常用电子元件的标志方法与选用.docx
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常用电子元件的标志方法与选用
第二章常用电子元件的标志方法与选用
第一节电阻元件的标志方法
电阻元件的标志方法主要有三种:
直标法、文字符号法、色标法。
一、直标法
是利用阿拉伯数字和单位符号在电阻器的表面直接标出电阻的电阻值和允许误差的方法。
如图2-1-1
图2-1-1
直标法中用Ω、KΩ、MΩ这些符号表示电阻阻值的单位,分别表示欧姆、千欧姆、兆欧姆。
二、文字符号法
是利用阿拉伯数字及字母符号的组合来表示阻值、允许误差的方法。
1.文字符号表示单位:
其意义见表2-1-1
表2-1-1
符号
表示的单位
符号
表示的单位
R
K
M
欧姆(100Ω)
千欧姆(103Ω)
兆欧姆(106Ω)
G
T
千兆欧姆(109Ω)
兆兆欧姆(1012Ω)
2.数字与文字符号组合的意义:
文字符号R、K、M之前的数字表示整数位阻值;文字符号R、K、M之后的数字表示小数位阻值。
例如:
R10表示0.1Ω;1R0表示1Ω;1K0表示1千欧姆;5K6表示5.6千欧姆等。
三、色标法(色环法)
四色环两位有效数字标志法:
电阻器用四条色环表示阻值与误差,称为四色环法。
其意义为:
前三条色环标明两位有效数字及倍率,最后一条色带表示允许偏差。
色带与阻值关系如表2-1-2。
例如:
四条色环为红、红、黄、银,则表示阻值为220KΩ、允许偏差±10%。
对于第三条色带,还以采用简便读法:
上例中第三条色带为黄色,即可判定该电阻值为几百几十KΩ。
表2-1-2
颜色
第一有效数
第二有效数
倍率
简便读法
允许偏差
黑
0
0
100
几十几Ω
棕
1
1
101
几百几十Ω
红
2
2
102
几点几千Ω
橙
3
3
103
几十几千Ω
黄
4
4
104
几百几十千Ω
绿
5
5
105
几点几MΩ
蓝
6
6
106
几十几MΩ
紫
7
7
107
灰
8
8
108
白
9
9
109
金
10-1
几点几Ω
±5%
银
10-2
零点几Ω
±10%
无色
±20%
第二节电阻的选用
一、电阻的分类
电阻的种类很多,概括起来,可分为固定电阻和可调电阻(电位器)两大类。
常用固定电阻的标志符号见表2-2-1。
表1-2-1电阻器标志符号
符号
代表的意义
符号
代表的意义
RT
RJ
RX
碳膜电阻
金属膜电阻
线绕电阻
RR
RM
RG
热敏电阻
压敏电阻
光敏电阻
二、电阻的选用
一般,无线电而言对于电阻的选用无特别的要求,绝大多数情况下,用1/8W的小型电阻就可以了。
在小型电阻中,以碳膜电阻和金膜电阻常见。
大于2W的电阻,就要选用线绕电阻。
使用前所有的电阻都要用万用表校测一次,看阻值是否正确。
第三节电容元件的标志方法
电容元件的标志方法主要有两种:
直标法、文字符号法。
一、直标法
是利用阿拉伯数字和单位符号在电容器的表面直接标出电容的电容值和允许误差的方法。
如图2-3-1
图2-3-1
直标法中用pF、uF、F这些字母表示电容的容量单位为皮法、微法、法拉。
二、文字符号法
是利用阿拉伯数字及字母符号的组合来表示电容值、允许误差的方法。
是小电容的一种主要标志方法。
1.文字符号表示的单位:
其意义见表2-3-1
表2-3-1
符号
表示单位
符号
表示单位
P
n
u
皮法(10-12F)
纳法(10-9F)
微法(10-6F)
M
F
毫法(10-3F)
法拉(100F)
2.数字与文字符号组合的意义:
文字符号P、n、u之前的数字表示整数位电容值;文字符号P、n、u之后的数字表示小数位电容值。
如果文字符号之后没有单位、且数字部分为整数时,其单位为PF;数字部分有小数点时,其单位为uF。
如果两面位数字前带有R字母,则R相当于小数点;对于三位数字的电容值,最后一位数字应视为倍率,且单位为PF。
