完整word版晶体二极管和二极管整流电路试题.docx

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完整word版晶体二极管和二极管整流电路试题

晶体二极管

一、选择题（每题分，计分）

1。

二极管正向导通时，呈现（）

A.较小电阻B。

较大电阻C。

不稳定电阻D.无法确定

2。

硅稳压管稳压电路适用于（）

A。

输出电流较大、输出电压可调、稳定性能要求较高的场合

B.输出电流不大、输出电压固定、稳定性能要求不高的场合

C。

输出电流不大、输出电压可调、稳定性能要求较高的场合

D。

输出电流较大、输出电压固定、稳定性能要求不高的场合

3.关于晶体二极管的正确叙述是（）

A。

普通二极管反向击穿后,很大的反向电流使PN结温度迅速升高而烧坏

B。

普通二极管发生热击穿,不发生电击穿

C。

硅稳压二极管只发生电击穿，不发生热击穿,所以要串接电阻降压

D.以上说法都不对

4.硅材料二极管的正向压降一般为（）V

A。

0。

2B.0.3C。

0.5D.0。

7

5。

通常要求二极管正反向电阻相差（）

A.越小越好B。

越大越好C.无差别较好D.无穷大最好

6。

判别二极管的极性是用万用表的（）

A.电阻挡B。

直流电压挡C。

直流电流挡D.交流电流挡

7。

二极管两端加正向电压时（）

A。

一定导通B.超过死区电压才导通

C.超过0。

7V导通D。

超过0。

3V才导通

8.二极管的正向电阻与反向电阻关系是（）

A.正向电阻远大于反向电阻B。

正向电阻远小于反向电阻

C.正向电阻等于反向电阻D.无法确定

9.用万用表判断发光二极管正负性时，一般选用电阻量程（）

A。

R×1B。

R×10C。

R×100或R×1KD.R×10K

10.如图，电源接通后，正确说法为（）

A。

H1、H2、H都可能亮B。

H1、H2、H都不亮

C.H1可能亮,H2、H不亮D。

H不亮，H1、H2可能亮

11。

下列说法正确的是（）

A.N型半导体带负电B。

P型半导体带正电

C.PN结型半导体为电中性体

D。

PN结内存在着内电场，短接两端会有电流产生

12。

PN结的主要特性为（）

A.正向导通特性B。

单向导电性C.反向击穿特性D。

反向截止特性

13.当环境温度升高时,半导体二极管的反向饱和电流将（）

A.减小B.不变C.增大D.消失

14.从二极管的伏安特性可以看出,二极管两端压降大于（）时，处于正向导通状态

A.0B。

死区电压C。

反向击穿电压D.正向压降

15。

半导体在外电场作用下,（）做定向移动形成电流

A.电子B.空穴C。

电子和空穴D。

无法确定

16.单相半波整流电容滤波电路，当负载开路时，输出电压为（）

A.0B。

U2C.0.45U2D.U2

17。

当温度升高时，二极管反向饱和电流将（）

A.增大B。

减小C.不变D.等于零

18。

二极管导通后，当流过它的电流增加一倍时，它两端的电压将（）

A。

增加一倍B。

略有增加C.增加一倍以上D.不变

19。

用万用表的“R×10"档和“R×100”档测量同一个二极管的正向电阻，两次测得的值分别为R1和R2，则二者相比（）

A.R1〉R2B。

R1=R2C。

R1

说不清哪个大

20。

晶体二极管正向偏置是指（）

A。

正极接高电位，负极接低电位B。

正极接低电位，负极接高电位

C.二极管没有正负极之分D.二极管的极性任意接

21.半导体中的导电粒子有（）

A。

自由电子B.正电荷C。

空穴D.自由电子和空穴

22。

如图，V为理想二极管，描述正确的是（）

A.V导通，VAB=0VB。

V导通,VAB=15V

C。

V截止，VAB=12VD。

V截止,VAB=3V

23.二极管内部是由（）所构成的。

A.一个PN结B.两个PN结

C.两块N型半导体D。

两块P型半导体

24。

