DCDCContant.docx

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DCDCContant

DC/DC

目录

1.飞兆半导体：

80VMOSFET提供38%更低Miller电荷及33%更低FOM1

2.IR：

DSCC规格线性电压调节器为高密度军品应用提供0.43-0.6V电压降1

3.IR：

业内首个双输出两相直流-直流功率模块2

4.IR：

30VDirectFET同步MOSFET为高性能笔记本电脑及服务器电源系统倍添效率2

5.IR：

优化型DirectFETMOSFET缔造最佳高频、大电流直流-直流性能3

6.IR：

结合DirectFETKY集成MOSFET/肖特基二极管及DirectFETMOSFET的芯片组3

7.IR：

双同步PWM控制器及驱动器集成电路为负载点降压转换器提升效率4

8.IR：

高效DirectFETMOSFET及控制芯片组方案专攻DC-DC转换器应用4

9.凌特：

采用ThinSOT封装的500kHz、500mA（IOUT）36V降压型DC/DC转换器5

10.凌特：

采用ThinSOT封装及具有2A开关电流的1.2MHz、40V升压转换器5

11.凌特：

用于三输出TFT电源和LED背光照明的四输出DC/DC转换器6

12.凌特：

60V输入、500kHz降压型DC/DC转换器的静态电流仅为100uA7

13.凌特：

具100uA静态电流、60VIN和3A电流的降压型开关稳压器7

14.凌特：

35V、3A升压型稳压器以小封装提供大功率8

15.凌特：

内置集成肖特基二极管的双输出微功率DC/DC转换器9

16.凌特：

集成肖特基管的双重高效白光LED驱动器能驱动高达20个LED9

17.凌特：

9mm2封装可提供大功率的双输出1.3A、1.2MHz升压和负输出DC/DC转换器10

18.凌特：

3A/3.5MHz/42V升压型转换器是升压、负输出或大电流LED驱动器的理想选择10

19.凌特：

300mAVLDOTM可在0.9V输入电压工作并保持仅为45mV的压降11

20.凌特：

双输出同步降压型DC/DC转换器11

21.凌特：

采用SOT-23封装的2A升压DC/DC转换器12

22.凌特：

95%效率的降压-升压转换器输出高达1.2A电流13

23.凌特：

无需变压器与RSENSE的100VDC/DC转换器13

24.MaximMAX1515：

低电压、内置开关、降压/DDR调节器14

25.MaximMAX1549：

双通道、交错控制、固定频率降压控制器14

26.MaximMAX1556/MAX1557：

16µAIQ、1.2APWM降压型DC-DC转换器14

27.MaximMAX1561/MAX1599：

高效率、26V、升压型变换器，用于2到6只白光LED15

28.MaximMAX1574：

180mA、1倍/2倍、白色LED电荷泵，采用3mmx3mmTDFN封装15

29.MaximMAX1577Y/MAX1577Z：

1.2A白光LED调节电荷泵，用于相机闪光灯和放映灯15

30.MaximMAX1947：

低输入/输出电压、升压型DC-DC转换器，带有/RESET15

31.MaximMAX5054～MAX5057：

4A、20ns、双MOSFET驱动器16

32.MaximMAX5062～MAX5064：

125V/2A、高速、半桥MOSFET驱动器16

33.MaximMAX5070/MAX5071：

高性能、单端、电流模式PWM控制器16

34.MaximMAX5078：

4A、20ns、MOSFET驱动器17

35.MaximMAX8526~MAX8528：

1.425V至3.6V输入、2A、0.2V压差的LDO稳压器17

36.MaximMAX8543/8544：

降压型控制器，具有预偏置启动、无损检测、同步整流和OVP17

37.MaximMAX8556/MSX8557：

4A、超低输入电压LDO稳压器17

38.MaximMAX8559：

双路、300mA、低噪声线性稳压器，带有独立的关断控制18

39.MaximMAX8570~MAX8575：

高效LCD升压电路，可TrueShutdown18

40.MaximMAX8576~MAX8579：

3V至28V输入、低成本、迟滞同步降压控制器18

41.MaximMAX8718/MAX8719：

高压、低功耗线性稳压器，用于笔记本电脑18

42.MaximMAX8722：

低成本CCFL背光控制器19

43.MaximMAX8743：

双路、高效率、降压型控制器，关断时为高阻19

44.Microchip为模拟电源功能提供数字控制19

45.美国国家半导体：

高性能转换器可大幅降低移动电话的功耗达80%，延长通话时间达90分钟20

46.美国国家半导体：

可驱动白色发光二极管的升压转换器20

47.安森美半导体：

集成PWM控制器，简化48伏电信应用的电源设计21

48.安森美半导体：

升压转换器精简了彩色LCD的白色背光LED驱动电路21

49.立錡科技：

高效率的直流电源转换IC（RT9201与RT9220）22

50.VICOR：

V048K015T100电压变换模块（VTM）VI晶片22

51.电盛兰达：

标准1/8砖DC-DC转换器PAE系列22

52.电盛兰达:

新型环保DC-DC转换器PSS/PSD系列23

1.飞兆半导体：

80VMOSFET提供38%更低Miller电荷及33%更低FOM

飞兆半导体公司（FairchildSemiconductor）推出采用SO-8封装的80伏N沟道MOSFET器件FDS3572，具备综合的性能优势，能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供优异的整体系统效率。

FDS3572提供7.5nCMiller电荷（Qgd），比相同RDS（on）级别的产品低38%。

该器件的低Miller电荷加上低RDS（on）（16毫欧）特性，其品质因数FigureofMerit（FOM=RDS（on）xQgd）为120，比最接近的竞争产品低33%之多。

FDS3572还具有最佳的总门电荷（在VGS=10V为31nC），有助降低损秏；低QRR（70nC），可降低反向恢复损耗；以及高雪崩性能（EAS=515mJ），以提高耐用性能。

这些产品特性再配合小体积的封装，使得FDS3572成为今日要求严格的电源设计的理想选择。

FDS3572开关特别适用于预稳压的高密度隔离全桥或半桥DC/DC转换器电路应用，也是初级应用的理想器件，包括低压电信电源、DC/DC转换器、网络和数据通信电源、服务器及采用最新总线转换器拓扑且支持中间母线结构（IBA）的调压模块（VRM）。

在这些应用中，频率通常高达250KHz，而FDS3572极低的Miller电荷可实现快速切换，从而减少动态损耗；至于其超低门电荷则可通过减少驱动器/PWM控制IC的功耗来提高系统效率。

这种先进的器件还可用于同步整流器，以替代DC/DC转换器次边的传统高压Schottky整流器，输出电压为5V至52V。

典型的产品应用包括网络和数据通信DC/DC转换器及笔记本电脑的外部AC/DC适配器。

FDS3572的低RDS（on）特性可将传导损耗控制在允许范围内，并提高笔记本电脑AC/DC适配器的功率密度。

功率密度的增强非常重要，因为随着更多多媒体功能集成于便携产品平台上，处理器的功率需求将越来越高。

同步整流应用也可得益于FDS3572的高雪崩性能及小尺寸封装。

飞兆半导体技术市务经理DavidGrey称：

“现今的DC/DC转换器设计者总想在预定的散热限制范围内，在越来越小的空间中尽量提高功率。

FDS3572便可满足他们对效率、性能及小尺寸封装的要求，并且能实现极佳的裸片至封装的利用率。

”

FDS3572的推出是飞兆半导体落实其业务承诺的又一例证，提供能满足现今市场趋势和需求的产品。

飞兆半导体针对DC/DC转换器应用的其它产品还包括光隔离放大器（FOD27XX系列）、快速恢复二极管及PWM控制器等。

而这种无铅产品能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020D标准要求，并符合将于2005年生效的欧盟标准。

FDS3572器件每个1.18美元（订购1,000个）。

2.IR：

DSCC规格线性电压调节器为高密度军品应用提供0.43-0.6V电压降

国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）推出采用高密度、密封式封装的全新大电流、超低压降（ULDO）线性电压调节器系列，适用于军品应用。

全新调节器具有0.43V至0.6V典型压降特性。

低压降意味着低功耗，正好符合军用及商用飞机、地面交通工具、雷达等功率受限应用的要求。

ULDO直流-直流调节器件具有低纹波和噪音，以及1%的调节容差，特别适用于要求快速瞬态反应及输出电压+20V和+1.8V之间的低电压负载点数字母线应用。

先进的PC处理器要求电流能够非常迅速地大幅度提升。

在20毫微秒内将电流由300mA提升至4A的情况并非罕见。

在适当偏置情况下，IR全新调节器能够提供必要的瞬态反应，以处理这种电流要求。

新系列中所有器件均可在+20V至+1.8V之间进行调节，输出电流范围从3A到10A。

全额定电流下的压降范围为+0.4V至+0.60V。

输入电压范围为+2.7V至+20V。

IR全新调节器经哥伦布国防部供应中心（DSCC）认证，具有标准微电路（SMD）模式。

这些器件为电路设计人员提供迎合DSCC质量要求的器件，符合MIL-PRF-38535/MIL-STD-883规格的军事标准，更可进行单片式MIL-PRF-38535规格的“B”级筛选。

