内存芯片识别方法.docx
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内存芯片识别方法.docx
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内存芯片识别方法
1.LGS:
LGS的SDRAM芯片上的标识;
GM72V*****1**T**
GM为LGS产品;
72为SDRAM;
第1,2个*代表容量,16为16Mbit,66为64Mbit;
第3,4个*代表数据位宽,一般为4,8,16等,不补0;
第5个*代表bank,2代表2个,4代表4个;
第6个*代表是第几个版本的内核;
第7个*如果是L就代表低功耗,空白为普通;
“T”为TSOPII封装;“I”为BLP封装;
最后的**代表速度:
7:
7ns(143MHz)
7:
7.5ns(133MHz)
8:
8ns(125MHz)
7K:
10ns(PC100CL2&3)
7J:
10ns(PC100CL3)
10K:
10ns(100MHz)
12:
12ns(83MHz)
15:
15ns(66MHz)
2.Hyundai:
现代的SDRAM芯片的标识
HY5*************-**
HY为现代产品,
5*表示芯片类型,57为SDRAM,5D为DDRSDRAM;
第2个*代表工作电压,空白为5伏,“V”为3;3伏,“U”为2;5伏;
第3-5个*代表容量和刷新速度:
16:
16Mbit,4kRef
64:
64Mbit,8kRef
65:
64Mbit,4kRef
128:
128Mbit,8kRef
129:
128Mbit,4kRef
256:
256Mbit,16kRef
257:
256Mbit,8KRef
第6,7个*代表数据位宽,40,80,16,32分别代表4位,8位,16位和32位;
第8个*代表bank,1,2,3分别为2,4,8个bank;
第9个*一般为0,代表LVTTL(LowVoltageTTL)接口;
第10个*可为空白或A,B,C,D等,代表内核,越往后越新;
第11个*如为L则为低功耗,空白为普通;
第12,13个*代表封装形式;
最后几位为速度:
7:
7ns(143MHz)
8:
8ns(133MHz)
10P:
10ns(PC100CL2/3)
10S:
10ns(Pc100CL3)
10:
10ns(100MHz)
12:
12ns(83MHz)
15:
15ns(66MHz)
3.Micron:
Micron的SDRAM芯片的标识;
MT48****M**A*TG-***
MT为Micron的产品;
48代表SDRAM,其后的**如为LC则为普通SDRAM;
M后的**表示数据的位宽;4,8,16,32分别代表4位,8位,16位和32位;
Micron的容量要自己算一下,将M前的**和其后的**相乘,得到的结果为容量;
A*代表writerecovery(tWR),如A2表示tWR=2clk
TG为TSOPII封装,LG为TGFP封装;
最后的**代表速度:
7:
7ns(143MHz)
75:
7.5ns(133MHz)
8*:
8ns(125MHz),其中*为A-E,字母越往后越好;
10:
10ns(100MHzCL=3);
例如:
MT48LC8M8A2TG-8E,64Mbit(8*8),8位。
如何根据内存芯片标识识别内存
(二)
----许多朋友都会遇到这样一个问题,在购买内存时不知如何识别内存的品牌、类型、容量、速度等参数。
许多人都认为内存不经过主板或专用检测仪检测难于识别,在此我们特为大家提供如下解读内存条的方法。
鉴于篇幅限制,这里仅以市场上最常见的现代内存、LG内存以及KingMax内存为例进行说明。
一、现代SDRAM内存芯片的识别
----现代(HYUNDAI)公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下:
HY5XX XXXXXXXXXXX-XX
①②③④⑤⑥⑦⑧⑨ ⑩
----“HY”表明是现代的产品。
----①代表的是内存芯片种类:
“51”为EDO,“57”为SDRAM,“5D”为DDRSDRAM。
----②代表工作电压:
“U”为2.5V,“V”为3.3V,空白代表5V。
----③代表一个内存芯片的密度和刷新速度:
其编号与密度及刷新速度的对应关系如表1所示。
----④代表芯片输出的数据位宽:
其中“40”、“80”、“16”和“32”分别代表输出数据位宽为4位、8位、16位和32位。
----⑤代表内存芯片内部由几个Bank组成:
其中“1”、“2”、“3”分别代表2个、4个和8个Bank。
----⑥代表内存接口:
一般为“0”,代表LVTTL接口。
----⑦代表内存版本号:
