多晶硅块检验标准.docx
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多晶硅块检验标准
多晶硅锭/块
质量检验规范
编制:
审核:
批准:
年月日发布年月日正式实施
一.适用范围
二.引用标准
三.检验项目
四.检验工具
五.实施细则
1.硅锭/块电性能检测
2.多晶硅块阴影检验
3.硅块电性能阴影判定
4.多晶硅块外观尺寸检验
附表1:
硅锭/块性能检验标准
附表2:
硅块外观尺寸检验标准
一.适用范围
本细则规定了多晶硅锭/块的电性能/阴影杂质/外观尺寸的检验项目、测量器具、检测方法、操作步骤、判定依据,适用于正常生产的多晶硅锭/硅块的质量检验。
2.引用标准
《硅锭内控标准》
《Q/BYL02太阳能级多晶硅片》
《硅片切割工艺文件》
三.检验项目
电阻率、少子寿命、导电类型、氧/碳含量、外观、几何尺寸、硅块杂质/隐形裂纹
四.检验工具
四探针电阻率测试仪、导电类型测试仪、少子寿命测试仪、红外阴影扫描测试仪、游标卡尺(0.02mm精度)、万能角度尺、钢板尺
五.实施细则
1.硅锭/块电性能检测
1.1硅块测试取样及测试面的选取
16块规格的硅块每锭抽测A块、B块和F块三块,25块规格的硅锭每锭抽测A块、B块、G块、M块四块,若“测量样块”表面无法测试时可选用对称位置的其他硅块代替。
(测量样块表面手感平整无明显“锯痕”、“台阶”等现象,测试时保证测试平面与少子寿命测试仪测试头无摩擦,防止损伤“测试头”,测试过程中“测试头”与测试平面距离(2±1mm)基本保持一致)。
通常选择“测量样块”的第2或3面(硅块上箭头所指方向为第1面,顺时针依次为2、3、4面)。
若A块第2或3面质量不符合测试要求,则选取D块第3、4面或M块第1、2面或P块第1、4面其中一面进行测试;B、G、F、M样块的测量出现质量不符合测试要求的情况可按以上A块测量方式测量;并在记录中注明。
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
16块规格25块规格
注:
电性能参数不影响209mm切割高度的生产锭:
16块规格:
A块代表该硅锭四角的硅块(硅块A、D、M、P块,共4块);B块代表四周的硅块(B、C、E、H、I、L、N、O块,共8块)F块代表该硅锭中间的硅块(硅块F、G、J、K块,共4块);
25块规格:
A块代表该硅锭四周的硅块(硅块A、D、M、P块,共4块);B块代表四周的硅块(B、C、D、F、J、K、O、P、T、V、W、X块,共12块);G、M块代表中间的硅块(G、H、I、L、M、N、Q、R、S块,共9块)。
电性能参数影响209mm切割高度的生产锭:
根据实际情况进行测试,保证数据准确,并具有代表性,并在记录中注明。
1.2电阻率测试
用四探针电阻率测试仪对报检硅块首、中、尾三个部位进行电阻率测试,(测试点要求距底10
mm左右、距顶25
mm左右、距侧棱大于7mm,电阻率测试采取5点取平均值法测试并符合附表1要求。
(测试时,四个探针所在的平面平行于硅块底面,尽可能在同一晶界内。
)
对于表面电阻率分布有一级、二级、不合格区域之分的“测量样块”,要将一级、二级、不合格区域划出分界线(此时样块不具备代表性,应逐块测量),并测量记录各高度。
1.3导电类型测试
用导电类型测试仪测试样块各表面导电类型为p型,以样块导电类型判定其硅锭导电类型;如有“反型现象”,在4个面反型最低点作出标记线(如样块反型高度影响有效切割高度时,样块不具备代表性,应逐块测量),并测量记录反型高度。
1.4少子寿命测试
1.4.1仪器的选定及校对
a.正常生产中的工序少子寿命检验,可使用Semilab公司生产的“WT-2000”和GT公司生产的“GT-LSS-100”。
b.设备使用前需进行标准校对,通过标准块少子寿命曲线比对来确定仪器的准确性。
c.当对测试仪测试的结果产生疑问时,应进行复测比对。
1.4.2测量前的准备
使用测试仪时,检验员先测试、查看存放的标准硅块的少子寿命,比较少子寿命图的一致性,以确定测量仪器的准确性;每班至少一次。
1.4.3具体测试
用少子寿命测试仪测试“样块”少子寿命,将少子寿命曲线存入计算机。
使用Semilab“WT-2000”设备时,记录少子寿命的平均值(指去除底部14mm以上剩余的209mm高度内硅块少子寿命的平均值)。
1.5合格判定
根据《硅锭的内控标准》,电阻率、平均少子寿命有一项以上符合二级品等级的硅块或硅块相应区域,判定为二级品或二级区域;有一项以上存在不合格等级的硅块或硅块相应区域,判定为不合格品或不合格区域。
1.6记录
a.根据硅块的一级品高度、二级品高度、不合格高度,填写《硅锭质量检验记录表》,计算该锭一、二等级高度、不合格高度及最终结果。
b.对于少子寿命的测量,在指定文件夹内保存测试结果图(文件名命名规则:
“锭号-硅块规格-电阻率值-面号”)。
