广东理工学院秋期末 级 数字电子技术考试复习资料.docx
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广东理工学院秋期末级数字电子技术考试复习资料
2019秋2019级数字电子技术普通用卷
学习方式:
业余时间:
100分钟
考试科目:
《数字电子技术》(总分)100分
一单选题(共50题,总分值100分)
1.化简F=f(A,B)=Σm(1,3)+Σd(0,2)的最简结果为__________________(式中m表示最小项,d表示无关项)(2分)
A.AB
B.1
C.AB
D.0
2.化简F=f(A,B,C,D)=Σm(1,3,4,7,8,10,13,15)+Σd(0,2,5,6,9,11,12,14)的最简结果为_________________________(式中m表示最小项,d表示无关项)(2分)
A.0
B.AB
C.AB
D.1
3.硅稳压管工作在反向击穿区,它工作时必须串联一个合适的__________(2分)
A.限流电阻
B.扼流线圈
C.电容器
D.稳压器
4.为了增加TTL门的驱动能力,某同学将两个普通的TTL与非门的输出端直接连接在一起使用,你认为会出现什么情况?
_________________________(2分)
A.极有可能烧坏TTL与非门
B.提高了与非门的带负载能力
C.实现了线或逻辑功能
D.实现了线与逻辑功能
5.组合逻辑电路是由________________组合而成的(2分)
A.CMOS门电路
B.TTL门电路
C.触发器,或者触发器和门电路
D.门电路
6.时序逻辑电路是由_________________合适地连线组合而成的。
(2分)
A.门电路
B.门电路和RC电路
C.门电路或触发器
D.触发器,或者触发器和门电路
7.某一个硅二极管在正向电压UD=0.7V时,测得它的正向电流ID=10mA,若UD增大到0.77V(即增加10%)时,则正向电流ID约为_________________________(2分)
A.100mA
B.11mA
C.20mA
D.10mA
8.界定晶体管的安全工作区的三个极限参数是ICM、PCM和__________________(2分)
A.ICEO
B.β
C.U(BR)CEO
D.U
9.化简F=f(A,B,C)=Σm(1,3,4,7)+Σd(0,2,5,6)的最简结果为_________________(式中m表示最小项,d表示无关项)(2分)
A.1
B.ABC
C.ABC
D.0
10.在单相桥式整流电路中,若设变压器副边电压有效值为U2,则负载电阻RL上输出电压平均值UO≈________________________________(2分)
A.U2
B.0.45U2
C.1.2U2
D.0.9U2
11.下列各种半导体器件中,不属于有源器件的是__________________(2分)
A.二极管
B.集成运算放大器
C.PNP型晶体管
D.NPN型晶体管
12.理想二极管正偏导通时,其内阻为__________________(2分)
A.100kΩ以上
B.1kΩ左右
C.1kΩ~100kΩ之间
D.零
13.(37)10=__________________(2分)
A.(00110111)8421BCD
B.(26)16
C.(01110111)8421BCD
D.(00111110)2
14.发射结正偏、集电结反偏是晶体三极管工作在__________________区的外部条件(2分)
A.饱和
B.截止
C.放大
D.可变电阻
15.晶体三极管是一种__________________器件(2分)
A.电流控制电流
B.电压控制电流
C.电流控制电压
D.电压控制电压
16.分析晶体管低频小信号放大电路时,通常采用交、直流量分开的方法,这是由于________________________(2分)
A.晶体管是非线性元件
B.放大电路中存在着阻容元件
C.晶体管是有源器件
D.放大电路中既有直流量又有交流量
17.化简逻辑函数L=AB⊕AB的最简结果为_________________________(2分)
A.1
B.A
C.A
D.0
18.当使用四输入端TTL与非门时,下列做法不妥当的是__________________(2分)
A.可将输入端全部并接,作非门使用
B.不用的输入端让其悬空着
C.不用的输入端接“+VCC”
D.不用的输入端与地端之间串接10kΩ的电阻
19.一个单相桥式整流电路的变压器副边电压有效值为10V,其负载电阻为500Ω,则流过整流二极管的平均电流约为________________________(2分)
A.90mA
B.180mA
C.18mA
D.9mA
20.若要构成24进制计数器,则需用__________________个边沿JK触发器(2分)
A.7
B.6
C.4
D.5
21.互补对称功放电路的交流输出功率足够大,是因为其________________(2分)
A.静态工作点设置在横轴上
B.输出电压高且输出电流大
C.输出电压变化幅度大且输出电流变化幅度大
D.电压放大倍数较大
22.逻辑函数L=B⊕B的最简结果为_________________________(2分)
A.1
B.B
C.B
D.0
23.交流负反馈能从四个方面改善放大电路的性能,改善的程度均与________________有关(2分)
A.反馈系数
B.反馈深度
C.环路增益
D.开环增益
24.硅稳压管工作在反向击穿区,它工作时稳定电流IZ必须__________________(2分)
A.IZmin<IZ<IZmax
B.小于IZmin
C.大于IZmax
D.大于等于IZmax
25.为使互补对称功放具有尽可能大的交流输出功率,一般要在功放输出级前加设__________________(2分)
A.保护环节
B.二极管检波级
C.前置输入级
D.三端稳压器
26.在工作点稳定的共射放大电路中,设置射极旁路电容CE的目的是_________________________(2分)
A.旁路交流信号,使Au不致降低
B.隔直
C.稳定Q点
D.提高电流增益
27.分析时序逻辑电路的手段是列写电路中所用触发器的________________________(2分)
A.驱动方程
B.特性方程
C.状态方程
