化合物半导体材料行业调研报告初稿071126.docx
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化合物半导体材料行业调研报告初稿071126
化合物半导体材料行业调研报告
目录
一、半导体材料的技术发展历程1
1、第一代半导体材料1
2、第二代半导体材料1
3、第三代半导体材料2
4、化合物半导体材料技术的发展趋势3
二、化合物半导体材料及用途4
1、化合物半导体材料4
2、化合物半导体材料的应用5
三、化合物半导体材料的市场分析6
1、国际市场6
2、国内市场11
四、我国化合物半导体材料产业状况分析15
1、发展化合物半导体产业的战略意义15
2、产业链分析17
3、化合物半导体材料产业的生命周期17
4、化合物半导体材料产业的发展政策与技术门槛19
5、我国化合物半导体的技术现状20
6、化合物半导体产业的发展前景21
五、长江通信的投资机会分析23
1、Strengths(优势)24
2、Weaknesses(劣势)25
3、Opportunities(机会)25
4、Threats(威胁)26
化合物半导体材料行业调研报告
一、半导体材料的技术发展历程
半导体材料的研究和突破,常常导致新的技术革命和新兴产业的发展。
回顾半导体材料的发展历史,随着不同时期新材料的出现,半导体材料的应用先后出现几次飞跃,主要经历了三次主要发展历程:
以硅基半导体为代表的第一代半导体材料;以砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)为代表的第二代半导体材料;以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料。
1、第一代半导体材料
第一代半导体材料是硅(Si)。
Si片的出现使半导体材料在微电子领域中的应用获得突破性的进展。
Si材料有两种,即单晶硅和多晶硅。
Si材料的提纯需在超高真空条件下进行。
单晶硅片在上世纪70年代实现产业化,微电子技术在此基础上也得到了长足的发展。
与此同时,真空条件下的掺杂和离子注入、刻蚀技术也同时有了迅速的发展。
人们对Si材料的出现倾注了很深的感情,把信息产业的集中地称为“硅谷”。
在硅片的基础上,集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路得以迅速发展。
硅片的尺寸也从小到大,现在12英寸的硅片已批量生产。
1998年,仅抛光单晶硅片全球的销售量已达到39亿平方英寸。
家电和电脑的应用都归结于Si材料的出现和应用。
作为第一代半导体材料,硅基半导体材料及其集成电路的发展导致了微型计算机的出现和整个计算机产业的飞跃,并广泛应用于信息处理、自动控制等领域,对人类社会的发展起了极大的促进作用。
硅基半导体材料虽然在微电子领域得到广泛应用,但硅材料本身间接能带结构的特点限制了其在光电子领域的应用。
2、第二代半导体材料
随着以光通信为基础的信息高速公路的崛起和社会信息化的发展,第二代半导体材料崭露头角,砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)半导体激光器成为光通信系统中的关键元器件。
同时,砷化镓高速器件也开拓了移动通信的新产业。
GaAs是具有代表性的第二代半导体材料,这种材料也称为化合物半导体材料。
在第二代化合物半导体材料中,GaAs是科学家最为重视的材料。
在国内外多次进行的航天科学实验中,GaAs的提纯和生长都是首选的科研项目之一。
GaAs是微波通信芯片的基片,InP和GaAs的混晶是光通信半导体激光器的主要材料。
1970年,美国科学家成功实现了AlGaAs/GaAs双异质结激光器的连续发射。
后来,为了提高性能研发了条形半导体激光器。
以后,又研制成功光盘中专用的半导体激光器,作为光存储用的激光光源。
类似于GaAs的化合物半导体材料还有:
InP、GaAlAs、GaAsP、InGaAs、GaP、InGaAsP等。
