cmos基础工艺名词解释.docx
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cmos基础工艺名词解释
CMOS工艺名词解
saliside——当金属和硅化物接触时会产生一层融合物,叫难融金属硅化物,此及saliside。
siliside——一种工艺,在源漏区淀积(或是叫覆盖?
)硅化物,这样一种
工艺就叫siliside。
poliside——也为一种工艺,乃在栅极poly上淀积硅化物。
A.M.U原子质量数
ADIAfterdevelopinspection显影后检视
AEI蚀科后检查
Alignment排成始终线,对平
Alloy融合:
电压与电流成线性关系,减少接触阻值
ARC:
anti-reflectcoating防反射层
ASHER:
一种干法刻蚀方式
ASI光阻去除后检查
Backside晶片背面
BacksideEtch背面蚀刻
Beam-Current电子束电流
BPSG:
具有硼磷硅玻璃
Break中断,stepper机台内半途停止键
Cassette装晶片晶舟
CD:
criticaldimension核心性尺寸
Chamber反映室
Chart图表
Childlot子批
Chip(die)晶粒
CMP化学机械研磨
Coater光阻覆盖(机台)
Coating涂布,光阻覆盖
ContactHole接触窗
ControlWafer控片
Criticallayer重要层
CVD化学气相淀积
Cycletime生产周期
Defect缺陷
DEP:
deposit淀积
Descum预解决
Developer显影液;显影(机台)
Development显影
DG:
dualgate双门
DIwater去离子水
Diffusion扩散
Doping掺杂
Dose剂量
Downgrade降级
DRC:
designrulecheck设计规则检查
DryClean干洗
Duedate交期
Dummywafer挡片
E/R:
etchrate蚀刻速率
EE设备工程师
EndPoint蚀刻终点
ESD:
electrostaticdischarge/electrostaticdamage静电离子损伤
ET:
etch蚀刻
Exhaust排气(将管路中空气排除)
Exposure曝光
FAB工厂
FIB:
focusedionbeam聚焦离子束
FieldOxide场氧化层
Flatness平坦度
Focus焦距
Foundry代工
FSG:
具有氟硅玻璃
Furnace炉管
GOI:
gateoxideintegrity门氧化层完整性
H.M.D.SHexamethyldisilazane,经去水烘烤晶片,将涂上一层增长光阻与晶片表面附着力化合物,称H.M.D.S
HCI:
hotcarrierinjection热载流子注入
HDP:
highdensityplasma高密度等离子体
High-Voltage高压
Hotbake烘烤
ID辨认,鉴定
Implant植入
Layer层次
LDD:
lightlydopeddrain轻掺杂漏
Localdefocus局部失焦因机台或晶片导致之脏污
LOCOS:
localoxidationofsilicon局部氧化
Loop巡路
Lot批
Mask(reticle)光罩
Merge合并
MetalVia金属接触窗
MFG制造部
Mid-Current中电流
Module部门
NIT:
Si3N4氮化硅
Non-critical非重要
NP:
n-dopedplus(N+)N型重掺杂
NW:
n-dopedwellN阱
OD:
oxidedefinition定义氧化层
OM:
opticmicroscope光学显微镜
OOC超过控制界线
OOS超过规格界线
OverEtch过蚀刻
Overflow溢出
Overlay测量前层与本层之间曝光精确度
OX:
SiO2二氧化硅
P.R.Photoresisit光阻
P1:
poly多晶硅
PA;passivation钝化层
Parentlot母批
Particle含尘量/微尘粒子
PE:
1.processengineer;2.plasmaenhance1、工艺工程师2、等离子体增强
PH:
photo黄光或微影
Pilot实验
Plasma电浆
Pod装晶舟与晶片盒子
Polymer聚合物
PORProcessofrecord
PP:
p-dopedplus(P+)P型重掺杂
PR:
photoresist光阻
PVD物理气相淀积
PW:
p-dopedwellP阱
Queuetime等待时间
R/C:
runcard运作卡
Recipe程式
Release放行
Resistance电阻
Reticle光罩
RF射频
RM:
remove.消除
Rotation旋转
RTA:
rapidthermalanneal迅速热退火
RTP:
rapidthermalprocess迅速热解决
SA:
salicide硅化金属
SAB:
salicideblock硅化金属制止区
SAC:
sacrificelayer牺牲层
Scratch刮伤
Selectivity选取比
SEM:
scanningelectronmicroscope扫描式电子显微镜
Slot槽位
Source-Head离子源
SPC制程记录管制
Spin旋转
SpinDry旋干
Sputter溅射
SRO:
Sirichoxide富氧硅
Stocker仓储
Stress内应力