例如334表示33×104PF,即为0.33uF;若第三位数字为9,表示10-1倍率。
具体的表示方法见表2-3-2。
表2-3-2
文字符号
计算方法
表示容值
文字符号
计算方法
表示容值
7
560
0.22
47n
2p2
7(pF)
560(pF)
0.22(uF)
47×10-9(F)
2.2(pF)
7pF
560pF
0.22uF
0.047uF
2.2pF
103
683
331
479
R22
10×103(pF)
68×103(pF)
33×101(pF)
47×10-1(pF)
0.22(uF)
0.01uF
0.068uF
330pF
4.7pF
0.22uF
第四节 电容的选用
一、电容的分类
电容的种类十分繁多,按介质材料的不同可分为:
纸介电容(Z)、电解电容(D)、云母电容(Y)、高频瓷介电容(C)、低频瓷介电容等;按形状的不同可分为:
筒形电容、立式矩形电容、圆片形电容等。
二、电容的选用
电容的选用要综合工作电压、工作频率等多方面的因素来考虑。
谐振回路可选用云母电容、高频瓷介电容。
用以隔直流时,可选用纸介电容、电解电容等。
用于滤波,可选用电解电容。
对于电解电容的使用要注意区分极性(在电容表面有标记的一端为负极,另一端为正极)。
用于定时装置或稳定性较高的地方,应选用大容量的钽电解电容。
电容器在装入整机前,应检查有无短路、断路、漏电等现象。
第五节 半导体元件的识别
一、国产半导体元件的命名方法
半导体元件主要指半导体二极管、三极管和场效应管等,其命名方法如表2-5-1
表2-5-1
第一部分
第二部分
第三部分
表示电极数目
表示材料和极性
表示元件的类型
符号
意义
符号
意义
符号
意义
符号
意义
2
3
二极管
三极管
A
B
C
D
A
B
C
D
N型,锗材料
P型,锗材料
N型,硅材料
P型,硅材料
PNP型,锗材料
NPN型,锗材料
PNP型,硅材料
NPN型,硅材料
P
V
W
C
Z
L
S
N
U
K
X
G
普通管
微波管
稳压管
参量管
整流管
整流堆
隧道管
阻尼管
光电管
开关管
低频小功率管
高频小功率管
D
A
T
Y
CS
JG
低频大功率管
高频大功率管
半导体闸流管
(可控硅)
体效应器件
场效应管
激光器件
例如:
2AP9为N型锗材料普通二极管;3DG6为NPN型硅材料高频小功率管。
注意:
场效应管、激光器件等的命名,仅有第三部分。
二、根据外形识别管脚
1.二极管的识别
根据二极管的外壳,有标记的一边为负极,另一边为正极。
如图2-5-1
ab
图2-5-1
图中两二极管的极性图a为左“正”右“负”。
图b为左“负”右“正”。
2.三极管的识别
根据三极管管脚的排列形状,可以识别三极管的三个电极(E、B、C)。
如图2-5-2。
abc
图2-5-2
图a识别规则是:
管脚朝上,有管键的,管键置左下角,无管键的,空位置置右边。
然后从下边一根引脚顺时针排列过去依次是E、B、C三个电极。
图b识别规则是:
管脚朝上,安装孔上下排列,使中间两根管脚与安装距离较大的一端置下方。
则中间根管脚左边一根为B,右边一根为E,外壳就是C。
3、90系列三极管的识别
1)型号与极性。
如表2-5-2
表2-5-2
型号
表示极性
型号
表示极性
9012
9013
PNP,中功率硅管
NPN,中功率硅管
9014
9015
NPN,小功率硅管
PNP,小功率硅管
2)管脚的识别
根据三极管管脚的排列形状,可以识别三极管的三个电极(E、B、C)。
如图2-5-2-C
识别规则为:
如图中位置放置,然后从最左边一根管脚开始依次为E、B、C。
第六节半导体元件的选用
一、二极管的选用
二极管的选用要根据使用环境和二极管的功能来决定。
例如:
1.普通二极管
用于非线检波等。
2.整流二极管
主要用于电源的整流等。
3.稳压二极管
主要用于直流电源的稳压,实现电压的变换。
当然,对于同一系列的二极管,在使用时要根据使用环境注意选择二极管的耐压,允许通过的电流等。
