半导体物理复习资料.docx

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半导体物理复习资料

1．玻尔的氢原子理论基本假设是什么？

（掌握

（1）原子只能处在一系列不连续的稳定状态（又称定态）。

处在这些稳定状态的原子不辐射。

（2）原子吸收或发射光子的频率必须满足

（3）电子与核之间的相互作用力主要是库仑力，万有引力相对很小，可忽略不计

（4）电子轨道角动量满足：

2．玻尔氢原子理论基本结论是什么？

（掌握）

（1）电子轨道方程

（2）电子第n个无辐射轨道半径为：

（3）电子在第n个无辐射轨道上的能量为：

6．晶体中的电子状态与孤立原子中的电子状态有哪些不同？

（掌握）

（1）与孤立原子不同，由于电子壳层的交迭，晶体中的电子不再属于某个原子，使得电子在整个晶体中运动，这样的运动称为电子共有化运动，这种运动只能在相似壳层间进行，也只有在最外层的电子共有化运动才最为显著。

（2）孤立原子中的电子运动状态由四个量子数决定，用非连续的能级描述电子的能量状态，在晶体中由于电子共有化运动使能级分裂为而成能带，用准连续的能带来描述电子的运动状态

8．硅、锗晶体能带是如何形成的？

有哪些特点？

（掌握）

当硅、锗组成晶体后，由于轨道杂化的结果，其4个价电子形成sp3杂化轨道

Sp3杂化轨道能级平均分裂成上下两个能带，中间隔一禁带，这两个能带都分别包含2n个状态，并不和s能级（n态）和p能级（3n态）相对应

上面能带是空的常称为导带，下面被价电子占满称为满带或价带，当原子数很大时，导带、价带内能级密度很大，可以认为能级准连续

2．自由电子能量、动量、速度与波矢量的关系是什么？

（掌握）

粒子性描述自由电子的能量和动量

波动性描述自由电子的能量和动量

所涉及的变量有5个，可独立变化的只有一个变量，通常选择波矢作为自变量，其余变量均为波矢的函数

1．什么是布洛赫定理与布洛赫波函数？

（掌握）

布洛赫证明：

由单电子近似所描绘的晶体中的电子所遵守的薛定谔方程

的解具有如下形式：

其中

上述结论即是布洛赫定理，具有上述特征的波函数称为布洛赫函数

2．如何应用布洛赫波函数阐述电子在周期场中的共有化运动？

（掌握）

自由电子（处于零势场的电子）的空间各点波函数的强度相等，说明自由电子在空间各个点出现的几率相等，所以叫自由电子。

孤立原子中电子（处于点电荷势场）波函数是由三个量子数决定的关于空间坐标的复杂函数（通过求解薛定谔方程可获得），其概率密度在空间上存在最大值。

晶体中的电子（处于周期性势场的电子）波函数为布洛赫函数，其在空间各点的强度是一个周期性函数，也就是在各点出现的几率也发生周期性的变化，因此不再局限在某一个原子上，而可以从晶胞的一点自由地运动到其他晶胞的内的对应点（这些对应点的出现的几率是一样的）。

其状态同样可选择波数矢量进行描述。

但此时的状态函数受周期性势场的影响也是一个周期性函数，其中速度、动量是关于波矢的奇函数，能量是关于波矢的偶函数。

3．什么是布里渊区？

如何绘制第一布里渊区？

（掌握）

同自由电子类似，晶体中的电子能量也是波矢的函数

晶体中的电子能量除了波矢还必须由一个量子数n决定，

当n确定后电子的能量则是随波矢周期性在相应的范围（此范围称为一个能带）变化。

不同量子数对应着不同的能带周期函数

不同能带之间不允许电子能量存在称为禁带

所有的这些能带函数总体称为晶体的能带结构。

通常表示能带结构有两种方式

第一种扩展能区表示法：

即每个能带只取特定的一个周期表示，并根据能量的高低依次选取波矢区域。

对于一维及多维波矢空间能量将在

处出现间断性跳跃。

这些点（面）将整个波矢空间分割成若干区域，这些区域称为布里渊区。

从包含原点的区域开始，依次称为第一、第二布里渊区

1．什么是满带（价带）？

为何满带不导电？

（掌握）

●由价电子占满的能带称为满带。

在外电场作用下，处于满带能级上的电子产生能级跃迁使所有电子在k空间上产生定向运动，由于满带左右对称性以及周期性可知，产生的正负电流大小相等，相互抵消，所以不导电。

