半导体器件基础测试题.docx
- 文档编号:8106918
- 上传时间:2023-01-28
- 格式:DOCX
- 页数:8
- 大小:82.37KB
半导体器件基础测试题.docx
《半导体器件基础测试题.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《半导体器件基础测试题.docx(8页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
半导体器件基础测试题
半导体器件基础测试题
第一章半导体器件基础测试题(高三)
姓名班次分数
一、选择题
1、N型半导体是在本征半导体中加入下列物质而形成的。
A、电子;B、空穴;
C、三价元素;D、五价元素。
2、在掺杂后的半导体中,其导电能力的大小的说法正确的是。
A、掺杂的工艺;B、杂质的浓度:
C、温度;D、晶体的缺陷。
3、晶体三极管用于放大的条件,下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏;B、发射结正偏、集电结正偏;
C、发射结反偏、集电结正偏;D、发射结反偏、集电结反偏;
4、晶体三极管的截止条件,下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏;B、发射结正偏、集电结正偏;
C、发射结反偏、集电结正偏;D、发射结反偏、集电结反偏;
5、晶体三极管的饱和条件,下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏;B、发射结正偏、集电结正偏;
C、发射结反偏、集电结正偏;D、发射结反偏、集电结反偏;
6、理想二极管组成的电路如下图所示,其AB两端的电压是。
A、—12V;B、—6V;
C、+6V;D、+12V。
7、要使普通二极管导通,下列说法正确的是。
A、运用它的反向特性;B、锗管使用在反向击穿区;
C、硅管使用反向区域,而锗管使用正向区域;D、都使用正向区域。
8、对于用万用表测量二极管时,下列做法正确的是。
A、用万用表的R×100或R×1000的欧姆,黑棒接正极,红棒接负极,指针偏转;
B、用万用表的R×10K的欧姆,黑棒接正极,红棒接负极,指针偏转;
C、用万用表的R×100或R×1000的欧姆,红棒接正极,黑棒接负极,指针偏转;
D、用万用表的R×10,黑棒接正极,红棒接负极,指针偏转;
9、电路如下图所示,则A、B两点的电压正确的是。
A、UA=3.5V,UB=3.5V,D截止;
B、UA=3.5V,UB=1.0V,D截止;
C、UA=1.0V,UB=3.5V,D导通;
D、UA=1.0V,UB=1.0V,D截止。
10、稳压二极管在电路中的接法,正确的说法是。
A、稳压管是正向并接在电路中,即稳压管正极接电路中电源的正极,负极接电源的负极;
B、稳压管是反向并接在电路中,即稳压管正极接电路中电源的负极,负极接电源的正极;
C、稳压管是正向串接在电路中,即稳压管正极串接电路中电源的高电位,负极接电源的
低电位。
D、稳压管是反向串接在电路中,即稳压管正极串接电路中电源的低电位,负极接电源的
高电位。
11、电路如下图所示,当电路输入端的电压发生变化时,会引起输出电压的变化,则
下列四种变化中正确的是。
A、UI↑→U0↑→IW↑→IR↑→UR↑→U0↓;
B、UI↑→U0↑→IW↓→IR↓→UR↓→U0↓;
C、UI↑→U0↓→IW↓→IR↑→UR↑→U0↓;
D、UI↑→U0↓→IW↓→IR↓→UR↓→U0↓。
12、对于三极管放大作用来说,下列说法中最确切的是。
A、三极管具有电压放大作用;B、三极管具有功率放大作用;
C、三极管具有电流放大作用;D、三极管具有能量放大作用。
13、对于二极管来说,下列说法中错误的是。
A、二极管具有单向导电性;B、二极管同样具有放大作用;
C、二极管具有箝位功能;D、二极管具有开关等功能。
14、对于三极管的输入特性,下列说法正确的是。
A、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ube之间的关系;
B、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Uce之间的关系;
C、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ic之间的关系;
D、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ie之间的关系;
15、下图中两只二极管的导通状态是。
A、D1、D2导通;B、D1、D2截止;
C、D1导通、D2截止;D、D1截止、D2导通。
16、下图中二极管为理想二极管,则输出电压是。
A、UAO=15V;B、UAO=12V;
C、UAO=-15V;D、UAO=-12V。
17、下图中二极管为理想二极管,则输出电压是。
A、UAO=15V;B、UAO=12V;
C、UAO=-12V;D、UAO=0V。
18、下图中二极管为理想二极管,则输出电压是。
A、UAO=6V;B、UAO=–6V;
C、UAO=-12V;D、UAO=12V。
19、金属导体的电阻率随温度升高而,半导体的导电能力随温度的升高而。
A、升高/升高;B、降低/降低;C、升高/降低;D、降低/升高。
20、下列是PN结两端的电位值,使PN结导通的是。
A、P端接+5V,N端通过一电阻接+7V;
B、N端接+2V,P端通过一电阻接+7V;
C、P端接─3V,N端通过一电阻接+7V;
D、P端接+1V,N端通过一电阻接+6V。
21、电路如图所示,R=1KΩ,设二管导通时的管压降为0.5V,则电压表的读数是。
A、0.5V;B、15V;
C、3V;D、以上答案都不对。
22、如图所示,设输入信号ui为正弦波,幅值为1V,二极管导通时正向电压降为0.6V,
关于输出信号u0波形的说法,正确的是。
A、输出电压值的范围介于-0.6V—+0.6V之间;
B、输出电压值的范围介于-0V—+0.6V之间;
C、输出电压值的范围介于-0.6V—0V之间;
D、输出电压值的范围介于0V—1V之间。
23、对于3AG11C三极管的型号,下列说法正确的是。
A、锗管PNP型高频小功率晶体管;B、锗管PNP型低频大功率晶体管;
C、硅管NPN型高频小功率晶体管;D、硅管NPN型低频大功率晶体管;
24、对于3DD80C三极管的型号,下列说法正确的是。
A、锗管PNP型高频小功率晶体管;B、锗管PNP型低频大功率晶体管;
C、硅管NPN型高频小功率晶体管;D、硅管NPN型低频大功率晶体管;
25、对于3DG12C三极管的型号,下列说法正确的是。
A、锗管PNP型高频小功率晶体管;B、锗管PNP型低频大功率晶体管;
C、硅管NPN型高频小功率晶体管;D、硅管NPN型低频大功率晶体管
26、对于3AD30B三极管的型号,下列说法正确的是。
A、锗管PNP型高频小功率晶体管;B、锗管PNP型低频大功率晶体管;
C、硅管NPN型高频小功率晶体管;D、硅管NPN型低频大功率晶体管
27、场效应管属于控制型器件,晶体三极管则属于控制器件。
A、电压/电流;B、电流/电压;C、电压/电压;D、电流/电流
28、电路其如图所示,D为理想二极管,则u0为。
A、3V;B、6V;C、-3V;D、-6V。
29、电路如下图所示,已知Rb=10KΩ,Rc=1KΩ,Ec=10V,
晶体管的β=50,Ube=0.7V,当Ui=0V时,
三极管处于。
A、截止状态;B、放大状态;
C、饱和状态;D、击穿状态。
二、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
()
(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
()
(3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
()
(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
()
(5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。
()
(6)若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。
()
三、写出下图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压UD=0.7V。
四、已知稳压管的稳压值UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA。
求下图所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
2、电路如图(a)所示,其输入电压uI1和uI2的波形如图(b)所示,二极管导通电压UD=0.7V。
试画出输出电压uO的波形,并标出幅值。
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 半导体器件 基础 测试