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硅片行业术语大全
硅片行业术语大全
Acceptor-Anelement,suchasboron,indium,andgalliumusedtocreateafreeholeinasemiconductor.Theacceptoratomsarerequiredtohaveonelessvalenceelectronthanthesemiconductor.
受主- 一种用来在半导体中形成空穴的元素,比如硼、铟和镓。
受主原子必须比半导体元素少一价电子。
AlignmentPrecision-Displacementofpatternsthatoccursduringthephotolithographyprocess.
套准精度-在光刻工艺中转移图形的精度。
Anisotropic-Aprocessofetchingthathasverylittleornoundercutting
各向异性-在蚀刻过程中,只做少量或不做侧向凹刻。
AreaContamination-Anyforeignparticlesormaterialthatarefoundonthesurfaceofawafer.Thisisviewedasdiscoloredorsmudged,anditistheresultofstains,fingerprints,waterspots,etc.
沾污区域-任何在晶圆片表面的外来粒子或物质。
由沾污、手印和水滴产生的污染。
Azimuth,inEllipsometry-Theanglemeasuredbetweentheplaneofincidenceandthemajoraxisoftheellipse.
椭圆方位角-测量入射面和主晶轴之间的角度。
Backside-Thebottomsurfaceofasiliconwafer.(Note:
Thistermisnotpreferred;instead,use‘backsurface’.)
背面-晶圆片的底部表面。
(注:
不推荐该术语,建议使用“背部表面”)
BaseSiliconLayer-Thesiliconwaferthatislocatedunderneaththeinsulatorlayer,whichsupportsthesiliconfilmontopofthewafer.
底部硅层-在绝缘层下部的晶圆片,是顶部硅层的基础。
Bipolar-Transistorsthatareabletousebothholesandelectronsaschargecarriers.
双极晶体管-能够采用空穴和电子传导电荷的晶体管。
BondedWafers-Twosiliconwafersthathavebeenbondedtogetherbysilicondioxide,whichactsasaninsulatinglayer.
绑定晶圆片-两个晶圆片通过二氧化硅层结合到一起,作为绝缘层。
BondingInterface-Theareawherethebondingoftwowafersoccurs.
绑定面-两个晶圆片结合的接触区。
BuriedLayer-Apathoflowresistanceforacurrentmovinginadevice.Manyofthesedopantsareantimonyandarsenic.
埋层-为了电路电流流动而形成的低电阻路径,搀杂剂是锑和砷。
BuriedOxideLayer(BOX)-Thelayerthatinsulatesbetweenthetwowafers.
氧化埋层(BOX)-在两个晶圆片间的绝缘层。
Carrier-Valenceholesandconductionelectronsthatarecapableofcarryingachargethroughasolidsurfaceinasiliconwafer.
载流子-晶圆片中用来传导电流的空穴或电子。
Chemical-MechanicalPolish(CMP)-Aprocessofflatteningandpolishingwafersthatutilizesbothchemicalremovalandmechanicalbuffing.Itisusedduringthefabricationprocess.
化学-机械抛光(CMP)-平整和抛光晶圆片的工艺,采用化学移除和机械抛光两种方式。
此工艺在前道工艺中使用。
ChuckMark-Amarkfoundoneithersurfaceofawafer,causedbyeitheraroboticendeffector,achuck,orawand.
卡盘痕迹-在晶圆片任意表面发现的由机械手、卡盘或托盘造成的痕迹。
CleavagePlane-Afractureplanethatispreferred.
解理面-破裂面
Crack-Amarkfoundonawaferthatisgreaterthan0.25mminlength.
裂纹-长度大于0.25毫米的晶圆片表面微痕。
Crater-Visibleunderdiffusedillumination,asurfaceimperfectiononawaferthatcanbedistinguishedindividually.
微坑-在扩散照明下可见的,晶圆片表面可区分的缺陷。
Conductivity(electrical)-Ameasurementofhoweasilychargecarrierscanflowthroughoutamaterial.
传导性(电学方面)-一种关于载流子通过物质难易度的测量指标。
ConductivityType-Thetypeofchargecarriersinawafer,suchas“N-type”and“P-type”.
导电类型-晶圆片中载流子的类型,N型和P型。
Contaminant,Particulate(seelightpointdefect)
污染微粒(参见光点缺陷)
ContaminationArea-Anareathatcontainsparticlesthatcannegativelyaffectthecharacteristicsofasiliconwafer.
沾污区域-部分晶圆片区域被颗粒沾污,造成不利特性影响。
ContaminationParticulate-Particlesfoundonthesurfaceofasiliconwafer.
