A7159寄存器.docx
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A7159寄存器
引脚号
名称
I/O
1
RSSI
I/O
输入:
ADC输入输出:
连接旁路电容
2
GND
G
接地
3
RFI
I
射频输入。
连接到匹配电路
4
RFO
O
射频输出。
连接匹配电路。
(推荐直接使用VDD)
5
VDD_TX
O
TX电源电压输出
6
VDD_VCO
I
VCO电源电压输入
7
VCOP
I
VCO正相引脚,连接到电感
8
VCON
I
VCO反相引脚,连接到电感
9
VT
O
电荷泵输出。
连接环路滤波器。
10
VDD_PLL
I
锁相环供电电压输入
11
XI
I
晶振输入。
连接振荡电容
12
XO
O
晶振输出。
连接振荡电容。
13
GND
O
数字地
14
SCS
DI
SPI片选输入
15
SCK
DI
SPI时钟输入
16
SDIO
DI/O
SPI数据输入输出
17
VDD_D
O
数字电源电压输出。
连接旁路电容。
18
VDD_T
I
WOR定时器电源输入。
连接到VDD_D。
19
GIO1
DI/O
多功能IO,SPI数据输出
20
GIO2
DI/O
多功能IO,SPI数据输出
21
CKO
DO
多功能时钟输出
22
REGI
I
校准器输入,连接VDD电源。
23
VDD_A
O
模拟电源输出。
连接到旁路电容器。
24
BP_BG
O
带隙反射旁路。
连接到旁路电容器。
芯片反面
G
背面板应焊接好地,否则会影响到射频性能。
参数
参考点/关于
额定值
单位
电源电压范围
GND
-0.3-3.6
V
IO口电压范围
GND
-0.3-VDD+0.3
V
模拟引脚上电压范围
GND
-0.3-2.1
V
最大射频输入等级
10
dbm
存储温度范围
-55-125
℃
ESD等级
HBM
+-2K
V
MM
+=125
V
控制寄存器
系统时钟(地址00H)
地址
R/W
Bit15
Bit14
Bit13
Bit12
Bit11
Bit10
Bit9
Bit8
00H
系统时钟
W
SDR6
SDR5
SDR4
SDR3
SDR2
SDR1
SDR0
GRS
R
SDR6
SDR5
SDR4
SDR3
SDR2
SDR1
SDR0
GRS
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
地址
R/W
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
Bit2
Bit1
Bit0
00H
系统时钟
W
GRC4
GRC3
GRC2
GRC1
GRC0
GSC2
GSC1
GSC0
R
GRC4
GRC3
GRC2
GRC1
GRC0
GSC2
GSC1
GSC0
0
0
1
0
0
0
0
0
SDR[6:
0]数据速率除法器
当DMOS(0AH)=0,传输速率=(1/32)*((fCSCK)/SDR[6:
0]+1)
当DMOS(0AH)=1,传输速率=(1/64)*((fCSCK)/SDR[6:
0]+1)
fCSCK来自fCSCK=fMSCK/CSC[2:
0]+1
GRS:
选择内部时钟发生器的参考时钟
0:
PLLCLKGen=fCGRFx48,fCGRF来自下方的GRC分配器
1:
PLLCLKGen=fCGRFx32
GRC[4:
0]基准时钟除法器
GRC[4:
0]是为内部CLK发生器生成PFD时钟的时钟分频器
fCGRF=fXTAL/GRC[4:
0]+1
CSC是fMSK的时钟分配器,用于生成所需的数据时钟和IF校准时钟,期中fMSCK来自Xtal(晶体)本身(CGS=0)或来自CLK生成器(CGS=1)。
fCSCK=fMSCK/CSC[2:
0]+1
fCSCK应适当设置,否则,过滤器校准将失效。
详情请参阅第12章
9.2.2PLLI(Address:
01h)
地址/名称
R/W
Bit15
Bit14
Bit13
Bit12
Bit11
Bit10
Bit9
Bit8
01
PLLI
W
CRCINV
CHI1
CHI0
CHF1
CHF0
CHIS
CHFS
IP8
0
地址/名称
R/W
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
Bit2
Bit1
Bit0
01
PLLI
W
IP7
IP6
IP5
IP4
IP3
IP2
IP1
IP0
1
0
0
0
0
0
0
0
CRCINV:
CRC反向选择
0:
关闭1:
开启
CHI[1:
0]:
保留必须是[00]
CHF[1:
0]分频器电荷泵电流设置。
建议CHF=[01]
00:
48uA
01:
96uA
10:
192uA
11:
384uA
CHFS:
分频器电流值倍率建议CHFS=[1]
0:
分频器电流值使用1倍值
1:
分频器电流值使用2倍值
IP[8:
0]:
LO频率整数部分设置。
详情请参阅第13章。
9.2.3PLLII(地址:
02H)
地址/
名称