2．什么是导带？

为什么导带能导电？

（掌握）

●价带之上未被电子填满的能带称为导带，由于电子未填满该能带，未加电场，导带电子填充仍然是左右对称，因此导带电子所产生的正负电流相同没有电流，当加上电场在其作用下，电子将在k空间产生定向运动，能带左右不对称了，因此产生了净电流。

3．导体的导电机制是什么？

怎样用能带理论解释其导电机制？

（掌握）

●导体通常是金属，其价代是满带，而导带中填充一定数量的电子，因此导体是导带中的价电子导电。

4．半导体导电的机制是什么？

怎样用能带理论解释其导电机制?

（掌握）

●半导体中价电子刚好填满价带，导带在绝对零度时是空的称为空带。

●在一定温度条件下，由于半导体的禁带宽度较小，受热激发作用满带中的价电子较容易跃迁到导带中去，从而产生导带电子导电机构

●同时在价带留下相应的空k状态，破坏了原来满带结构，在外电场作用下，将产生净的电流，如果填满空位上相应的电子则此电流将被抵消，因此电流可认为是一假想的正电荷以相应的电子速度作定向运动而产生的电流，将此假想的空位正电荷称为空穴载流子，因此半导体的导电机构是导带的电子导电和价带的空穴导电。

5．绝缘体为何不导电？

（掌握）

绝缘体和半导体一样在绝对零度时，导带是空的，价带被填满，所不同的是其禁带宽度较宽，受热激发电子难于跃迁到导带，因此绝缘体导电载流子不存在或者很少，所以不导电。

2．什么是电子的有效质量？

引进此概念有何重要意义？

（掌握）

根据半导体能带结构研究特征：

只关心价带顶、导带底这两处能带极值附近的能带结构，因此可将能带展开只取至二阶项，而不至于引起较大误差。

由此仿照自由电子能量与波矢的关系，引入有效质量的概念。

对自由电子：

对半导体中的电子（处于导带底或价带顶附近的电子）为

将其展开为：

取前面三项（因为是在k=0附近）足够精确

通过有效质量的引入，将周期性势场对电子运动的影响全部归结到有效质量中。

因此一旦有效质量被确定，则电子的能带结构确定了，电子在外场作用的运动速度和加速度也确定了。

而有效质量较容易被实验所确定，因此有效质量的引入使得半导体能带结构及其电子的运动状态的定量分析得以实现。

3．能带极值处电子运动速度规律是什么？

（掌握）

电子运动速度可以看成是由频率相差不大波包构成

4．外加电场作用下电子运动规律如何确定？

（掌握）

电子运动速度决定于波矢量，当有外电场作用下，电子运动状态将发生变化，也就是电子的波矢将发生变化，其变化规律可由下列关系式确定

5．有效质量有哪些定性特征？

空穴有效质量是如何定义的？

（掌握）

内层电子能带窄，二次微商小，有效质量大，加速度小；

外层电子能带宽，二次微商大，有效质量小，加速度大。

内层空穴有效质量的定义：

1．什么是K空间的等能面？

（掌握）

内层电子能带窄，二次微商小，有效质量大，加速度小；

外层电子能带宽，二次微商大，有效质量小，加速度大。

内层空穴有效质量的定义：

对于三维晶体k空间内，能量相同的点所构成的空间曲面称为等能面。

对各向同性的三维晶体，在k空间的等能面为球面，此时能量与波矢的关系为：

实际晶体均是各向异性的，且极值点不一定在所选布里渊区的中心（通常为k空间的原点），所以上述函数应改写为：

令E为常数，上式为等能面方程可改写为

研究半导体能带结构，即确定上式中的有效质量，极值能量，极值能量的位置

2．什么是回旋共振？

如何测量有效质量？

（掌握）

将半导体样品置于均匀恒定磁场中，半导体中的电子将按照一定的回旋频率作螺旋形运动，此时再将电磁波通过半导体，若电磁波的频率与电子的回旋频率相同，则产生回旋共振吸收。

根据此现象可以测量电子的有效质量

若等能面为球面，由磁场力电子加速度向心加速度的基本关系式

可得回旋频率为

如果等能面不是球面，可以证明任意方向（磁场强度方向）的有效质量为

对等能面为椭球面的任意方向（磁场强度方向）的有效质量为：

1．硅的导带结构特征是什么？

如何通过实验证明？

（掌握）

硅的导带结构特征：

（1）等能面是在六个晶轴方向<100>的旋转椭球面，此结论是通过以下实验现象分析得出的.