2.多晶硅块阴影检验
2.1阴影的分类
2.1.1形状
①水平带状②珊瑚状③圆斑状
④分散点状⑤单独点状⑥竖直条状
2.1.2位置
①顶部②中部③底部
2.1.3颜色
①深黑②浅黑
2.2判定方法
2.2.1杂质一般存在顶部、底部、局部团聚(较硬)、分散细点状(较软),中部圆形、顶底花形、颜色较黑。
(1)硅块杂质的判定
a.自顶部开始向下连续延伸的直接沿下边缘去除,并查看切割断面是否有杂质未去除完全。
b.自底部向上延伸的珊瑚状阴影直接沿上边缘去除,并查看切割断面是否有杂质未去除完全。
(特例)
特例:
底部向上延伸的杂质中,存在颜色较浅阴影,一般类似带状、竖状,阴影比较平滑,颜色均匀无需去除。
c.圆斑在实验切割过程中没有断线,但切出的硅片表面存在明显的因杂质导致锯痕或黑色点状杂质,只是杂质没有形成大面积(10mm2)团聚。
此类杂质一般存在硅块中下部,颜色较淡,无需去除。
d.分散/独立点状杂质一般存在硅块中上部,一般破锭过程中会产生锯痕,此类杂质硬度较大,需要直接去除,并查看切割断面是否有杂质未去除完全。
e.阴影中的核状(核状阴影或竖状的阴影)杂质一般存在于微晶或带有生长缺陷的硅块,实验切出来的硅片带有黑点儿状并伴随亮线。
中间部位正常切割;顶底部位的去除。
2.2.2微晶:
集中同一水平面、带状、阴影线平行于锯痕、颜色较深的多为微晶,颜色较浅的多为正常块。
(1)硅块不合格微晶判定
a.表面有可视微晶,只要有一个面微晶的横向贯穿长度大于80mm,判为微晶块。
b.表面有可视微晶,相邻两面微晶的横断面积大于30mmx30mm,判为微晶块。
c.表面有可视微晶,分布在三个面以上,横向长度之和大于50mm,判为微晶块。
注:
以上阴影不作为判定依据。
图例阴影仅作为可视微晶形状参考。
d.表面无可视微晶,阴影扫描后在四个面上都显示明显且颜色较浓阴影的,判为微晶块。
e.阴影在距底部2/5(100mm)区域内的除外。
(2)处理方法
a.去除微晶不合格高度后,如果剩余有效切割高度(包括可能产生B2的区域)大于等于175mm的硅块,直接切片。
b.去除微晶不合格高度后,如果剩余有效切割高度(包括可能产生B2的区域)小于175mm的硅块,整块回收。
c.出现其它状况的,由质检部和技术部共同商讨判定。
2.3记录
1.用钢板尺测量记录杂质、裂纹的不合格高度。
2.认真填写记录表格。
3.在指定文件夹内保存测试结果图(文件名命名规则:
“锭号-硅块-面号”)。
附:
硅块电性能阴影判定
a在红外硅块扫描过程中,会发现有些硅块顶部存在较亮线型区域,经试验证明这部分亮线区域为反型区,对于硅块检验样块以外的硅块反型(线型区域)影响切割高度的,需使用导电型号测试仪进行复测。
如图(椭圆圈中部分):
b硅块阴影扫描过程中,出现下图所示图形较暗的情况,一般为电阻率较低硅块,需在电阻率测试过程中注意。
3.多晶硅块外观尺寸检验
3.1表面外观
目测,应符合(附表2)标准要求。
3.2侧面宽度
用游标卡尺测量侧面宽度符合(附表2)检验标准相关要求,对于侧面宽度存在一级、二级区域的硅块报检时应分区做出标记,如未做出标记的则视为一次报检不合格。
3.3角度
用万能角度尺测量直角度符合(附表2)中相关要求。
3.4倒角
用游标卡测量倒角符合(附表2)中相关要求。
注:
125*125mm尺寸规格硅块应满足技术要求或根据实际生产要求进行检验。
注意事项
1对车间报检的硅块外观和几何尺寸进行测量,核实硅块实际长度,对于报检硅块进行全检。
2对于硅块报检标记不完整、标记清晰、标记错误的硅块,要求报检人重新标记后再报检。
一次报检不合格,检验员作出不合格记录。
返修自检后,二次报检。
3对正常生产锭因电性能、裂纹、尺寸小影响有效切割长度或整块回收的,应在报检时注明原因。
4硅块标记侧面宽度与实际值超过±0.2mm时,检验员在质量跟踪单标注实际长度并盖章。
3.5记录
附表1:
硅锭/块性能检验标准
性能检验标准
序号
项目
一级品
二级品
1
导电类型
P型
P型
2
电阻率ρ(Ω·cm)
0.7≤ρ≤2Ω·cm
2<ρ≤4
3
少子寿命τ(μs)
τ≥2
1≤τ<2
4*
氧含量
≤1×1018atoms/cm3
≤1×1018atoms/cm3
5*
碳含量
≤8×1017atoms/cm3
≤8×1017atoms/cm3
附表2:
硅块外观尺寸检验标准
检验标准
序号
项目
一级品
二级品
1
表面外观
平整,目测无严重锯痕或划痕现象,无裂纹
2
侧面宽度
156mm±0.5mm;125±0.5mm
156mm±0.8mm;125±0.8mm
3
角度
90º±0.3º
4
倒角
角度:
45º±10º,宽度:
1.5±0.5mm
角度:
45º±10º,宽度:
1.5±1mm
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