《用于测量关键尺寸(CD)的扫描电子显微镜(SEM)参数描述及术语规范》标准全文及编制说明.doc

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ISC

GB

中华人民共和国国家标准

GB/TXXXX-20idtSEMIP30-0997

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《用于测量关键尺寸（CD）的扫描电子显微镜（SEM）参数描述及术语规范》

SpecificationforParameterdescriptionandTerminologyofcriticaldimension（CD）measurementscanningelectronmicroscopes（SEM）

（送审稿）/（报批稿）

20XX--发布20XX--实施

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国家标准化管理委员会发布

前言

本标准等同采用1996年SEMI标准版本"微型构图"部分中的SEMIP30-0997《CD扫描电镜（CD-SEM）目录出版惯例》（Practiceforcatalogpublicationofcriticaldimensionmeasurementscanningelectronmicroscopes（CDSEM））。

SEMI标准是国际上公认的一套半导体设备和材料国际标准，SEMIP30-0997《CD扫描电镜（CD-SEM）目录出版惯例》是其中的一项，它将与如下已经转化的十一项国际标准:

GB/T15870-1995《硬面光掩模基板》（SEMIP1-92）;

GB/T15871-1995《硬面光掩模用铬薄膜》（SEMIP2-86）;

GB/T16527-1996《硬面感光板中光致抗蚀剂和电子抗蚀剂》（SEMIP3-90）;

GB/T16523-1996《圆形石英玻璃光掩模基板》（SEMIP4-92）;

GB/T16524-1996《光掩模对准标记规范》（SEMIP6-88）;

GB/T16878-1997《用于集成电路制造技术的检测图形单元规范》（SEMIP19-92）;

GB/T16879-1997《掩模曝光系统精密度和准确度表示准则》（SEMIP21-92）;

GB/T16880-1997《光掩模缺陷分类和尺寸定义的准则》（SEMIP22-93）；

GB/T17864-1999《关键尺寸（CD）计量方法》（SEMIP24--94）；

GB/T17865-1999《焦深与最佳聚焦的测量规范》（SEMIP25--94）；

GB/T17866-1999《掩模缺陷检查系统灵敏度分析所用的特制缺陷掩模和评估测量方法准则》SEMIP23-93；

以及与本标准同时转化的《光致抗蚀剂灵敏度测量所涉及的参数规范》（SEMIP26-96）、《基片上抗蚀剂膜厚度测量所涉及的参数规范》（SEMIP27-96）、《集成电路制造中套刻检测图形规范》（SEMIP28-96）、《专用半透明/衰减移掩模版及有半透明/衰减膜的空白掩模基板特性描述指南》（SEMIP29-0997）、《用于测量关键尺寸（CD）的扫描电子显微镜（SEM）参数描述及术语规范》（SEMIP30--0997）、《化学放大光致抗蚀剂的工艺参数描述规范》（SEMIP31-0997）等五项SEMI标准及新制订的《用于先进集成电路光刻工艺综合评估的图形规范》形成一个国家标准微型构图系列。

本标准是根据SEMI标准SEMIP30-0997《CD扫描电镜（CD-SEM）目录出版惯例》制定的。

在技术内容上等同地采用了该国际标准。

本标准从20XX年XX月XX日实施。

本标准由中国科学院提出。

本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会归口。

本标准起草单位:

中国科学院微电子研究所。

本标准主要起草人:

陈宝钦、陈森锦、王琴、李新涛、刘明。

目次

前言

1范围......................................1

2引用标准.....................................1

3术语........................................1

4扫描电子显微镜参数菜单列出项.................3

5扫描电子显微镜参数菜单列出项指南...........5

附录A:

..........................

中华人民共和国国家标准

用于测量关键尺寸（CD）的扫描电子显微镜（SEM）参数描述及术语规范

GB/TXXXX-20XX

idtSEMIP30-0997

SpecificationforParameterdescriptionandTerminologyofcriticaldimension（CD）measurementscanningelectronmicroscopes（SEM）

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1范围

1.1本标准的目的是规范用于测量关键尺寸的扫描电子显微镜参数描述及术语，建立供需双方的共同的理解。

1.2本标准适用于说明用于测量关键尺寸的扫描电子显微镜参数描述中所涉及的术语，也适用规范在评估和购买关键尺寸的扫描电子显微镜时所涉及的术语。

2．引用标准

下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。

本标准出版时，所示版本均为有效。

所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。

SJ/T10584-1994《微电子学光掩蔽技术术语》

3.术语

3.1加速电压acceleratingvoltage

电子枪中阴极和阳极之间的电位差。

从电子源产生的自由电子受到阴极和阳极之间的电位差所形成的电场的作用，使电子得到加速达到相应的能量。

加速电压反映初级电子的平均动能。

3.2对中（准）alignment

校正晶片和样品台面的相对位置。

为了测量晶片上的图形，需要调整硅片与样品台面坐标相匹配。

3.3对中（准）误差alignmenterror

对准之后，图形中心偏移屏幕中心的距离。

在确定了坐标并且完成对准之后，它也是屏幕中心和目标图形这些的最大距离。

（在台面中心与屏幕中心已经校正的条件下）。

3.4扫描电子显微镜关键尺寸测量CriticalDimensionMeasurementSEM（CD-SEM）

利用扫描电子显微镜对晶片上的细的特征图形的尺寸进行测量。

通常要求晶片尺寸符合规范，按以下顺序操作：

装片传送—工作台移动—被测量图形定位—测量—卸片传送。

3.5放大倍率magnification

定义为显示屏上偏转宽度和被测量图形范围的比例，对显示屏幕上的偏转宽度与电子束在样品图形上的偏转宽度进行比较。

3.6允许地面承重能力permissiblefloorloadingcapability

设备安装时，所允许最小地面承重能力。

3.7允许地面振动permissiblefloorvibration

为确保扫描电子显微镜测量的分辨能力，所允许最大地面振动。

3.8允许空气振动permissibleairvibration

为确保扫描电子显微镜测量的分辨能力，所允许最大空气振动。

3.9允许干扰磁场permissiblestraymagneticfield

为确保扫描电子显微镜测量的分辨能力，所允许干扰磁场的最大变化。

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国家标准化管理委员会20XX--批准20XX--实施

1

GB/TXXXX-20XX

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3.10可测量范围measurablerange

能够保证静态测量和动态测量的重复性和线性度的范围。

即在扫描电子显微镜测量范围内应保证静态测量、动态测量具有良好的重复性和线性度。

3.11被测量图形的确定方法measurementpatterndeterminationmethod

用于识别并确定需要测量图形的方法有两种。

一种方法是要由自动图形识别完成，另一种方法是根据操作者指令完成。

3.11.1.自动图形确定方法automaticpatterndeterminationmethod

基于自动图形识别系统选择被测试图形的方法。

3.11.2手动图形确定方法manualpatterndeterminationmethod