R/W
Bit15
Bit14
Bit13
Bit12
Bit11
Bit10
Bit9
Bit8
W
FP15
FP14
FP13
FP12
FP11
FP10
FP9
FP8
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
地址/
名称
R/W
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
Bit2
Bit1
Bit0
W
FP7
FP6
FP5
FP4
FP3
FP2
FP1
FP0
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
0
FP[15:
0]LO频率小数部分设置
9.2.4PLLIII(地址:
03H)
地址/名称
R/W
Bit15
Bit14
Bit13
Bit12
Bit11
Bit10
Bit9
Bit8
03H
PLLIII
W
AFC
MC14
MC13
MC12
MC11
MC10
MC9
MC8
R
AFC
MC14
MC13
MC12
MC11
MC10
MC9
MC8
Rest
0
0
0
0
0
0
0
0
地址/名称
R/W
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
Bit2
Bit1
Bit0
03H
PLLIII
W
MC7
MC6
MC5
MC4
MC3
MC2
MC1
MC0
R
MC7
MC6
MC5
MC4
MC3
MC2
MC1
MC0
Rest
0
0
0
0
0
0
0
0
AFC:
自动频率补偿选择
0:
手动
1:
自动
MC[14:
0]PLL部分补偿值
写入:
手动设置LO小数部分补偿值,当AFC为0时
读取:
当AFC为1时,读取自动补偿值
9.2.5PLLIV(Address:
04H)
地址/名称
R/W
Bit15
Bit14
Bit13
Bit12
Bit11
Bit10
Bit9
Bit8
04H
PLLIV
W
TXDBG
EDIVS
CKX2
MD1
PDL2
PDL1
PDL0
MD0
R
0
0
0
1
1
0
地址/名称
R/W
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
Bit2
Bit1
Bit0
04H
PLLIV
W
ADCR
VCI
CPS
ISDIV
SDPW1
SDPW0
NSDO
EDI
0
0
1
0
0
0
0
0
TXDBG:
TX调试模式。
TXDBG应该置0;
0:
失能
1:
使能
EDIVS:
合成器选择。
EDIVS应该置0.
0:
分频器锁相环
1:
保留
MD1:
RFBand选择
0:
低频段(310MHz-510MHz)
1:
高频段(860MHz-930MHz)
CKX2:
保留CXK2应该置0
MD0:
LO缓冲区电流设置
0:
弱电流
1:
强电流
PDL[2:
0]:
锁相环延迟时间设置
PLD[2:
0]
PLLDelayTimer
Note
000
20uS
001
40uS
010
60uS
011
80uS
建议设置为80uS
100
100uS
101
120uS
110
140uS
111
160uS
ADCR:
保留ADCR应该设置为0
VCI:
VCO电流校准测试位。
保留应该置0
CPS:
电荷泵三态设定推荐设置为1;
0:
三态
1:
正常运作
ISDIV:
分频器电流测试位。
推介ISDIV为0
0:
低电流
1:
高电流
SDPW[1:
0]sigma-delta调制器的脉冲宽度。
ADPW推荐设置为[00]
NSDO:
Mashsigmadeltaordersetting.推荐NSDO=[0]
0:
order21:
order3
EDI:
高频噪声设置推荐EDI=0
0:
失能
1:
使能
9.2.6PLLV(地址:
05h)
地址/名称
R/W
Bit15
Bit14
Bit13
Bit12
Bit11
Bit10
Bit9
Bit8
05h
PLLV
W
VICMP
IA14
IA13
IA12
IA11
IA10
IA9
IA8
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
地址/名称
R/W
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
Bit2
Bit1
Bit0
05h
PLLV
W
IA7
IA6
IA5
IA4
IA3
IA2
IA1
IA0
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
VICMP:
保留。
VICMP必须置0
IA[14:
0]:
保留。
IA必须置0X0000
9.2.7PLLVI(地址:
06h)
地址/名称
R/W
Bit15
Bit14
Bit13
Bit12
Bit11
Bit10
Bit9
Bit8
06h
PLLVI
W
RFC3
RFC2
RFC1