第二代半导体材料以群体效应出现,使半导体材料的应用进入光电子领域。
各种各样的发光二极管(LED)、半导体激光器相继出现。
它们在光通信和光信息处理等领域也起到了不可替代的作用。
由此也带来家用VCD、DVD和多媒体技术的飞速发展。
第二代半导体材料的出现对真空技术的推动表现在,带动了超高真空条件下分子束外延技术的发展。
3、第三代半导体材料
第三代半导体材料的兴起,是以氮化镓材料P-型掺杂的突破为起点,以高效率蓝绿光发光二极管和蓝光半导体激光器的研制成功为标志的。
它将在光显示、光存储、光照明等领域有广阔的应用前景。
比如用高效率蓝绿光发光二极管制作的超大屏幕全色显示,可用于室内室外各种场合的动态信息显示,使超大型、全平面、高清晰、无辐射、低功耗、真彩色大屏幕显示领域也占相当大的比重。
高效率白光发光二极管作为新型高效节能固体光源,使用寿命超过10万小时,可比白炽灯节电5~10倍,达到了节约资源、减少环境污染的双重目的,定将在世界范围内引发照明电光源的一场划时代的深刻革命。
蓝光半导体激光器用于制作下一代DVD,可以比现在的CD光盘提高存储密度20倍以上。
SiC、GaN、ZnO是90年代新研制成功的第三代半导体材料。
这类材料的价格低于前两代,而且有更优异的性能。
例如,它们的热导率是Si的3倍多,击穿场强是Si的10倍,饱和电子迁移率是Si的2.5倍,键合能也很高。
这些特点使它们特别适用于高频大功率、抗辐射、抗腐蚀的电子器件。
SiC材料现已用于高频大功率器。
这类器件已在军事雷达、卫星通讯以及高清晰度电视图像的发送和传播中获得应用。
GaN已在LED、激光器中获得重要的应用,是性能优良的蓝色发光材料。
GaN激光器可以发出蓝光,其波长比GaAs激光器发出的近红外光波长的一半还短,是目前最理想的超高密度光存储的光源。
与GaAs激光器相比较,不仅可以将信息密度提高4倍以上,而且可以大大提出高光信息的存取速度。
它不仅在光记录,而且在光电子领域的其它方面也有许多应用。
它是第三代半导体材料的佼佼者。
GaN单晶的制备极为困难,难以生长成GaN结,一直未能取得较大的突破。
1985年,通过在超高真空条件下的分子束外延技术才使它的性能产生质的飞跃。
1995年制成发蓝光的LED,寿命超过1万小时。
1997年,制成GaN半导体激光器。
这类激光器将成为未来光电子领域的重点产品之一。
另一方面,氮化镓材料宽带隙的特点也保证了它在高温、大功率以及紫外光探测器等半导体器件的应用前景。
它具有高可靠性、高效率、快速响应、长寿命、全固体化、体积小等优点,在宇宙飞船、火箭探测、大气探测、火灾等领域内将发挥重大作用。
在未来10年里,氮化镓材料将成为市场增幅最快的半导体材料,2006年氮化镓材料产值达到30亿美元,占化合物半导体材料市场总额的20%。
同时,作为新型光显示、光存储、光照明、光探测器件,可促进上千万美元相关设备、系统的新产业的形成。
ZnO薄膜的紫外发光是正在研究的新课题之一。
它的发光波长很短,又是优良的透明导电薄膜、耐高温、化学稳定性好、价格低。
既可以用于制作透明导电玻璃,也可以用于太阳能电池。
在国内外正在形成ZnO薄膜的研制热。
2007年6月,在华东三省一市真空学术交流会议上,上海复旦大学的科研人员介绍了用ZnO取代氧化铟镀制透明导电膜的研究成果。
4、化合物半导体材料技术的发展趋势
目前,第二代化合物半导体材料GaAs和InP单晶的技术发展趋势是:
(1)大尺寸砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)晶圆的制备技术。
增大晶体直径,目前4英寸的SI-GaAs已用于生产,预计本世纪初的头几年直径为6英寸的SI-GaAs也将投入工业应用。
(2)提高材料的电学和光学微区均匀性。
(3)降低单晶的缺陷密度,特别是位错。
(4)GaAs和InP单晶的垂直梯度凝固法(VGF)生长技术的研究与发展,研究得重点在:
生长系统设计、温度分布、调整、优化;熔体形成与籽晶熔接技术、晶体脱舟技术、多炉群控技术和晶片加工清洗技术等。