3.IR：

业内首个双输出两相直流-直流功率模块

国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）推出业内首批双输出两相直流-直流功率模块，针对同步降压应用，采用单一和易于使用的BGA封装。

新器件能简化设计、缩减尺寸和加快计算和电信电源系统的上市时间。

如今，先进的电信、网络及服务器系统在系统板上的电压通路数量多达六个。

随着信息处理需求的增加，电压通路必须增大其电流容量。

全新iPOWIRiP1201和iP1202功率模块，可帮助计算机及电信设计员通过单一器件提供两个独立的电压通路，从而简化了电源设计。

与分立器件组成的等效电路相比，还能节省多达59%的板上空间。

此外，新型的功率模块在电路板和器件壳体温度达到90°C时都无须降容，而其它的模块解决方案在类似环境下需降容50%。

IR中国及香港销售总监严国富表示：

“现今，新一代的集成电路对功率的需求日益增加，从而使更为复杂的功率转换应用提上日程。

IRiPOWIR系列新成员的出现，正好为实现最高功率密度开创了一条最简捷的途径。

”

严国富还指出：

“iPOWIR系列展现了IR在功率管理技术方面的领导地位，提供的不只是功能上的简单集成。

基准的功率半导体，配之以控制集成电路、优化封装和先进的系统设计，实现了以前分立式嵌入设计无法达到的高效率和充分保证的性能。

”

经过全面优化的iP1201和iP1202，适合需要15A双输出或30A单输出、兼具交错输入的中等电流同步降压器应用。

新器件内置全功能的PWM控制及保护电路，备有经优化的功率半导体和无源器件，以实现高功率密度。

每个信道只需采用一个输出电感、输入和输出电容器及数个外部组件，便可制成完整的双输出同步降压电源。

iP1201及iP1202极为灵活，适用于宽广的输入和输出电压范围。

iP1201涵盖3V至5.5V输入母线电压，iP1202则涵盖5.5V至13.2V。

最大电流状态下的最低和最高输出电压分别为0.8V和5V。

新器件提供过电压和温度过高保护，每个输出皆具备独立软起动功能，可提供多元化功率定序和追踪选项。

此外，最新iP1201及iP1202备有单一控制引脚，可针对电流过高情况提供自动回复及闭锁功能。

对需要在短路移除后即刻恢复输出负载电压的高可靠性系统来说，自动回复功能最为适合，既能最大限度地延长系统的运行时间，又无须人工恢复整个系统电源。

4.IR：

30VDirectFET同步MOSFET为高性能笔记本电脑及服务器电源系统倍添效率

国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）推出了全新IRF661230V同步MOSFET，新器件采用IR专有的表面贴装DirectFET封装。

IRF6612兼具低导通电阻（4.4mOhms@VGS=4.5V）和低封装电感，体现最佳性能组合，可用作非隔离直流-直流转换器中的同步整流器，大幅提升笔记本电脑和服务器的效率。

IRF6612还可用于隔离式直流-直流转换器的付边同步整流，适用于网络及通信领域。

目前，采用英特尔迅驰（Centrino）移动技术的笔记本电脑都配备为处理器而设的电源解决方案；该方案采用两相设计，每相分别备有一个控制和两个同步SO-8封装MOSFET。

这三个SO-8器件可利用一对DirectFET器件取代–IRF6612作为同步MOSFET，IRF6608作为控制MOSFET。

相比现在采用标准分立器件的电路设计，DirectFET解决方案既能减少器件数量，也可将MOSFET所占印刷电路板面积缩小33%。

IR中国及香港销售总监严国富表示：

“IRF6612把IR最新、最先进的沟槽MOSFET技术和DirectFET封装技术结合，为空间有限的笔记本电脑大幅提升功率密度。

这对于发展迅速的轻巧纤薄型笔记本电脑尤为重要。

在可利用气流的高档台式机和服务器设计中，IRF6612只需一个低端电脑器件便可将电流承载能力扩展至每相30A。

”

IR的DirectFETMOSFET封装具备一系列在标准分立塑封内前所未见的崭新设计优点。

其“金属帽”结构可散去主机板的热量，消除热量对高级微处理器性能的严重威胁。

此外，DirectFET功率MOSFET藉采用崭新双面冷却设计，为驱动这些处理器的高频直流-直流降压转换器带来双倍电流处理能力，延展它们在高档台式计算机、膝上型计算机、路由器及服务器中的先进效能。