RFC0
RIC11
RIC10
RIC9
RIC8
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
地址/名称
R/W
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
Bit2
Bit1
Bit0
06h
PLLVI
W
RIC7
RIC6
RIC5
RIC4
RIC3
RIC2
RIC1
RIC0
复位值
0
1
1
1
1
1
1
1
RFC用于将晶体频率除以Franc-N锁相环的比较频率Fpdf=Fxtal/(RFC[3:
0]+1)
RIC[11:
0]:
保留RIC必须置0
晶振(地址:
07h)
地址/名称
R/W
Bit15
Bit14
Bit13
Bit12
Bit11
Bit10
Bit9
Bit8
07h
晶体
W
PGAS3
PGAS2
PGAS1
PGAS0
CRCDNP
CRCINV
PGBS2
PGBS1
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
地址/名称
R/W
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
Bit2
Bit1
Bit0
07h
晶体
W
PGBS0
RBS
-
XCC
XCP1
XCP0
CGS
XS
复位值
0
0
0
1
1
0
0
0
GPAS[3:
0]08H寄存器的页面选择
CRCDNP:
CRC模式选择(公式)
0:
CRC-CCITT(X16+X12+X5+1)
1:
CRC-DNP(X16+X13+X12+X11+X10+X8+X6+X5+X2+1)
CRCINV:
CRC反转选择
0:
失能1:
使能
PGBS[2:
0]09h寄存器的页面选择
RBS:
REGA带隙设置
XCC:
晶振电流设置
0:
低电流1:
高电流
XCP[1:
0]晶振校准设置默认XCP=00;
CGS:
时钟发生器选择
0:
失能Fmsck=XtalFreq
1:
使能Fmsck=CLKGenerator(时钟发生器)详情参阅第12章
XS:
晶体振荡器选择默认XS=1;
0:
失能1:
使能
9.2.9TXI(地址08H)页0
地址/名称
R/W
Bit15
Bit14
Bit13
Bit12
Bit11
Bit10
Bit9
Bit8
08h
TXI
W
RC_DL
Y2
RC_DL
Y1
RC_DL
Y0
TME
GS
FDP2
FDP1
FDP0
复位值
0
0
0
1
0
1
0
1
地址/名称
R/W
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
Bit2
Bit1
Bit0
08h
TXI
W
FD7
FD6
FD5
FD4
FD3
FD2
FD1
FD0
复位值
0
1
0
0
0
0
0
0
RC_DLY[2:
0]RSSI校准RL延迟设置。
推介RC_DLY=[000]
000:
100us001:
300us010:
500us011:
700us
100:
900us101:
1.1ms110:
1.3ms111:
1.5ms
TME:
TX调制使能
0:
失能1:
使能
GS:
高斯滤波器的使能
0:
失能1:
使能
FDP[2:
0]频率偏差指数系数设置.
FD[7:
0]TX频率偏差设置
当高斯滤波器启用或禁用时。
(GS=1,GS=0)
公式略
详情参阅第13章
WORI(Address:
08h)页1
地址/名称
R/W
Bit15
Bit14
Bit13
Bit12
Bit11
Bit10
Bit9
Bit8
08h
WORI
W
WOR
_AC5
WOR
_AC4
WOR
_AC3
WOR
_AC2
WOR
_AC1
WOR
_AC0
WOR
_SL9
WOR
_SL8
R
BODF
VBD
RCOC9
RCOC8
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
地址/名称
R/W
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
Bit2
Bit1
Bit0
08h
WORI
W
WOR
_SL7
WOR
_SL6
WOR
_SL5
WOR
_SL4
WOR
_SL3
WOR
_SL2
WOR
_SL1
WOR
_SL0
R
RCOC7
RCOC6
RCOC5
RCOC4
RCOC3
RCOC2
RCOC1
RCOC0
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
WOR_AC[5:
0]:
6位WOR活动期(开启时间)
WOR_ActivePeriod=(WOR_AC[5:
0]+1)X(1/4096),(244us~15.6ms).
WOR_SL[9:
0]:
10位睡眠时间
WORSleepPeriod=(WOR_SL[9:
0]+1)X(32/4096).(7.8MS~7.99s).