VGF生长技术也很可能成为未来GaAs和InP单晶生长的主流技术。
当前,国内外对第三代化合物半导体材料的研究主要集中在以下几个方面:
氮化镓材料生长研究、材料基本物理参数的测定、材料物理性质的研究、以及各种新器件的设计和应用研究。
材料生长研究包括各种外延生长研究和体单晶的生长研究。
有机金属汽相外延(MOCVD)是目前应用最广的生长方法,可生长高质量薄膜材料、量子阱异质结材料和各种器件结构。
蓝绿发光二极管和激光器基本都是采用该方法制作的。
卤化物气相外延(HVPE)生长速率高,可用于制作外延衬底以进一步提高MOCVD生长材料的质量。
氮化镓体单晶的生长研究难度较大,目前只有很少研究报道,但这是一种非常重要的研究方向,氮化镓材料器件的充分优化和发展,有可能依赖于体单晶制作的外延衬底。
由于氮化镓材料是一种新型的半导体材料,且难于获得高质量单晶材料,至今许多材料基本物理参数尚未测定,许多物理性质尚未开发研究。
开展这方面的研究,充分了解氮化镓材料的各种光学性质、电学性质、力学性质、以及各种化学性质,将有助于充分利用这些性质优化应用器件的设计,开发新型器件,甚至开发出新的高技术应用领域。
目前氮化镓器件的研究包括蓝绿发光二极管和蓝光激光器、可见光盲紫外探测器、高频大功率场效应晶体管,以及应用于高温及恶劣环境的器件。
二、化合物半导体材料及用途
1、化合物半导体材料
有半导体特性的化合物称为化合物半导体(CompoundSemiconductor),它是由两种或两种以上的元素组成的。
在现代信息系统中,光通信、移动电话、计算机、电视直接接收以及各种显示装置、传感器等等多使用化合物半导体材料。
它包括晶态无机化合物及其固溶体、非晶态无机化合物(如玻璃半导体)、有机化合物(如有机半导体)和氧化物半导体等。
通常所说的化合物半导体多指晶态无机化合物半导体。
在上述各种化合物半导体中,研究、应用较多、发展最快的就是晶态无机化合物半导体。
以后,为了获得较为理想的特性(如合适的禁带宽度),还将一定量的第三元素替换二元化合物中的任一组元的一部分而构成固溶体(如镓铝砷、镓砷磷等)。
化合物半导体因组份较多,其中有的蒸气压较高,提纯、制备均较元素半导体困难,有的甚至不能制成PN结。
这些都在一定程度上妨碍了它的应用和发展。
现在已知的化合物半导体有600种以上,但真正获得实际应用的不过十几种。
如:
砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、磷化铟(InP)、锑化镓(GaN)、锑化铟(InSb)、氮化镓(GnN)、碳化硅(SiC)、硫化锌(ZnS)、晒化锌(ZnSe)、碲化镉(CdTe)、硫化镉(CdS)、硫化铅(PbS)等等。
化合物半导体得到广泛应用的是化合物的固溶体,如镓铝砷(Ga1-xAIxAS)、镓砷磷(GaS1-xPx)、碲镉汞(CdxHg1-xTe)、铟镓砷磷(InxCa1-xAs1-yPY)等。
2、化合物半导体材料的应用
当今世界的信息化进程迅猛异常,化合物半导体由于它独特的特性而得到今人触目的发展,其应用范围也十分广泛,主要表现在以下几个方面。
(1)化合物半导体是现代信息技术的基础材料
化合物半导体具备硅(Si)所不具备或不完全具备的性能,例如硅(Si)不能发光,迁移率不高,禁带宽度局限等,而化合物半导体则不同,它可以发出不同波长的光,有不同宽的禁带,所以微波毫米器件,交流交频器件多用化合物半导体。
GaAs、InP、GaSb、GaP、Gan、cDs、InAsP等等及它们的固溶体分别制成FET、HBT、HEMT、微波IC、激光管、光探测器、超高速电路、发光二极管、磁敏、光敏、传线敏器件等等分别应用于微波通信、光通信、计算机、显示装置、消费类电子、传感器等等。
尤其是移动通信近些年来发展异常迅猛,近年来都保持在10%-20%左右的年增幅。
随着通信频率愈来愈高,GaAs微波器件的需求也随之巨增。
(2)化合物半导体是现代国防的关键材料
现代国防展示了军事电子学的巨大威力,例如Dsp卫星就装有6000单元pbs红外探测器来监视飞毛腿导弹。