STRIP:
一种湿法刻蚀方式
TEOS–(CH3CH2O)4Si四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯,常温下液态。
作LPCVD/PECVD生长SiO2原料。
又指用TEOS生长得到SiO2层。
Ti钛
TiN氮化钛
TM:
topmetal顶层金属层
TORToolofrecord
UnderEtch蚀刻局限性
USG:
undoped硅玻璃
W(Tungsten)钨
WEE周边曝光
Yield良率
FICD:
FInalCD
DICD:
DevelopmentInspectionCD
集成电路词条
1.集成电路
随着电子技术发展及各种电器普及,集成电路应用越来越广,大到飞入太空“神州五号”,小到咱们身边电子手表,里面均有咱们下面将要说到集成电路。
咱们将各种电子元器件以互相联系状态集成到半导体材料(重要是硅)或者绝缘体材料薄层片子上,再用一种管壳将其封装起来,构成一种完整、具备一定功能电路或系统。
这种有一定功能电路或系统就是集成电路了。
就像人体由不同器官构成,各个器官各司其能而又相辅相成,少掉任何一某些都不能完整地工作同样。
任何一种集成电路要工作就必要具备接受信号输入端口、发送信号输出端口以及对信号进行解决控制电路。
输入、输出(I/O)端口简朴说就是咱们经常看到插口或者插头,而控制电路是看不到,这是集成电路制造厂在净化间里制造出来。
如果将集成电路按集成度高低分类,可以分为小规模(SSI)、中规模(MSI)、大规模(LSI)和超大规模(VLSI)。
近年来浮现特大规模集成电路(UISI),以不大于1um为最小设计尺寸,这样将在每个片子上有一千万到一亿个元件。
2.系统芯片(SOC)
不懂得人们有无看过美国大片《终结者》,在看电影时候,有无想过,机器人为什么可以像人同样分析各种问题,作出各种动作,好像她也有大脑,也有记忆同样。
其实她里面就是有个系统芯片(SOC)在工作。
固然,那个是科幻片,科技还没有发展到那个水平。
但是SOC已成为集成电路设计学领域里一大热点。
在不久将来,它就可以像“终结者”同样进行工作了。
系统芯片是采用低于0.6um工艺尺寸电路,包括一种或者各种微解决器(大脑),并且有相称容量存储器(用来记忆),在一块芯片上实现各种电路,可以自主地工作,这里各种电路就是对信号进行操作各种电路,就像咱们手、脚,各有各功能。
这种集成电路可以重复使用本来就已经设计好功能复杂电路模块,这就给设计者节约了大量时间。
SOC技术被广泛认同主线因素,并不在于它拥有什么非常特别功能,而在于它可以在较短时间内被设计出来。
SOC重要价值是可以有效地减少电子信息系统产品开发成本,缩短产品上市周期,增强产品市场竞争力。
3.集成电路设计
对于“设计”这个词,人们必定不会感到陌生。
在修建三峡水电站之前,咱们一方面要依照地理位置、水流缓急等状况把它在电脑上设计出来。
制造集成电路同样也要依照所需要电路功能把它在电脑上设计出来。
集成电路设计简朴说就是设计硬件电路。
咱们在做任何事情之前都会仔细地思考究竟怎么样才干更好地完毕这件事以达到咱们预期目。
咱们需要一种安排、一种思路。
设计集成电路时,设计者一方面依照对电路性能和功能规定提出设计构思。
然后将这样一种构思逐渐细化,运用电子设计自动化软件实现具备这些性能和功能集成电路。
如果咱们当前需要一种火警电路,当室内温度高于50℃就报警。
设计者将按照咱们规定构思,在计算机上运用软件完毕设计版图并模仿测试。
如果模仿测试成功,就可以说已经实现了咱们所要电路。
集成电路设计普通可分为层次化设计和构造化设计。
层次化设计就是把复杂系统简化,分为一层一层,这样有助于发现并纠正错误;构造化设计则是把复杂系统分为可操作几种某些,容许一种设计者只设计其中一某些或更多,这样其她设计者就可以运用她已经设计好某些,达到资源共享。
4.硅片制造
咱们懂得许多电器中均有某些薄片,这些薄片在电器中发挥着重要作用,它们都是以硅片为原材料制造出来。
硅片制造为芯片生产提供了所需硅片。
那么硅片又是如何制造出来呢?
硅片是从大块硅晶体上切割下来,而这些大块硅晶体是由普通硅沙拉制提炼而成。
也许咱们有这样经历,块糖在温度高时候就会熔化,要是粘到手上就会拉出一条细丝,而当细丝拉到离那颗糖较远地方时就会变硬。
其实咱们这儿制造硅片,一方面就是运用这个原理,将普通硅熔化,拉制出大块硅晶体。
然后将头部和尾部切掉,再用机械对其进行修整至适当直径。
这时看到就是有适当直径和一定长度“硅棒”。
再把“硅棒”切成一片一片薄薄圆片,圆片每一处厚度必要是近似相等,这是硅片制造中比较核心工作。
最后再通过腐蚀去除切割时残留损伤。
这时候一片片完美硅圆片就制造出来了。
5.硅单晶圆片
咱们制造一种芯片,需要先将普通硅制导致硅单晶圆片,然后再通过一系列工艺环节将硅单晶圆片制导致芯片。
下面咱们就来看一下什么是硅单晶圆片。
从材料上看,硅单晶圆片重要材料是硅,并且是单晶硅;从形状上看,它是圆形片状。
硅单晶圆片是最惯用半导体材料,它是硅到芯片制造过程中一种状态,是为了芯片生产而制造出来集成电路原材料。
它是在超净化间里通过各种工艺流程制造出来圆形薄片,这样薄片必要两面近似平行且足够平整。
硅单晶圆片越大,同一圆片上生产集成电路就越多,这样既可减少成本,又能提高成品率,但材料技术和生产技术规定会更高。
如果按直径分类,硅单晶圆片可以
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