光刻工作总结.docx
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光刻工作总结
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光刻工作总结
篇一:
光刻工艺总结
光刻岗位工艺总结
引言:
本文仅供大家参考,文章中错误之处请大家指正。
希望后续光刻工艺员能够根据自己的实际工作经验将该总结不断完善。
一、光刻各岗位基本工艺知识及工艺过程控制要点:
1、上料
上料机原理
使用机械手上料,并对每片玻璃的阻值厚度进行检测。
2、清洗:
清洗干燥的原理
去除ito玻璃表面残留的灰尘、有机物等,为涂胶提供干净、干燥的ito玻璃;
主要清洗方式
洗洁精+超声+高纯水+iRuV
洗洁精的去污原理:
洗洁精(表面活性剂)能够使不相溶的液体成为乳浊液。
通过此乳化作用将油脂包围在水中而形成乳浊液来达到去污作用,玻璃经过洗洁精去油污后,再依次用大量的自来水,去离子水冲洗就可以达到洁净玻璃表面的目的。
高纯水清洗可去除溶于水的杂质及一些灰尘,同时还能够将上工序的洗洁精去除掉;
超声波作用机理:
通过超声空化作用,存在于液体中的微气泡(空气核)在声场的作用下振动,当声压达到一定的值时,气泡将迅速增长,然后突然闭合,在气泡闭合时产生冲击波,在其周围产生上千个大气压的压力,破坏不溶性污物而使它们分散在清洗液中。
iR主要是将玻璃表面的水份烘干,经过清洗后的玻璃,表面沾有水或者有机溶剂等清洗液,这将会对后续工序造成不良影响,特别是光刻工艺会产生浮胶,钻刻,图形不清晰等,因此玻璃必须经过干燥处理。
uV主要是将有机物的长分子链打断成小分子链,从而达到去除有机物的目的;
清洗效果评价方法
测试接触角,接触角小于10度
重要管理项目
洗洁精浓度
(四厂光刻用洗洁精为mg,其浓度最初为2%,后经试验验证,使用5%浓度的洗洁精清洗效果较好,后改用5%浓度的洗洁精进行清洗)
洗洁精温度
喷淋圧力及流量
diw喷淋流量
刷子转速、下压距
清洗时间(走速)
iR/uV/cp温度曲线
3、涂胶,前烘:
涂胶基本原理
coating-roll光刻胶膜厚与辊压,印压的变化关系
膜厚印压压入量
备注:
1、此结论为涂胶辊供应商提供的经验曲线,仅供参考。
2、根据实际调胶辊的经验,光刻胶的膜厚与辊压压入量的关系较大,与印压压入量的关系较小,工艺员在
调整涂胶辊时可参考。
光刻胶膜厚与光刻胶粘度的变化关系
结论:
1.光刻胶粘度在20cp——40cp之间时,涂胶膜厚随光刻胶粘度增加而增加;
2.光刻胶粘度在40cp——60c之间时,涂胶膜厚不随光刻胶粘度变化而变化;
备注:
1.光刻胶粘度为20cp时,出现较多条纹,采用其他粘度,涂胶效果良好;
2.此数据只是由一个涂胶辊测试得出,对于其他不同的涂胶辊可能有所不同,仅供参考;
光刻胶特性
光刻胶膜厚薄,曝光图像的分辨率高,对光刻胶的保护性弱;
光刻胶膜厚厚,曝光图像的分辨率低,对光刻胶的保护性强;
现行工艺条件,光刻胶粘度选择1.5~1.8um较为合适,既可以满足图像的解析度需要,又可以有效地保护ito,降低断线的发生。
前烘的原理:
目的是促使胶膜内溶剂充分挥发,使胶膜干燥以增加胶膜与ito表面的粘附性和胶膜的耐磨性。
烘炉温度设置的原则
烘炉的温度设置以0.7t玻璃的温度曲线为基准,对于不同厚度的玻璃采用相同的温度设置,这样做的目的是减少生产过程中烘炉升温,降温的过程,从而提升生产效率。
由于不同厚度的玻璃选择相同的烘烤温度,所以不同厚度玻璃表面的光刻胶的固化程度不同,我们通过选择不同的曝光量得到相同的图形效果。
