三极管的识别与检测.docx
- 文档编号:7759970
- 上传时间:2023-01-26
- 格式:DOCX
- 页数:11
- 大小:408.06KB
三极管的识别与检测.docx
《三极管的识别与检测.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《三极管的识别与检测.docx(11页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
三极管的识别与检测
临沂市工业学校教案
No:
课题
三极管的识别与检测
授课时间
第13周
地点
教室/实训室
课时
5
班级
16电工
课题分析
本课题包括:
三极管的基本构成,电感,三极管的分类,三极管的主要参数,三极管的识读、三极管的检测
学生状况分析
学生基础知识薄弱或者根本就为零,由于学生学习积极性不足,注意力分散,动手能力一般。
教学目标
1.专业能力:
三极管的识别与检测的基本技能
2.方法能力:
理论知识的学习,技能的训练
3.社会能力:
团结合作,诚实守信,爱国敬业
教学重点难点
1.教学重点:
三极管的识别与检测
2.教学难点:
三极管的识读
教学设计说明
1.教学过程设计说明:
启发学生积极思考,主动参与教学活动
2.教法运用说明:
讲授法、启发引导、练习、自学
3.教学评价说明:
现场提问打分
教学准备
1.场所:
教室、实训室
2.设备:
星科实训台
3.教具:
多媒体电脑、投影仪
4.资料:
网络
5.分组与座位:
11组
板书设计
教学过程
时间
教学阶段
任务或问题
教师活动
学生活动
教学方法
媒体与手段
可能出现的问题及解决方案
预期效果
5
复习提问
上节课知识点
提问
思考、回答
提问、引导
不熟练。
强化练习
回顾旧知
10
合作自学
基本知识点
巡视、指导
讨论、自学
启发、点拨
不理解。
及时
预习新知
10
教师讲解
重点、难点
讲解、分析
学习、思考
讲授、引导
注意力不集中。
提醒
化解难点、剖析重点
15
强化训练
知识的运用
指导、辅导
思考、讨论、练习
练习、辅导
知识运用偏差。
纠正
掌握知识点
5
小结
任务总结
总评
回顾、总结
归纳
系部审
核意见
审核人员签字
附件:
【任务书】或【学案】
《三极管的识别与检测》任务书
教学过程:
一、知识链接:
三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件。
其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号,也用作无触点开关。
晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
可用来对微弱信号进行放大和作无触点开关。
它具有结构牢固、寿命长、体积小、耗电省等一系列独特优点,故在各个领域得到广泛应用。
二、合作自学:
1、三极管的外形
特点:
有三个电极,故称三极管。
2、三极管的结构
三极管是由两个PN结构成的,其基本特性是具有电流放大作用。
三极管按其结构不同分为NPN型和PNP型两种。
相应的结构示意图及电路符号如图2.1所示。
特点:
有三个区——发射区、基区、集电区;
两个PN结——发射结(BE结)、集电结(BC结);
三个电极——发射极e(E)、基极b(B)和集电极c(C);
两种类型——PNP型管和NPN型管。
工艺要求:
发射区掺杂浓度较大;基区很薄且掺杂最少;集电区比发射区体积大且掺杂少。
三极管内部结构分为发射区、基区和集电区,相应的引出电极分别为发射极e、基极b和集电极c。
发射区和基区之间的PN结称为发射结,集电区和基区之间的PN结称为集电结。
电路符号中,发射极的箭头方向表示三极管在
正常工作时发射极电流的实际方向。
三极管在制作时,其内部结构特点是:
(1)发射区掺杂浓度高;
(2)基区很薄,且掺杂浓度低;
(3)集电结面积大于发射结面积。
以上特点是三极管实现放大作用的内部条件。
3、晶体三极管的符号
箭头:
表示发射结加正向电压时的电流方向。
文字符号:
V
三、教师讲解:
1、晶体三极管的分类