空白代表第一代,“A”代表第二代、“B”代表第三代、“C”代表第四代、“D”代表第五代。
----⑧代表功耗:
其中“L”代表低功耗的芯片,空白表示为正常功耗芯片。
----⑨代表封装类型:
其编号与封装类型的对应关系如下:
“JC”:
400milSOJ
“TC”:
400milTSOP-Ⅱ
“TD”:
TSOP-Ⅱ
“TG”:
TSOP-Ⅱ,GOLD
----⑩代表速度:
其编号与速度的对应关系如下:
“7”:
7ns(143MHz)
“8”:
8ns(125MHz)
“10p”:
10ns(PC-100CL2或3)
“10s”:
10ns(PC-100CL3)
“10”:
10ns(100MHz)
“12”:
12ns(83MHz)
“15”:
15ns(66MHz)
二、LGSDRAM内存芯片的识别
----LG公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下:
GM72VXXXXXXXXXXX
①②③④⑤⑥⑦⑧
----“GM”代表LG的产品。
----“72”代表SDRAM。
----“V”代表工作电压为3.3V。
----①代表一个内存芯片的密度和刷新速度:
其编号与密度及刷新速度的对应关系如表2所示。
----②代表数据位宽:
其中“4”、“8”、“16”分别代表4位、8位、16位等。
----③代表内存芯片内部Bank:
其中“2”表示2个Bank,“4”表示4个Bank。
----④代表内存接口:
“1”代表LVTTL。
----⑤代表内核版本。
----⑥代表功耗:
其中“L”代表低功耗,空白则代表常规功耗。
----⑦代表封装类型:
“T”表明是TSOP-Ⅱ封装,如果是“I”则代表BLP封装。
----⑧代表速度:
其编号与速度的对应关系如下:
“75”:
7.5ns(133MHz)
“8”:
8ns(125MHz)
“7K”:
10ns(PC-100CL2或3)
“7J”:
10ns(100MHz)
“10K”:
10ns(100MHz)
“12”:
12ns(83MHz)
“15”:
15ns(66MHz)
三、KingMaxSDRAM内存芯片的识别
----KingMax公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下:
KMXXXSXXXXXXX-XXX
①② ③④⑤⑥⑦⑧ ⑨⑩
----“KM”表示KingMax的产品。
----①代表内存芯片种类:
“4”代表DRAM。
----②代表内存芯片组成个数:
“4”代表×4,“8”代表×8,“16”代表×16。
----“S”表明是SDRAM。
----③代表一个内存芯片密度:
“1”代表1Mbit,“2”代表2Mbit,“4”代表4Mbit,“8”代表8Mbit,“16”代表16Mbit。
----④代表刷新速度:
“0”代表4KRef,“1”代表2KRef,“2”代表8KRef。
----⑤代表内存芯片内部由几个Bank组成:
“2”代表2个Bank,3代表4个Bank。
----⑥代表内存接口:
“0”代表LVTTL,“1”代表SSTL。
----⑦代表内存版本:
空白代表第1代,“A”代表第2代,“B”代表第3代。
----⑧代表封装类型:
“T”代表封装类型为TSOP-Ⅱ。
----⑨代表电源供应方式:
“G”代表自动刷新,“F”代表低电压自动刷新。
----⑩代表最少存取周期(最高频率):
其编号与速度的对应关系如下:
“7”:
7ns(143MHz)
“8”:
8ns(125MHz)
“10”:
10ns(100MHz)
“H”:
100MHz@CAS值为2
“L”:
100MHz@CAS值为3
----例如内存标识为“KM416S16230A-G10”指的是KingMax的16Mbit×16=256MbitSDRAM内存芯片,刷新为8KRef,内存Bank为3,内存接口为LVTTL,第2代内存,自动刷新,速度是10ns(100MHz)。
内存编号识别(三)
内存作假主要是以低速内存冒充高速度的,以低容量内存冒充高容量的。
要
杜绝此类作假,就要学会识别内存规格和内存芯片编号,方法一般是看SPD芯片中
的信息和内存芯片上的编号,前者是内存的技术规范,后者由于厂家的不同,其
编号规则也不同。
从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片,SPD芯片是内存条正面右侧的一块8
管脚小芯片,里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD
、tRP、tAC、SPD版本等信息。
当开机时,支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中
