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518ICT教育2
教育训练
第一章ICT的TR-518系列软体,硬体的介绍
第二章测试原理
第三章Debug治具方法
日期:
2000/10/13
(一)TRI机器硬件的介绍
整个机器包括:
PC,ICT主机,压床,测桌。
DCBoard
Topress
Testcontrol
Board
ISA
DigitalI/OCard
ISAISZ
SWB#1
ACBoard
DigitalI/OCard
Data
AddressCableToFixture
/IOR▼
SWB#14
PowerBoard
/IONCableToFixture
IRQ10
HPTESTJET
+5V
±15V
+12V
+24V(FAN)
+48V(HVM-32)
a.PC通过I/OCard与ICT主机交换处理数据,各种机型ICT所属I/OCard类型各不相同;518FE兼容518FO机器I/OCard。
I/O为非即插即用卡,需设定IRQ10为manual,以防止其它电脑设备占用IRQ10而使压床无法动作;使用Windows操作系统的机器,需注意VGA占用IRQ10。
b.ICT主机相应有DC,AC,TCB;TR-518机器对应有AC,DC,HF,PRESS,TCB;TR518FR机器DC与TCB合成一块板上,称DC或TCB
SWB有64Pin,128Pin,256Pin三种类型.
ACBoard量测处理交流信号;
DCBoard量测处理直流信号;
TCBoard连接I/OCard同时提供测试信号源.
SWB上的Pin点具有确定编号,这是的Pin点的编号具有连续性。
C.压床由DC通过D-type15Pin排线控制。
1.Testsw(I)8.rejectlight(O)
2.downsol(O)9.testlight(O)
3.upsol(O)10.24V
4.abustsw(I)11.24V
5.sensorsw(I)12.光电sensor(O)
6.downsw(I)13.retestsw(O)
7.acceptlight(O)14.gnd
15.gnd
*.电位“low”有效
1sensor感应活塞的位置控制测试
2压床工作原理(气体动力)
A.B点气体由五口三位阀控制
SENSORAA点充气压床下降
B点充气压床上升
B
3两对节流阀门分别控制气缸活塞的上升与下降的速度与缓冲。
4压力表调节,需把盖提起调到4—6Mpa(根据治具针点数情况)再按下盖钮。
(二)软体的介绍(以TR-518FO为例)
C:
\TR-518FO\TR-518FO.EXE
MESSAGE.DAT
ICTBAT<目录>
DEBUGBOX<目录>
A<测试程式目录>
ICT.BAT<执行程式>
:
CallCHKRAM.BAT<顺延盘符,使虚拟用内存得以建立>
C:
\DOS\SMARTORV.EXE/x150
ECHOOFF
PROMPT$P$G
ECHOON
CLS
CD\TR-518FO….中文档时加Call字库@CallC:
\UTTF\DYNA.BAT
ICT.BAT
DEVICE=C:
\DOS\HIMEM.SYS
DEVICE=C:
\DOS\EMM386.EXENOEMS
BUFFERS=60
FILES=40
DOS=HIGH,UMB
DEVICEHIGH=C:
\DOS\RAMDRIVE.SYS2048/E建立虚拟盘2M
安装测试文件如下操作:
(1)CopyA盘所有文件到C:
\TR-518FO\目录下
(2)编辑EditA.BAT成TR-518FO.EXEA.DATA格式(设A为文件名)
(3)运行ICT.BAT会自动COPY安装完成.
第二章测试原理
1.信号源与Guardingpin
a.电流源
利用额定电流为信号源,量测电压值,以电阻量测最普遍.
.*
Vs
Is
Rs=Vs/Is
b.电压源
用额定电压源为信号源,量测电流值,以应用在大电容、电感量测最普遍。
Is
~
Vs=Zc*IS=1/(2πf*C)*.Ic
Vs
Guardingpin
电流源信号时:
电流会在HI-PIN分流,因此会提供G1,G2隔离,此时
Vhi=VG1=VG2,GUARDPIN位于HI串联点
HI-PINLO-PIN
G2G1
电压源信号时:
为防止节点LO有外电流入应加G1,G2隔离,此时出
VLO=VG1=VG2,GUARDPIN位于LO串联点。
HICLO
G1G2
2.电阻,电容,电感量测原理
a.电阻使用固定电流模式(mode0)规格如下,相应电阻提供相应电阻
提供相应电流;非正常情况下时,请选择处理.