（2）椭球面的中心在该方向上的布里渊区边界0.85倍处

（3）实验现象（对Si）：

B沿[111]轴方向只能观察到一个吸收峰；

B沿[110]轴方向可以观察到两个吸收峰；

B沿[100]轴方向可以观察到两个吸收峰；

B沿任意方向可以观查到三个吸收峰；

[111]方向上，B与六个方向坐标系的方向余弦均相同所以6个方向等能面有效质量均相同，因此只能观察到一个吸收峰

[110]方向上，B与六个方向坐标系的方向余弦有两组不同的值

[100]方向上，B与六个方向坐标系的方向余弦有两组不同的值

任意方向：

可以有三种不同的值，所以可以观察到三个吸收峰。

2．锗的导带结构特征是什么？

回旋共振的实验会有什么样的结果？

（掌握）

（1）等能面是位于<111>方向上的8个旋转椭球面

（2）椭球面的中心在该方向上简约布里渊区边界处

（3）

3．硅和锗的价带结构特征是什么？

（掌握）

（1）通过理论分析结合试验硅和锗价带的能带结构可由下述两个方程描述：

（2）硅锗价带里面有三个相互交迭的能带。

第一能带对应于根号前取正号；第二能带对应于根号前取负号；第三能带由第二个方程描述

（3）第一能带和第二能带极大值相同，是重点关注对象，第三能带最大值比价带顶低，一般不是关注焦点。

（4）第一能带空穴有效质量较小称为轻空穴；第二能带有效质量较大的空穴称为重空穴。

重空穴比轻空穴具有更强的各向异性。

4．硅锗禁带宽度随温度的上升而逐渐减小

2．锑化铟的能带结构特点是什么？

（掌握）

（1）晶体结构：

闪锌矿型，第一布里渊区边界与SiGe相同。

（2）导带特征：

极小值位于中心，附近等能面是球形的，有效质量很小。

（3）价带特征：

有三个能带重空穴带、轻空穴带和第三能带，其中重空穴带的极大值约偏离中心。

（4）禁带宽度：

（室温）0.18eV

（5）用途：

主要用于制作红外探测器

3．砷化镓的能带结构特点是什么？

（掌握）

（1）晶体结构特征：

闪锌矿型，第一布里渊区边界与SiGe相同（去角八面体构成的14面体）。

（2）导带特征：

最小值位于中心，附近等能面是球形的，在边界L、X还各有一处极小值属于多能谷导带。

（3）价带特征：

有三个能带重空穴带、轻空穴带和第三能带，其中重空穴带的极大值约偏离中心。

（4）禁带宽度：

（室温）1.424eV

（5）用途：

是制造发光器件、激光器件、太阳能电池的优良半导体

第二章半导体中杂质和缺陷能级

2．杂质是如何分类的？

各类型杂质是如何定义的？

（掌握）

（1）按照杂质在晶格中的位置可分为：

替位杂质：

杂质原子取代晶格原子而位于晶格结点处

间隙杂质：

杂质位于晶格原子之间

（2）按照杂质电离后电性可分为：

施主杂质：

电离后带正电的杂质

受主杂质：

电离后带负电的杂质

相关概念：

杂质能级：

将被杂质束缚的电子（空穴）的能量状态称为杂质能级，通常杂质能级位于禁带之中。

杂质电离：

电子（空穴）挣脱杂质束缚的过程称为电离，相应所需的能量称为电离能

n型半导体：

所掺杂质为施主杂质，导带中电子为主要载流子的半导体

p型半导体：

所杂质为受主杂质，价代中空穴为主要载流子的半导体

（3）按照杂质能级在禁带中的分布可分：

浅能级杂质：

施（受）主杂质距离导带底（价带顶）较近

深能级杂质：

施（受）主杂质距离导带底（价带顶）较远

3．何谓杂质补偿作用？

（掌握）

