关于照明技术和光电半导体的术语和定义.docx

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关于照明技术和光电半导体的术语和定义

关于照明技术和光电半导体的术语和定义

A/Dsignal/converter

数模信号/转换器

模拟信号到数字信号的转换器（ADC）。

将模拟输入信号转换为数字数据或数据流，用于进一步处理或存储。

ABCS

ABCS

（锑基化合物半导体）ABCS是一种新型化合物半导体，与基于硅、砷化镓和磷化铟的半导体相比，它具有优越的电子特性和较低的开启电压。

在国防和空间应用中，ABCS预计能在功率消耗最低的情况下产生世界上最快的电路。

ABCS技术还具有商业应用前景，在高频率无线应用、光波通信和集成光电子电路方面尤其如此。

Absorption

吸收

铁、铜、钴、钒、和铬等杂质引起的在光纤中的损失。

对光纤而言，即使是十亿分之一或十亿分之二的杂质也被认为是不可接受的。

AcceptancePattern

接受图

相对入射角绘制的总透射光曲线图。

AcceptorImpurity

受主杂质

（又名P型杂质）不同于半导体却出现在半导体中的原子和离子，其价电子不足以完成半导体晶体结构中的正常键合排列。

受主杂质接受相邻原子的电子来生成一个正电荷载流子（例如空穴）。

ActiveMatrixDisplay

有源矩阵显示器

一种平板显示器，其屏幕刷新频率比传统无源矩阵显示器高。

最常见类型的有源矩阵显示器是基于一种名为TFT（薄膜晶体管）的技术，因此有源矩阵和TFT这两个术语通常可以互换使用。

ActiveMatrixLiquidCrystalDisplays（AMLCDs）

有源矩阵液晶显示器（AMLCD）

有源矩阵显示器由以下材料组成：

一块装有薄膜晶体管（TFT）的背面玻璃基板和一块带色彩过滤板的前面玻璃基板形成夹层，中间填充液晶（LC）材料。

背面基板上的薄膜晶体管阵列连接到电子驱动器，电子驱动器则从连接到主系统的电脑芯片接收脉冲。

每个TFT均用作激活像素的通断开关，迫使液晶体扭曲以允许光通过并在显示器上形成图像。

AEL（AccessibleEmissionLimits）

AEL（可接近放射限值）

各激光分类（标准IEC-60825-1）的可接近放射限值是波长和放射持续时长的一个函数，列于特定表格中。

AFS（AdvancedFrontlightingSystem）

AFS（高级前照明系统）

AFS能根据不同的行驶条件优化光束模式，调整车头灯输出。

例如，根据车辆的行驶速度和方向加强驾驶员的夜视能力。

AGC（AutomaticGainControl）

AGC（自动增益控制）

AGC自动调整放大器的增益，以维持不同输入信号的恒定输出。

如果输入信号较弱，AGC将增强该信号；如果输入信号较强，则AGC将减弱该信号。

AGC有助于避免过激放大器，还可改进信噪比。

AGC通常在音频应用中用于调节音量。

ALCVD

ALCVD

原子层化学气相沉淀

ALE

ALE

原子层外延，以单个原子层为增量的晶体生长。

AlGaAs

AlGaAs

铝镓砷

AllnGaP

AllnGaP

铝铟镓磷

AllnGaPchip（LED）

AllnGaP芯片（LED）

基于铝铟镓磷化物的芯片/LED。

AlphanumericDisplay

字母数字显示器