F-15、F-16战斗机利用HgCdTe红外探测矩阵装置作为认夜间飞行导航和瞄准。
利用HgCdTe热成像系统及GaAs激光瞄准系统装置坦克用于夜战搜索目标和瞄准。
利用GaAs相空阵雷达进行电子对抗与目标搜索和导航。
还有各种导弹以及精密武器各方面的应用就不一一列举,就此已足够说明其战略和战术的重大意义。
(3)空间技术的能源
GaAs能克服现有太阳能电池转换效率不够高,抗辐射能力差的不足,而成为卫星获取能源的GaAs新型电池。
而且还能利用卫星上的GaAs太阳能电池把获及的能量用微波输送到地面成为21世纪地球的重要能源而加以利用。
随着以“神州”系列飞船成功发射为代表的载人航天工程的实施,以“嫦娥一号”卫星成功登月为代表的探月工程的启动,以及未来火星探测等重大工程的论证,GaAs材料将在我国航天事业的发展与壮大中起着重要作用。
(4)其他应用
由于化合物半导体的品种多、性能各异可组合成各种结构制作成不同效应的各种器件。
例如各种发光二极管、LED照明、多量子阱激光器、兰绿光激光器、红外激光、自光电效应器件、高速宽带探测器、低噪声探测器、共振隧道二极管等等。
在汽车超亮度以及防撞雷达装置,计算机及声象设备的光盘读出装置等方面均有应用。
可见其应用领域之广泛,具有无限的前景。
三、化合物半导体材料的市场分析
1、国际市场
(1)半导体材料市场
富士经济公布了半导体材料全球市场的调查结果以及未来预测。
2006年半导体材料的市场规模比上年增加16.9%,达到291亿美元。
从不同领域看,份额最大是占全体37%的“半导体晶圆”市场,达到107.8亿美元。
其次是占23%的“封装相关”市场,达到67亿美元,然后是占12%的“光刻相关”市场,达到35亿美元。
预计2012年的材料市场总体将比2006年增加28.0%,达到372亿美元。
按半导体材料市场面向前工序或后工序来看,2006年的前工序材料市场,占半导体材料市场总体的6成以上,达到247.5亿美元,后工序材料市场达到102.1亿美元。
富士经济预计,2012年前工序材料市场将比2006年增加27.4%,达到237.96亿美元,后工序材料市场将同比增加29.5%,达到132.2亿美元。
富士经济指出未来3大引人注目市场是:
高介电质材料、NF3以及各向异性导电薄膜。
2006年的电容器用高介电质材料市场比上年增加30.0%,达到0.585亿美元,2012年的市场规模将比2006年增加192.3%,达到1.71亿美元。
该材料已从研究开发阶段真正进入到批量生产化阶段,销量也逐年增加。
回顾2006年的需求,安装微软新操作系统“Windows Vista”的个人电脑和支持任天堂的新一代游戏机“Wii”用的DRAM均采用了该材料。
2007年以后,DRAM和闪存也将增产,尔必达内存和台湾力晶半导体的合营公司将会进行大规模投资等,因此需求有望进一步扩大。
NF32006年的市场规模比上年增加16.3%,达到4.5亿美元,供货量达到3850吨。
预计2012年,与2006年相比将增加68%,达到7.56亿美元。
受半导体和液晶面板需求扩大影响,以年均10%以上的比例增长。
液晶面板需求扩大各向异性导电薄膜增长。
由于液晶面板的驱动IC需求等原因,各向异性导电薄膜(ACF)市场持续扩大。
2006年的市场规模比上年增加13.1%,达到8.55亿美元。
预计到2012年将比2006年增加47.4%,达到12.6亿美元。
日本厂商占到市场份额的一半以上。
据估计,特别是居首位的制造商日立化成工业、索尼化学情报设备2家公司将占到销售数量的92%。
据国际半导体设备与材料协会(SEMI)的最新资料预测显示,2007年全球半导体材料市场有望增长超过10%,预计2008年该市场将在原有基础上再增长10%,连续第三年打破历史记录。
带动这一增长的原因是,半导体设备产量以及生产和封装这些设备所需的先进材料消费量均创历史新高。
SEMI预计2007年晶圆生产材料和封装领域都将实现增长。
当前预测估计今年晶圆材料市场将增长大约9%,而封装材料市场将增长超过13%。