二、三极管的选用
三极管的选用要根据使用环境和三极管的极性、功能来决定。
例如:
高频小功率管主要用于高频电路中;在放大电路的前级主要使用硅小功率管或场效应管;在功放级选用低频大功率管等。
在三极管的替代使用时一定要注三极管的极性、材料、功率、耐压等。
同时判断好三极管各脚的电极性。
第七节音乐集成电路介绍
一、使用音乐集成电路的注意事项
音乐集成电路是一种大规模CMOS集成电路,又称为IC音乐晶片。
对于音乐集成电路系列、型号的选择,焊接,音调的调整,电源电路的处理等应注意以下几点:
1.音乐集成电路的种类很多,有CW9300、CIC2851、CIC5600等。
每一系列的电路外形和接线方式一样,同一系列内不同型号的音乐集成片的乐曲不同。
2.音乐集成电路由CMOS电路构成,因此焊接时应将烙铁外壳可靠接地,或待烙铁烧热后拔掉插头利用烙铁的余热焊接,否则会损坏。
3.音乐集成电路外接一电阻,这个电阻与输出乐曲的音有关。
一般为电阻小时音调高,电阻大时音调低。
4.安装时不论电路中是否标明,都要在电源端并联一个100-200uF的电解电容,防止产生自激。
电源电压可在1.5-6.0v之间选择。
二、音乐集成电路
1.
CW9300系列电路
CW9300系列音乐集成电路的乐曲种类很多,例如,CW9309储有《生日快乐》,CW9310储有《祝你生日快乐》。
CW9300的用法也
图2-7-1图2-7-2
很灵活,音调电阻一般取68KΩ。
其引脚图如图2-7-1,连接图如图2-7-2。
在图2-7-1中:
1脚为触为端、3脚为输出端、5脚接为地端、7、8脚为音调电阻端、9脚为电源端。
2.CW93285及KD128电路
CW93285电路能够为出悦耳的“叮咚”声,最适合制成电子门铃。
与之功能一样、外形一样的还有KD128电路。
音调电阻的值在100-160KΩ之间选书用。
其引脚图如图2-7-3,连接
图如图1-7-4。
在图中:
1、2脚为音调电阻端、3脚为电源正极、4脚为触发端、5脚为输出端、6脚为接地端。
第八节集成电路型号的命名规则
一、现行国家标准规定的集成电路的命名法
CXXXXXXXXX
中国国标产品 器件类型 用阿拉伯数字和字母 工作温度 封装
表示器件系列品种
T:
TTL电路其中TTL电路分为:
C:
0-700CF:
多层陶瓷扁平
H:
HTL电路54/74XXXG:
-25-700CB:
朔料扁平
E:
ECL电路54/74HXXXL:
-25-850CH:
黑瓷扁平
C:
CMOS电路54/74LXXXE:
-40-850CP:
朔料双列直插
M:
存储器54/74SXXXR:
-55-1250CT:
金属圆壳
u:
微型机电路54/74LSXXXM:
-55-1250C
F:
线性放大器CMOS电路分为:
W:
稳压器4000系列
B:
非线性电路54/74HCXXX
J:
接口电路54/74HCTXXX
AD:
A/D转换器
DA:
D/A转换器
SC:
通信专用电路
SS:
敏感电路
SW:
钟表电路
SF:
复印机电路
二、集成电路引脚的识别
对于圆形结构:
与三极管相似,使管脚向上,从管键左边第一脚开始顺时针数。
对于朔料封装双列直插结构:
将集成电路有符号的一面向上,将字母或符号摆正,左下为第一脚,逆时针数。
附录
一电容器的主要特征
名称
型号
容量范围
DC工作电压(V)
适用频率(MHZ)
纸介电容
(中、小型)
CZ型
470pF-0.22uF
63-630
8MHZ以下
金属壳密封纸介电容器
CZ3
0.01uF-10uF
250-1600
直流、脉动直流
薄膜电容器
3pF-0.1uF
63-500
高频、低频
云母电容器
Cy
10pF-0.051uF
100-7000
250MHz以下
瓷介电容器
CC
1pF-0.1uF
63-630
50-3000MHz
铝电解电容器
CD
1—10000uF
4-500
