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无机材料科学基础题库选择题
选择题
1.NaCl型结构中,Cl-按立方最紧密方式堆积,Na+充填于(B)之中。
A、全部四面体空隙B、全部八面体空隙C、1/2四面体空隙D、1/2八面体空隙
2.在析晶过程中,若∆T较大,则获得的晶粒为(A)
A、数目多而尺寸小的细晶B、数目少而尺寸大的粗晶C、数目多且尺寸大的粗晶D、数目少且尺寸小的细晶
3.在熔体中加入网络变性体会使得熔体的析晶能力(c):
a.不变b.减弱c.增大
4.在烧结过程的传质方式中,不会使坯体致密的是(a)
a.扩散传质b.溶解-沉淀传质c.蒸发-凝聚传质d.流动传质
5.过冷度愈大,临界晶核半径(c)相应的相变(e)
a.不变b.愈大c.愈小d.愈难进行e.愈易进行f.不受影响
6.从防止二次再结晶的角度考虑,起始粒径必须(c)
a.细b.粗c.细而均匀d.粗但均匀
7.根据晶界两边原子排列的连贯性来划分,在多晶体材料中主要是(B)
A、共格晶界B、非共格晶界C、半共格晶界
8.玻璃结构参数中的Z一般是已知的,请问硼酸盐玻璃的Z=(B)
A、2B、3C、4D、5
9.石英晶体结构属于(d)
a.岛状结构b.链状结构c.层状结构d.架状结构
10.在离子型化合物中,晶粒内部扩散系数Db,晶界区域扩散系数Dg和表面区域扩散系数Ds三者中(C)最大
A、DbB、DgC、Ds
11.系统
中的独立组分数为(d)
a.5b.4c.3d.2
12.熔体系统中组成越简单,则熔体析晶(B)
A、不受影响B、越容易C、越难
13.过冷度越大,相应的成核位垒(b),临界晶核半径(b),析晶能力(a)
a.越大b.越小c.不变
14.下列选项中不属于马氏体相变的特征的是(B)
A、相变后存在习性平面B、属扩散型相变C、新相与母相间有严格的取向关系D、在一个温度范围内进行E、速度很快
15.颗粒不同部位的空位浓度存在差异,下列区域中(b)处的空位浓度最大
A、晶粒内部B、颈部表面张应力区C、受压应力的颗粒接触中心
16.塑性泥团中颗粒之间最主要的吸力为(B)
A、范德华力B、毛细管力C、局部边-面静电引力
17.CaTiO3(钛酸钙)型结构中,Ca2+和O2-共同组成立方紧密堆积,Ca2+占据立方面心的角顶位置,O2-占据立方面心的面心位置,Ti4+充填于(d)之间。
a.全部八面体空隙b.1/8四面体空隙c.1/2八面体空隙d.1/4八面体空隙
18.在下列几类晶体中,形成间隙型固溶体的难易次序(由易到难)是(B)。
A、NaCl>TiO2>CaF2B、CaF2>TiO2>NaClC、CaF2>NaCl>TiO2
19.一晶面在三晶轴上的截距分别为3a,3b,2c,该晶面的晶面指数为(d)
a.(332)b.(112)c.(321)d.(223)
20.从防止二次再结晶的角度考虑,起始原料的粒径应当(a)
a.细而均匀b.粗而均匀c.细而不均匀d.粗而不均匀
21.下列质点迁移微观机构中,(B)最适用于置换型固溶体的扩散。
A、易位机构B、空位机构C、亚间隙机构D、间隙机构
22.在晶粒生长过程中晶界(a)
a.向凸面曲率中心移动b.背离凸面曲率中心移动c.不移动
23.当O/Si比趋近于2时,Li2O-SiO2、Na2O-SiO2、K2O-SiO2三种熔体的粘度大小次序为(a)
a.Li2O-SiO2 c.Li2O-SiO2 24.划分单位平行六面体时,在满足对称性关系之后应考虑(B) A、体积最小B、棱间直角关系最多C、结点间距最小 25.根据开尔文方程,固体颗粒越小,其熔化温度(A) A、越低B、越高C、不变 26.若有一个变价金属氧化物XO,在还原气氛下形成阴离子缺位型非化学计量化合物,金属元素X和氧原子数之比为X: O=1.1: 1,则其化学式应为(c) a.X1.1Ob.XO0.90c.XO0.91d.XO1.1 27.K2O.Al2O3.4SiO2-SiO2系统的独立组分数为(c) a.4b.3c.2d.1 28.一晶面的晶面指数为(220),则其与c轴的关系为(B) A、垂直B、平行C、相交(非90°) 29.若有n个等大球体作最紧密堆积,就必有(a)个八面体空隙。 