个外部双向输入,输出(I、O)口;
引脚说明如图2-2。
图2-2AT89S52引脚说明
引脚功能说明如下[2]:
VCC:
电源电压。
GND:
地。
P0口:
P0口是一组8位漏极开路型双向I/O口,也即地址/数据线复用口。
作为输出口时,每位能吸收电流的方式驱动8个TTL逻辑门电路,对端口写“1”可作为高阻抗输入端。
在访问外部数据储存器或程序储存器时,这组口线分时转换地址(低8位)和数据总线复用,在访问期间激活内部上拉电阻。
FLASH编程时,P0口接收指令字节,而在程序校验时,输出指令字节,校验时,要求外接上拉电阻。
P1口:
P1是一个带内部上拉电阻的8位双向I/O口,P1的输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4个TTL逻辑门电路。
对端口写“1”,通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平,此时可作为输入口。
作为输入口使用时,因为内部存在上拉电阻,某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流。
FLASH编程和程序校验期间,P1接收低8位地址。
P2口:
P2是一个带内部上拉电阻的8位双向I/O口,P2的输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4个TTL逻辑门电路。
对端口写“1”,通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平,此时可作为输入口。
作为输入口使用时,因为内部存在上拉电阻,某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流。
在访问外部程序储存器或16位地址的外部数据储存器(例如执行MOVX@DPTR指令)时,P2口送出高8位地址数据。
在访问8位地址的外部数据储存器(例如执行MOVX@RI指令)时,P2口线上的内容(也即特殊功能寄存器(SFR)区中R2寄存器的内容),在整个访问期间不改变。
FLASH编程或校验时,P2亦接收高位地址和其他控制信号。
P3口:
P3是一个带内部上拉电阻的8位双向I/O口,P3的输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4个TTL逻辑门电路。
对端口写“1”,通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平,此时可作为输入口。
作为输入口使用时,因为内部存在上拉电阻,某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流。
P3除了作为一般的I/O口线外,更重要的用途是它的第二功能,具体功能说明如表2-1。
P3口还接收一些用于FLASH闪速存储器编程和程序校的控制信号。
RST:
复位输入。
当振荡器工作时,RST引脚出现两个机器周期以上高电平将使单片机复位。
ALE/PROG:
当访问外部程序存储器或数据存储器时,ALE(地址锁存允许)输出脉冲用于锁存地址的低8位字节。
表2-1P3口的第二功能表
端口引脚
第二功能
P3.0
RXD(穿行输出口)
P3.1
TXD(穿行输入口)
P3.2
INT0(外部中断0)
P3.3
INT1(外部中断1)
P3.4
T0(定时/计数器0)
P3.5
T1(定时/计数器0)
P3.6
WR(外部数据写选通)
P3.7
RD(外部数据读选通)
即使不访问外部存储器,ALE仍以是时钟振荡频率的1/6输出固定的正脉冲信号,因此他可对外输出时钟或用于定时目的。
要注意的是:
每当访问外部数据存储器时将跳过一个ALE脉冲。
对FLASH存储器编程期间,该引脚还用于输入编程脉冲(PROG)。
如有必要,可通过对特殊功能寄存器(SFR)区中的8EH单元的D0位置位,可禁止ALE操作。
该位置位后,只有一条MOVX和MOVC指令ALE才会被激活。
此外,该引脚会被微弱拉高,单片机执行外部程序时,应设置ALE无效。
