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BGA
BGA、TAB、零件、封装及Bonding制程
1、Activeparts(Devices)主动零件
指半导体类之各种主动性集成电路器或晶体管,相对另有Passive﹣Parts被动零件,如电阻器、电容器等。
2、Array排列,数组
系指通孔的孔位,或表面黏装的焊垫,以方格交点式着落在板面上(即矩阵式)的数组情形。
常见"针脚格点式排列"的插装零件称为PGA(PinGridArray),另一种"球脚格点矩阵式排列"的贴装零件,则称为BGA(BallGridArray)。
3、ASIC特定用途的集成电路器
Application-SpecificIntegratedCircuit,如电视、音响、录放机、摄影机等各种专用型订做的IC即是。
4、Axial-lead轴心引脚
指传统圆柱式电阻器或电容器,均自两端中心有接脚引出,用以插装在板子通孔中,以完成其整体功能。
5、BallGridArray球脚数组(封装)
是一种大型组件的引脚封装方式,与QFP的四面引脚相似,都是利用SMT锡膏焊接与电路板相连。
其不同处是罗列在四周的"一度空间"单排式引脚,如鸥翼形伸脚、平伸脚、或缩回腹底的J型脚等;改变成腹底全面数组或局部数组,采行二度空间面积性的焊锡球脚分布,做为芯片封装体对电路板的焊接互连工具。
BGA是1986年Motorola公司所开发的封装法,先期是以BT有机板材制做成双面载板(Substrate),代替传统的金属脚架(LeadFrame)对IC进行封装。
BGA最大的好处是脚距(LeadPitch)比起QFP要宽松很多,目前许多QFP的脚距已紧缩到12.5mil甚至9.8mil之密距(如P5笔记型计算机所用DaughterCard上320脚CPU的焊垫即是,其裸铜垫面上的焊料现采SuperSolder法施工),使得PCB的制做与下游组装都非常困难。
但同功能的CPU若改成腹底全面方阵列脚的BGA方式时,其脚距可放松到50或60mil,大大舒缓了上下游的技术困难。
目前BGA约可分五类,即:
(1)塑料载板(BT)的P-BGA(有双面及多层),此类国内已开始量产。
(2)陶瓷载板的C-BGA(3)以TAB方式封装的T-BGA(4)只比原芯片稍大一些的超小型m-BGA(5)其它特殊BGA,如Kyocera公司的D-Bga(Dimpled),olin的M-BGA及Prolinx公司的V-BGA等。
后者特别值得一提,因其产品首先在国内生产,且十分困难。
做法是以银膏做为层间互连的导电物料,采增层法(BuildUp)制做的V-BGA(Viper),此载板中因有两层厚达10mil以上的铜片充任散热层,故可做为高功率(5~6W)大型IC的封装用途。
6、BareChipAssembly裸体芯片组装
从已完工的晶圆(Water)上切下的芯片,不按传统之IC先行封装成体,而将芯片直接组装在电路板上,谓之BareChipAssembly。
早期的COB(ChiponBoard)做法就是裸体芯片的具体使用,不过COB是采芯片的背面黏贴在板子上,再行打线及胶封。
而新一代的BareChip却连打线也省掉,是以芯片正面的各电极点,直接反扣熔焊在板面各配合点上,称为FlipChip法。
或以芯片的凸块扣接在TAB的内脚上,再以其外脚连接在PCB上。
此二种新式组装法皆称为"裸体芯片"组装,可节省整体成本约30%左右。
7、BeamLead光芒式的平行密集引脚
是指"卷带自动结合"(TAB)式的载体引脚,可将裸体芯片直接焊接在TAB的内脚上,并再利用其外脚焊接在电路板上,这种做为芯片载体的梁式平行密集排列引脚,称为BeamLead。
8、BondingWire结合线