范围电流R
1R—299.95mAR
300R—2.99K500uAIVr
3K—29.9K50uA
30K—299.9K5uAVr=I*R
300K—2.99M0.5uA
3M—40M0.1uA
b.不同阻抗的电容或电感,ICT会本身自动选择一个适当的频率AC电压源作为测试,使用.(mode0,mode1,mode2,mode3)以及所对应的测试
debugmodesignalsourcecapacitor(inductor)
01KHZ400PF-30uF6mH-60H
110KHZ40PF-4uF600mH以下
2100KHZ1PF-40uF6mH以下
31MHZ1PF-300PF1uH-60uH
Ic
VZc
V=Ic*Zc=1/(2fc)*Ic=>C=Ic/(2πf).*V
V=IL*ZL=2πf*IL=>L=V/2πf*IL
c.交流相位(ACphase)测试模式(mode3,mode4,mode5)
提供AC电压源,利用相位角度的领先,反落后方式而得知被测电阻值。
R
HILO
V
C
SignalRange(L)Range(R)
1KHZ600MH--60M5Ω-300KΩ
10KHZ60MH—600MH5Ω-40KΩ
100KHZ6MH-6MH5Ω-4KΩ
d.低固定电流源(Lowconstantcurrent)模式(mode1)
该测试方法和固定电流源模式一样,只是在被测电阻于电路上若有并联二极体或是ICClampingDiode,对于该电阻两端测量电压值若超过0.5V至0.7V时,因为二极体导电的关系,该电阻两端电压将被维持在0.5V至0.7V左右,只要将原先的电流源降低一级即可.
RangeCurrent
1—299.9Ω500uH
300—2.99KΩ50uA
3K—29.9KΩ5uA
30K—299KΩ0.5uA
300K—2.99MΩ0.1uA
IR
D
Vr=I*R>0.7V时,需要用低固定电流源
当V>0.7V时,D会导通,形成分流,
如测2K的电阻时,MODE0会:
2K*0.5mA=1v.>0.7v,
此时,应选MODE1:
2K*0.05Ma=0.1v<0.7v.
E.快速(High-Speed)测试模式(mode2)
被测电阻并联0.3MF以上电容时,用固定电流源测试时,让电容充电钧和,需要花费很长的时间,特别是电阻本身值很大时,测试电流更小,所用时间会更长,解决办法可以将固定DC电流源改为0.2VDC固定电压源,直接接于被测电阻两端.如此短暂时间内使其Ic=0,故电路上所有电流将流经电阻R,其测试方式称为:
提供一个0.2VDC电压源,当Ic=0时,V=Ir*R=>R=V/Ir
R
C
0.2V
F.DC固定电流(DC.constantCurrent)测试模式(mode4)
3UF以上电容值的电容,若使用AC电压源模式测试时,将要较低频率来测试,而增加ICT测试时间,故可利用电容充电曲线的斜率方式得知电容值。
V
V2VIsC
V1
T1T2T
Slope=(V2-V1)/(T2-T1)=⊿V/⊿T
Slope*c=常数
G.齐纳二极体(zenerDiode)测试原理(mode0,mode1)
ZD
AsVxDuT
BsZD
齐纳二极体的测试和二极体的测试一样,其差异只在测试电压源不同,其电压源为0V-10V./3mA可调节两种,由Vx两端量(0)负载电压
0V-10V./20mA
H.电晶体测试原理
电晶体测试需要三步骤
(1)B-E脚使用二极体测试方式
CL
CL
(2)C-E脚使用二极体测试方式
(3)E-C脚使用Vcc的饱和电压值及截止
C电压值的不同,来测试电晶体是否反插.
VBV需从
(1)
(2)两步判断出电晶体属NPN、
EPNP型,Guard点为B脚,Mode选择NPN
或PNP,并测量出E-C脚正向饱和电压值0.2V左右.
I.光藕合元件测试原理
测量光藕合元件是在1:
2脚及第3:
4脚各提供一个DC可程式电压源并于第3:
4脚测量其电压是否为正向饱和电压值.
CL3CL1
Hi
L0
G1
G2
Mode
1
2
3
4
pc
42
程式:
ACT-V=V1.2
STD-V=V3.4
理论上V3,4值越大,V1,2值越小。
第三章治具Debug
Debug治具是使用ICT的关键之处,此过程中,定要了解测试的原理,待测板上元件的线路状况,掌握ICT的测试过程,必备的材料有:
BOM,线路图,针点图,空板,实板。
DEBUG治具时应从量测值上判断衡量机器或治具状况。
如:
电阻量测值稍微的偏差,则探针阻值偏大或量测MODE不良,电路有分流。
电阻量测值为999,则检查治具有无针点不良或KEYIN错误。
电阻量测值为0,则针点有无KEYIN错误或电路分流过大。
因此,DEBUG治具时,要从概念上有一定把握。
Debug治具的步骤:
1.设定治具测试参数
2.开/短学习
3.元器件DEBUG
4.保护二极体学习
5.HPTESTJET学习
6.DIODECHICK学习
为方便说明另附ICT操作菜单命令(见附页)
A.治具测试参数设定:
测试(T)测试参数(P)修改参数(U)测试顺序(T)
中断(A)
测试针(P)
重测(R)
列印(N)
位置图/自动盖章(M)
主要:
PIN点设定,治具first-pin,last-pinABCD
打印设定1
Boardview显示设定期2
测试fail时可显示不良元件位置