用万用表欧姆挡测量晶体管性能时，一般选择R×100或R×1k倍率挡，这是因为R×10k高倍率挡电压较高，而欧姆挡的低倍率挡的（）

A.内阻较小，电流较大B。

内阻较大，电流较小

C。

内阻较小，电流较小D.内阻较大,电流较大

25。

PN结的P区接电源负极、N区接电源正极，称为（）偏置接法。

A.正向B.反向C.零D.反向或零

26。

二极管正向导通的条件是其正向电压值（）

A。

〉0VB。

〉0。

3VC。

>0。

7VD。

〉死区电压

27.不能用R×10K档测量二极管的原因是该档位（）

A。

电源电压过大，易使二极管击穿B.电流过大,易使二极管烧毁

C.内阻太小，易使二极管烧毁D。

电源电压过低，不能使二极管导通

28。

若用万用表测得某二极管的正反向电阻均很大,则说明该二极管（）

A.很好B.已失去单向导电性

C.已击穿D.内部已断路

29.图所示电路中已知稳压管VDZ的稳定电压为7V，则回路中的电流为（）

A。

零B.10mAC.25mAD.5。

75mA

30.二极管正极电位为—10V，负极为-5V,则二极管处于（）

A。

正偏B。

反偏C.零偏D。

无法确定

31.二极管两端加上正向电压时（）。

A。

立即导通B.超过击穿电压就导通

C.超过饱和电压就导通D。

超过死区电压就导通

32.电容滤波器的滤波原理是根据电路状态改变时，其（）

A。

电容的数值不能跃变B。

通过电容的电流不能跃变

C。

电容的端电压不能跃变D.电容的容抗不能跃变

33.PN结加正向电压时，空间电荷区将（）

A。

变窄B。

基本不变C.变宽D.不确定

34.在本征半导体中加入（）元素可形成N型半导体

A。

五价B.四价C。

三价D.六价

35。

在本征半导体中加入（）元素可形成P型半导体

A。

五价B。

四价C。

三价D。

六价

36.整流的目的是（）

A。

将交流变为直流B。

将高频变为低频C.将正弦波变为方波

37。

在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反,则（）

A.输出电压约为2UDB.变为半波直流C。

整流管将因电流过大而烧坏

38.直流稳压电源中滤波电路的目的是（）

A。

将交流变为直流B.将高频变为低频

C。

将交、直流混合量中的交流成分滤掉

39。

若单相桥式整流电路中有一只二极管已断路，则该电路（）

A.不能工作B。

输出电压上升C。

输出电压下降D.输出电压不变

40。

用万用表测量小功率晶体二极管性能好坏时，就将欧姆表拨到（）

A。

R×100或R×1KB.R×1C.R×10KD.R×10

41.当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（）

A.少数载流子B。

多数载流子C。

既有少数载流子也有多数载流子

42.用一只直流电压表测量一只接在电路中的稳压二极管（2CW13）的电压，发现读数只有0。

7V，这表明该稳压管（）

A.工作正常B.反接C。

已经击穿D。

已经开路

43.稳压二极管的稳压功能是利用（）特性来实现的。

A.PN结的反向击穿B。

PN结单向导电C。

PN结截止D.PN结导通

44.P型半导体中（）

A.空穴是多数载流子,电子是少数载流子B.没有电子

C。

空穴数量略多于电子

45。

在硅稳压管稳压电路中，稳压管与负载（）

A.串联B。

并联C.有时串联有时并联D。

混联

46.某单相桥式整流电路中有一只二极管断路，则该电路（）

A。

不能工作B.仍能工作C.输出电压降低D.输出电压升高

47.图示符号中，表示发光二极管的为（）

48。

在整流电路的负载两端并联一大电容，其输出电压脉动的大小将随着负载电阻和电容量的增加而（）

A.增大B.减少C.不变D.无关

49.利用电抗元件的（）特性能实现滤波

A。

延时B。

储能C。

稳压D。

负阻

50.若单相桥式整流电路中,某种二极管被击穿短路，则电路（）