数字和字母的读出装置。

AlternatingCurrent（AC）

交流电（AC）

定期逆转方向的电流，通常每秒逆转多次。

Ammeter

电流计

用于测量电路某个部分的电流量的仪表。

Amorphous

非晶体

在提纯加工前无明显原子排列的材料，如塑料和硅。

AnalogDisplay

模拟显示器

提供沿预定校准路径进行的连续、明亮的移动动作的读数装置，用于显示所需测量。

AnalogMeter

模拟仪

标有连续数字刻度的读数装置，指针沿刻度移动。

Anode

阳极

电解槽的正电极，电流通过电镀槽时此处带正电的原子离开。

ANPR（AutomaticNumberPlateRecognition）

ANPR（车牌自动识别系统）

ANPR是一种用于读取汽车车牌（号码）的监控方式。

其应用范围包括收费道路上的电子收费和监控交通活动。

红外LED非常适合此应用。

ARC（AntiReflectionCoating）

ARC（防反射涂层）

一种能减少反射的光学涂层，可用于增强LED和激光器的发光强度。

Arsenic

砷

一组V元素，在硅中是n型掺杂剂。

ASCII（AmericanStandardCodeforInformationInterchange）

ASCII（美国信息交换标准代码）

基于英文字母表顺序的字符编码方案，代表电脑和其他通信设备中的文本。

ASCII定义了128个字符。

ASIC（ApplicationSpecificIntegratedCircuit）

ASIC（专用集成电路）

定制仅用于一个特殊用途的集成电路（IC）。

（现代ASIC通常基于32位微处理器，存储块包含ROM、RAM、EEPROM、闪存和其它电子元件。

）

ASP

ASP

平均销售价格

AtomicOrbital

原子轨道

原子核周围的空间，在此空间中，具有给定量子数的电子最有可能被发现。

AV-input

AV输入

AV（音频-视频）输入是一个可接收DVD播放器、电视调谐器或VHS（录像机）等电子设备的音频和视频信号的通用接口。

Back-End

后端

指半导体制造、生产的封装组装和测试阶段，包括烧录和环境测试功能。

Backlighting

背光照明

用于使平板显示器在低环境光条件下更易于阅读的一项技术。

最常用的背光照明类型为LED、EL（电致发光）或CCFL（冷阴极荧光灯）。

Band

频带

一组轨道，分别在固体中呈游离态，能量分布如此紧密几乎是连续不断。

Bandgap

带隙

价电子带顶部与传导带底部的能量分离。

Bandpassfilter

带通滤波器

带通滤波器具有特定的中心频率和传输带宽。

高于或低于带通范围的频率将被阻止或明显减弱。

Beamdivergence（FWHMparalleltopnjunction）

光束发散度（与PN结平行的FWHM）

电磁波束的光束直径增长和与光学孔径（点源）之间距离的角测度。

BEF（BrightnessEnhancementFilm）

BEF（增亮膜）

LCD屏幕上的薄膜，通过棱柱状结构控制光的输出角度，为观众提供最大亮度。

BEOL（BackEndOfLine）

BEOL（后端制程）

将有源组件（晶体管、电阻器等）与晶圆上的布线相连的IC（集成电路）制造工艺步骤，包括触点、绝缘材料、金属液面和芯片与封装连接的焊接点，以及将晶圆切割成单独的IC（集成电路）芯片。