的信息,按照读取的值来设置内存的存取时间。
我们可以借助SPDinfo这类工具软
件来查看SPD芯片中的信息,例如软件中显示的SDRAMPC133U-333-542就表示被测
内存的技术规范。
内存技术规范统一的标注格式,一般为PCx-xxx-xxx,但是不同
的内存规范,其格式也有所不同。
1、PC66/100SDRAM内存标注格式
(1)1.0---1.2版本
这类版本内存标注格式为:
PCa-bcd-efgh,例如PC100-322-622R,其中a表示
标准工作频率,用MHZ表示(如66MHZ、100MHZ、133MHZ等);b表示最小的CL(即
CAS纵列存取等待时间),用时钟周期数表示,一般为2或3;c表示最少的Trcd
(RAS相对CAS的延时),用时钟周期数表示,一般为2;d表示TRP(RAS的预充电
时间),用时钟周期数表示,一般为2;e表示最大的tAC(相对于时钟下沿的数据
读取时间),一般为6(ns)或6.5,越短越好;f表示SPD版本号,所有的PC100内
存条上都有EEPROM,用来记录此内存条的相关信息,符合IntelPC100规范的为
1.2版本以上;g代表修订版本;h代表模块类型;R代表DIMM已注册,256MB以上的
内存必须经过注册。
(2)1.2b+版本
其格式为:
PCa-bcd-eeffghR,例如PC100-322-54122R,其中a表示标准工作
频率,用MHZ表示;b表示最小的CL(即CAS纵列存取等待时间),用时钟周期数表
示,一般为2或3;c表示最少的Trcd(RAS相对CAS的延时),用时钟周期数表示;
d表示TRP(RAS的预充电时间),用时钟周期数表示;ee代表相对于时钟下沿的数
据读取时间,表达时不带小数点,如54代表5.4nstAC;ff代表SPD版本,如12代
表SPD版本为1.2;g代表修订版本,如2代表修订版本为1.2;h代表模块类型;R代
表DIMM已注册,256MB以上的内存必须经过注册。
2、PC133SDRAM(版本为2.0)内存标注格式
威盛和英特尔都提出了PC133SDRAM标准,威盛力推的PC133规范是PC133
CAS=3,延用了PC100的大部分规范,例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD
;英特尔的PC133规范要严格一些,是PC133CAS=2,要求内存芯片至少7.5ns,在
133MHz时最好能达到CAS=2。
PC133SDRAM标注格式为:
PCab-cde-ffg,例如PC133U-333-542,其中a表示
标准工作频率,单位MHZ;b代表模块类型(R代表DIMM已注册,U代表DIMM不含缓冲
区;c表示最小的CL(即CAS的延迟时间),用时钟周期数表示,一般为2或3;d表
示RAS相对CAS的延时,用时钟周期数表示;e表示RAS预充电时间,用时钟周期数
表示;ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间,表达时不带小数点,如54代表
5.4nstAC;g代表SPD版本,如2代表SPD版本为2.0。
3、PC1600/2100DDRSDRAM(版本为1.0)内存标注格式
其格式为:
PCab-ccde-ffg,例如PC2100R-2533-750,其中a表示内存带宽,
单位为MB/s;a*1/16=内存的标准工作频率,例如2100代表内存带宽为2100MB/s,
对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ;b代表模块类型(R代表DIMM已注册,U
代表DIMM不含缓冲区;cc表示CAS延迟时间,用时钟周期数表示,表达时不带小数
点,如25代表CL=2.5;d表示RAS相对CAS的延时,用时钟周期数表示;e表示RAS预
充电时间,用时钟周期数表示;ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间,表达时
不带小数点,如75代表7.5nstAC;g代表SPD版本,如0代表SPD版本为1.0。
4、RDRAM内存标注格式
其格式为:
aMB/bcdPCe,例如256MB/16ECCPC800,其中a表示内存容量
;b代表内存条上的内存颗粒数量;c代表内存支持ECC;d保留;e代表内存的数据
传输率,e*1/2=内存的标准工作频率,例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s
,对应的标准工作频率为800*1/2=400MHZ。
5、各厂商内存芯片编号
内存打假的方法除了识别内存标注格式外,还可以利用刻在内存芯片上的编
号。
内存条上一般有多颗内存芯片,内存芯片因为生产厂家的不同,其上的编号
也有所不同。