沾污颗粒-晶圆片表面上的颗粒。
CrystalDefect-Partsofthecrystalthatcontainvacanciesanddislocationsthatcanhaveanimpactonacircuit’selectricalperformance.
晶体缺陷-部分晶体包含的、会影响电路性能的空隙和层错。
CrystalIndices(seeMillerindices)
晶体指数(参见米勒指数)
DepletionLayer-Aregiononawaferthatcontainsanelectricalfieldthatsweepsoutchargecarriers.
耗尽层-晶圆片上的电场区域,此区域排除载流子。
Dimple-Aconcavedepressionfoundonthesurfaceofawaferthatisvisibletotheeyeunderthecorrectlightingconditions.
表面起伏-在合适的光线下通过肉眼可以发现的晶圆片表面凹陷。
Donor-Acontaminatethathasdonatedextra“free”electrons,thusmakingawafer“N-Type”.
施主-可提供“自由”电子的搀杂物,使晶圆片呈现为N型。
Dopant-Anelementthatcontributesanelectronoraholetotheconductionprocess,thusalteringtheconductivity.DopantsforsiliconwafersarefoundinGroupsIIIandVofthePeriodicTableoftheElements.
搀杂剂-可以为传导过程提供电子或空穴的元素,此元素可以改变传导特性。
晶圆片搀杂剂可以在元素周期表的III和V族元素中发现。
Doping-Theprocessofthedonationofanelectronorholetotheconductionprocessbyadopant.
掺杂-把搀杂剂掺入半导体,通常通过扩散或离子注入工艺实现。
EdgeChipandIndent-Anedgeimperfectionthatisgreaterthan0.25mm.
芯片边缘和缩进-晶片中不完整的边缘部分超过0.25毫米。
EdgeExclusionArea-Thearealocatedbetweenthefixedqualityareaandtheperipheryofawafer.(Thisvariesaccordingtothedimensionsofthewafer.)
边缘排除区域-位于质量保证区和晶圆片外围之间的区域。
(根据晶圆片的尺寸不同而有所不同。
)
EdgeExclusion,Nominal(EE)-Thedistancebetweenthefixedqualityareaandtheperipheryofawafer.
名义上边缘排除(EE)-质量保证区和晶圆片外围之间的距离。
EdgeProfile-Theedgesoftwobondedwafersthathavebeenshapedeitherchemicallyormechanically.
边缘轮廓-通过化学或机械方法连接起来的两个晶圆片边缘。
Etch-Aprocessofchemicalreactionsorphysicalremovaltoridthewaferofexcessmaterials.
蚀刻-通过化学反应或物理方法去除晶圆片的多余物质。
FixedQualityArea(FQA)-Theareathatismostcentralonawafersurface.
质量保证区(FQA)-晶圆片表面中央的大部分。
Flat-Asectionoftheperimeterofawaferthathasbeenremovedforwaferorientationpurposes.
平边-晶圆片圆周上的一个小平面,作为晶向定位的依据。
FlatDiameter-Themeasurementfromthecenteroftheflatthroughthecenterofthewafertotheoppositeedgeofthewafer.(Perpendiculartotheflat)
平口直径-由小平面的中心通过晶圆片中心到对面边缘的直线距离。
Four-PointProbe-Testequipmentusedtotestresistivityofwafers.
四探针-测量半导体晶片表面电阻的设备。
FurnaceandThermalProcesses-Equipmentwithatemperaturegaugeusedforprocessingwafers.Aconstanttemperatureisrequiredfortheprocess.
炉管和热处理-温度测量的工艺设备,具有恒定的处理温度。
FrontSide-Thetopsideofasiliconwafer.(Thistermisnotpreferred;usefrontsurfaceinstead.)
正面-晶圆片的顶部表面(此术语不推荐,建议使用“前部表面”)。
Goniometer-Aninstrumentusedinmeasuringangles.
角度计-用来测量角度的设备。
Gradient,Resistivity(notpreferred;seeresistivityvariation)
电阻梯度(不推荐使用,参见“电阻变化”)
Groove-Ascratchthatwasnotcompletelypolishedout.
凹槽-没有被完全清除的擦伤。
HandScribeMark-Amarkingthatishandscratchedontothebacksurfaceofawaferforidentificationpurposes.
手工印记-为区分不同的晶圆片而手工在背面做出的标记。
Haze-Amassconcentrationofsurfaceimperfections,oftengivingahazyappearancetothewafer.
雾度-晶圆片表面大量的缺陷,常常表现为晶圆片表面呈雾状。
Hole-Similartoapositivecharge,thisiscausedbytheabsenceofavalenceelectron.
空穴-和正电荷类似,是由缺少价电子引起的。
Ingot-Acylindricalsolidmadeofpolycrystallineorsinglecrystalsiliconfromwhichwafersarecut.