Bias

偏压

施加于电气设备的电极上的电压，要考虑极性。

BiasControl

偏压控制

电子器件的偏压为通常施加到实际信号上的电压或电流。

通过控制装置调节电流或电压。

Biasing

施加偏压

施加电压，通常用于改变发光二极管（LED）等装置的电气和光输出。

Bin（binning）

BIN（分选）

分选就是将LED划分为精细分级的不同组别。

根据亮度、颜色坐标或正向电压对LED进行分类或分级，但没有通用标准。

即使是同一批次的LED，也可以有很大差异，需要进行分类。

Bipolar

双极

一种半导体装置，其中的空穴和电子均充当载流子。

任何负载电流穿过PN结的装置都是双极器件。

Bipolartransistor

双极晶体管

两个PN结形成的有源半导体装置，功能在于放大或切换电子电流。

双极晶体管包含三个部分：

发射器、基片和集电极。

Bit

位

二进制数字（1或0），为电脑可识别信息的最小单位。

用于表示二进制数制中的两种状态。

八位等于一个字节。

Blackpackage

黑色封装

对于视频墙应用或可变信息标志，黑色封装的LED比白色封装的LED提供的对比度更高和反射更少。

BLUs（Backlightunits）

BLU（背光模组）

LCD（液晶显示屏）背光照明的模块，采用边缘或直接/全部原理（边缘=LED固定在LCD面板侧面；直接/全部=完全采用LED背光照明的LED屏幕）。

BondedWafer

已键合晶圆

通过将两个单独的硅基板的氧化表面溶凝（高温下）在一起形成的复合介质隔离基板。

Bonding

键合

将电线从封装引线连接至芯片（或晶粒）焊盘的步骤，是组装过程的一部分。

结合热和超声能量将小直径金线或铝线粘合到焊盘区。

Breakdownvoltage（VBR）

击穿电压（VBR）

如果超过此电压，将导致反向电流急剧上升。

Brightness

亮度

一种视觉特性：

刺激作用的激烈程度或发射光的多少。

亮度并非光度标准（如照度），不应与坎德拉每平方米等光度单位一起使用。

Buck/boostregulator（converter）

降压/升压调节器（转换器）

输出电压比输入电压更高（升压）或更低（降压）的电源转换器。

Bypasscapacitor

旁路电容器

模拟系统中用于消除或降低电源噪音的电容器。

C-mount/cs-mount

C安装/cs安装

标准化封装，配备用于安装激光器的热沉。

Candela

坎德拉

发光强度单位。

Capacitance

电容

电容器或其他电导体储存电荷的能力。

Carrierfrequency

载波频率

载波的频率，即调制消息内容的频率。

Carrier/ChargeCarrier

载流子/电荷载流子

移动传导电子或半导体结构中的空穴。

Cathode

阴极

电解槽的负电极，电流通过电镀槽时带正电的原子迁移至此。

Cathodoluminesence（CL）

阴极发光（CL）

通过某种形式的能量激发固体所发射的光。

本术语大体上包括常用类别的荧光和磷光。

阴极发光最常见于电子显微镜系统中。

CBE

CBE

化学束外延

CCD-sensor

CCD传感器

（用于数码相机）电荷耦合器件，通常由光敏光电二极管矩阵组成。

这些光电二极管所占面积越大，光敏度越高，CCD传感器的动态范围越广。

光电二极管的数量越多，CCD的分辨率越高。

CCFL（ColdCathodeFluorescentLamps）

CCFL（冷阴极荧光灯）

阴极元素不是独立加热的荧光灯。

CCT（CorrelatedColorTemperature）

CCT（相关色温）

当黑体吸收阳光的所有光成分从而产生与实际存在的照明具有相同色彩效果的光时的温度。

CCTV（ClosedCircuitTelevision）

CCTV（闭路电视）

可通过使用红外LED实现夜视的摄像监控系统。

CDM（ChargedDeviceModel）

CDM（带电器件模型）

为模拟ESD（静电放电）测试而开发出了多种模型，包括人体模型（HBM）、机器模型（MM）和带电器件模型（CDM）。

CDM是一种模拟一个或以上接地连接点上的静电元件放电的模型。

使用此模型可测试电路对静电放电的敏感度。

Centroidwavelength

质心波长

电磁（光）发射光谱的波长，其中一半能量波长较短，另一半能量波长较长。

CFD（ComputionalFluidDynamics）analysis

CFD（计算流体动力学）分析

公认的流体动力学方法，目的在于通过数值法解决流体动力学问题。

ChargeCarrier

电荷载流子

固态装置的晶体中的电荷载体，如电子或空穴。

Chargecoupleddevices

电荷耦合器件

将电荷存储在势井中并通过变换势井位置来打包传送几乎所有电荷的传送器件。

ChemicalEtching

化学腐蚀加工

通过酸浴消除表面损伤并使硅晶体片更薄。

ChemicalMechanicalPolishing（CMP）

化学机械抛光（CMP）

结合化学去除法和机械抛光法两种方法来压平和抛光晶圆。

ChemicalVaporDeposition（CVD）

化学气相沉淀（CVD）

在高温下使绝缘薄膜或金属沉积到晶圆上的气态过程。

Chip

芯片

一种半导体材料，单晶性质，可形成一个或多个有源或无源固态装置。

ChipCarrier

芯片载体

一种超薄元件封装，通常为正方形，其有源芯片腔或安装面积占封装尺寸大部分，封装的四面都有外部连接点。

Chip-On-Board（COB）

板上芯片（COB）

将晶粒半导体芯片安装在PCB上制成电子元件的技术。

Chip-on-Flex（COF）

软膜覆晶接合技术（COF）

一种IC安装和贴合工艺，将集成电路（IC）驱动器（芯片）贴合到高间距柔性电路上并安装得十分贴近平板显示屏（贴合在玻璃板上的柔性电路板），以获取高屏幕刷新速度和分辨率。