a.n个b.2n个c.3n个d.4n个 30.烧结过程中,只改变气孔形状不引起坯体致密化的传质方式是(C) A、扩散传质B、流动传质C、蒸发-凝聚传质D、溶解-沉淀传质 31.当O/Si比趋近于4时,Li2O-SiO2、Na2O-SiO2、K2O-SiO2三种熔体的粘度大小次序为() a.Li2O-SiO2 c.Li2O-SiO2 32.右图为具有L22P对称的一个平面点阵,现要选取此平面点阵的基本单位,图中给出了六种可能的划分方式,若根据划分平行六面体的原则中第一条进行选取,被排除的有(def) a.1b.2c.3d.4e.5f.6 33.下列选项中不属于晶体的基本性质的是(B) A、最小内能性B、各向同性C、对称性D、自限性 34.根据开尔文方程,固体颗粒越小,其溶解度(a) a.越小b.越大c.不变 35.若有一个变价金属氧化物XO,在氧化气氛下形成阳离子空位型非化学计量化合物,金属元素X和氧原子数之比为X: O=1: 1.1,则其化学式应为() a.XO1.1b.X0.90Oc.X0.91Od.X1.1O 36.从工艺的角度考虑,下列选项中不是造成二次再结晶的原因的是(B) A、原始粒度不均匀B、烧结温度过低C、烧结速率太快D、坯体成型压力不均匀 37、二元化合物AmBn若正离子的配位数为6,负离子的配位数为(B) A、m/nB、6m/nC、n/mD、n/6m 38、下列矿物中,属于架状结构的是(D) A、Mg2[SiO4]B、Ca2Mg2[Si4O11]C、Be3Al2[Si6O18]D、Ca[Al2Si2O8] 39、在氧化气氛下,FeO形成非化学计量化合物,铁空位浓度与氧分压关系为(A) A、1/6B、-1/6C、1/4D、-1/4 40、在1850℃,15mol%CaO的添加到ZrO2中,形成的固溶体的化学式为(C) A、Zr0.925Ca0.15O2B、Zr0.85Ca0..3O2C、Zr0.85Ca0.15O1.85D、Zr0.85Ca0.15O2 41、2Na2O·CaO·Al2O3·2SiO2的玻璃中,结构参数Y(C) A、2.25B、2.5C、3D、3.5 42、O2-在UO2晶体中的扩散机制为(B) A、空位B、间隙C、易位 43、刃位错位错线与柏格斯矢量关系(B) A、平行B、垂直C、相交 44、离子晶体中的空位扩散,扩散活化能随材料的熔点升高() A、增加B、减小C、不变 45、为提高陶瓷坯釉的附着力,应降低(A、C) A、γSLB、γSVC、γLV 46、P42晶系属于(B) A、三方B、四方C、立方D、正交 47、Pm3m晶系属于(C) A、三方B、四方C、立方D、正交 48.下列晶体结构缺陷中缺陷浓度主要受气氛分压影响的是(C) A、肖特基缺陷B、弗伦克尔缺陷C、非化学计量化合物d.固溶体 49.下列质点迁移微观机构中,(b)最适用于置换型固溶体的扩散 a.间隙机构b.空位机构c.亚间隙机构d.易位机构 50.右图为具有L44P对称的一个平面点阵,现要选取此平面点阵的基本单位,图中给出了六种可能的划分方式,若根据划分平行六面体的原则中第一条进行选取,不被排除的有(d,e) a.1b.2c.3d.4e.5f.6 51.在晶粒生长过程中晶界(a) a.向凸面曲率中心移动b.背离凸面曲率中心移动c.不移动 52.K2O.Al2O3.4SiO2-SiO2系统的独立组分数为(C) A、4B、3C、2D、1 53.在析晶过程中,若△T较大,则获得的晶粒为(a) a.数目多而尺寸小的细晶b.数目少而尺寸大的粗晶c.数目多且尺寸大的粗晶d.数目少且尺寸小的细晶 54.目前常用γGB晶界能和γSV表面能之比值来衡量烧结的难易,若材料γGB/γSV越大,则(a) a.愈容易烧结b.对烧结无影响c.愈难烧结 55.伯格斯矢量与位错线垂直的位错称为(b) a.螺型位错b.刃型位错c.混合位错 56.在熔体中加入网络变性体会使得熔体的析晶能力(c): a.不变b.减弱c.增大 57.塑性泥团中颗粒之间最主要的吸引力为(c) a.范德华力b.静电引力c.毛细管力 58.在7个晶系中,晶体几何常数为: a=b=c,α=β=γ≠90°的是(c) a.六方晶系b.四方晶系c.三方晶系d.