由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额,它们产的内存芯片质量稳
定,价格不高,另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存,因此我们就
先来看看它们的内存芯片编号。
(
(1)HYUNDAI(现代)
现代的SDRAM内存兼容性非常好,支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它,
其SDRAM芯片编号格式为:
HY5abcdefghijklm-no
其中HY代表现代的产品;5a表示芯片类型(57=SDRAM,5D=DDRSDRAM);b代表
工作电压(空白=5V,V=3.3V,U=2.5V);cde代表容量和刷新速度(16=16Mbits、4K
Ref,64=64Mbits、8KRef,65=64Mbits、4KRef,128=128Mbits、8KRef,
129=128Mbits、4KRef,256=256Mbits、16KRef,257=256Mbits、8KRef);fg
代表芯片输出的数据位宽(40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位);h
代表内存芯片内部由几个Bank组成(1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank,是2的
幂次关系);I代表接口(0=LVTTL[LowVoltageTTL]接口);j代表内核版本
(可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新);k代表功耗(L=低功
耗芯片,空白=普通芯片);lm代表封装形式(JC=400milSOJ,TC=400milTSOP-
Ⅱ,TD=13mmTSOP-Ⅱ,TG=16mmTSOP-Ⅱ);no代表速度(7=7ns[143MHz],
8=8ns[125MHz],10p=10ns[PC-100CL2或3],10s=10ns[PC-100CL3],
10=10ns[100MHz],12=12ns[83MHz],15=5ns[66MHz])。
例如HY57V658010CTC-10s,HY表示现代的芯片,57代表SDRAM,65是64Mbit和
4Krefreshcycles/64ms,8是8位输出,10是2个Bank,C是第4个版本的内核,TC
是400milTSOP-Ⅱ封装,10S代表CL=3的PC-100。
市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10,其中
ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难;编号ATC8的可超到124MHz,但上133MHz也
不行;编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。
一般来讲,编号最后两位是
7K的代表该内存外频是PC100,75的是PC133的,但现代内存目前尾号为75的早已
停产,改换为T-H这样的尾号,可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多,
这可能是以前的屯货,但可能性很小,假货的可能性较大,所以最好购买T-H尾号
的PC133现代内存。
(2)LGS[LGSemicon]
LGs如今已被HY兼并,市面上LGs的内存芯片也很常见。
LGSSDRAM内存芯片编
号格式为:
GM72Vabcde1fgThi
其中GM代表LGS的产品;72代表SDRAM;ab代表容量(16=16Mbits,
66=64Mbits);cd表示数据位宽(一般为4、8、16等);e代表Bank(2=2个Bank,
4=4个Bank);f表示内核版本,至少已排到E;g代表功耗(L=低功耗,空白=普通
);T代表封装(T=常见的TSOPⅡ封装,I=BLP封装);hi代表速度(7.5=7.5ns[
133MHz],8=8ns[125MHz],7K=10ns[PC-100CL2或3],7J=10ns[100MHz]
,10K=10ns[100MHz],12=12ns[83MHz],15=15ns[66MHz])。
例如GM72V661641CT7K,表示LGsSDRAM,64Mbit,16位输出,4个Bank,7K速
度即PC-100、CL=3。
LGS编号后缀中,7.5是PC133内存;8是真正的8nsPC100内存,速度快于
7K/7J;7K和7J属于PC100的SDRAM,两者主要区别是第三个反应速度的参数上,
7K比7J的要快,上133MHz时7K比7J更稳定;10K属于非PC100规格的,速度极慢,