多联片Copy时,注意第一片测
板viewboard设定。
MAX=8*8
防止溢出。
B.open/short学习
用Sample板学习。
C.元件Debug(后页阐述)
D.IC保护二极体学习(clampingDiodelearning)
1.ClampingDiode存在原理是指IC的PIN脚对GND和VCC存在如图所示的两个保护二极体.Vcc
其中两二极体的存在是限定Gate,电压过高,防止SiO2A
薄膜被击穿,Rs起限流作用。
CGate
I/OPINSiO2
Gnd
Diode保护MOS.管的Gate,Rs保护Diode,因此,
ClampingDiode方向性是GndGate;GateVCCB
测试工艺中,利用Dbc,Dca检测IC有无空焊,短路等不良,Rs由于IC
制程不同,其值也不同,D测出来的值也不同。
2.IC资料建立
学习(L)ICClampingDiodeIC脚位(输IC资料)
VCC学习(L)(自动进行ClampingDiode学习)
显示(D)(显示学习的步骤)
列印(P)
删除(E)
GND
IC资料主要包括:
IC的脚位对应的针位,ICVCC脚,Gnd脚输入,HP探测棒Number输入。
E.IC-Openlearning(HP-Testjet)
(1)原理
◆TestJet板送一个AC10KHZ,300mv到待测脚位,
◆HP其余之脚位全部Guarding
◆Sensorplate感应出AC信号变化。
Muxcard
◆MuxBoard是选择测试之SensorSensorplate
Plate,并接到Sensorplate收至AC信
号滤波放大。
◆TestJet将AC信号滤波量测信号振幅。
10KHZ300mVTestpinGuard
系统规格
F=1KHZVrms=300-650mvSinware
F=2.5KHZVrms=300-650mvSinware
F=5KHZVrms=300-650mvSinware
F=10KHZVrms=300-650Sinware
适应性:
①测CacheRAM可能无效。
②BGA包装的leadframe是外大内小,内部OPEN很难测,感应值很小
③HPTESTJET是高阻抗量测,很难测试虚銲,开路。
④SRAM无法测
⑤扩充槽可以用HPTESTJET
F.Diodecheck
IC1IC2
D4D3
D2D1
BA
1.2
(1)测试原理
●加一电压于A点,并检查ClampingDiode是否存在。
●加一个电压于B点,并微调止电压,使得D3OFF。
●若PINA连接良好,则可测得ClampingDiode存在,否则,测不到ClampingDiode存在,表示U2并联脚位开路。
注意D4,D3存在于IC1,D2、D1存在于IC2,Diodecheck即检查IC内部ClampingDiode并联状态,并检测出IC的工艺状况。
(2)硬体组装
ICT系统必须配置有Diodecheck控制板。
fixture
34Pin
ICT
FIFIfi
Diodecheck控制板
Case1(主机板)
*Pin1Pin2接PCBGnd
*Pin3Pin4接PCB之3V(第一组电源)
*Pin5接PIC之5V(第二组电源)
*Pin6接PCB之12V(第三组电源)
Case2(一般PCB)
Pin1Pin2接PCB之Gnd
*Pin3Pin4接PCB5V(第一组电源)
*Pin5Pin6接PCB第三组电源
Case3(一般PCB)
*Pin1Pin2接PCB之Gnd
*Pin3Pin4接PCB之5V(第一组电源)
*Pin5Pin6空接
G.常见元件Debug
a.》HIRLO
C1C2C3
调试电阻R时,由Hi,LoPin端都有电容,当C1,C2,C3大于3u时,R很大时(R>3K)提供测试电流很小,C1,C2,C3会吸纳电荷,只有当C1,C2或C3饱和时才可精确量测,因此,必须选择mode0加延时,或选择mode2.
b.》
AHIRLO
B
选择串联HI点为邻的测点为GUARDING点,或以A,B为Guard点,以避免A,B支流影响测试。
c.》Hi.Lo
二极管并联(包括ClampingDiode)时,需加反相测试步骤.加如下STEP:
方式:
AcT-V=1.5V;+%=-1;-%=20;Hi-LoPin与正反交换,以检测反相插件.
STD-V=1.5V
d.》三极管
e
e
bb
c
PNPc(MODE3)NPN(MODE4)
测试Hi-LoPin规律
元件名称
高点
低点
隔点
信号源
Q-BE
B
E
/
0
Q-BC
B
C
/
0
Q-CE
C
E
B
4
元件名称
高点
低点
隔点
信号源
Q-BE
E
B
/
0
Q-BC
C
B
/
0
Q-CE
E
C
B
3
当测Q时,ACT-V=施加Vbe,正常情况下1.1-1.5v;
Vbe当有电容串接各端时,需加延时以识别虚值。
STD-V=测Vce压降0.2-0.7v,Vbe为施加B端电压。
理论上Vbe越大,Vce越小。
,.
E.》
实测电路中有0Ω电阻时,因确定其Limit很难,可处理为
Act-V=1+Limit%=10
STD-V=1-Limit%=_1以保持测试范围在1.1Ω以内.
f.》针对DUT的测试点所用探针的选择,也有严格区分.(其附表)
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