PSEN:
程序储存允许(PSEN)输出是外部程序存储器的读选通信号,当AT80C51由外部程序存储器取指令(或数据)时,每个机器周期两次PSEN有效,即输出两个脉冲。
在此期间,当访问外部数据存储器,这两次有效的PSEN信号不出现。
EA/VPP:
外部访问允许。
欲使CPU仅访问外部程序储存器(地址为0000H-FFFFH),EA端必须保持低电平(接地)。
需要注意的是:
如果加密位LB1被编程,复位时内部会锁存EA端状态。
如EA端为高电平(Vcc端),CPU则执行内部程序储存器中的指令。
FLASH储存器编程时,该引脚加上+12V的编程允许电源Vpp,当然这必须是该器件是使用12v编程电压。
XTAL1:
振荡器反相放大器的及内部时钟发生器的输入端。
XTAL2:
振荡器反相放大器的输出端。
2.2DS18B20简介
DS18B20是DALLAS公司生产的单线式数字温度传感器,具有3引脚TO-92小体积封装形式;温度测量范围为-55℃~+125℃,可编程为9位~12位A/D转换精度,测温分辨率可达0.0625℃,被测温度用符号扩展的16位数字量方式串行输出;其工作电源既可在远端引入,也可采用寄生电源方式产生;多个DS18B20可以并联到3根或2根线上,CPU只需一根端口线就能与诸多DS18B20通信,占用微处理器的端口较少,可节省大量的引线和逻辑电路。
以上特点使DS18B20非常适用于远距离多点温度检测系统。
每一个DSl820包括一个唯一的64位长的序号该序号值存放在DSl820内部的ROM(只读存贮器)中开始8位是产品类型编码(DSl820编码均为10H)接着的48位是每个器件唯一的序号最后8位是前面56位的CRC(循环冗余校验)码DSl820中还有用于贮存测得的温度值的两个8位存贮器RAM编号为0号和1号1号存贮器存放温度值的符号如果温度为负则1号存贮器8位全为1否则全为0。
0号存贮器用于存放温度值的补码LSB(最低位)的1表示0.5贮器中的二进制数求补再转换成十进制数并除以2就得到被测温度值。
具体引脚说明如图2-6,功能如表2-5。
图2-6DS18B20引脚与封装
表2-5DS18B20引脚说明
序号
名称
引脚功能
1
GND
接地
2
DQ
数据输入/输出引脚:
开漏单总线接口引脚;当被用到寄生电源下,也可向器件提供电源
3
VDD
可选择的VDD引脚,当工作于寄生电源时,此引脚必须接地
DS18B20控制字和读写时序说明
DS18B20是1--wire单线器件,它在一根数据线上实现数据的双向传输,这就需要一定的协议来对读写数据提出严格的时序要求,AT89S52单片机并不支持单线传输。
因此,必须采用软件的方法来模拟单线的协议时序。
主机操作单线器件DS18B20必须遵循下面的顺序[8]。
1.初始化
单线总线上的所有操作均从初始化开始,初始化过程如下。
主机通过拉低单线480us以上,产生复位脉冲,然后释放该线,进入RX接收模式。
主机释放总线时,会产生一个上升沿。
单线器件DS18B20检测到该上升沿后,延时15-60us,通过拉低总线60-24us来产生应答脉冲,主机接收到从机的应答脉冲后,说明有单线器件在线。
2.ROM操作命令
一旦总线主机检测对应答脉冲,便可以发起ROM操作命令。
共有5位ROM操作命令。
详细说明如下表2-6。
表2-6ROM操作命令与说明
命令类型
命令字节
功能说明
Readrom
33H
此命令读取激光ROM的64位,只能用于总线上单个DS18B20的情况下,多挂则会发生冲突
Matchrom(匹配rom)
55H
此命令后跟64位ROM序列号,寻址多挂总线上的DS18B20。
只有序列号完全匹配的DS18B20才能响应后面的内存操作命令,其他不匹配的将等待复位脉冲。
此命令可用于单挂或多挂接总线。
Skiprom(跳过rom)
CCH
此命令用于单挂接总线系统时,可以无需提供64位ROM序列号皆可运行内存操作命令。
如果总线上挂多挂DS18B20,并且在此命令后执行读命令,将会发生数据冲突。
Scarchrom(搜索rom)
F0H
主机调用此命令,通过一个排除法过程,可以识别出总线上所有器件的ROM序列号。