RCOC[9:
0]:
RC振荡器校准值(只读)
VBD:
电池检测标志(只读)
0:
电量低
1:
点亮高
BOD(低电压检测标志)
1:
发生低压复位
0:
没有低电压复位
WORII地址08h页2
地址/名称
R/W
Bit15
Bit14
Bit13
Bit12
Bit11
Bit10
Bit9
Bit8
08h
WORII
W
RSSC
_D1
RSSC
_D0
RS
_DLY2
RS
_DLY1
RS
_DLY0
WOR
_CD
WN3
WN2
复位值
0
0
0
0
1
0
0
0
地址/名称
R/W
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
Bit2
Bit1
Bit0
08h
WORII
W
WN1
WN0
_S
WOR
_S
RCOSC
_E
TSEL
TWSOE
RCOT1
RCOT0
复位值
0
0
0
1
0
1
0
0
RSSC_D[1:
0]:
RSSI校准延迟设置。
推荐RSSC_D=[00]
00:
10us01:
20us10:
30us11:
40us
RS_DLY[2:
0]RSSIRX模式下测量延迟。
推荐RS_DLY=[000].
000:
10us0001:
20us010:
30us011:
40us
100:
50us101:
60us110:
70us111:
80us
WOR_CD:
唤醒MCU选择
WN[3:
0]:
RX唤醒次数
唤醒次数=(WN[3:
0]+1)
WOR_S:
唤醒MCU选择
[WOR_CD,WOR_S]
唤醒MCU状态
00
帧同步检测正确
01
前导码检测正确
10
载波检测正确
RCOSC_E:
RC振荡器用于WOR和TWOR
0:
关闭1:
开启
TSEL:
TWOR状态选择
0:
UseWOR_AC[5:
0](WOR工作状态)
1:
UseWOR_SL[0:
0](WOR休眠状态)
TWSOE:
唤醒单片机模式选择
0:
ByWORmode.在接收数据包时唤醒单片机
1:
ByTWORmode.用TWOR定时器唤醒单片机。
RCOT[1:
0]:
RC振荡器电流调节。
建议设置RCOT=[00].
RF_Current(Address:
08h)page3
地址/名称
R/W
Bit15
Bit14
Bit13
Bit12
Bit11
Bit10
Bit9
Bit8
08h
RFI
W
QCLIM
CD
SEL1
CD
SEL0
PRRC1
PRRC0
RSM1
RSM0
RMP1
R
RHM7
RHM6
RHM5
RHM4
RHM3
RHM2
RHM1
RHM0
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
地址/名称
R/W
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
Bit2
Bit1
Bit0
08h
RFI
W
RMP0
TRT2
TRT1
TRT0
ASMV2
ASMV1
ASMV0
AMVS
R
RLM7
RLM6
RLM5
RLM4
RLM3
RLM2
RLM1
RLM0
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
QCLIM:
缺省必须置0
CDSEL[1:
0]:
通过GIO1S载波检测
如果将GIO1S设置为0010,载波检测方案有以下选择:
0x:
RSSI载波检测
10:
频带内载波检测
11:
RSSI载波检测+带内载波检测
PRRC[1:
0]:
备用。
PRRC必须置10
RSM[1:
0]RSSI边缘。
建议置RSM=[01]
RSM=(RTH-TRL).
[00]:
5[01]:
10[10]:
15[11]:
20
RMP[1:
0]:
PA斜坡上升/下降时间比例设置
[00]:
1[01]:
2[10]:
4[11]:
8
TRT[2:
0]:
TX斜坡下降放电电流选择建议TRT=[111]
ASMV[2:
0]:
TX上升定时选择。
建议ASMV=[111].
[000]:
2us[001]:
4us[010]:
6us[011]:
8us[100]:
10us[101]:
12us[110]:
110:
14us[111]:
16us
实际TX上升时间=ASMV[2:
0]XRMP[1:
0]
RMVS:
PA斜坡启动建议AMVS=[1].
0:
关闭1开启
RHM[7:
0]:
RSSI校正高阈值电平(只读)
RLM[7:
0]:
RSSI校正低阈值
PowerManage(地址08h)页4
地址/名称
R/W
Bit15
Bit14
Bit13
Bit12
Bit11
Bit10
Bit9
Bit8
08h
PM
W
CST
POWERS
CELS
STS
LVR
PRE_S
RGC1
RGC0
复位值
0
0
0
0
0
0
0
0
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- A7159 寄存器
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