指从IC内藏的芯片与引脚整间完成电性结合的金属细线而言,常用者有金线及铝线,直径在1-2mil之间。
9、Bump突块
指各种突起的小块,如杜邦公司一种SSD制程(SelectiveSolderDeposit)中的各种SolderBump法,即"突块"的一种用途(详见电路板信息杂志第48期P.72)。
又,TAB之组装制程中,芯片(Chip)上线路面的四周外围,亦做有许多小型的焊锡或黄金"突块"(面积约1μ2),可用以反扣覆接在TAB的对应内脚上,以完成"晶粒"(Chip)与"载板"(PCB)各焊垫的互连。
此"突块"之角色至为重要,此制程目前国内尚未推广。
10、BumpingProcess凸块制程
指在线路完工的晶圆表面,再制做上微小的焊锡凸块(或黄金凸块),以方便下游进行TAB与FlipChip等封装与组装制程。
这种尺寸在1mm左右的微小凸块,其制作技术非常困难,国内至今尚未投入生产。
11、C4ChipJoint,C4芯片焊接
利用锡铅之共融合金(63/37)做成可高温软塌的凸球,并定构于芯片背面或线路正面,对下游电路板进行"直接安装"(DCA),谓之芯片焊接。
C4为IBM公司二十多年前所开故的制程,原指"对芯片进行可控制软塌的芯片焊接"(ControlledCollapsedChipConnection),现又广用于P-BGA对主机板上的组装焊接,是芯片连接以外的另一领域塌焊法。
12、Capacitance电容
当两导体间有电位差存在时,其介质之中会集蓄电能量,些时将会有"电容"出现。
其数学表达方式C=Q/V,即电容(法拉)=电量(库伦)/电压(伏特)。
若两导体为平行之平板(面积A),而相距d,且该物质之介质常数(DielectricConstant)为ε时,则C=εA/d。
故知当A、d不变时,介质常数愈低,则其间所出现的电容也将愈小。
13、Castallation堡型集成电路器
是一种无引脚大型芯片(VLSI)的瓷质封装体,可利用其各垛口中的金属垫与对应板面上的焊垫进行焊接。
此种堡型IC较少用于一般性商用电子产品,只有在大型计算机或军用产品上才有用途。
14、ChipInterconnection芯片互连
指半导体集成电路(IC)内心脏部份之芯片(Chip),在进行封装成为完整零件前之互连作业。
传统芯片互连法,是在其各电极点与引脚之间采打线方式(WireBonding)进行;后有"卷带自动结合"(TAB)法;以及最先进困难的"覆晶法"(FlipChip)。
后者是近乎裸晶大小的封装法(CSP),精密度非常高。
15、ChiponBoard芯片黏着板
是将集成电路之芯片,以含银的环氧树脂胶,直接贴合黏着在电路板上,并经由引脚之"打线"(WireBonding)后,再加以适当抗垂流性的环氧树脂或硅烷(Silicone)树脂,将COB区予以密封,如此可省掉集成电路的封装成本。
一些消费级的电子表笔或电子表,以及各种定时器等,皆可利用此方式制造。
该次微米级的超细线路是来自铝膜真空蒸着(VacuumDeposit),精密光阻,及精密电浆蚀刻(PlasmaEtching)法所制得的晶圆。
再将晶圆切割而得单独芯片后,并续使晶粒在定架中心完成焊装(DieBond)后,再经接脚打线、封装、弯脚成型即可得到常见的IC。
其中四面接脚的大型IC(VLSI)又称"ChipCarrier芯片载体",而新式的TAB也是一种无需先行封装的"芯片载体"。
又自SMT盛行以来,原应插装的电阻器及电容器等,为节省板面组装空间及方便自动化起见,已将其卧式轴心引脚的封装法,更改而为小型片状体,故亦称为片状电阻器ChipResistor,或片状电容器ChipCapacitor等。
又,Chips是指钻针上钻尖部份之第一面切削刃口之崩坏,谓之Chips。
16、ChipOnGlass晶玻接装(COG)(芯片对玻璃电路板的直接安装)