A。

仍可正常工作B。

不能正常工作C.输出电压降低D。

输出电压升高

51。

单相桥式整流电路中，通过二极管的平均电流等于输出平均电流的（）

A。

1/4B.1/2C.1D.1/3

52。

某硅二极管反向击穿电压为150伏,则其最高反向工作电压（）

A.约等于150伏B。

可略大于150伏C.不得大于40伏D.等于75伏

53.某单相桥式整流电路,变压器次级电压为U2，当负载开路时，整流输出电压为（）

A.0.9U2B。

U2C.2U2D.1。

2U2

54。

在直流稳压电源中加滤波电路的主要目的是（）

A.变交流电为直流电B.去掉脉动直流中的脉动成分

C.将高频变为低频D。

将正弦交流电变为脉冲信号

55。

单相桥式整流电路输出电压平均值为变压器次级电压有效值的（）倍

A.0。

9B。

0.45C。

0。

707D.1

56.单相半波整流电路输出电压平均值为变压器次级电压有效值的（）倍

A。

0.9B。

0。

45C。

0。

707D。

1

57.整流电路输出的电压属于（）

A.平直直流电压B.交流电压C。

脉动直流电压D。

稳恒直流电压

58.测量二极管正向电阻时，若两手将两管脚捏紧，电阻值将会（）

A。

变大B。

变小C。

不变D。

不能确定

59.把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（）

A.基本正常B。

将被击穿C.将被烧坏D.电流为0

60。

直流稳压电源中,采取稳压措施是为了（）

A。

消除整流电路输出电压的交流分量B。

将电网提供的交流电转化为直流电

C。

保持输出直流电压不受电网电压波动和负载变化的影响

61.单相整流电路中，二极管承受的反向电压最大值出现在二极管（）

A。

截止时B.导通时C。

由导通转截止时D.由截止转导通时

62.在整流电路负载的两端并联一个大容量的电容，其输出波形的脉动性将（）

A.增大B.不变C。

减小D。

无穷大

63.单相桥式整流电路中，变压器副边线圈两端电压有效值为8V,则输出电压约为（B）

A。

3。

6VB。

7.2VC.8.8VD。

11。

2V

64.在桥式整流电路中，如果不小心把一只二极管接反了，则电路可能（C）

A。

仍是桥式整流电路B.变成半波整流电路

C。

出现严重问题D。

输出的是正弦波

65.并联型直流稳压电路中，稳压管与负载（B）

A串联B并联C混联D串联或并联都行

66。

在直流稳压电源中，加滤波电路的主要作用是（A）

A。

去掉脉动直流电中的脉动成分B.将高频信号变成低频信号

C.去掉正弦波信号中的脉动成分D.将交流电变直流电

67。

对于晶体二极管来说，以下说法错误的是（D）

A.正向电阻很小B.具有单向导电性

C.正向电压越大，流过二极管的电流越大

D.无论加多大反向电压都不会导通

68。

如果用万用表测得二极管的正、反电阻都很大，则二极管（）

A.特性良好B.内部开路C。

功能正常D.已被击穿

69。

如果用万用表测得的正反电阻都很小，则二极管（）

A.特性良好B。

内部开路C.功能正常D。

已被击穿

70。

稳压管是利用其伏安的（）区特性进行稳压的

A.反向B.反向击穿C.正向起始D。

正向导通

71。

稳压管的动态电阻rz（），稳压性能越好

A。

越大B。

越小C。

等于lD。

等于0

72.硅稳压管稳压电路适用于（）的电气设备

A。

电压稳定度要求不高B。

输出电流大

C。

电压稳定度要求高D。

输出电流小

73.整流电路加滤波器的主要作用是（）

A。

限制输出电流B.减少输出电压脉动程度

C。

降低输出电压D。

提高输出电压

74。

当稳压管在正常稳压工作时，其两端施加的外部电压的特点为（）

A。

反向偏置但不击穿B.正向偏置但不击穿

C。

反向偏置且被击穿D.正向偏置且被击穿

75。

锗材料二极管的“死区"电压（）V.