客户可利用myPOWER网上设计中心内的MOSFET选择器工具，在同步降压电路上分析和比较IRF6612及其他低电压MOSFET。

5.IR：

优化型DirectFETMOSFET缔造最佳高频、大电流直流-直流性能

国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）在其DirectFETMOSFET系列中新增三款20VN沟道器件。

该器件经过全面优化，适用于VRM10功率系统及新一代Intel和AMD处理器中的高频、大电流直流-直流转换器，应用范围包括高端台式计算机和服务器，及先进的电信和数据系统。

IRF6623具备增强的控制MOSFET性能，器件导通电阻（RDS（on））及栅电荷（Qg）的乘积減少30%。

体积仅为市场上同类高性能20V控制MOSFET一半。

此外，在4.5V下RDS（on）和Qg的乘积仅为48.4mOhm-nC，米勒电荷（Qgd）为4.0nC，有助减低开关损耗。

IRF6620最适合35A或以下的同步MOSFET应用，Qg,Qgd和反向恢复电荷（QRR）值极低，RDS（on）更比市场上其他高性能20V同步MOSFET改善了30%，在10V下的典型RDS（on）为2.1mOhm（最大为2.7mOhm）。

IRF6609专为大电流（33A或以上）的同步MOSFET应用而设计，能缔造最佳性能。

器件的Qg和Qgd非常低，并具备超低QRR，在10V下的典型RDS（on）为1.6mOhm（最大为2.0mOhm）。

IR中国及香港销售总监严国富表示：

“DirectFETMOSFET系列现包括20V和30V产品，晶片尺寸范围更广，从而为设计人员提供了更多元化的选择及电路优化。

DirectFET封装的‘金属帽’结构是性能提高的关键。

它能减低无晶片式封装的电阻，实现双面冷却。

与标准的离散塑料封装相比，新封装有很多以前不具备的优点。

”

6.IR：

结合DirectFETKY集成MOSFET/肖特基二极管及DirectFETMOSFET的芯片组

国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）推出新款控制及同步开关芯片组，用于驱动新一代Intel及AMD处理器的高频直流-直流转换器，适用于高端先进服务器和台式计算机。

该芯片组也可用于电信及数据通信系统的负载点直流-直流转换。

这款二合一芯片组若用于开关频率为每相750kHz的四相1U（1.75英吋高）VRM系统，可在90A下达到84.5%的效率；若用于开关频率为每相400kHz的八相内嵌式VRD10.2设计，则可在150A下达到87%的效率。

第一款器件是单片式IRF6691DirectFETKY，它把一个肖特基二极管和一个同步MOSFET整合于单一封装内。

若采用相同的控制场效应管，该器件在全负载状态及每相1MHz频率下，效率比市场上其他性能最佳的20V同步场效应管改善达1.1%。

IRF6691在10VGS下的典型导通电阻（RDS（on））为1.2mOhm（在4.5VGS下为1.8mOhm），典型Qrr为26nC。

它不仅提供最佳热性能，而且反向恢复损耗更低，也可减少整体元件数目。

第二款器件是IRF6617DirectFETHEXFET控制MOSFET。

它是特别为控制场效应管开关度身订制，整体栅电荷（Qg为11nC）极低。

与旧款30V器件相比，它能在4.5VGS下把导通电阻与栅电荷乘积降低33%至87mOhm-nC。

IR中国及香港销售总监严国富表示：

“我们不断在器件导通电阻与开关损耗范围以外，改善影响功率MOSFET性能的关键参数。

IR业界领先的DirectFET封装技术与最新单芯片技术，为现今最先进的信息科技应用奠定了直流-直流转换效率标准。

”

两款器件皆采用IR已获专利的DirectFET封装技术，兼具一系列前所未有的标准塑料离散式封装设计优点。

DirectFET功率MOSFET系列凭借创新的双面冷却设计，有效地把驱动先进处理器的高频直流-直流降压转换器的电流处理效能提高了一倍。

7.IR：

双同步PWM控制器及驱动器集成电路为负载点降压转换器提升效率

国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）推出IRU3146脉宽调制（PWM）双同步降压控制器及驱动器集成电路，专攻负载点（POL）降压转换器的需要，典型应用包括二相ASIC和DDR内存电源管理电路，以及需要多重输出的数据通信和电信电源系统。

