实验二CMOS模拟集成电路设计与仿真.docx
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实验二CMOS模拟集成电路设计与仿真
模拟集成电路设计实验报告
学生姓名刘梦曦、刘敬亚
学号2010101012、2010101026
班级通信101
指导老师石跃、周泽坤
实验日期2013年5月25、26日
实验二:
CMOS模拟集成电路设计与仿真
一、实验步骤
1、进入虚拟机下的Cadence(虚拟机下linux用户名:
xcx密码:
000000)
Cadence运行方法:
在linux桌面右键选择新建终端——>在终端输入cdtsmc0_18rfp4_v15回车——>输入lmli回车——>输入icfb&回车
2、在CIW(commandInterpreterwindow)命令框中,点击Tools——>LibraryManager,出现LM(LibraryManager)窗口
建立一个新的Library:
点击File——>New——>Library,出现NewLibrary窗口;填入Library的名称,点击OK
出现LoadTechnology窗口,添加工艺文件:
选择analogLib,依次选择和添加所需要的器件,并且按照下图连接起来,并根据要求修改它们的参数,再保存,一个完整的电路拓扑图就形成了。
3、由Schematic产生symbol:
打开Schematic,点击Design——>Createcellview——>Fromcellview,填写上相应的名称,点击OK,即可。
还可以将生成的symbol进行图形上的修改:
可用ADD——>shape内的各种形状来修饰这个symbol的外观,最后保存。
4、仿真环境AffirmaAnalogCircuitdesignEnvironment的调用。
二、实验结果
图1:
OPA内部电路图
图2:
OPASymbol图
1、失调电压VOS
(1)仿真电路的搭建
仿真条件设置:
VDD,VINP调用analogLib中的vdc,
VDD:
DCvoltage=3.3
VINP:
DCvoltage=1.8
Gnd调用analogLib中gnd
图3:
失调电压Vos实际仿真电路图
(2)仿真结果(管子匹配时,失调电压仿真)
图4:
管子匹配时失调电压仿真结果
2、共模输入范围ICMR
(1)仿真电路图搭建
图5:
ICMR实际仿真电路图
仿真条件设置:
VDD,VINP调用analogLib中vdc
VDD:
DC=voltage=3.3
VINP:
DCvoltage=1.8
Gnd调用analogLib中gnd
(2)仿真结果
图6:
ICMR仿真结果
3、ACGAM和PHASEMARGIN
(1)仿真电路搭建
仿真条件设置:
VDD调用analogLib中vdc
VDD:
DCvoltage=3.3
VINP调用analogLib中vsin
VINP:
DCvoltage=1.8,ACmagitude=1
C0:
调用analogLib中cap
Capactiance=100T
L0:
调用analogLib中ind
Inductance=100T
Gnd调用analogLib中gnd
图7:
ACGAIN和PHASEMARGIN实际仿真图
(2)仿真结果
图8:
ACGAIN和PHASEMARGIN仿真结果
4、共模抑制比CMRR
(1)仿真电路图搭建
仿真条件设置:
VDD调用analogLib中vdc
VDD:
DCvoltage=3.3V
VINP调用analogLib中vsin
VINP:
DCvoltage=1.8V,ACmagitude=1V
VINN调用analogLib中vsin
VINN:
DCvoltage=0V,ACmagitude=1V
gnd调用analogLib中gnd
图9:
CMRR实际仿真电路图
(2)仿真结果
图10:
CMRR仿真结果
5、电源抑制比PSRR
(1)仿真电路图搭建
仿真条件设置:
VDD调用analogLib中vdc
VDD:
DCvoltage=3.3V,ACmagitude=1V
VINP调用analogLib中vsin
VINP:
DCvoltage=1.8V
Gnd调用analogLib中gnd
图11:
PSRR实际仿真电路图
(2)仿真结果
图12:
PSRR仿真结果
6、摆率SR
(1)仿真电路图搭建
仿真条件设置:
VDD调用analogLib中vdc
VDD:
DCvoltage=3.3V
VINP调用analogLib中vsource
Gnd调用analogLib中gnd
图13:
SR实际仿真电路图
(2)仿真结果
图14:
SR仿真结果
图15:
SR仿真结果(图片放大)
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