当在半导体中同时参入施主杂质、受主杂质，施主和受主杂质可以相互抵消的作用称为杂质补偿作用，经过补偿后半导体中的净杂质浓度称为有效杂质浓度。

利用杂质补偿作用可以根据需要用扩散或离子注入方法来改变半导体中某一区域的导电类型，以制成各种器件。

4．在硅锗中掺加各族元素杂质有何特点？

（掌握）

III族杂质：

BAlGaInV族杂质：

PAsSb

（1）V族形成施主杂质；III族形成受主杂质

（2）杂质的状态可以有两种状态：

中性态和离化态

（3）V族（III族）杂质能级靠近导带底（价带顶）形成浅能级杂质

（4）杂质电离能很小（参见表），室温下几乎全部电离

非III、V族杂质特点：

（1）同一种杂质一般均有多个杂质能级

（2）同一种杂质的多个能级中既可以有深能级也可以有浅能级，既可以有施主能级也可以同时有受主能级

（3）典型元素的能级状况：

Au：

在锗中有四个能级（三受一施）；在硅中有两个（一受一施）

Hg：

在锗中有两个受主能级；在硅中有四个（两受两施）

S：

在锗中有两个施主能级；在硅中有三个施主能级

6．缺陷是如何分类的？

各类型缺陷是如何定义的？

（掌握）

大类可分为点缺陷和位错缺陷两种

晶格格点上的原子未被正常原子所占据而形成的晶体缺陷称为点缺陷，点缺陷按照成因可分为三种：

（1）热缺陷：

又分为费伦克耳缺陷、肖特基缺陷

费伦克耳缺陷：

格点上的原子挤入其他晶格之间，从而形成成对的间隙原子-空位的点缺陷。

肖特基缺陷：

原子转移到界面处而只形成空位的缺陷

（2）成分偏离缺陷：

对化合物半导体利用成分偏离正常化学比产生的空位缺陷

（3）替位原子缺陷：

对化合物半导体AB，所产生的ABBA替位原子缺陷

8．如何分析计算浅能级杂质的电离能？

（掌握）

采用类氢模型估算，即通过对氢原子模型进行修正从而获得类氢模型进行估算。

（1）氢原子的电离能

（2）浅能级杂质电离能估算

施主杂质电离能：

受主杂质电离能：

第3章半导体中热平衡载流子的统计分布

1．什么是状态密度？

为何引入状态密度的概念？

（掌握）

设能量在间隔内有个量子态，则量子状态密度为

物理意义：

在能量E处单位能量间隔所具有的量子状态数

理论意义：

本章研究的目的是预测载流子的浓度，也就是要解决导带有多少电子，价带有多少空穴。

而要解决此问题，首先要解决导带量子态随能量的变化是怎样分布的，其次再解决电子是如何占据这些能量量子态的。

解决前一个问题就必须引入状态密度函数，一旦该函数确定，量子态随能量如何分布的就知道了

2．如何确定k空间状态密度？

导带底及价带顶状态密度是如何确定的？

（掌握）

k空间量子态密度（即单位k空间体积的量子态数）为2（V/8π3）

导带状态密度为（极值点在k=0，等能面为球面）

对实际的硅锗，等能面为旋转椭球面

价带顶：

对实际的硅锗是两个极值相重合的能带

3．什么是费米分布函数？

费米能级的物理意义是什么？

（1）描述电子占据能级的几率函数称为费米分布函数

（2）上式中的EF称为费米能级：

因此费米能级的物理意义是系统的化学势函数。

当T=0时，对于小于EF的所有能级被电子占据的几率1，大于EF所有能级被电子占据的几率为零

当T>0时，对于小于EF的所有能级被电子占据的几率>1/2，大于EF所有能级被电子占据的几率为<1/2，对于等于EF能级被电子占据的几率=1/2

4．什么是玻尔兹曼函数？

何为简并与非简并系统？

（掌握）

描述电子占据能级的几率函数为：