Alarmrom(警报rom)
ECH
此命令流程图和scarchrom命令相同,但是DS18B20只有在最近的一次温度测量时满足了告警触发条件,才会响应此命令。
3.内存操作命令
在成功执行了ROM操作命令之后,才可以使用内存操作命令。
主机可以提供6种内存操作命令,如表2-7。
4.数据处理
DS18B20要求有严格的时序来保证数据的完整。
在单线DQ上,存在复位脉冲、应答脉冲、写“1”、写“0”、读“1”、读“0”几种信号类型。
其中,除了应答脉冲之外,均由主机产生。
而数据位读写则是通过使用读、写时隙实现的。
首先了解写时隙。
当主机将数据线从高平拉至低电平时,产生2种类型的写时隙:
写“1”和“0”。
所有写时隙必须在60μs以上(即由高拉低后持续60μs以上),各个写时隙之间必须保证最短1us的恢复时间。
DS18B20在DQ线变低后的15μs~60μs的端口对DQ进行采样,如果为高电平,就为写“1”;如果为低电平,就为写“0”。
对于主机产生写“1”时隙的情况,数据线必须先被拉低,然后释放,在写时隙开始后的15μs,允许DQ线拉至高电平。
对于主机写“0”时隙的情况,DQ线必须被拉至低电平至少保持低电平60μs。
再来了解一下读时隙。
当主机从DS18B20读数据时,把数据线从高电平拉至低电平,产生读时隙。
数据线DQ必须保持低电平至少1μs,来自DS18B20的输出数据在读时隙下降沿之后15μs内有效。
因此,在此15μs内,主机必须停止将DQ引脚置低。
在读时隙结束时,DQ引脚通过外部上拉电阻拉回高电平。
所有的读时隙最短必须持续60μs,各个读时隙之间必须保证最短1μs的恢复时间。
表2-7内存操作命令与说明
命令类型
命令字节
功能说明
WriteScratchpad(写暂存器)
4EH
此命令写暂存器中地址2~4的3个字节(TH、TL和配置寄存器)在发起复位脉冲之前,3个字节都必须要写。
RradScratchpad(读暂存器)
BEH
此命令读取暂存器内容,从字节0~一直读取到字节8。
主机可以随时发起复位脉冲以停止此操作。
CopyScratchpad(复制暂存器)
48H
此命令将暂存器中的内容复制进E2RAM,以便将温度告警触发字节存入非易失内存。
如果在此命令后产生读时隙,那么只要器件在进行复制就会输出0,复制完成后,再输出1。
ConvenrtT(温度转换)
44H
此命令开始温度转换操作。
如果在此命令后主机产生读时隙,那么只要器件在进行温度转换就会输出0,转换完成后在输出1。
RecallE2(重调E2存储器)
B8H
将存储在E2RAM中的温度告警触发值和配置寄存器值重新拷贝到暂存器中,此重调操作在DS18B20加电时自动产生。
ReadPowerSupply(读供电方式)
B4H
主机发起此命令后每个读数据时隙内,DS1820发信号通知它的供电方式:
0为寄生电源方式,1为外部供电方式。
所有的读写时隙至少需要60μs,且每个独立的时隙之间至少需要1μs的恢复时间。
在写时序中,主机将在拉低总线15μs内释放总线,并向DS18B20写“1”。
若主机拉低总线后能保持60μs的低电平,则向单总线器件写“0”。
DS18B20仅在主机发出读数据命令后,必须马上产生读时隙,以便DS18B20能传输数据。
特别需要注意的是,与DS18B20配套使用的是频率为11.0592Mhz单片机晶振,这决定了指令运行时间,在软件设计将根据指令运行时间编写各种延时程序。
四、温度采集电路与单片机的连接
本设计中使用DS18B20温度传感器进行环境温度采集和转化,其与单片机的连接图如图2-7所示[4]。
图2-7单片机与DS18B20连接图
AT89S52单片机的P3.4脚接DS18B20的I/O脚,作为数据的读入和写出。
电阻R11作为DS18B20的I/O口的上拉电阻,在读时隙结束时,I/O引脚将通过此上拉电阻拉回到高电平。
要想使DS18B20进行精确的温度转换,I/O线必须保证在温度转换期间提供足够的能量,由于每个DS18B20在温度转换期间工作电流达到1mA,电路采用5V电源供电,根据I=U/R=5/4700=1.06mA,所以根据这个原理,可以选用小一点的电阻,只要保证DS18B20的工作电流,当然也可以直接接在电源上,但是为了使信号稳定,一般在电路设计中加上拉电阻。