D.状态转换表
28.放大电路中引入的交流负反馈可以抑制_________________的干扰和噪声(2分)
A.任何程度
B.反馈环路外
C.反馈环路内
D.非常强烈的
29.在如下由集成运放组成的应用电路中,运放处于线性区的电路是_________________(2分)
A.非零电压比较器
B.差动输入减法运算电路
C.电容三点式振荡器
D.三角波发生电路
30.用两个或非门组成的基本RS触发器,其输入信号Rd、Sd必须满足的约束条件是__________________(2分)
A.Rd+Sd=0
B.RdSd=1
C.RdSd=0
D.Rd+Sd=1
31.(1011111)2=__________________________(2分)
A.(95)10
B.(5E)16
C.(10010101)8421BCD
D.(1011110)2
32.一个单相半波整流电路的变压器副边电压有效值为10V,负载电阻为500Ω,则流过
整流二极管的平均电流约为__________________________(2分)
A.90mA
B.180mA
C.9mA
D.18mA
33.当温度升高时,晶体管的集-射极之间的反向穿透电流ICEO将________________________(2分)
A.减小
B.大大减小
C.大大增加
D.不变
34.二-十进制优先编码器指的是_________________的电路(2分)
A.将二-十进制代码转换成0~9十个数字
B.将0~9十个数字转换成二进制代码
C.BCD代码优先转换
D.8线-3线二进制优先编码
35.若要构成128进制计数器,则需用_________________________个边沿JK触发器(2分)
A.9
B.8
C.7
D.6
36.在数字电路中,_________________是构成时序逻辑电路的基本单元。
(2分)
A.RC延时电路
B.门电路
C.组合逻辑电路
D.触发器
37.若将JK触发器的J、K端都接到低电平,则其特性方程Qn+1=_________________________(2分)
A.1
B.Qn
C.0
D.Qn
38.互补对称功放电路通常用作多级放大电路的_________________________(2分)
A.输入级
B.输出级
C.中间放大一级
D.中间放大二级
39.某一电压串联负反馈放大电路,已知它的开环电压放大倍数Au=1000,若要求其反馈,深度1+AuFu=101,则其反馈系数Fu为__________________(2分)
A.1
B.0.01
C.0.001
D.0.1
40.3线-8线二进制译码器工作时,任一时刻译码器输出端的有效电平的个数是________________________(2分)
A.4
B.1
C.16
D.24
41.把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为零的干电池正向连接,该管__________________(2分)
A.击穿
B.电流过大使管子烧坏
C.电流为mA数量级
D.电流为μA数量级
42.化简逻辑函数L=AB⊙AB的最简结果__________________(2分)
A.1
B.A
C.A
D.0
43.晶体管共集放大电路比晶体管共射放大电路的性能好,原因是共集放大电路中_________________________(2分)
A.隔直耦合电容C1、C2的容量大
B.晶体管的高频性能较佳
C.输入、输出信号均以集电极为公共端
D.引入了交流负反馈
44.若要构成48进制计数器,则需用________________个边沿JK触发器(2分)
A.7
B.6
C.5
D.4
45.在差动放大电路中,若射极电阻RE越大,则________________,但RE也不能太大(2分)
A.Ad越大
B.Ad越小
C.Ac越小
D.KCMRR越小
46.一个三输入端CMOS或非门,使其输出为“1”的输入变量取值组合有_________________种(2分)
A..1
B.2
C.3
D.7
47.欲对258条信息进行编码,需要用__________________位二进制数(2分)
A.256
B.258
C.9
D.8
48.若要对226条信息进行编码,则最少需要________________________位二进制数码(2分)
A.6
B.7
C.8
D.9
49.工作在某放大电路中的一个晶体三极管,若测得它的三个电极的直流电位为:
UB=3.6V、UE=2.9V、UC=12V,据此可判断该管为________________________(2分)
A.PNP型Ge管
B.PNP型Si管
C.NPN型Si管
D.NPN型Ge管
50.任一时刻组合逻辑电路的输出信号仅仅取决于________________________(2分)
A.电路的原态
B.此刻前的输出状态
C.其记忆功能
D.此刻的输入信号
一单选题(共50题,总分值100分)
15.答案:
A
解析过程:
16.答案:
D
解析过程:
17.答案:
C
解析过程:
18.答案:
B
解析过程:
19.答案:
D
解析过程:
20.答案:
D
解析过程:
21.答案:
C
解析过程:
22.答案:
A
解析过程:
23.答案:
B
解析过程:
24.答案:
A
解析过程:
25.答案:
C
解析过程:
26.答案:
A
解析过程:
27.答案:
D
解析过程:
28.答案:
C
解析过程:
29.答案:
B
解析过程:
30.答案:
C
解析过程:
31.答案:
A
解析过程:
32.答案:
C
解析过程:
33.答案:
C
解析过程:
34.答案:
B
解析过程:
35.答案:
C
解析过程:
36.答案:
D
解析过程:
37.答案:
D
解析过程:
38.答案:
B
解析过程:
39.答案:
D
解析过程:
40.答案:
B
解析过程:
41.答案:
B
解析过程:
42.答案:
B
解析过程:
43.答案:
D
解析过程:
44.答案:
B
解析过程:
45.答案:
C
解析过程:
46.答案:
A
解析过程:
47.答案:
C
解析过程:
48.答案:
C
解析过程:
49.答案:
C
解析过程:
50.答案:
D
解析过程:
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