IRU3146采用180度反相运行，有效降低输入和输出的过滤要求，从而减少元件数目。

它最适用于二相单/双输出同步降压转换器应用。

如用于单输出二相应用，该方案可提供30A或以下的电流；如用于需要两个独立电压的应用，则可在每个输出提供15A或以下的电流。

输出电压的设定范围在0.8V和3.3V之间。

IR中国及香港销售总监严国富表示：

“IRU3146是一款功能齐全的双PWM控制器，既配备所需的集成驱动器，又能在典型同步降压转换器应用中体现高效率。

若把该器件与一对经优化的MOSFET联合使用，更可在12Vin、3.3Vout的30A全负载环境下获得高达90.8%的效率。

这对MOSFET包括高侧的IRF7821和低侧的IRF8113。

”

IRU3146提供两个独立的可编程软启动装置，可在启动期间提供单个输出上升时间控制，限制冲击电流。

对于需要把输出电压排定顺序以符合敏感负载要求的系统来说，输出电压上升时间的独立控制尤其重要。

IRU3146可针对大多数类型的输出电压排定顺序而进行设定。

新器件的过电流保护可设置为锁存或打嗝（Hiccup）模式关断。

打嗝电流保护限制对需要运作无间断的系统十分重要，并可在变换器输出短路情况消除后自动重新启动。

此外，IRU3146能监测同步MOSFET的导通电阻，提供过电流保护；又可提升转换器的效率，并通过去除电流感应电阻器来节省成本。

温度过高时，IRU3146可在140C以上关断。

在同步模式下，因为所有板上负载点都可一起被同步化，整个系统把输入部分的设计过滤到负载点转换器上，因此能够接收200kHz至400kHz的外部逻辑电平信号。

8.IR：

高效DirectFETMOSFET及控制芯片组方案专攻DC-DC转换器应用

国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）推出最新芯片组解决方案，适用于多元化的通用电信输入（36V至75V）及48V固定输入系统。

新芯片组专为隔离式或非隔离式DC-DC转换器应用而设计，可提升系统层面的电源性能，如220W以下系统主机板的大型48V转换，或用以驱动基站系统的无线电放大器。

IR中国及香港销售总监严国富表示：

“我们最新的优化芯片组包含崭新的DirectFETMOSFET及IR2086S控制器集成电路，为网络及通信业普遍采用的两种转换器电路布局提供更简单的完整方案。

”

IR2086S控制器集成电路采用初级全桥布置，可简化隔离式DC-DC转换器电路。

它特别针对总线转换器应用进行优化，并采用自振式50%固定工作周期。

相比于业界标准的四分之一砖设计，该芯片组能有效节省多达50%的电路板空间，并可减少60%的组件数目。

IR2086S设有一个集成软启动电容器，能在2,000余个周期内把工作周期逐步增加至50%，以限制在启动阶段输入的电流；同时在整个启动过程中为全桥的高、低端MOSFET保持相同的脉冲宽度。

新器件的其它特点包括自恢复电流限制保护、1.2A栅驱动电流及50-200毫微秒的可调停滞时间以抗衡击穿电流、最高达500kHz的可编程开关频率。

设计师可从100VIRF6644或IRF6655、40VIRF6613或IRF6614四种DirectFETMOSFET选择所需产品，组成完整的芯片组。

这些MOSFET采用IR最新技术及DirectFET封装，能大幅优化导通电阻、栅电荷等重要器件指标。

例如，在典型的电信基站功率放大器中，需要从一个36-75V的输入获得28V输出。

通过两级变换，IR最新的DirectFETMOSFET及控制芯片组能构成一个颇具效率的转换器，在全负载、250W环境下效率高达92.5%。

第一级，在非隔离同步降压配置中采用IRF6655和IRF6644产生经过调节的中段电压。

紧接的初级部分以IR2086S和IRF6614建立简单的全桥固定比率总线转换器；次级部份则采用IRF6644实现自驱动同步整流。

这一新方案能消除传统的单级方案中复杂的次级控制电路。

总线转换器的50%可让设计员在次级部分采用100VMOSFET，避免采用会损耗2%效率的150V或200VMOSFET。

若使用于独立的48V固定输入总线转换器应用，最新100VIRF6644可在220W（8Vout@27.5A）全负载环境下效率高达95.7%，适用于大部分网络和高端计算机运算系统。

与采用单一100VSO-8MOSFET的同类电路相比，它可提升效率约1%，并把器件温度降低40°C。

由于器件温度更低，因此无需在初级部分添加并行器件，即可满足更高电流要求