液晶显像器(LCD)玻璃电路中,其各ITO(IndiumTinOxide)电极,须与电路板上的多种驱动IC互连,才能发挥显像的功能。
目前各类大型IC仍广采QFP封装方式,故须先将QFP安装在PCB上,然后再用导电胶(如Ag/Pd膏、Ag膏、单向导电胶等)与玻璃电路板互连结合。
新开故的做法是把驱动用大型IC(DriverLSI)的Chip,直接用"覆晶"方式扣装在玻璃板的ITO电极点上,称为COG法,是一很先进的组装技术。
类似的说法尚有COF(ChiponFilm)等。
ConformalCoating贴护层,护形完成零件装配的板子,为使整片板子外形受到仔细的保护起见,再以绝缘性的涂料予以封护涂装,使有更好的信赖性。
一般军用或较高层次的装配板,才会用到这种外形贴护层。
17、Chip晶粒、芯片、片状
各种集成电路(IC)封装体的心脏位置处,皆装有线路密集的晶粒(Dies)或芯片(Chip),此种小型的"线路片",是从多片集合的晶圆(Wafer)上所切割而来。
18、DaisyChainedDesign菊瓣环设计
指由四周"矩垫"紧密排列所组成之方环状设计,如同菊瓣依序罗列而成的花环。
常见者如芯片外围之电极垫,或板面各式QFP之焊垫均是。
19、Device电子组件
是指在一独立个体上,可执行独立运作的功能,且非经破坏无法再进一步区分其用途的基本电子零件。
20、Dicing芯片分割
指将半导体晶圆(Wafer),以钻石刀逐一切割成电路体系完整的芯片(Chip)或晶粒(Die)单位,其分割之过程称为Dicing。
21、DieAttach晶粒安装
将完成测试与切割后的良好晶粒,以各种方法安装在向外互连的引线架体系上(如传统的LeadFrame或新型的BGA载板),称为"安晶"。
然后再自晶粒各输出点(Output)与脚架引线间打线互连,或直接以凸块(Bump)进行覆晶法(FlipChip)结合,完成IC的封装。
上述之"晶粒安装",早期是以芯片背面的镀金层配合脚架上的镀金层,采高温结合(T.C.Bond)或超音波结合(U.C.Bond)下完成结合,故称为DieBond。
但目前为了节省镀金与因应板面"直接晶粒安装"(DCA或COB)之新制程起见,已改用含银导热胶之接着,代替镀金层熔接,故改称为"DieAttach"。
22、DieBonding晶粒接着
Die亦指集成电路之心脏部份,系自晶圆(Wafer)上所切下一小片有线路的"晶粒",以其背面的金层,与定架(LeadFrame)中央的镀金面,做瞬间高温之机械压迫式熔接(ThermoCompressionBonding,T.C.Bonding)。
或以环氧树脂之接着方式予以固定,称为DieBond,完成IC内部线路封装的第一步。
23、Diode二极管
为半导体组件"晶体管"(Transistor)之一种,有两端点接在一母体上,当所施加电压的极性大小不同时,亦将展现不同导体性质。
另一种"发光二极管"可代替仪表板上各种颜色的发光点,比一般灯泡省电又耐用。
目前二极管已多半改成SMT形式,图中所示者即为SOT-23之解剖图。
24、DIP(DualInlinePackage)双排脚封装体
指具有双排对称接脚的零件,可在电路板的双排对称脚孔中进行插焊。
此种外形的零件以早期的各式IC居多,而部份"网状电阻器"亦采用之。
25、DiscreteComponent散装零件
指一般小型被动式的电阻器或电容器,有别于主动零件功能集中的集成电路。
26、Encapsulating囊封、胶囊
为了防水或防止空气影响,对某些物品加以封包而与外界隔绝之谓。
27、EndCap封头
指SMD一些小型片状电阻器或片状电容器,其两端可做为导电及焊接的金属部份,称为EndCap。
28、FlatPack扁平封装(之零件)