晶锭-由多晶或单晶形成的圆柱体,晶圆片由此切割而成。
LaserLight-ScatteringEvent-Asignalpulsethatlocatessurfaceimperfectionsonawafer.
激光散射-由晶圆片表面缺陷引起的脉冲信号。
Lay-Themaindirectionofsurfacetextureonawafer.
层-晶圆片表面结构的主要方向。
LightPointDefect(LPD)(Notpreferred;seelocalizedlight-scatterer)
光点缺陷(LPD)(不推荐使用,参见“局部光散射”)
Lithography-Theprocessusedtotransferpatternsontowafers.
光刻-从掩膜到圆片转移的过程。
LocalizedLight-Scatterer-Onefeatureonthesurfaceofawafer,suchasapitorascratchthatscatterslight.Itisalsocalledalightpointdefect.
局部光散射-晶圆片表面特征,例如小坑或擦伤导致光线散射,也称为光点缺陷。
Lot-Wafersofsimilarsizesandcharacteristicsplacedtogetherinashipment.
批次-具有相似尺寸和特性的晶圆片一并放置在一个载片器内。
MajorityCarrier-Acarrier,eitheraholeoranelectronthatisdominantinaspecificregion,suchaselectronsinanN-Typearea.
多数载流子-一种载流子,在半导体材料中起支配作用的空穴或电子,例如在N型中是电子。
MechanicalTestWafer-Asiliconwaferusedfortestingpurposes.
机械测试晶圆片-用于测试的晶圆片。
Microroughness-Surfaceroughnesswithspacingbetweentheimpuritieswithameasurementoflessthan100μm.
微粗糙-小于100微米的表面粗糙部分。
MillerIndices,ofaCrystallographicPlane-Asystemthatutilizesthreenumberstoidentifyplanorientationinacrystal.
Miller索指数-三个整数,用于确定某个并行面。
这些整数是来自相同系统的基本向量。
MinimalConditionsorDimensions-Theallowableconditionsfordeterminingwhetherornotawaferisconsideredacceptable.
最小条件或方向-确定晶圆片是否合格的允许条件。
MinorityCarrier-Acarrier,eitheraholeoranelectronthatisnotdominantinaspecificregion,suchaselectronsinaP-Typearea.
少数载流子-在半导体材料中不起支配作用的移动电荷,在P型中是电子,在N型中是空穴。
Mound-Araiseddefectonthesurfaceofawafermeasuringmorethan0.25mm.
堆垛-晶圆片表面超过0.25毫米的缺陷。
Notch-Anindentontheedgeofawaferusedfororientationpurposes.
凹槽-晶圆片边缘上用于晶向定位的小凹槽。
OrangePeel-Aroughenedsurfacethatisvisibletotheunaidedeye.
桔皮-可以用肉眼看到的粗糙表面
OrthogonalMisorientation-
直角定向误差-
Particle-Asmallpieceofmaterialfoundonawaferthatisnotconnectedwithit.
颗粒-晶圆片上的细小物质。
ParticleCounting-Wafersthatareusedtotesttoolsforparticlecontamination.
颗粒计算-用来测试晶圆片颗粒污染的测试工具。
ParticulateContamination-Particlesfoundonthesurfaceofawafer.Theyappearasbrightpointswhenacollineatedlightisshinedonthewafer.
颗粒污染-晶圆片表面的颗粒。
Pit-Anon-removableimperfectionfoundonthesurfaceofawafer.
深坑-一种晶圆片表面无法消除的缺陷。
PointDefect-Acrystaldefectthatisanimpurity,suchasalatticevacancyoraninterstitialatom.
点缺陷-不纯净的晶缺陷,例如格子空缺或原子空隙。
PreferentialEtch-
优先蚀刻-
PremiumWafer-Awaferthatcanbeusedforparticlecounting,measuringpatternresolutioninthephotolithographyprocess,andmetalcontaminationmonitoring.Thiswaferhasverystrictspecificationsforaspecificusage,butlooserspecificationsthantheprimewafer.
测试晶圆片-影印过程中用于颗粒计算、测量溶解度和检测金属污染的晶圆片。
对于具体应用该晶圆片有严格的要求,但是要比主晶圆片要求宽松些。
PrimaryOrientationFlat-Thelongestflatfoundonthewafer.
主定位边-晶圆片上最长的定位边。
ProcessTestWafer-Awaferthatcanbeusedforprocessesaswellasareacleanliness.
加工测试晶圆片-用于区域清洁过程中的晶圆片。
Profilometer-Atoolthatisusedformeasuringsurfacetopography.
表面形貌剂-一种用来测量晶圆片表面形貌的工具。
Resist
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