由于与7J/7K外型相似,不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。
(3)Kingmax(胜创)
Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式,而一般SDRAM内存都采用TSOP封
装。
采用TinyBGA封装的内存,其大小是TSOP封装内存的三分之一,在同等空间下
TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍,而且体积要小、更薄,其金属基板到散热
体的最有效散热路径仅有0.36mm,线路阻抗也小,因此具有良好的超频性能和稳
定性,不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好,例如KingmaxPC150内存
在某些KT133主板上竟然无法开机。
KingmaxSDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。
其中PC150内存(下图)
实际上是能上150外频且能稳定在CL=3(有些能上CL=2)的极品PC133内存条,该
类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA694X芯片组主板兼容问题,因此要好于
REV1.1版本。
购买Kingmax内存时,你要注意别买了打磨条,市面上JS常把原本是
8ns的KingmaxPC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存,所以你最好用SISOFT
SANDRA2001等软件测试一下内存的速度,注意观察内存上字迹是否清晰,是否有
规则的刮痕,芯片表面是否发白等,看看芯片上的编号。
KINGMAXPC150内存采用了6纳秒的颗粒,这使它的速度得到了很大程度的提
升,即使你用它工作在PC133,其速度也会比一般的PC133内存来的快;Kingmax的
PC133内存芯片是-7的,例如编号KSV884T4A1A-07;而PC100内存芯片有两种情况
:
部分是-8的(例如编号KSV884T4A0-08),部分是-7的(例如编号KSV884T4A0-
07)。
其中KINGMAXPC133与PC100的区别在于:
PC100的内存有相当一部分可以超
频到133,但不是全部;而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下(
CL=2)。
(4)Geil(金邦、原樵风金条)
金邦金条分为'金、红、绿、银、蓝'五种内存条,各种金邦金条的SPD均是确
定的,对应不同的主板。
其中红色金条是PC133内存;金色金条P针对PC133服务
器系统,适合双处理器主板;绿色金条是PC100内存;蓝A色金条针对AMD750/760
K7系主板,面向超频玩家;蓝V色金条针对KX133主板;蓝T色金条针对KT-133主板
;银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。
金邦内存芯片编号例如GL2000GP6LC16M84TG-7AMIR0032
其中GL2000代表芯片类型(GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装,金
SDRAM=BLP);GP代表金邦科技的产品;6代表产品家族(6=SDRAM);LC代表处理
工艺(C=5VVccCMOS,LC=0.2微米3.3VVddCMOS,V=2.5VVddCMOS);16M8是
设备号码(深度*宽度,内存芯片容量=内存基粒容量*基粒数目=16*8=
128Mbit,其中16=内存基粒容量;8=基粒数目;M=容量单位,无字母=Bits
,K=KB,M=MB,G=GB);4表示版本;TG是封装代码(DJ=SOJ,DW=宽型SOJ,F=54
针4行FBGA,FB=60针8*16FBGA,FC=60针11*13
FBGA,FP=反转芯片封装,FQ=反转芯片密封,F1=62针2行FBGA,F2=84针2行FBGA
,LF=90针FBGA,LG=TQFP,R1=62针2行微型FBGA,R2=84针2行微型FBGA,TG=TSOP
(第二代),U=μBGA);-7是存取时间(7=7ns(143MHz));AMIR是内部标识
号。
以上编号表示金邦千禧条,128MB,TSOP(第二代)封装,0.2微米3.3V
VddCMOS制造工艺,7ns、143MHz速度。
(5)SEC(Samsung
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