指薄形零件,如小型特殊的IC类,其两侧有引脚平行伸出,可平贴焊接在板面,使组装品的体积或厚度得以大幅降低,多用于军品,是SMT的先河。
29、FlipChip覆晶,扣晶
芯片在板面上的反扣直接结合,早期称为FacedownBonding,是以凸出式金属接点(如GoldBump或SolderBump)做连接工具。
此种凸起状接点可安置在芯片上,或承接的板面上,再用C4焊接法完成互连。
是一种芯片在板面直接封装兼组装之技术(DCA或COB)。
30、FourPointTwisting四点扭曲法
本法是针对一些黏焊在板面上的大型QFP,欲了解其各焊点强度如何的一种外力试验法。
即在板子的两对角处设置支撑点,而于其它两对角处施加压力,强迫板子扭曲变形,并从其变形量与压力大小关系上,观察各焊点的强度。
31、GalliumArsenide(GaAs)砷化镓
是常见半导体线路的一种基板材料,其化学符号为GaAs,可用以制造高速IC组件,其速度要比以硅为芯片基材者更快。
32、GateArray闸极数组,闸列
是半导体产品的基本要素,指控制讯号入口之电极,习惯上称之为"闸"。
33、GlobTop圆顶封装体
指芯片直接安装于板面(Chip-On-Board)的一种圆弧外形胶封体(Encapsulant)或其施工法而言。
所用的封胶剂有环氧树脂、硅树脂(Silicone,又称聚硅酮)或其等混合胶类。
34、GullWingTead鸥翼引脚
此种小型向外伸出的双排脚,是专为表面黏装SOIC封装之用,系1971年由荷兰Philips公司所首先开发。
此种本体与引脚结合的外形,很像海鸥展翅的样子,故名"鸥翼脚"。
其外形尺寸目前在JEDEC的MS-012及-013规范下,已经完成标准化。
35、IntegratedCircuit(IC)集成电路器
在多层次的同一薄片基材上(硅材),布置许多微小的电子组件(如电阻、电容、半导体、二极管、晶体管等),以及各种微小的互连(Interconnection)导体线路等,所集合而成的综合性主动零件,简称为I.C.。
36、J-LeadJ型接脚
是PLCC(PlasticLeadedChipCarrier)"塑料晶(芯)片载体"(即VLSI)的标准接脚方式,由于这种双面接脚或四面脚接之中大型表面黏装组件,具有相当节省板子的面积及焊后容易清洗的优点,且未焊装前各引脚强度也甚良好不易变形,比另一种鸥翼接脚(GullWingLead)法更容易维持"共面性"(Coplanarity),已成为高脚数SMD在封装(Packaging)及组装(Assembly)上的最佳方式。
37、Lead引脚,接脚
电子组件欲在电路板上生根组装时,必须具有各式引脚而用以完成焊接与互连的工作。
早期的引脚多采插孔焊接式,近年来由于组装密度的增加,而渐改成表面黏装式(SMD)的贴焊引脚。
且亦有"无引脚"却以零件封装体上特定的焊点,进行表面黏焊者,是为Leadless零件。
38、KnownGoodDie(KGD)已知之良好芯片
IC之芯片可称为Chip或Die,完工的晶圆(Wafer)上有许多芯片存在,其等品质有好有坏,继续经过寿命试验后(Burn-inTest亦称老化试验),其已知电性良好的芯片称为KGD。
不过KGD的定义相当分歧,即使同一公司对不同产品或同一产品又有不同客户时,其定义也都难以一致。
一种代表性说法是:
「某种芯片经老化与电测后而有良好的电性品质,续经封装与组装之量产一年以上,仍能维持其良率在99.5%以上者,这种芯片方可称KGD」。
39、LeadFrame脚架
各种有密封主体及多只引脚的电子组件,如集成电路器(IC),网状电阻器或简单的二极管三极体等,其主体与各引脚在封装前所暂时固定的金属架,称成LeadFrame。
此词亦被称为定架或脚架。