按内部结构分:
有NPN型和PNP型管;
按工作频率分:
有低频和高频管;
按功率分:
有小功率和大功率管;
按用途分:
有普通管和开关管;
按半导体材料分:
有锗管和硅管等等。
2、三极管的电流放大作用
三极管放大的条件
三极管实现电流放大的外部偏置条件:
发射结正偏,集电结反偏,此时,各电极电位之间的关系是:
NPN型UC>UB>UE
PNP型UC<UB<UE
3、晶体三极管在电路中的基本连接方式
有三种基本连接方式:
共发射极、共基极和共集电极接法。
最常用的是共发射极接法。
4、三极管内电流的分配和放大作用
电流分配关系
IE=IC+IB
因IB很小,则IC≈IE
由上述实验结果可知,当IB有一微小变化时,能引起IC较大的变化,这种现象称为三极管的电流放大作用。
电流放大作用的实质是通过改变基极电流IB的大小,达到控制IC的目的,而并不是真正把微小电流放大了,因此称三极管为电流控制型器件。
5、三极管的特性曲线
输入特性曲线
三极管的输入特性曲线如图2.5所示。
由图2.5所示的输入特性曲线可以看出:
曲线是非线性的,也存在一段死区,当外加UBE电压小于死区电压时,三极管不能导通,处于截止状态。
三极管正常工作时,UBE变化不大,对于硅管,UBE约为0.7V左右,锗管的约为0.3V左右。
输出特性曲线
当IB取值不同时,就有一条不同的输出特性曲线,如图2.6所示。
三极管的三个工作区
(1)三极管输出特性曲线中,IB=0的输出特性曲线以下,横轴以上的区域称为截止区。
其特点是:
发射结和集电结均为反偏,各电极电流很小,相当于一个断开的开关。
(2)输出特性曲线中,截止区以上平坦段组成的区域称为放大区。
其特点是:
发射结正偏,集电结反偏。
此时IC受控于IB;同时IC与UCE基本无关,可近似看成恒流。
此区内三极管具有电流放大作用。
(3)输出特性曲线中,UCE≤UBE的区域,即曲线的上升段组成的区域称为饱和区。
饱和区的特点是:
发射结和集电结均为正偏。
饱和时的UCE称为饱和压降,用UCES表示,UCES很小,一般约为0.3V。
工作在此区的三极管相当于一个闭合的开关,没有电流放大作用。
6、三极管主要参数
1)共发射极电流放大系数:
直流放大系数、交流放大系数
电流放大系数一般在10~100之间。
太小,放大能力弱,太大易使管子性能不稳定。
一般取30~80为宜。
2)集电极——基极反向饱和电流ICBO。
集电极——发射极反向饱和电流ICEO。
反向饱和电流随温度增加而增加,是管子工作状态不稳定的主要因素。
因此,常把它作为判断管子性能的重要依据。
硅管反向饱和电流远小于锗管,在温度变化范围大的工作环境应选用硅管。
3)集电极最大允许电流ICM
三极管工作时,当集电极电流超过ICM时,管子性能将显著下降,并有可能烧坏管子。
集电极最大允许耗散功率PCM
当管子集电结两端电压与通过电流的乘积超过此值时,管子性能变坏或烧毁。
集电极——发射极间反向击穿电压V(BR)CEO
管子基极开路时,集电极和发射极之间的最大允许电压。
当电压越过此值时,管子将发生电击穿,若电击穿导致热击穿会损坏管子。
四、强化训练:
三极管的简单测试
1、硅管或锗管的判别
五、评价标准
实训内容
评分标准
分值
得分
8min内完成6只三极管的识别工作并记录
1、元件识别错误每次扣2分。
2、引脚识别有误差每次扣2分
40分
5min内完成6只三极管的检测工作并记录
1、万用表档位选错每次扣3分
2、测量过程中未校零扣3分
3、量程选择错误每次扣2分
4、测量结果错误每次扣2分
30分
5min内完成6只三极管检测并记录
30分
安全文明操作
1、损坏、丢失元器件,扣1~5分
2、物品随意乱放扣1~5分
10分
总评成绩
自我评价
六、课堂小结:
1、熟悉电感器的分类并了解三极管的主要参数
2、掌握三极管的识别与检测技能
作业:
结本节课要点
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 三极管 识别 检测
![提示](https://static.bdocx.com/images/bang_tan.gif)