正交晶系 59.NaCl型结构中,Cl-按立方最紧密方式堆积,Na+充填于(b)之中 a.全部四面体空隙b.全部八面体空隙c.1/2四面体空隙d.1/2八面体空隙 60.下列质点迁移微观机构中,(a)最适用于间隙型固溶体的扩散 a.间隙机构b.空位机构c.亚间隙机构d.易位机构 61.划分单位平行六面体时,在满足对称性关系之后应考虑(b) a.体积最小b.棱间直角关系最多c.结点间距最小 62.在烧结过程中,只改变气孔形状不引起坯体收缩的传质方式是(c) a.扩散传质b.溶解-沉淀传质c.蒸发-凝聚传质d.流动传质 63.过冷度越大,相应的成核位垒(b),临界晶核半径(b),析晶能力(a) a.越大b.越小c.不变 64.在离子型化合物中晶粒内部扩散系数Db,晶界区域扩散系数Dg和表面区域扩散系数Ds之间的关系应为(b)。 a.Db>Dg>Dsb.Ds>Dg>Dbc.Dg>Ds>Db 65.均匀成核与非均匀成核相比(b)更容易进行? a.均匀成核b.非均匀成核c.二者一样 66.在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子,这样的缺陷称为(b) a.肖特基缺陷b.弗伦克尔缺陷c.间隙缺陷 67.在质点迁移的空位机构中,当温度较高时以(b)为主 a.非本征扩散b.本征扩散c.非化学计量空位扩散 68.过冷度愈大,临界晶核半径(c)相应地相变(e) a.不变b.愈大c.愈小d.愈难进行e.愈易进行f.不受影响 69.若有一个变价金属氧化物XO,在还原气氛下形成阴离子缺位型非化学计量化合物,金属元素X和氧原子数之比为X: O=1.2: 1,则其化学式应为(b) a.X1.2Ob.XO0.83c.XO0.91d.XO1.2 70.立方结构的(112)与(113)晶面同属于(a)晶带轴。 a.[110]b.[111]c.[211] 71.下列关于电动电位的描述错误的是(b) a.由一价阳离子饱和的粘土其ζ-电位大于由三价阳离子饱和的同种粘土 b.对于同价阳离子饱和的粘土而言,随着离子半径增大ζ-电位增大 c.由同种阳离子饱和的粘土,随着离子浓度增大ζ-电位减小 72.菲克第一定律描述了稳态扩散的特征,即扩散物质的浓度不随(b)变化。 a.距离b.时间c.温度 73.划分单位平行六面体时,在满足对称性关系之后应考虑(b) a.体积最小b.棱间直角关系最多c.结点间距最小 74.在硅酸盐熔体中,当R=O/Si减小时,相应熔体组成和性质的变化是: 非桥氧百分数(b),熔体粘度(a),熔体析晶倾向(b) a.增大b.减小c.不变 75.下列质点迁移微观机构中,(b)最适用于置换型固溶体的扩散 a.间隙机构b.空位机构c.亚间隙机构d.易位机构 76.晶核生长速率u与温度的关系为(C) A、随温度的升高而增大B、随温度的升高而减小 C、随温度的升高先增大后减小D、随温度的升高先减小后增大 77.在烧结过程中不会引起坯体致密化的传质方式是(d) a.溶解-沉淀传质b.扩散传质c.流动传质d.蒸发-凝聚传质 79.晶体结构中所存在的一切对称要素的集合称为(c) a.聚形b.点群c.空间群d.平移群 80.右图为具有L44P对称的一个平面点阵,现要选取此平面点阵的基本单位,图中给出了六种可能的划分方式,若根据划分平行六面体的原则中第一条进行选取,不被排除的有(a,b) a.1b.2c.3d.4e.5f.6 81.同价阳离子饱和的粘土,其ζ-电位随着离子半径增大而(b) a.增大b.减小c.不变 82.Si: O趋近于1/2时硅酸盐晶体的结构类型为(d) a.岛状b.链状c.层状d.架状 83.玻璃结构参数中的z一般是已知的,其中硼酸盐玻璃的z=(b) a.2b.3c.4d.5 84.在晶粒生长过程中晶界(c) a.不移动b.背离凸面曲率中心移动c.向凸面曲率中心移动 85.塑性泥团中颗粒之间最主要的吸引力为(c) a.范德华力b.静电引力c.毛细管力 86.在晶核形成过程中,临界晶核半径愈大,则相变(c) a.愈易进行b.不受影响c.愈难进行 87.Na2O.Al2O3.4SiO2-SiO2系统的独立组分数为(c) a.4b.3c.2d.1 88.立方晶体中的[001]方向是(b) a.二次对称轴b.四次对称轴c.