该函数称为玻尔兹曼分布函数，服从玻尔兹曼函数系统称为非简并系统，服从费米函数分布的系统称为简并系统。

适用范围：

特性：

随E的增高，能级E被电子占据的几率呈指数地减少（均远小于1）

5．导带电子浓度与价带空穴浓度及其乘积按照什么公式计算？

如何证明这些计算公式？

电子浓度和空穴浓度有哪些性质和特点？

（掌握）

导带电子浓度

价带空穴浓度

电子空穴浓度积为

性质特点：

（1）影响电子浓度和空穴浓度的因素是晶体结构、温度、费米能级三个因素

（2）随温度上升，电子和空穴浓度增加

（3）电子和空穴浓度的积与晶体结构和温度有关，与费米能级无关

（4）费米能级影响因素除了物质结构和温度外主要决定于掺杂情况

1．如何获得本征半导体的费米能级EF？

为什么要强调了解费米能级距离禁带中线远近程度？

（掌握）

本征半导体：

无杂质和缺陷的半导体称为本征半导体

建立电中性方程：

解得：

硅、锗、砷化镓，常温下费米能级在中线与中线之上1.5kT范围之内，其禁带宽度约40kT，所以，其费米能级在中线附近，可按非简并半导体处理。

否则如果远离中线，则半导体须按简并半导体处理

2．如何获得本征载流子浓度？

为什么一般不用本征半导体作半导体材料？

（掌握）

影响因素及其定性规律：

材料不同材料NcNvEg不同

温度随温度的增长呈指数曲线增长

1.如何计算施主与受主电离浓度?

（掌握）

特征；杂质能级与费米能级相同时，施主杂质电离1/3，受主电离1/5

当杂质能级与费米能级相差较大时，杂质几乎全部电离

1低温弱电离区

简化条件：

求解结果：

结果分析：

a.低温区费米能级处于施主能级和导带底能级的中线附近，当温度趋于零时趋于中线。

b.随温度升高费米能级在某个温度下极大。

c.载流子浓度（主要是电子浓度）随温度呈指数曲线快速增长。

d.通过测量电子浓度与温度的响应曲线可获得杂质电离能。

②中间电离区

简化条件：

求解结果：

结果分析：

a.当温度上升杂质电离百分数较大时（通常可取10%），即可认为进入中间电离区

b.中间电离区随温度上升，费米能级逐渐下降，使EF与杂质能级相等时，杂质电离1/3

c.中间电离区随温度上升，杂质电离增长速度逐渐偏离低温区的指数曲线而变缓。

d.一般地，当施主杂质电离大约90%可认为中间电离区结束进入下一个区。

③强电离饱和区

简化条件：

求解结果：

结果分析：

a.一定浓度下，随温度升高费米能级逐渐下降，并向本征费米能级靠近

b.一定温度下，参杂浓度越高，费米能级向导带靠近

c.随温度上升，杂质全部电离（90%）的掺杂浓度越高

d.随浓度的增加，杂质全部电离（90%）温度增加

④过渡区

简化条件：

求解结果：

结果分析：

a.当掺杂浓度较低温度越高，费米能级越接近本征费米能级；反之越接近饱和区的费米能级

b.在接近饱和区一端，电子浓度为多数载流子，空穴为少数载流子。

⑤高温本征激发区

简化条件：

计算结果：

同本征激发

结果分析：

杂质浓度越高，达到本征激发区的温度越高

1.什么叫载流子的简并化及简并化半导体？

（掌握）

当费米能级进入导带或价带时，相应的导带底的量子态或价带顶的量子态基本上被电子或空穴所占据，导带中电子数目很多，f（E）<<1不成立，或价带中的空穴数目很多，1-f（E）<<1不成立，此时电子（空穴）占据量子态的统计分布规律只能采用考虑了泡利不相容原理的费米分布，而不能采用玻尔兹曼分布，这样的情况称为载流子的简并化。

