IRF540中文数据手册.docx
- 文档编号:6865130
- 上传时间:2023-01-11
- 格式:DOCX
- 页数:13
- 大小:337.89KB
IRF540中文数据手册.docx
《IRF540中文数据手册.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《IRF540中文数据手册.docx(13页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
IRF540中文数据手册
IRF540N
沟道MOS管
特性
SYMBOL
QUICKREFERJENCEDATA
‘Thrench'工艺
低的导通内阻
快速开关低热敏电阻
综述
N通道增强型场效应功率晶体管
使用沟渠工艺封装的
应用:
DC到DC转换器
开关电源
电视及电脑显示器电源
||RF54O中提供的是SoT78(TO220AB)常规铅的包裹。
||RF54OS中提供的是'SOT404(DPAK)表面安装的包裹。
管脚
极限值
系统绝对最大值依照限制值
符号
参数
条件
最小值
最大值
单位
V_DSS
漏源极电压
Tj=25?
Cto175?
C
-
100
V
VDGR
漏门极电压
Tj=25?
Cto175?
C;
-
100
V
v_gs
门源极电压
RGS=20k?
-
士20
V
I_D
连续漏电流
-
23
A
Tmb=25?
C;vgs=10V
-
16
A
I_DM
脉冲漏电流
Tmb=100?
C;vgs=10V
-
92
A
P_D
总功耗
Tmb=25?
C
-
100
W
Tj,Tsig
操作点和存储温度
Tmb=25?
C
-55
175
C
雪崩能量极限值
符号
参数
条件
最小值
最大值
单位
Eao
非重复性雪
Unclampedinductiveload,IAS=10A;
-
230
mJ
匚AS
崩能量
tp=350s;Tjpriortoavalanche=25?
C;
1
最大非重复
VDDw25V;RGS=50?
;VGS=10V;
-
23
A
IAS
性雪崩电流
refertofig:
14
热敏电阻
符号
参数
条件
最小值
典型值
最大值
单位
Rhjmb
安装底座交界
-
-
1.5
K/W
处的热阻周围环境热阻
SOT78封装,自由空间
-
60
-
K/W
Rthja
SOT404封装,PCB上
-
50
-
K/W
电特性
25C除非另有说明
gfs
向前跨导
Vds=25V;Id=17A
8.7
15.5
-
S
1GSS
门源极泄漏电流
Vgs=±20V;Vds=0V
-
10
100
nA
1DSS
0门极电压漏电流
VDS=100V;VGS=0V
-
0.05
10
uA
VDS=80V;VGS=0V;Tj=175?
C
-
-
250
uA
Qg(tot)
总共门极电荷
id=17a
-
-
65
nC
Qgs
门源极电荷
VDD=80V;
-
-
10
nC
Qgd
门漏极电荷
VGS=10V
-
-
29
nC
Tdon
开启延迟时间
Vdd=50V;Rd=2.2?
;
-
8
-
ns
Tr
开启上沿时间
VDD=10V;甩=5.6?
-
39
-
ns
Tdoff
关闭延迟时间
Resistiveload
-
26
-
ns
Tf
关闭下沿时间
-
24
-
ns
Ld
内部漏电感
Measuredtabtocentreofdie
-
3.5
-
nH
Ld
内部漏电感
Measuredfromdrainleadtocentre
-
4.5
-
nH
ofdie(SOT78packageonly)
Ls
内部源极电感
Measuredfromsourceleadtosource
-
7.5
-
nH
bondpad
CiSS
输入电容
Vgs=0V;Vds=25V;f=1MHz
-
890
1187
pF
CoSS
输出电容
-
139
167
pF
CrSS
反馈电容
-
83
109
pF
反向二极管极限值及特性
符号1参数
条件
最小值1典型值最大值
单位
Is
连续源极电流
IF=28A;
-
-
23
A
1SM
脉冲源极电流
Vgs=0V
-
-
92
A
VDS
二极管正向电压
-
0.94
1.5
V
trr
反向恢复之间
IF=17A;Vgs=0V;
-
61
-
ns
Qrr
反向恢复命令
-dIF/dt=100A/us;Vr=25V
-
200
-
nC
NormalisedPowerDerating,PD{%)
Fig.1.Normalisedpowerdissipation.
PD%Ml00F』P“59h(T加
底座温度-自然功率降低百分比
图1:
自然功率损耗
255075100125150175
MountingBasetemperature,Tmb(C)
Fig.2.Normaiisedcontinuousdraincurrent
ID%=彳OOJJb药9"(T韵;conditions:
10\/
底座温度-漏电流降低百分比
Fig.3.Safeoperatingarea.T加=25"CIo&d产f(VD3);dsGg皑puM;par^m&t&rJ
漏源极电压-脉冲漏极电流峰值
图3:
安全操作区域
Fig.4.Transientthermalimpedance,乙Ed垦f(t);parameterD=f/T
脉宽-瞬态热阻抗
Drain-SourceVoltage,VDS(V)
Fig.5.Typicaioutputcharactenstics,「=25C
Io=f(Vos)
漏源极电压-漏极电流
图5:
典型输出特性
Drain-SourceOnResstance,RDS(on)(Ohms)
Fig*6.Typicalon-stateresistance,7}=25"C.
^DS(ON)-f(」D)
漏极电流-漏源极导通阻抗
Fig.7*Typicaltransfercharacteristics.
Id=fg
图7:
典型传递特性
Fig*&Typicaltransconductance,丁产25C
陽=W
图&典型跨导
NormalisedOn-stateResistance
Fig.3.Nonnaliseddrain-sourceon-stateresistance.^ds(on/^ds(on)25c"f(T)
图9:
漏源极导通阻抗
4,5
——K
J〜*
■
naxir
f
num
f
f〜
I
■、
—■
tVD
iC3l
:
fJ
■jTr
J
.*
—■
■-,
mimir
num
7
J—.
J—.
〜
*
jJ
*
'
ThresholdVoltage,veSHO)i(V)
4
3
2,5
2
1,5
0,5
0
-00-40*200204060SO100120140160180
JunctionTomporaturo,Tj(C)
Fig.10.Gatethresholdvoltage.
陀sg=7}?
;conditions:
厶=1mA;=厶s
Fig.11.Sub-thresholddraincurrent!
d=f(Vos):
conditions:
7}=259;%=J
图11:
阈漏极电流
Drain-SourcsVoltage,VDS(V)
Fig,12.Typicalcapacitances,C,拓,C*C焙割
C=f(V^s);conditions:
Vqs=0V;f=1MHz
30
28
26
24
22
20
IB
16
14
12
10
8
6
4
2
0
aV
/:
「:
L-~~-
f
/
J
/
中
T5
>
/
/
Tj=
t
A
1
+
>
/
/
R■■■■
I
:
t-
d
1
L
JiJ1
Sourco-DralnDiiodoCurrantIF(A)
00,10,20.30,40.50.60.70,&g11J11.2131・41.5
Source-DrainVoltage^V3D5[V|
Fig.13,Typicalreversediodecurrent.
If,=f(Vsos);conditions:
咯=0V;parameter可
图13:
典型的反向二极管电流
Avalanchetime,Uv[ms)
Fig.14.Maximumpermissiblenon-repetlUveavalanchecurrent({爲versusavalanchetimeuncfsmpedinductivetoad
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- IRF540 中文 数据 手册