我们选用4.7KΩ。
2.3时钟电路设计
时钟电路是用来产生AT89S52单片机工作时所必须的时钟信号,AT89S52本身就是一个复杂的同步时序电路,为保证工作方式的实现,AT89S52在唯一的时钟信号的控制下严格的按时序执行指令进行工作,时钟的频率影响单片机的速度和稳定性。
通常时钟由于两种形式:
内部时钟和外部时钟。
我们系统采用内部时钟方式来为系统提供时钟信号。
AT89S52内部有一个用于构成振荡器的高增益反向放大器,该放大器的输入输出引脚为XTAL1和XTAL2,它们跨接在晶体振荡器和用于微调的电容,便构成了一个自激励振荡器。
电路中的C1、C2的选择在30PF左右,但电容太小会影响振荡的频率、稳定性和快速性。
晶振频率为在1.2MHZ~12MHZ之间,频率越高单片机的速度就越快,但对存储器速度要求就高。
为了提高稳定性我们采用温度稳定性好的NPO电容,采用的晶振频率为12MHZ。
本次系统的时钟电路设计如图3.2所示。
图3.2时钟电路图
2.4系统复位电路
AT89S52的复位输入引脚RST为单片机提供了初始化的手段,可以使程序从指定处开始执行,在AT89S52的时钟电路工作后,只要RST引脚上出现超过两个机器周期以上的高电平时,即可产生复位的操作,只要RST保持高电平,则AT89S52循环复位,只有当RET由高电平变成低电平以后,单片机复位。
图3.3复位电路图
2.5按键控制部分
第一个是功能键,按一次出现L20,可以进行对下限温度进行设置
按一次出现H30,可以进行对上限温度进行设置
按第三次恢复温度显示
第二个按键是增加键,可以对上下限温度进行增大调整
第三个按键是减小键,可以对上下限温度进行减小调整
2.6风扇部分控制电路的设计
采用用PWM波进行调速,可由用户设置高、低温度值,测得温度值在高低温度之间时打开风扇弱风档,当温度升高超过所设定的温度时自动切换到大风档,当温度小于所设定的温度时自动关闭风扇,控制状态随外界温度而定。
3系统软件的设计
3.1系统总体流程图
系统AT89S52单片机作为控制平台对风扇转速进行控制。
通过DS18B20进行测温,可由用户设置高、低温度值,测得温度值在高低温度之间时打开风扇弱风档,当温度升高超过所设定的温度时自动切换到大风档,当温度小于所设定的温度时自动关闭风扇,控制状态随外界温度而定。
系统总体流程图如下
3.2按键设置流程图
参考文献
[1]胡汉才.单片机原理及其接口技术.北京:
清华大学出版社,2004
[2]吴金戍,沈庆阳,郭庭吉.8051单片机实践与应用.北京:
清华大学出版社,2002
[3]王化详,张淑英.传感器原理.天津:
天津大学出版社,2002
[4]张建民,机电一体化系统设计,高等教育出版社,2007
总结及心得体会
本次设计作业中是以机电系统为主要方向来定方案的,是电子电工和机械的结合,使得设计更加有挑战性和先进性。
更能增加和提高我们的设计能力。
本设计中的温控自动控制风扇可以根据季节、温度的变化自动开启和调节室内的温度和空气流通。
对其的使用方便,单片的控制和电路的改造使其在普通风扇上大大增加优势,而且外形体积也没有增大或改变。
在市场不断要求产品的功能多元化和使用方便、人性化中,经过这样改进和更具有潜力的产品无疑是风和要求的。
附件一:
总体原理图:
附件二:
总体PCB图
附件3总体程序
#include
#include
#defineucharunsignedchar
#defineuintunsignedint
#definePWM_T100
sbitds=P3^4;
sbitdula=P2^6;
sbitbeep=P1^0;//定义蜂鸣器
uinttemp,t,w;//定义整型的温度数据
ucharflag;
floatf_temp;//定义浮点型的温度数据
uinthigh,low,PWM_t,time_count;
sbitled1=P1^1;//控制发光二极管
sbitled2=P1^2;//控制发光二极管
sbits1=P3^5;
sbits2=P3^6;