直流、脉动直流
钽、铌电解电容
CA、CN
0.47uF-1000uF
6.3-160
直流、脉动直流
瓷介微调电容
CCW
2/7-7/25pF
250-500
高频
可变电容器
CB
最小〉7pF
最大〉1000pF
100以下
低频、高频
二稳压二极管的参数
原型号
新型号
最大耗散功率
最大工作电流
稳定电压
反向漏电电流
正向压降
2CW11
2CW52
0.25W
55mA
3.2-4.5
≤2uA
1V
2CW20
2CW62
0.25W
14mA
13.5-17
≤0.5uA
1V
三整流二极管的参数
最高反向工作电压/V
额定正向电流
正向电压
50
100
200
300
400
500
600
800
1000
型号
IN4001
IN4002
IN4003
IN4004
IN4005
IN4006
IN4007
1A
1.1v
IN5391
IN5392
IN5393
IN5394
IN5395
IN5396
IN5397
IN5398
IN5399
1.5A
1.4V
PS200
PS201
PS202
PS204
PS206
PS208
PS2010
2A
1.2V
IN5400
IN5401
IN5402
IN5403
IN5404
IN5405
IN5406
IN5407
IN5408
3A
1.2V
P600A
P600B
P600D
P600G
P600J
P600K
P600L
6A
0.9V
四3AX51(3AX31)型PNP锗低频小功率三极管参数
原型号
3AX31
测试条件
新型号
3AX51A
3AX51B
3AX51C
3AX51D
极性参数
PCM/mV
100
100
100
100
T=250C
ICM/mA
100
100
100
100
BUCBO/V
≥30
≥30
≥30
≥30
IC=1mA
BUCEO/V
≥12
≥12
≥18
≥24
IC=1mA
直流参数
ICBO/uA
≤12
≤12
≤12
≤12
ICEO/uA
≤500
≤500
≤300
≤300
IEBO/uA
≤12
≤12
≤12
≤12
hfE
40-150
40-150
30-100
25-70
交流参数
Fa/KHz
≥500
≥500
≥500
≥500
hie/kΩ
0.6-4.5
0.6-4.5
0.6-4.5
0.6-4.5
hre/10-3
≤2.2
≤2.2
≤2.2
≤2.2
Hoe/us
≤80
≤80
≤80
≤80
五3CG21PNP硅高频小功率管参数
原型号
3CG21
测试条件
新型号
3CG21A
3CG21B
3CG21C
3CG21D
极性参数
PCM/mV
300
300
300
300
T=250C
ICM/mA
50
50
50
50
BUCBO/V
≥20
≥30
≥50
≥55
BUCEO/V
≥15
≥25
≥40
≥55
直流参数
ICBO/uA
≤0.5
≤0.5
≤0.5
≤0.5
ICEO/uA
≤1
≤1
≤1
≤1
hfE
40-200
40-200
40-200
40-200
交流参数
fa/MHz
≥100
≥100
≥100
≥100
六3DG100(3DG6)NPN高频小功率管参数
原型号
3DG6
测试条件
新型号
3DG100A
3DG100B
3DG100C
3DG100D
极性参数
PCM/mW
100
100
100
100
T=250C
ICM/mA
20
20
20
20
BUCBO/V
≥30
≥40
≥30
≥40
BUCEO/V
≥20
≥30
≥20
≥30
直流参数
ICBO/uA
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
ICEO/uA
≤0.1
≤0.1
≤0.1
≤0.1
hfE
≥30
≥30
≥30
≥30
交流参数
fa/MHz
≥150
≥150
≥150
≥150
