资质认定证书附录.docx
- 文档编号:5479765
- 上传时间:2022-12-16
- 格式:DOCX
- 页数:16
- 大小:19.43KB
资质认定证书附录.docx
《资质认定证书附录.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《资质认定证书附录.docx(16页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
资质认定证书附录
序号
检测
对象
项目/参数
检测标准(方法)名称及编号(含年号)
限制
范围
说明
序号
名称
8.计量
8.1
电感
1
介质耐压
GJB1864A—2011射频固定和可变片式电感总规范
≤5kV,1.5%
2
绝缘电阻
≤1×1016Ω,0.6%
3
电感
1nH~10H,0.1%
4
Q值
≤1000,5%
5
自谐振频率
40Hz~3GHz,1%
6
直流电阻
10mΩ~100MΩ,0.01%
8.2
电容
1
绝缘电阻
GB/T2693—2001电子设备用固定电容器总规范第一部分:
通用技术指标
DC:
0.1V~1kV
电阻:
1×103Ω~1.6×1016Ω
精度为0.6%
2
耐电压
直流电压V≤5000V
3
电容量
1pF~10μF0.01%
4
损耗角正切和等效电阻
≤0.1
0.5×10-4
5
漏电流
1μA~100mA
1%
6
阻抗
100mΩ~100MΩ
0.1%
7
电容及自谐振频率
40Hz~3GHz
8
电容温度特性
-55℃~+150℃
8.3
电阻
1
直流电阻
GJB1432B—2009片式膜固定电阻器通用规范
10mΩ~100MΩ
0.01%
2
电阻温度特性
-55℃~+150℃
8.4
集成运算放大器
1
电源电流ICC
GB/T17940-2000
半导体器件集成电路第3部分:
模拟集成电路
0~100mA
2
输入失调电压VIO
0~100mV
3
输入失调电流IIO
0~100μA
4
输入偏置电流IIB
0~100μA
5
开环电压增益AVD
60dB~120dB
6
共模抑制比KCMR
60dB~120dB
7
电源电压抑制比KSVR
60dB~120dB
8
最大共模输入电压VICM
0~15V
9
输出电压峰峰值VOPP
0~40V
10
增益带宽积
G•BW
100kHz~100MHz
8.5
功率交流电源
1
频率
SJ10542-94
抗干扰型交流稳压电源测试方法
10Hz~1kHz
2
功率
≤9000VA
3
功率因数
0.00~1.00
4
负载调整率
1mV~100mV
8.6
防静电系统
1
防静电地面系统电阻和点对点电阻
SJT10694-2006
电子产品制造与应用系统防静电检测通用规范
1×105Ω~1×109Ω
2
防静电台垫系统电阻和点对点电阻
1×105Ω~1×109Ω
3
防静电工作腕带电阻
穿戴状态下系统电阻:
7.5×105Ω~1×107Ω内表面对电缆扣电阻:
≤1×105Ω
4
防静电椅系统电阻和点对点电阻
系统电阻:
1×105Ω~1×109Ω点对点电阻:
1×105Ω~1×1010Ω
5
防静电工作服电阻
1×105Ω~1×1010Ω
6
防静电鞋电阻
1×105Ω~1×109Ω
8.7
接地系统
1
接地电阻
SJT10694-2006
电子产品制造与应用系统防静电检测通用规范
0.1Ω~5Ω
8.8
环境试验设备
1
温度
GB/T5170.2-2008
电工电子产品环境试验设备检验方法温度试验设备
-80℃~200℃
2
湿度
GB/T5170.5-2008
电工电子产品环境试验设备检验方法湿热试验设备
20%RH~95%RH
8.9
微波电子材料
1
复介电常数
GB/T7265.2-1987
固体电介质微波复介电常数的测试方法
0~100(1GHz~18GHz)
2
损耗
5×10-2~6×10-5(1GHz~18GHz)
8.10
功率二极管
1
击穿电压VR
GJB128A-97
半导体分立器件试验方法
30V~3kV
2
反向直流电流IR
100nA~10mA
3
正向直流电压VF
0.1V~30V
4
工作电压VZ
0.1V~30V
8.11
双极晶体管
1
IE=0时的集电极基极击穿电压V(BR)CBO
半导体分立器件和集成电路
第7部分:
双极型晶体管GB/T4587-1994
30V~3kV
2
IC=0时的发射极基极击穿电压V(BR)EBO
30V~3kV
3
IB=0时的集电极发射极击穿电压V(BR)CEO
30V~3kV
4
IE=0时的集电极基极截止电流ICBO
100nA~10mA
5
IB=0时的集电极发射极截止电流ICEO
100nA~10mA
6
IC=0时的发射极基极截止电流IEBO
100nA~10mA
7
共发射极正向电流传输比的静态值hFE
VCE:
0.1V~+30V
IC:
10A~500A
IB:
10µA~10A
8
集电极发射极饱和电压VCEsat
VCE:
0.1V~+30V;
VBE:
-30V~+30V;
IC:
10A~500A;
IB:
10µA~10A
9
基极发射极饱和电压VBEsat
VCE:
0.1V~+30V;VBE:
-30V~+30V;
IC:
10A~500A;
IB:
10µA~10A
10
开启时间ton
可测双极型中小功率晶体三极管开关时间参数。
开关参数测量范围:
5ns~1µs
偏置电源:
IB:
1mA、3mA、10mA、30mA、50mA、60mA
IC:
10mA、30mA、100mA、300mA、500mA、600mA
极性:
NPN型、PNP型
器件功率:
≤1W
U=3.2%(k=2)
11
延迟时间td
12
上升时间tr
13