从区域角度看,预计JAPAN和台湾仍将是材料消费量最高的两个地区,随后是韩国和东南亚地区。
去年,由于重建的晶圆厂和装配厂获得投资,产能逐渐到位,中国材料市场增长了36%。
预计不久的将来,该地区使用的晶圆生产材料将在其材料总消费量中占据更大比例。
SEMI行业调查和统计部高级总监DanTracy说:
“300毫米半导体发货量增长及向倒装芯片封装的转移正不断推动半导体材料市场收入增长。
然而,较高的原材料成本给材料供应商及其客户带来了重大挑战。
”
(2)化合物半导体材料市场
化合物半导体材料包括GaAs、InP、GaN和SiGe等具有比Si更优良的电特性,更高的工作频率、更好的信号接收、更佳的信号处理和更大的电源利用效率等,但因不易生产和价格较高,故而虽有很大应用潜力,但尚未对Si材料造成很大威胁。
上世纪90年代开始供应化合物半导体材料,市场很小,直到1998年方超过10亿美元,2000年由平转旺,一举上升到26亿美元。
2001年同样受到重大挫折,陡落20%,下降到21亿美元;2002年强劲反弹,成长28%,达27亿美元,2003年大幅攀升40%,达38亿美元。
2002~2006年间将以每年28%的速度快速成长,市场达到72亿美元。
化合物半导体中,以GaAs为代表的Ⅲ-V族占主要地位,据统计,在2001年的世界化合物半导体材料市场上,GaAs和其他Ⅲ-V族化合物半导体材料占84%,计17.6亿美元,到2006年在SiGe的侵袭下市场份额下降到占62%,计44.6亿美元,但其年均增长率仍达到20%。
来自于SBN网站报导,美国市场调查机构ICInsights最新研究报显示,合成半导体(CompoundSemiconductor)市场从2002年至2007年每年以22%的速度增长,而在这段时间整个半导体市场的年增长率则为10%。
ICInsights表示,砷化镓(GaAs)、硅锗(SiGe)和磷化铟(InP)等合成半导体材料已经从小规模的应用需求阶段,过渡到了高阶通信系统对这些材料的大量的需求阶段。
采用合成半导体材料制作的设备在性能方面也优于采用硅材料制作的产品,如工作频率高、信号接收能力强、在拥挤的频段中可以更好地处理信号和更省电等。
据ICInsights称,合成半导体集成电路目前主要是采用砷化镓制作的,2002年占合成半导体市场的87%。
但是,在2002年到2007年这几年间,对硅锗材料制作的集成电路的需求保持了强劲地增长,到2007年,硅锗集成电路将占合成半导体市场份额的33%。
此外,国防市场也是促进合成半导体市场增长的一个重要因素。
根据StrategyAnalytics最新发布的GaAs(砷化镓)和合成半导体技术服务报告《防务开支增长带活合成半导体市场》预测GaAs设备市场将以8%的年复合增长率持续发展到2010年。
GaAs作为主要用于军事及国防系统,广泛覆盖雷达、通信、电子战和智能军备。
2006年此种材料技术相关的国防合同金额将超过160亿美元,有些合同项目将持续到2015年。
新兴的合成半导体技术,例如GaN(氮化镓基材料),也将开始影响未来防务系统设计,为未来防务系统提供更大的带宽、更大容量的电池和更高的频谱利用率。
SA的GaAs服务总监AsifAnwar这样评论,“我们相信由于国防因素带动的GaAs设备需求在2006年比上年增长9%,并将继续增长至2010年”。
在众多化合物半导体材料中,GaN材料的市场增幅最快。
到2006年将达到30亿美元的产值,占化合物半导体市场总额的20%。
同时,作为新型光显示、光存储、光照明、光探测器件,可促进上千万美元的相关设备、系统的新产业形成。
美国政府2002年用于GaN相关研发的财政预算超过5500万美元。
通用、飞利浦、Agilent等国际公司都已经启动了大规模的商业开发计划。
风险投资机构同样表现出很大的兴趣,近3年内向该领域总计投入了约5亿美元的资金。
在世界化合物半导体材料的生产及销售中,日本占大多数,这是于日本多年来的大力投入分不开的。
(3)国外主要生产企业