七3DG130(3DG12)NPN高频中功率管参数
原型号
3DG12
测试条件
新型号
3DG130A
3DG130B
3DG130C
3DG130D
极性参数
PCM/mW
700
700
700
700
T=250C
ICM/mA
300
300
300
300
BUCBO/V
≥40
≥60
≥40
≥60
BUCEO/V
≥30
≥45
≥30
≥45
直流参数
ICBO/uA
≤0.5
≤0.5
≤0.5
≤0.5
ICEO/uA
≤1
≤1
≤1
≤1
hfE
≥30
≥30
≥30
≥30
交流参数
fa/MHz
≥150
≥150
≥300
≥300
八9011-9018塑封三极管参数
型号
3DG
9011
3CX
9012
3DX
9013
3DG
9014
3CG
9015
3DG
9016
3DG
9018
极性参数
PCM/mW
200
300
300
300
300
200
200
ICM/mA
200
300
300
100
100
25
20
BUCBO/V
20
20
20
25
25
25
30
BUCEO/V
18
18
18
20
20
20
20
直流参数
ICBO/uA
0.01
0.5
0.5
0.05
0.05
0.05
0.05
ICEO/uA
0.1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
hfE
≥30
≥30
≥30
≥30
≥30
≥30
≥30
交流参数
fa/MHz
≥100
≥100
≥100
≥80
≥80
≥500
≥600
九3DD01NPN型硅大功率三极管参数
型号
3DD01A
3DD01B
3DD01C
3DD01D
3DD01E
3DD01F
测试条件
极性参数
PCM/W
15
15
15
15
15
15
ICM/A
1
1
1
1
1
1
BUCBO/V
100
150
200
250
300
400
IC=1mA
BUCEO/V
100
150
200
250
300
400
IC=1mA
直流参数
ICBO/uA
≤0.5
≤0.5
≤0.5
≤0.5
≤0.5
≤0.5
ICEO/uA
≤1
≤1
≤1
≤1
≤1
≤1
hfE
≥20
≥20
≥20
≥20
≥20
≥20
交流参数
fa/MHz
≥5
≥5
≥5
≥5
≥5
≥5
UCE=10V
十通用集成运算放大器的主要特性
电路名称
型号
主要特性
国外相同产品型号
输入失调电压VIOmV
差模电压增益AVOdB
共模抑制比
KCMRdB
通用I型运放
CF702
0.5
71
100
uA702
F002
2.0
66
70
HA1301CA3008
UA702
RC702
F001
FC1
5G922
BG301
8FC1
通用II型运放
CF709
1.0
93
90
UA709LM709
F003
2.0
86
80
F004
FC3
4E304
2.0
90
90
FC52
4.0
100
90
BG305
5.0
100
70
8FC21
2.0
96
86
8FC3
2.0
100
60
通用III型运放
CF741
1.0
106
90
uA741LM741
uA741RC741
F007
2.0
94
80
F006
2.0
94
80
F008
5.0
110
100
F009
2.0
100
80
8FC4
2.0
94
80
通用双运放
CF158
1.0
100
85
LM158CA158
CF747
1.0
106
90
uA747LM747
XFC80
2.0
100
80
通用四运放
CF124系列
2.0
120
85
LM124LM324
CF148系列
2.0
104
90
LM148uA148
单电源运放
8FC7
7.5
88
70
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