Chip-on-Glass（COG）

晶玻接装（COG）

集成电路（IC）驱动器（芯片）直接贴合到玻璃板（LCD或OLED）上而无需使用高间距柔性电路板的IC安装和贴合工艺。

CHMSL（CenterHighMountedStopLight/Lamp）

CHMSL（中央高位刹车灯）

安装在汽车中间较高位置的后刹车灯，可采用LED制成。

Circuit

电路

相互连接的电气或电子元件组合，用于执行一个或多个指定功能。

Cladding

镀层

覆盖在光纤线芯表面的薄玻璃或塑料材料，密度比线芯低。

如果光以适当的角度照射两种材料之间的分界，将被反射回密度更大的线芯中。

Cleanroom

无尘室

用于制造IC的密闭区域，里面的湿度、温度和颗粒物受到严格控制。

无尘室的“等级”由无尘室空间内每立方英尺的最大颗粒物数量来决定。

CMOS（ComplementaryMetal-OxideSemiconductor）

CMOS（互补金属氧化物半导体）

一种MOS技术，P沟道和N沟道元件都是在相同的晶粒上制造而成，比使用其他MOS或双极工艺的集成电路更省电。

CMP（Chemical-MechanicalPolish）

（CMP）化学机械抛光

又称平面化，即改进半导体表面的过程。

Coating

涂层

将光阻材料应用到晶圆上的工艺，一般在晶圆中间涂上少量光阻材料，然后高速旋转晶圆使光阻材料扩散和干燥（又名旋涂）。

COB（ChipOnBoard）technology

COB（板载芯片）技术

将裸晶粒半导体芯片安装在PCB上制成电子元件的技术。

CoD（Color-on-Demand）

CoD（按需选色）

使用冷光转换原理（蓝色晶粒结合磷）制造自定义LED颜色的欧司朗系统。

使用此技术制造的 LED，能发射出超出标准LED技术范围的特定颜色光。

CoDLED的应用极大简化了消费电子和汽车市场中利用颜色来区分品牌。

Collectorcurrent（Ic）

集电极电流（Ic）

穿过双极结型晶体管的集电极的直流电，受基极发射极结电流控制。

Collectoremittersaturationvoltage

集电极发射极饱和电压

双极晶体管的集电极与发射极之间的最大电压。

Collectoremittervoltage

集电极发射极电压

可通过测量双极晶体管的集电极发射极连接点的电压测得。

Collectorsurgecurrent

集电极浪涌电流

双极晶体管中的最大集电极电流（Ic）。

ColorCoordinates

颜色坐标

国际照明委员会首批以数学方式定义的色彩空间（CIE1931色彩空间）之一。

Colorspectrum

色谱

（RGB多照明色彩）RGB色谱/光谱是电磁波谱中无需技术帮助即可为肉眼所见的部分，可通过混合RGBLED实现。

ColorSuper-TwistNematic（CSTN）Display

彩色超扭曲向列（CSTN）型显示器

基于超扭曲向列液晶的无源矩阵彩色LCD显示器。

Comparator

比较器

用于比较两个或两个以上值或信号并根据其差异性产生输出的装置。

Complementary

互补

此术语用于描述以下类型IC：

采用两个极性类型相连接的元件，对任何一个进行操作皆会被补充。

互补双极电路同时采用NPN和PNP晶体管。

互补CMOS电路（CMOS）同时采用N沟道和P沟道装置。

CompoundSemiconductor

化合物半导体

化合物半导体由化学元素周期表中两种或两种以上不同化学基团中的元素组成。

Conductionband

传导带

进入此空能级的电子可受激变成导电电子。

部分传导带被流动电子占领时，允许它们按特定方向移动，形成穿过固体的电流。

Conductor

导体

具有高导电性的材料，如铜、铝或金。

ConnectorInsertionLoss

连接器插入损耗

用分贝（dB）表示的光损失，因在光纤传输系统的两个部分之间插入配对连接器而引起。

Contactless（SMT）sensors

非接触式（SMT）传感器

使用反射光而不是通过物理接触来检测附近是否存在物体的光学元件。

此传感器可用做开关，或用于根据目标的接近度来改变或减弱信号电平。

常见应用包括关闭显示器和键盘，以及用于手机减弱显示和降低音量级。

Contrast

对比度

显示屏上通过控制电路中电子移动实现的照亮和非照亮区域的光输出差异。

ContrastRatio

对比率

指图像最亮部分与图像最暗部分的对比比例（例如：

100:

1）。

Controllerx-bit

控制器x位

使用由“x”位组成的数据的微控制器，其中x通常为8、16、32或64。

Conversiontechnology

转换技术

通过结合蓝色发光晶粒和合适的磷光转换器使LED产生白光的技术。

Core

线芯

用于导光的光纤内部部分，由纯玻璃（硅）或塑料制成，直径通常约为.01～.05英寸。

Coupling

耦合

把光输入光纤或从光纤输出。

CPU（CentralProcessingUnit）

CPU（中央处理器）

电脑或电子系统的核心部分，用于处理数据和执行所有计算。

今天中央处理器几乎已经成为单独的电子元件了，通常称为微处理器。

CRI（ColorRendering/ReproductionIndex）

CRI（显色指数）

测量光源表现物体、材料颜色和肤色的精确度，以及再现色泽细微变化的程度，范围介于0%至100%之间，用以将其它光源与参考光源作对比。

CRT（CathodeRaytube）

CRT（阴极射线管）

一种专用真空管，当电子束照射磷光表面时里面会生成图像。

老式电视屏幕/显示屏、台式电脑显示器均采用CRT。

此技术正逐渐为平板显示器所取代。

Crystal

晶体

原子、离子或分子以有序格局在三维空间内重复排列组成的固体。

CTE（CoefficientofThermalExpansion）

CTE（热膨胀系数）

此参数用于描述温度变化引起的物体几何尺寸（长度、面积、体积）的变化。

Current

电流

电子流或空穴流。

按单位时间内经过特定点的粒子数量进行测量（以安培为单位）。

可通过在导体中应用电场或改变穿过电容器的电场来诱发电流。

CurrentTransferRatio（CTR）

电流传输比（CTR）

光耦合器的输出电流与输入电流之间的比例。

CustomIntegratedCircuit

定制集成电路

要求为特殊功能或应用专门设计一整套掩膜的集成电路（IC）。

定制集成电路（IC）通常是为特定客户专门研制的。

CW（mode/pulsed）

CW（模式/脉冲）

激光器的输出可以是持续的恒定振幅（称为CW或连续波），或者可以是脉冲。

脉冲工作模式下能达到更高的峰值功率。

DALI（DigitalAddressableLightingInterface）standardprotocol

DALI（数字可寻址照明接口）标准协议

对电子镇流器和建筑内调光器等照明控制装置进行数字控制的开放式标准。

系统中的每一个DALI可寻址控制装置均有其自己的地址。

Darkcurrent

暗电流

光电检测器在没有光输入时的输出电流。

DarkcurrentIR

暗电流IR

即使没有光子输入到装置也会流经光电二极管的一股小电流。

可与非光学装置中的泄漏电流匹敌。

DAW（DigitalAudioWorkstation）

DAW（数字音频工作站）

用于录音、音乐制作、混音和母带录制的计算机控制系统。

DBEF（DualBrightnessEnhancementFilm）-D

DBEF（反射式增光偏光片）-D

用于LCD屏幕，以加强后部偏光器中通常会失去的光。

Decoder/Driver

解码器/驱动器

此电路可将数字信息转换为模拟电压，然后将电压放大至足以为显示器各元件提供能量的电平等级。

Delocalized（electrons）

离域（电子）

不再绑定到特定原子核且具有高流动性的电子。

Demodulator

解调器

使用积分器和施密特触发器译解接收的信号的数据信号。

通过合理设计IC（集成电路），将输入和输出信号之间的脉冲畸变保持在最低水平。

必要更改施密特触发器的时间至少是载波频率的四个周期。

Deposition

蒸镀

将材料沉淀到基底表面的工序。

通常指用于形成MOS门、薄膜电阻器和IC（集成电路）互连系统的导电薄膜或绝缘薄膜。

Detectionlimit（D）

检测限（D）

正好足够从背景噪声中分辨出信号时的水平。

Dice

晶粒

两个或两个以上晶粒。

见晶粒。

Die

晶粒

一片已集成特定电路的正方形或长方形半导体材料。

另请参见芯片。

DieArea

晶粒面积

晶粒的长度乘以宽度。

DieAttach

固晶

将晶粒安装到某种类型的封装元件或载体（如引线框架）上的工序。

DieBonding

晶粒贴合

使用导电粘合剂或金属合金（引线框架）将晶粒固定到封装上的方法。

DieCost

晶粒成本

通过晶圆制造和晶圆测试步骤生产出一颗好晶粒所需的成本。

DieSize

晶粒尺寸

晶粒的大小。

可用长度乘以宽度或面积表示。

DieSort

晶粒分选

分选出晶圆上的好晶粒和坏晶粒的工序。

见晶圆测试。

DieYield

晶粒成品率

好晶粒数量除以被测晶粒数量。

Diffuser（film）

散光罩（薄膜）

一种薄膜，通过分散光形成标准的朗伯发射模式来制造均匀照亮的表面。

DigitalDisplay

数字