A。

0。

7B。

0.5C。

0。

3D.0.2

76。

硅稳压管稳压电路中限流电阻的作用是（）,

A。

调节电压B.限制电流

C.提供偏流D.兼有调节电压和限制电流的作用

77.关于N型半导体的下列说法，错误的是（）

A.自由电了是多数载流子

B。

在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极

C。

在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体

D。

在PNP型晶体管中，基区是N型半导体

78。

用直流电压表测量一只接在电路中的稳压管的电压，读数只有0。

7V，这种情况说明该稳压管（）

A.正向接法B.反向接法C.已经击穿D.工作正常

79。

整流电路加滤波器的主要作用是（）

A。

提高输出电压B.减小输出电压脉动程度

C。

减小输出电压中的交流成分D.限制输出电流、降低输出电压

80.图所示，电容器在电路中的作用是（）

A.滤波B.整流C。

通交隔直D。

通直隔交

81.单相半波整流电路，接入电容滤波器后，整流二极管在一个周期内的导通时间将（）

A.不变B。

缩短C。

延长D.与单相仝波整流电路相同

82。

直流稳压电源中，滤波电路的作用是（）

A.将交流电变为较平滑的直流电B。

将交流电变为稳定的直流电

C.滤除直流电中的交流成分D.将交流电变为脉动直流电

83.在整流电路中,设整流电流平均值为

，则流过每只二极管的电流平均值

的电路是（）

A.单相桥式整流电路B.单相半波整流电路

C.单相全波整流电路D。

以上都不行

84。

稳压二极管一般工作在（）状态

A。

正向导通B.反向截止C。

反向击穿D.单向导电性

85.整流电路中电感滤波器，应将电感与负载（）

A。

串联B。

并联C。

串联或并联D。

混联

86.整流电路电容滤波器，应将电容与负载（）

A.串联B。

并联C。

串联或并联D。

混联

87。

滤波电路中,滤波电容和负载的连接关系是（），滤波电感和负载的连接关系是（）

A.串联、串联B。

并联、串联C。

并联、并联D.串联、并联

88。

稳压二极管构成的稳压电路,其接法是（）

A。

稳压二极管与负载电阻串联B。

稳压二极管与负载电阻并联

C.限流调整电阻与稳压二极管串联后，负载电阻再与稳压二极管并联

D.限流调整电阻与稳压二极管并联后，负载电阻再与前面电路串联

89.桥式整流电容滤波电路中，如果交流输入为100V，则负载两端电压为（）V

A.90B.100C。

120D。

45

90。

如图所示，两Si稳压二极管的稳压值分别为3V和6V，如果输入电压UI为8V，则输出电压U0为（）

A.3VB.6VC。

9VD。

0.7V

91.在硅稳压电路中，限流电阻R的作用是（）

A。

既限流又降压B.既限流又调压C。

既降压又调压D。

既调压又调流

92。

电路如图所示，则处于导通状态的二极管是（）

A.只有D1B.只有D2

C。

D1和D2D。

D1和D2均不导通

93。

在测量二极管反向电阻时，若用两手把管脚捏紧，电阻值将会（）

A.变大B。

变小C.不变化D。

不能确定

94.二极管两端加上正向电压时（）

A.一定导通B.超过死区电压才能导通

B.超过0.7伏才能导通D。

超过0.3伏才能导通

95.若用万用表测得某二极管的正反向电阻均很小或为零，则说明该二极管（）

A。

很好B.已失去单向导电性

C。

已击穿D。

内部已断路

96.如图,V为理想二极管，描述正确的是（）

A.V截止，VAB=12VB。

V导通，VAB=6V

C。

V导通，VAB=18VD.V截止，VAB=0V

97。

当二极管外加电压时,反向电流很小，且不随（）变化。

A。

正向电流B。

正向电压C.电压D。

反向电压

98.PN结呈现正向导通的条件是（）

A.P区电位低于N区电位B。

N区电位低于P区电位

C.P区电位等于N区电位D.都不对

99。

N型半导体的多数载流子是（）

A。

电流B.自由电子C.电荷D。

空穴

100。

P型半导体的多数载流子是（）

A.电子B。

空穴C.电荷D。

电流

101.关于P型、N型半导体内参与导电的粒子,下列说法正确的是（）

A.无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴

B.P型半导体中只有空穴导电

C。

N型半导体中只有自由电子参与导电

D。

在半导体中有自由电子、空穴、离子参与导电

102。

稳压二极管是利用PN结的（）来实现稳压性能的

A.反向击穿特性B。

正向导通性C.反向截止性D。

单向导电性

103。

锗二极管导通时，它两端电压约为（）

A.1VB.0.7VC.0。

