1417半导体器件.docx
- 文档编号:757523
- 上传时间:2022-10-12
- 格式:DOCX
- 页数:12
- 大小:248.04KB
1417半导体器件.docx
《1417半导体器件.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《1417半导体器件.docx(12页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
1417半导体器件
课程
模拟电子技术
章节
1.4
教师
审批
课题
半导体三极管
课时
4学时
授课日期
授课班级
教学目的
与要求
1、了解三极管的结构;
2、掌握NPN和PNP型的共性和区别;
3、会书写三极管的电气符号;
4、掌握放大原理;
5、了解特性曲线和参数
重点
放大原理、三极管工作状态的判断
难点
三极管的特性曲线和参数
授课类型
讲述
教具
多媒体
作业
教材38页第1.7-1.12;1.15
教学进程和时间分配表(可略去,直接填写教学内容)
序号
教学内容
时间分配
授课类型
1
复习提问与新课引入
5
提问
2
三极管的结构、符号、分类
15
讲授
3
三极管的电流放大原理
20
讲授
4
三极管的特性曲线
25
讲授
5
三极管的参数
10
讲授
6
三极管基本知识及应用
10
讲授
7
三极管工作状态的判断
35
讲解
8
习题讲解
40
讲述
教学内容:
一、三极管的基本结构和符号
二、三极管的电流放大原理
IE=IB+IC;iC=βiB,iC与iB成正比关系,
因为三极管的内部结构定型,所以,β也一定。
三、三极管的特性曲线
1、三种组态:
2、共射极特性曲线
共射极电路应用最广,所以重点介绍。
3、三极管共射电路工作状态
四、三极管共射电路工作状态
放大区:
发射结正偏,集电结反偏。
特点:
iC=βiB,iC和iB成正比;
截止区:
发射结反偏,集电结反偏。
特点:
iC=iB=0
饱和区:
发射结正偏,集电结正偏。
特点:
iC和iB不成比例。
五、三极管的主要参数
①电流放大系数:
β
②集电极反向饱和电流和穿透电流ICBO:
当发射极开路时,集电极、基极之间加一定反向电压时的反向电流称集电极反向饱和电流;
③穿透电流:
ICEO当基极开路,集电极、发射极之间加上一定电压时,集电极电流从集电区到发射区,成为穿透电流。
④集电极最大允许电流ICM
⑤集电极最大允许耗散功率功率PCM
⑥反向击穿电压U(BR)CEO
六、练习
1、已测得两只三极管各极对地电压值为U1,U2,U3,已知其工作在放大区,试判断其为硅管还是锗管?
NPN型还是PNP型?
并确定E、B、C三极。
①U1=5.2V,U2=5.4V,U3=1.4V
②U1=-2V,U2=-4.5V,U3=-5.2V
解:
①为PNP型锗管,U1,U2,U3分别对应B、E、C
②为NPN型硅管,U1,U2,U3分别对应C、B、E
2、已测得电路中几只三极管对地电压值如图,已知这些三极管有好有坏,试判断其好坏,若好则指出其工作状态,若坏则指出损坏类型(击穿、开路)
解:
A放大,B饱和,C截止,D损坏,BE间开路
E损坏,BE间击穿或外部短路,F饱和,G放大,H截止
课程
模拟电子技术
章节
1.5节
教师
审批
课题
场效应管
课时
2
授课日期
授课班级
教学目的
与要求
1、了解场效应管的作用;
2、了解场效应管的结构和特点;
3、了解场效应管的分类和各类型的工作原理。
重点
场效应管的结构和特点
难点
场效应管的工作原理
授课类型
讲述与图片展示
教具
作业
38页1.13-1.14;1.18
教学进程和时间分配表
序号
教学内容
时间分配
1
回顾
5
提问
2
介绍场效应管的作用与特点
10
讲述
3
结型场效应管的的结构和工作原理
15
讲述
4
了解场效应管得特性曲线
15
讲述
5
了解场效应管的参数
10
讲述
6
了解场效应管得使用常识
10
讲述
7
练习
10
训练
8
练习讲解
15
讲述
教学内容:
一、场效应管的功能:
靠输入电压的变化来控制输出电流的变化。
二、分类:
按结构,分为结型场效应管和绝缘栅场效应管(重点);
按导电沟道不同,分为N沟道和P沟道场效应管
三、绝缘栅型场效应管的结构和工作原理
在栅极没有电压时,由前面分析可知,在源极与漏极之间不会有电流流过,此时场效应管处与截止状态(左图)。
当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时,由于电场的作用,此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极,但由于氧化膜的阻挡,使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中(右图),从而形成电流,使源极和漏极之间导通。
我们也可以想像为两个N型半导体之间为一条沟,栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁,该桥的大小由栅压的大小决定。
四、转移特性
五、输出特性
六、主要参数
夹断电压Up
饱和漏极电流Idss
漏、源击穿电压U(BR)DS
直流输入电阻Rgs
七、场效应管地使用知识
1由于场效应管是电压控制器件,所以可以用于只允许从信号源取极小电流的场合;
2用于低噪声放大器的前级;
3场效应管利用多数载流子导电,所以在温度、核辐射等外界条件变化比较大地情况下,宜选用场效应管;
4在要求高输入阻抗低的场合,宜选用场效应管;
八、练习
已知场效应管的专业特性和输出特性,如图示,试判断场效应管的类型,并指出其
UGS
答案:
A为耗尽型NMOS,UGS(off)=-3V
B为耗尽型PMOS,UGS(off)=4V
C为耗尽型NMOS,UGS(off)=-4.5V
D为增强型PMOS,UGS(off)=-3V
课程
模拟电子技术
章节
1.6节
教师
审批
课题
晶闸管
课时
2
授课日期
授课班级
教学目的
与要求
1、了解普通晶闸管的结构;
2、掌握晶闸管的工作原理;
3、了解晶闸管的伏安特性和主要参数;
4、简单了解双向晶闸管和单结晶体管。
重点
晶闸管的工作原理
难点
晶闸管的伏安特性
授课类型
讲述
教具
作业
1.19-1.23,1.32
教学进程和时间分配表
序号
教学内容
时间分配
1
回顾
5
提问
2
介绍晶闸管的作用
10
讲述
3
普通晶闸管的结构和工作原理
25
讲述
4
晶闸管的参数
15
讲述
5
练习
15
训练
6
练习讲解
10
讲述
教学内容:
一、晶闸管的主要作用:
可控整流、逆变、变频、交流调压、无触头开关
二、普通晶闸管的结构
晶闸管有三个电极:
阳极A、阴极K、控制极G。
三、晶闸管的工作原理
1、反向阻断
2、正向阻断
3、导通与控制极的控制
4、导通后的关闭
四、晶闸管的伏安特性
1、反向特性
2、正向特性
五、主要参数
1、正向平均电流IT
2、正向阻断峰值电压UDRM
3、反向阻断峰值电压URRM
4、控制极触发电压UGT
5、控制极触发电流IGT
6、维持电流IH
7、正向平均压降UT
8、导通时间Ton
9、关断时间Toff
六、练习
1、简述单向晶闸管导通和截止条件;
2、阐述晶闸管的伏安特性。
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 1417 半导体器件