六次对称轴 89.粘土颗粒周围存在附着定向的水分子层和水化阳离子,这部分水称为(b) a.结构水b.结合水c.自由水 90.宏观晶体中所有对称要素的集合称为(a) a.空间群b.平移群c.点群 91.在置换型固溶体中,原子扩散的方式一般为(c) a.原子互换机制b.间隙机制c.空位机制 92.α-石英与α-方石英之间的晶型转变属于(a) a.重建型相变b.位移型相变c.扩散型相变 1、极化会对晶体结构产生显著影响,可使键性由(B)过渡,最终使晶体结构类型发生变化。 A: 共价键向离子键B: 离子键向共价键 C: 金属键向共价键D: 键金属向离子键 2、离子晶体中,由于离子的极化作用,通常使正负离子间的距离(B),离子配位数()。 A: 增大,降低B: 减小,降低 C: 减小,增大D: 增大,增大 3、氯化钠具有面心立方结构,其晶胞分子数是(C)。 A: 5B: 6 C: 4D: 3 4、NaCl单位晶胞中的“分子数”为4,Na+填充在Cl-所构成的(B)空隙中。 A: 全部四面体B: 全部八面体 C: 1/2四面体D: 1/2八面体 5、CsCl单位晶胞中的“分子数”为1,Cs+填充在Cl-所构成的(C)空隙中。 A: 全部四面体B: 全部八面体 C: 全部立方体D: 1/2八面体 6、MgO晶体属NaCl型结构,由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子组成,其一个单位晶胞中有(B)个MgO分子。 A: 2B: 4 C: 6D: 8 7、萤石晶体可以看作是Ca2+作面心立方堆积,F-填充了(D)。 A: 八面体空隙的半数B: 四面体空隙的半数 C: 全部八面体空隙D: 全部四面体空隙 8、萤石晶体中Ca2+的配位数为8,F-配位数为(B)。 A: 2B: 4 C: 6D: 8 9、CsCl晶体中Cs+的配位数为8,Cl-的配位数为(D)。 A: 2B: 4 C: 6D: 8 10、硅酸盐晶体的分类原则是(B)。 A: 正负离子的个数B: 结构中的硅氧比 C: 化学组成D: 离子半径 11、锆英石Zr[SiO4]是(A)。 A: 岛状结构B: 层状结构 C: 链状结构D: 架状结构 12、硅酸盐晶体中常有少量Si4+被Al3+取代,这种现象称为(C)。 A: 同质多晶B: 有序—无序转变 C: 同晶置换D: 马氏体转变 13.镁橄榄石Mg2[SiO4]是(A)。 A: 岛状结构B: 层状结构 C: 链状结构D: 架状结构 14、对沸石、萤石、MgO三类晶体具有的空隙体积相比较,其由大到小的顺序为(A)。 A: 沸石>萤石>MgOB: 沸石>MgO>萤石 C: 萤石>沸石>MgOD: 萤石>MgO>沸石 15、根据鲍林(Pauling)规则,离子晶体MX2中二价阳离子的配位数为8时,一价阴离子的配位数为(B)。 A: 2 B: 4 C: 6 D: 8 16、构成硅酸盐晶体的基本结构单元[SiO4]四面体,两个相邻的[SiO4]四面体之间只能(A)连接。 A: 共顶 B: 共面 C: 共棱 D: A+B+C 17、点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关,以下点缺陷中属于本征缺陷的是(D)。 A: 弗仑克尔缺陷B: 肖特基缺陷 C: 杂质缺陷D: A+B 18、位错的(A)是指在热缺陷的作用下,位错在垂直滑移方向的运动,结果导致空位或间隙原子的增值或减少。 A: 攀移B: 攀移 C: 增值D: 减少 19、对于形成杂质缺陷而言,低价正离子占据高价正离子位置时,该位置带有负电荷,为了保持电中性,会产生(D)。 A: 负离子空位B: 间隙正离子 C: 间隙负离子D: A或B 20、对于形成杂质缺陷而言,高价正离子占据低价正离子位置时,该位置带有正电荷,为了保持电中性,会产生(D)。 A: 正离子空位B: 间隙负离子 C: 负离子空位D: A或B 21、形成固溶体后对晶体的性质将产生影响,主要表现为(D)。 A: 稳定晶格B: 活化晶格 C: 固溶强化D: A+B+C 22、固溶体的特点是掺入外来杂质原子后原来的晶体结构不发生转变,但点阵畸变,性能变化。 固溶体有有限和无限之分,其中(B)。 