sbits3=P3^7;
sbitPWM=P1^6;
ucharflag1,flag2,flag3,flag4,s1num,qian,bai,shi,ge;
ucharcodetable[]=
{
0xc0,0xf9,0xa4,0xb0,0x99,
0x92,0x82,0xf8,0x80,0x90,0xc6
};//共阳数码管段码表
ucharcodetable1[]=
{0x40,0x79,0x24,0x30,0x19,
0x12,0x02,0x78,0x00,0x10};//带小数点的编码
voiddelay(ucharz)//延时函数
{
uchara,b;
for(a=z;a>0;a--)
for(b=100;b>0;b--);
}
voidinit()
{
EA=1;
ET1=1;
ET0=1;
TR1=1;
TR0=1;
TMOD=0x12;
TH1=(65536-4000)/256;
TL1=(65536-4000)%256;
TH0=0x216;//保证定时时长为0.1ms
TL0=0x216;
flag=0;
low=200;
high=300;
}
voidhdidi()
{
beep=0;
led1=0;
delay(500);
beep=1;
led1=1;
delay(500);
}
voidldidi()
{
beep=0;
led2=0;
delay(50);
beep=1;
led2=1;
delay(50);
}
voiddsreset(void)//DS18b20复位,初始化函数
{
uinti;
ds=0;
i=103;//延时最短480us
while(i>0)i--;
ds=1;//等待16-60us,收到低电平一个约60-240us则复位成功
i=4;
while(i>0)i--;
}
bittempreadbit(void)//读1位数据函数
{
uinti;
bitdat;
ds=0;i++;
ds=1;i++;i++;//i++起到延时作用
dat=ds;
i=8;
while(i>0)i--;
return(dat);
}
uchartempread(void)//读1字节的数据函数
{
uinti,j,dat;
dat=0;
for(i=1;i<=8;i++)
{
j=tempreadbit();
dat=(j<<7)|(dat>>1);
//读出的数据最低位在最前面,这样刚好一个字节在dat里
}
return(dat);
}
voidtempwritebyte(uchardat)//向DS18B20写一个字节的数据函数
{
uinti;
ucharj;
bittestb;
for(j=1;j<=8;j++)
{
testb=dat&0x01;
dat=dat>>1;
if(testb)//写1
{
ds=0;
i++;i++;
ds=1;
i=8;
while(i>0)
i--;
}
else//写0
{
ds=0;
i=8;
while(i>0)i--;
ds=1;
i++;i++;
}
}
}
voidtempchange(void)//DS18B20开始获取温度并转换
{
dsreset();
delay
(1);
tempwritebyte(0xcc);//写跳过读ROM指令
tempwritebyte(0x44);//写温度转换指令
}
uintget_temp()//读取寄存器中存储的温度数据
{
uchara,b;
dsreset();
delay
(1);
tempwritebyte(0xcc);//写跳过读ROM指令
tempwritebyte(0xbe);//写温度转换指令
a=tempread();//读低8位
b=tempread();//读高8位
temp=256*b+a;
f_temp=temp*0.0625;//温度在寄存器中为12位,分辨率为0.0625
temp=f_temp*10+0.5;//乘以10表示小数点后面只取一位
returntemp;//temp是整型
}
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