其封装过程是将中心部份的芯片(Die,或Chip芯片),以其背面的金层或银层,利用高温熔接法与脚架中心的镀金层加以固定,称为DieBond。
再另金线或铝线从已牢固的芯片与各引脚之间予以打线连通,称为LeadBond。
然后再将整个主体以塑料或陶瓷予以封牢,并剪去脚架外框,及进一步弯脚成形,即可得到所需的组件。
故知"脚架"在电子封装工业中占很重要的地位。
其合金材料常用者有Kovar、Alloy42以及磷青铜等,其成形的方式有模具冲切法及化学蚀刻法等。
40、LeadPitch脚距
指零件各种引脚中心线间的距离。
早期插孔装均为100mil的标准脚距,现密集组装SMT的QFP脚距,由起初的50mil一再紧缩,经25mil、20mil、16mil、12.5mil至9.8mil等。
一般认为脚距在25mil(0.653mm)以下者即称为密距(FinePitch)。
41、Multi-Chip-Module(MCM)多芯片(芯片)模块
这是从90年才开始发展的另一种微电子产品,类似目前小型电路板的IC卡或Smart卡等。
不过MCM所不同者,是把各种尚未封装成体的IC,以"裸体芯片"(BareChips)方式,直接用传统"DieBond"或新式的FlipChip或TAB之方式,组装在电路板上。
如同早期在板子上直接装一枚芯片的电子表笔那样,还需打线及封胶,称为COB(ChipOnBond)做法。
但如今的MCM却复杂了许多,不仅在多层板上装有多枚芯片,且直接以"凸块"结合而不再"打线"。
是一种高层次(HighEnd)的微电子组装。
MCM的定义是仅在小板面上,进行裸体芯片无需打线的直接组装,其芯片所占全板面积在70%以上。
这种典型的MCM共有三种型式即(目前看来以D型最具潜力):
MCM-L:
系仍采用PCB各种材质的基板(Laminates),其制造设傋及方法也与PCB完全相同,只是较为轻薄短小而已。
目前国内能做IC卡,线宽在5mil孔径到10mil者,将可生产此类MCM。
但因需打芯片及打线或反扣焊接的关系,致使其镀金"凸块"(Bump)的纯度须达99.99%,且面积更小到1微米见方,此点则比较困难。
MCM-C:
基材已改用混成电路(Hybrid)的陶瓷板(Ceramic),是一种瓷质的多层板(MLC),其线路与Hybrid类似,皆用厚膜印刷法的金膏或钯膏银膏等做成线路,芯片的组装也采用反扣覆晶法。
MCM-D:
其线路层及介质层的多层结构,是采用蒸着方式(Deposited)的薄膜法,或GreenTape的线路转移法,将导体及介质逐次迭层在瓷质或高分子质的底材上,而成为多层板的组合,此种MCM-D为三种中之最精密者。
42、OLB(OuterLeadBond)外引脚结合
是"卷带自动结合"TAB(TapeAutomaticBonding)技术中的一个制程站是指TAB组合体外围四面向外的引脚,可分别与电路板上所对应的焊垫进行焊接,称为"外引脚结合"。
这种TAB组合体亦另有四面向内的引脚,是做为向内连接集成电路芯片(Chip或称芯片)用的,称为内引脚接合(ILB),事实上内脚与外脚本来就是一体。
故知TAB技术,简单的说就是把四面密集的内外接脚当成"桥梁",而以OLB方式把复杂的IC芯片半成品,直接结合在电路板上,省去传统IC事先封装的麻烦。
43、Packaging封装,构装
此词简单的说是指各种电子零件,完成其"密封"及"成型"的系列制程而言。
但若扩大延伸其意义时,那幺直到大型计算机的完工上市前,凡各种制造工作都可称之为"InterconncetedPackaging互连构装"。
若将电子王国分成许多层次的阶级制度时(Hierarchy),则电子组装或构装的各种等级,按规模从小到大将有:
Chip(芯片、芯片制造),ChipCarrier(集成电路器之单独成品封装),Card(小型电路板之组装),及Board(正规电路板之组装)等四级,再加"系统构装"则共有五级。
44、PassiveDevice(Component)被动组件(零件)
是指一些电阻器(Resistor)、电容器(Capacitor),或电感器(Incuctor)等零件。
当其等被施加电子讯号时,仍一本初衷而不改变其基本特性者,谓之"被动零件";相对的另有主动零件(ActiveDevice),如晶体管(Tranistors)、二极管(Diodes)或电子管(ElectronTube)等。
45、Photomask光罩
这是微电子工业所用的术语,是指半导体晶圆(Wafer)在感光成像时所用的玻璃底片,其暗区之遮光剂可能是一般底片的乳胶,也可能是极薄的金属膜(如铬)。
此种光罩可用在涂有光阻剂的"硅晶圆片"面上进行成像,其做法与PCB很相似,只是线路宽度更缩细至微米(1~2μm)级,甚至次微米级(0.5μm)的精度,比电路板上最细的线还要小100倍。
(1mil=25.4μm)。
46、PinGridArray(PGA)矩阵式针脚封装
是指一种复杂的封装体,其反面是采矩阵式格点之针状直立接脚,能分别插装在电路板之通孔中。
正面则有中间下陷之多层式芯片封装互连区,比起"双排插脚封装体"(DIP)更能布置较多的I/OPins。
附图即为其示意及实物图。
47、PopcornEffect爆米花效应
原指以塑料外体所封装的IC,因其芯片安装所用的银膏会吸水,一旦未加防范而径行封牢塑体后,在下游组装焊接遭遇高温时,其水分将因汽化压力而造成封体的爆裂,同时还会发出有如爆米花般的声响,故而得名。
近来十分盛行P-BGA的封装组件,不但其中银胶会吸水,且连载板之BT基材也会吸水,管理不良时也常出现爆米花现象。
48、Potting铸封,模封
指将容易变形受损,或必须隔绝的各种电子组装体,先置于特定的模具或凹穴中,以液态的树脂加以浇注灌满,待硬化后即可将线路组体固封在内,并可将其中空隙皆予以填满,以做为隔绝性的保护,如TAB电路、集成电路,或其它电路组件等之封装,即可采用Potting法。
Potting与Encapsulating很类似,但前者更强调固封之内部不可出现空洞(Voids)的缺陷。
49、PowerSupply电源供应器
指可将电功供应给另一单元的装置,如变压器(Transfomer)、整流器(Rectifier)、滤波器(Filter)等皆属之,能将交流电变成直流电,或在某一极限内,维持其输入电压的恒定等装置。
50、Preform预制品
常指各种封装原料或焊接金属等,为方便施工起见,特将其原料先做成某种容易操控掌握的形状,如将热熔胶先做成小片或小块,以方便称取重量进行熔化调配。
或将瓷质IC熔封用的玻璃,先做成小珠状,或将焊锡先做成小球小珠状,以利调成锡膏(SolderPaste)等,皆称为Preform。
51、PurplePlague紫疫
当金与铝彼此长久紧密的接触,并曝露于湿气以及高温(350℃以上)之环境中时,其接口间生成的一种紫色的共化物谓之PurplePlague。
此种"紫疫"具有脆性,会使金与铝之间的"接合"出现崩坏的情形,且此现象当其附近有硅(Silicone)存在时,更容易生成"三元性"(Ternary)的共化物而加速恶化。
因而当金层必须与铝层密切接触时,其间即应另加一种"屏障层"(Barrier),以阻止共化物的生成。
故在TAB上游的"凸块"(Bumping)制程中,其芯片(Chip)表面的各铝垫上,必须要先蒸着一层或两层的钛、钨、铬、镍等做为屏障层,以保障其凸块的固着力。
(详见电路板信息杂志第66期P.55)。
52、QuadF
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