正是由于合成半导体材料GaAs(砷化镓),InP(磷化铟)和GaN(氮化镓)等在通信,光电行业有着广泛的应用,目前国内外的许多生产厂家都进入到该行业,并且多以掌握着核心技术的美、日企业为主,此外,欧洲和我国台湾也有一些企业涉足此领域。
在日本,投入砷化镓产业的厂商包括Sumitomo,NEC,Fujitsu,HitachiCable及三菱电机等公司;有较大规模的美国企业有GlobalCommunicationSemiconductor(GCS),Xanoptix,AlphaIndustries,Kopin,Anadigics,Conexant,ATMI(原名Epitronics),Emcore等。
下面挑选其中的几个企业进行简单的介绍。
①日本住友(Sumitomo)
Sumitomo成立住电国际电子材料,生产并销售砷化镓晶圆。
其生产的合成半导体材料(GaAs(砷化镓),InP(磷化铟)),广泛用于光通讯、光储存激光用,LED,移动电话等高频半导体元件。
日本住友公司称其原材料GaAs(砷化镓),InP(磷化铟)生产的世界最佳厂家。
晶片,EPI(外延片)也有批量生产。
②日本日立电缆(HitachiCable)
日立电线作为砷化镓(GaAs)化合物半导体材料的专业公司,实现了从基板到晶片切割的一体化生产过程,生产系列GaAs化合物半导体结晶和晶片,提供的产品跨越光学元器件、电子元器件两大领域。
在光学元器件领域中,开发出了三元素/四元素组成的化合物半导体结晶基板,应用于DVD中的激光二极管以及高辉度LED(发光二极管)。
在电子元器件领域,HEMT/HBT应用在移动电话的高性能功率放大器上,HEMT应用在移动电话的切换元件上。
③美国全球通信半导体公司(GCS)
利用异质结双极晶体管(HBT)和非同晶高电子迁移晶体管(PHEMT)等系列的GaAs技术,生产6英寸砷化镓(GaAs)晶圆。
2000年,美国全球通信半导体公司GCS在台湾新竹成立了一个纯晶圆加工厂,该工厂将生产6英寸砷化镓(GaAs)晶圆。
于2000年破土动工,2001年投产,月产5000个砷化镓(GaAs)晶圆。
④高平公司(KopinCorp)
Kopin为全美最大流动消费及军用电子微型显示器制造商。
KopinCorp.是一家生产砷化镓(GaAs)异质结双级晶体管(HBT)的公司,产品应用于无线和电信等领域。
Kopin公司位于Taunton,Mass.,生产先进的通信与数字图象应用所需的GaAs晶体管产品和微型平板显示器。
KopinHBT晶体管的客户包括Nortel和Conexant,该晶体管用于制造超高速集成电路,如多路复用器、激光驱动器、调制器、前置放大器、时钟恢复及多路分解器,支持最快速的光纤网络。
砷化镓(GaAs)异质结双级晶体管已在世界各地的OC-482.5-gigabit和OC-19210-gigabit光纤系统中广泛集成。
⑤美国半导体厂商Xanoptix公司
美国半导体厂商Xanoptix公司开发了一个把Si和GaAs或InP三维堆叠制造复合半导体的圆片级工艺。
该公司的这项混合集成电路技术将带来把丰富多样的硅芯片设计和高速材料或光半导体的高级能力结合在一起的器件。
该技术采用高密度互连阵列实现芯片的三维堆叠,同时还可以大大提高器件功能和密度并降低成本。
通过采用一系列独特的集成和后处理工序确保堆叠材料良好附着,该公司现在能把数千只普通硅器件(如无线电收发器、网络处理器和DRAM等)同激光器、检测器和晶体管组合在一起。
新芯片制造方法还提供了比目前的工艺高几个数量级的芯片间I/O密度,消除了芯片的I/O瓶颈限制。
⑥联亚光电工业股份有限公司
联亚光电工业股份有限公司,创立于1997年4月,是目前台湾技术最优越之专业外延厂,生产GaAs,InP,及GaN等相关材料之外延片。
各种的外延片产品是以有机金属汽相延生(MOVPE)工艺技术制造,其中大部份外延片应用于光纤通信领域。
联亚光电生产线现有7台MOVPE延生机,每月可生产约20
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- 化合物 半导体材料 行业 调研 报告 初稿 071126