关闭时间toff
14
贮存时间ts
15
下降时间tf
16
S-参数
只测量晶体管Gp参数Gp:
(0~50)dBf:
30MHz~1GHz。
U=0.6dB(k=2)使用的测量器具HP8753B网络分析仪,可在(0~50)dB范围检测晶体管Gp参数
17
共基极输出电容
只测交流参数,晶体管电容参数:
电容:
1pF~3000pF频率:
1MHzU=(1~3)%(k=2)使用的测量器具FET3400半导体分立器件测试系统,可在1pF~3nF范围检测晶体管电容参数
8.12
场效应晶体管
1
栅—源阈值电压VGS(th)
半导体器件
分立器件
第8部分:
场效应晶体管GB/T4586-1994
电压范围-30V~+30V
2
漏极电流ID(on)
10A~500A
3
静态漏—源通态电阻rDS(on)
VDS:
0.1V~+30V;
VGS:
-30V~+30V;
ID:
10A~500A;
IG:
10µA~10A
4
漏—源“通态”电压VDS(on)
VDS:
0.1V~+30V
5
正向跨导gm
VDS:
0.1V~+30V;
VGS:
-30V~+30V;
ID:
10A~500A
6
漏—源击穿电压V(BR)DSS
30V~3kV
7
栅—源短路时的漏极电流IDSS
100nA~10mA
8
漏—源短路时栅极截止电流IGSS
100nA~10mA
9
小信号短路输入、输出电容
频率:
1MHz
电容:
1pF~3000pF
U=(1~3)%(k=2)
10
小信号短路输出电导
8.13
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
1
集电极—发射极的击穿电压V(BR)CEO
半导体器件
分立器件
第8部分:
场效应晶体管GB/T4586-1994
30V~3kV
2
发射极—集电极的击穿电压V(BR)ECO
30V~3kV
3
集电极—发射极的饱和电压VCEsat
VCE:
0.1V~+30V
4
栅极阈电压VGE(th)
VGE:
0.1V~+30V
5
零栅压时的集电极电流ICES
100nA~10mA
6
栅极—发射极的漏电流IGES
100nA~10mA
7
正向跨导gm
VCE:
01V~+30V
VGE:
-30V~30V
IC:
10A~500A
8.14
J型场效应管(JFET)
1
栅源截止电压VGS(off)
半导体器件
分立器件
第8部分:
场效应晶体管GB/T4586-1994
VGS:
-30V~+30V
2
饱和漏极电流IDSS
ID:
10µA~10A
3
跨导gfs
VDS:
-30V~+30V
VGS:
-30V~30V
ID:
10µA~10A
IG:
10µA~10A
4
栅极截止电流IGSS
100nA~10mA
5
源栅开路电压VSGO
30V~3kV
6
漏栅开路电压VDGO
30V~3kV
8.15
固态微波功率器件(100MHz~18GHz)
1
输出功率
微波电路放大器测试方法SJ20645-97
-30dBm~+50dBm
2
功率增益
0~40dB
3
功率增益平坦度
0~10dB
4
1dB压缩点输出功率
0~50dBm
5
1dB压缩点功率增益
0~40dB
8.16
洁净间测试
1
洁净度
洁净室施工及验收规范(E.4、E.5)GB50591-2010
只测:
5级~9级
2
温、湿度
只测:
温度15℃~30℃,
湿度:
20%RH~60%RH
8.17
单轴MEMS加速度计(冲击)
1
只测:
灵敏度、满量程输出
单轴摆式伺服线加速度计试验方法GJB1037A-2004
15g~1500g(g=9.80665m/s2)
8.18
单轴MEMS加速度计(振动)
1
只测:
满量程输出、频率响应范围、灵敏度
单轴摆式伺服线加速度计试验方法GJB1037A-2004
1g~50g(g=9.80665m/s2)
8.19
三轴MEMS加速度计(冲击)
1
只测:
灵敏度、满量程输出
单轴摆式伺服线加速度计试验方法GJB1037A-2004
15g~1500g(g=9.80665m/s2)
8.20
三轴MEMS加速度计(振动)
1
只测:
满量程输出量程、频率响应范围、灵敏度
单轴摆式伺服线加速度计试验方法GJB1037A-2004
1g~50g(g=9.80665m/s2)
8.21
MEMS湿度传感器
1
只测:
湿度偏差
高分子湿度传感器总规范SJ20760-1999
20%RH~95%RH
8.22
信号(包括开关)和调整二极管
1
反向电流
GB/T6571-1995
半导体器件分立器件第3部分:
信号(包括开关)和调整二极管
100pA~100mA
2
正向电压
0.1V~30V
8.23
半导体器件
1
热阻
JESD51-14(2010)
基于瞬态双界面法的单一路径散热半导体器件结壳热阻测试方法
电流施加:
0.5mA~50A
电压施加:
10mV~30V
电压测量:
1mV~4.9V
K系数校正温度:
20℃~150℃
定时:
5us~1000s
8.24
功率MOSFET器件
1
栅极电荷
MIL-STD-750F半导体器件试验方法方法3471.2
漏极电流:
1A~150A;
栅极电流:
±(0.1mA~200mA);
漏极电压:
±(5V~15V);
栅极电压:
1V~600V;
栅极电荷:
5nC~500nC;
8.25
微电子元件关键几何特征
1
线宽
GB/T16594-1996微米级长度的扫描电镜测量方法TCL/O-WD-5001微电子芯片关键几何尺寸测量方法
0μm~5000μm
2
线长
0μm~5000μm
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 资质 认定 证书 附录