3VD.0.5V

104.需要工作在正向电压下的特殊二极管是（）

A。

稳压二极管B.光电二极管C.发光二极管D.变容二极管

105.PN结加正向电压时，其正向电流是（）

A。

多子扩散而成B.少子扩散而成

C.少子漂移而成D.多子漂移而成

106.在单相桥式整流电路中，变压器副边线圈两端电压有效值为20V,加入滤波电容后，负载两端电压约为（A）

A。

24VB。

18VC.9VD。

12V

107.半导体的导电能力随温度升高而（），金属导体的电阻随温度升高而（）

A。

降低/降低B。

降低/升高C.升高/降低D。

升高/升高

108。

晶体硅或锗中,参与导电的是（）

A.离子B.自由电子C.空穴D.自由电子和空穴

109.二极管的正向电阻和反向电阻的阻值关系是（）

A.正向电阻大于反向电阻B。

正向电阻等于反向电阻

C。

正向电阻小于反向电阻D.没有关系

110.P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的

A.三价B.四价C.五价D.六价

111.半导体PN结是构成各种导体器件的工作基础，其主要特性是（）

A。

具有放大特性B.具有改变电压特性

C.具有单向导电性D.具有增强内电场性

112。

本征半导体是（）

A.掺杂半导体B.纯净半导体C.P型半导体D.N型半导体

113.判别二极管极性，指针表应选用（）

A。

直流电压档B。

直流电流档C.电阻档D.交流电压档

114.在半导体PN结两端加（）就可使其导通

A.正向电子流B。

正向电压C。

反向电压D。

反向电子流

115.利用二极管的（）可以交流电将变成直流电

A.放大特性B。

稳压特性C。

单向导电性D.滤波作用

116。

关于滤波器,正确叙述是（）

A.电容滤波器电路的电容量越大,负载越重，输出直流越平滑

B。

电容量越小，负载越重,输出电压越接近脉动电压峰值

C。

电感滤波器是利用电感具有反抗电流变化的作用，使负载电流的脉动程度减小，从而使输出电压平滑

D。

电感量越大，产生的自感电动势越大，滤波效果越差

117.相半波整流电路中，负载为500Ω电阻，变压器的副边电压为12V，则负载上电压平均值和二极管所承受的最高反向电压为（）

A。

5.4V、12VB。

5。

4V、17VC.9V、12VD.9V、17V

118。

整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电压变换成单一方向的脉动（）

A。

交流电流B。

交流电压C.直流电流D.直流电压

119.点接触型二极管的特点是（）

A。

通过较大的电流、工作频率较低B。

通过较大的电流、工作频率较高

C.通过较小的电流、工作频率较高D。

通过较小的电流、工作频率较低

120。

理想二极管在单相桥式整流电路（电阻负载）中承受的最大反向电压是（）

A.大于

U2B.小于

U2

C.等于

U2D.大于

U2，小于2

U2

121.有两只硅稳压二极管，稳压值分别为5V和9V，如果把这两只稳压管的组合连接,则组合后的稳压值不可能是（C）

A。

14VB.5。

7VC.4VD.9。

7V

122.二极管的反向电流随着温度降低而（）

A.升高B。

减小C.不变D.不确定

123.单相桥式整流电路中若有一个二极管内部极性接反了，整流电路会出现什么现象（）

A。

正常工作B.负载上只有半波信号C。

烧毁电路D.负载上无电流

124.二极管两端的正向电压小于（）电压时,二极管仍然处于截止状态

A.门坎B。

导通C。

最大D。

击穿

125。

二极管两的反向电压小于反向击穿电压时，二极管中的电流称为（）电流

A.反向饱和B.反向击穿C.导通D。

死区

126。

二极管两的反向电压大于反向击穿电压时,二极管中的电流称为（）电流

A.反向饱和B.反向击穿C。

导通D.死区

127.测试一个正常的二极管，将万用表的红黑表笔分别接二极管的两端，若测得电阻很小，则（）表笔所接的是二极管正极

A。

红B。

黑C。

不确定

128.用万用表测试二极管时，若两次测得的都很小表明（）

A.二极管正常B。

二极管内部短路C.二极管内部断路D.不确定

129。

用万用表测试二极管时，若两次测得的都很大表明（）

A。

二极管正常B.二极管内部短路C。

二极管内部断路D.不确定

130。

用万用表测试二极管时,若一次测得的电阻值很大,一次测得的电阻值很小表明（）

A.二极管正常B。

二极管内部短路C。

二极管内部断路D.不确定

131。

一个二极管上标有“2CW50”字样，该二极管是（）材料

A.锗B。

硅C.不确定

132.一个二极管上标有“2CW50”字样,该二极管是什么类型的（）

A。

普通管B.微波管C.稳压管D.