发生载流子简并化的半导体称为简并半导体。

3.简并化条件是如何规定的？

（掌握）

4.简并化半导体有哪些特点？

（掌握）

（1）杂质未充分电离

（2）孤立的杂质能级将形成杂质能带

（3）杂质能带的形成使禁带宽度变窄，杂质电离能减小）

试导出P型半导体的载流子浓度统计规律

（1）弱电离区

（2）强电离区

（3）过渡区

1.什么是平衡载流子浓度？

它有哪些基本性质？

（掌握）

处于热平衡状态的半导体，在一定温度下，载流子浓度是一定的。

这种处于热平衡状态下的载流子浓度，称为平衡载流子浓度。

用n0和p0分别表示平衡电子浓度和空穴浓度，其基本性质有：

（1）在非简并情况下，它们的乘积满足：

n0p0=ni2

（2）本征载流子浓度只是温度的函数。

（3）在非简并情况下，无论掺杂多少，平衡载流子浓度n0和p0必定满足n0p0=ni2，因而它也是非简并导体处于热平衡状态的判据式。

2.什么是非平衡载流子浓度？

它有哪些产生方法（注入方法）？

（掌握）

如果对半导体施加外界作用，破坏了热平衡的条件，这就迫使它处于与热平衡状态相偏离的状态，称为非平衡状态。

处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度也不再是n0和p0，可以比它们多出一部分。

比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子，有时也称过剩载流子。

其浓度分别用Δn和Δp表示，称为非平衡载流子浓度。

非平衡载流子的产生（也称注入）方法除光注入外，还可以用其他方法产生非平衡载流子，例如电注入或高能粒子辐照等。

3.什么是小注入条件？

为什么说通常所说非平衡载流子都是指非平衡少数载流子？

（掌握）

在一般情况下，注入的非平衡载流子浓度比平衡时的多数载流子浓度小的多。

对n型材料Δn<

即使在小注入的情况下，非平衡少数载流子浓度还是可以比平衡少数载流子浓度大的多，它的影响就显得十分重要了，而相对来说非平衡多数载流子的影响可以忽略。

所以实际上往往是非平衡少数载流子起着重要作用，通常说的非平

4．光注入的基本条件和基本性质是什么？

（掌握）

要使光照产生非平衡载流子，要求光子的能量大于或者等于半导体的禁带宽度。

光产生非平衡载流子的特点是产生电子－空穴对，价带电子受光激发跃迁到导带，在价带留下空穴，因此产生的非平衡电子浓度等于价带非平衡空穴浓度。

1．什么叫非平衡载流子复合？

通常用哪些参数描述复合过程？

（掌握）

当停止非平衡载流子的注入后，已注入的非平衡载流子并不能一直存在下去，也就是原来激发到导带的电子又回到价带，电子和空穴又成对的消失了，使半导体由非平衡态恢复到平衡态。

非平衡载流子逐渐消失这一过程称为非平衡载流子的复合。

描述复合过程的基本参数是复合率、净复合率、产生率。

R------单位时间单位体积内复合消失的电子－空穴对数称为非平衡载流子的复合率

G------单位时间单位体积内产生的电子－空穴对数称为非平衡载流子的产生率。

2.什么是非平衡载流子寿命（少数载流子寿命、少子寿命、寿命）？

（掌握）

当停止注入之后非平衡载流子平均生存时间称为寿命，用τ表示。

由于相对于非平衡多数载流子，非平衡少数载流子的影响处于主导的、决定的地位，因而非平衡载流子的寿命常称为少数载流子寿命。

简称少子寿命或寿命。

3．非平衡载流子浓度衰减规律是什么？

如何证明？

寿命的物理意义是什么？

（掌握）

衰减规律：

证明：

在小注入时寿命是个常数即可证明

寿命的物理意义：

停止注入后，非平衡载流子浓度衰减到只有初始浓度36.8%时所需的时间即为寿命

1．什么叫电子准费米能级和空穴准费米能级？

（掌握）

当外界的影响破坏了热平衡，使半导体处于非平衡状态，而存在非平衡载流子时，可以认为分别就价带和导带中得电子它们各自基本上处于平衡态，而导带和价带之间处于不平衡状态。

因而费米能级和统计分布函数对导带和价带各自仍然是适用的，可以分别引入导带费米能级和价带费米能级，它们都是局部的费米能级，称为“准费米能级”。

导带和价带间的不平衡就表现在它们的准费米能级是不重合的。

导带的准费米能级也称电子准费米能级，相应地，价带地准费米能级称为空穴准费米能级。

2．非平衡载状态下载流子浓度公式是什么？

（掌握）

1．复合机构有哪些类型？

各类型的概念是什么？

（掌握）

直接复合、间接复合（也称体内复合）、表面复合、俄歇复合

（1）直接复合：

由电子在导带与价带间直接跃迁而引起非平衡载流子的复合过程称为直接复合。

（2）间接复合：

深能级杂质和缺陷在禁带中形成深能级，可促进复合过程进行这些促进复合过程的杂质和缺陷称为复合中心。

非平衡载流子通过复合中心的进行复合的机构称为间接复合

（3）表面复合：

是指在半导体表面发生的复合过程。

表面处的杂质和表面特有的缺陷也在禁带形成复合中心能级，因而，就复合机构讲，表面复合仍然是间接复合。

（4）俄歇复合：

当载流子从高能量状态跃迁到低能量状态而进行复合时，将多余的能量以