A: 结构相同是无限固溶的充要条件 B: 结构相同是无限固溶的必要条件,不是充分条件 C: 结构相同是有限固溶的必要条件 D: 结构相同不是形成固溶体的条件 23、缺陷对晶体的性能有重要影响,常见的缺陷为(D)。 A: 点缺陷B: 线缺陷 C: 面缺陷D: A+B+C 24、按照晶体结构缺陷形成的原因,可将晶体结构缺陷的类型分为(D)。 A: 热缺陷B: 杂质缺陷 C: 非化学计量缺陷D: A+B+C 25、晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而增加,其变化规律是(B)。 A: 线性增加B: 呈指数规律增加 C: 无规律D: 线性减少 26、间隙式固溶体亦称填隙式固溶体,其溶质原子位于点阵的间隙中。 讨论形成间隙型固溶体的条件须考虑(D)。 A: 杂质质点大小B: 晶体(基质)结构 C: 电价因素D: A+B+C 27、位错的滑移是指位错在(A)作用下,在滑移面上的运动,结果导致永久形变。 A: 外力B: 热应力 C: 化学力D: 结构应力 28、柏格斯矢量(BurgersVector)与位错线垂直的位错称为(A),其符号表示为()。 A: 刃位错;⊥B: 刃位错;VXC: 螺位错;D: 刃位错; 29、热缺陷亦称为本征缺陷,是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点(原子或离子)。 当离子晶体生成肖特基缺陷(Schottkydefect)时,(B)。 A: 正离子空位和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的缩小 B: 正离子空位和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的增加 C: 正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的增加 D: 正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的增加 30、热缺陷亦称为本征缺陷,是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点(原子或离子)。 生成弗仑克尔缺陷(Frenkeldefect)时,(A)。 A: 间隙和空位质点同时成对出现 B: 正离子空位和负离子空位同时成对出现 C: 正离子间隙和负离子间隙同时成对出现 D: 正离子间隙和位错同时成对出现 31、位错的具有重要的性质,下列说法不正确的是(C)。 A: 位错不一定是直线B: 位错是已滑移区和未滑移区的边界 C: 位错可以中断于晶体内部D: 位错不能中断于晶体内部 32、位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移,其中(A)。 A: 螺位错只作滑移,刃位错既可滑移又可攀移 B: 刃位错只作滑移,螺位错只作攀移 C: 螺位错只作攀移,刃位错既可滑移又可滑移 D: 螺位错只作滑移,刃位错只作攀移 33、硅酸盐熔体中各种聚合程度的聚合物浓度(数量)受(D)因素的影响。 A: 组成B: 温度 C: 时间D: A+B+C 34、当熔体组成不变时,随温度升高,低聚物数量(C),粘度()。 A: 降低;增加B: 不变;降低 C: 增加;降低D: 增加;不变 35、当温度不变时,熔体组成的O/Si比高,低聚物(C),粘度()。 A: 降低;增加B: 不变;降低 C: 增加;降低D: 增加;不变 36、硅酸盐熔体的粘度随O/Si升高而(B),随温度下降而()。 A: 增大,降低B: 降低,增大 C: 增大,增大D: 降低,降低 37、由结晶化学观点知,具有(A)的氧化物容易形成玻璃。 A: 极性共价键 B: 离子键 C: 共价键 D: 金属键 38、Na2O·Al2O3·4SiO2熔体的桥氧数为(D)。 A: 1B: 2 C: 3D: 4 39、Na2O•CaO•Al2O3•SiO2玻璃的桥氧数为(B)。 A: 2.5
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