重要管理项目
光刻胶粘度
辊压和印压
胶辊转速
前烘烘炉温度曲线要求
4、曝光岗位
曝光基本原理
光化学反应原理:
光刻胶+uV+h2
一种有机酸
曝光
UV光脱
重要管理项目
平台温度
铬版温度
间隙设定
uV光强
曝光量
温湿度:
因为光化学反应需要有水的参与,故曝光机中的湿度不可太低。
后烘烘炉温度曲线要求
5、显影、后烘岗位
显影的原理
在室温下,利用koh溶液与曝过光的光刻胶层发生化学反应,以获得酸刻时所需要的抗蚀保护膜的图形。
后烘的原理
因显影时胶膜会发生软化,膨胀影响胶膜的抗蚀能力,在显影后必须用适当的温度烘焙玻璃以除去水分,增强胶膜与玻璃的粘附性。
后烘温度略高于前烘条件。
重要管理项目
显影液浓度
显影液温度
喷淋圧力
显影时间及槽液更换频率
后烘温度曲线要求
6、酸刻岗位
酸刻的原理
用一定比例的酸液把玻璃上未受光刻胶保护的ito膜腐蚀掉,而将有光刻胶保护的ito保存下来,最终形成ito图形。
提高酸刻产能
我们目前使用的酸刻液是hcl+hno3+h2o按照30:
1:
24的配比配置而成的混合溶液。
对于7欧姆阻值和铝膜产品其酸刻节拍不能够满足15秒/片,对于目前的产能需要(85p/天),使用该酸刻混合溶液可以满足生产的需要。
以后如果需要继续提高酸刻产能需考虑更换酸刻液为hcl+Fecl3按照1:
2配比的混合溶液。
之前已经做过试验,使用hcl+Fecl3的混合溶液其刻蚀速度会有明显提高,可以满足所有产品的15s/片的酸刻生产节拍,具体内容请参阅黄显甫写的《四厂Fecl3和hcl混合酸液工艺定型报告》。
重要管理项目
etching液温度
etching液浓度
酸刻机走速
酸刻液流量及喷淋压力
7、脱膜岗位
脱膜的原理
把刻蚀后的玻璃上余下的光刻胶去掉,冲洗干净玻璃的表面的残胶和杂质,去膜液是用naoh配制而成,它的碱浓度要高于显影液浓度。
重要管理项目
脱膜液温度
脱膜液浓度
脱膜机走速
脱膜液流量及喷淋压力
脱膜超声强度
8、短检岗位
短路检查的质量控制要点(针对老式检查机)
1、及时对下料的玻璃进行抽检,防止中途出现大量短路现象;
2、在生产过程中定期使用标短玻璃对短路检查机进行校准,保证短检机在正常状态下工作;
3、尽量使用正反倒角结合的方法进行短路测试,因为测试时短检机针组由启动到速度稳定,有一个加速的过程,在这个阶段测试短路的结果不很准确;
4、对于不同线宽/缝宽的产品,短检机需要使用不同的走速。
5、短检划伤的检查一定要重视,因为如果划伤轻微,可能造成黑白线废品,如果划伤严重,则为光刻缺划废品。
9、al膜工艺的控制要点
al是一种化学性质活泼的金属,因其既容易与酸发生反应,又容易与碱发生反应,控制不当极易发生大比例断线,生产中需要对其进行特别的工艺控制。
1、后烘时需要降温生产;
2、酸刻需要降低酸刻液温度,减慢酸刻走速生产;
3、脱膜需要降低脱膜液温度生产;
4、必须关闭超声生产;
二、光刻常见异常处理方法:
1.上料机械手死机
机械手死机,需要手动操作遥控器,将机械手复归至原点位置,具体参考维修组《机械手第一、第二原点复归手册》;
2.涂不上胶
涂不上胶应从以下几方面查找原因:
1、确认印压及印压原点是否调整正确;2、确认玻璃有没有冷却下来(cp冷却不够);3、玻璃有没有问题(如:
ito朝下);
3.涂胶气泡
出现涂胶气泡的原因如下;1、印压偏大;2、玻璃在涂胶过程中有停顿也会出现涂胶气泡;3、涂胶辊和支持辊速度不一致;
4.玻璃背面粘胶
一般是由于静电造成的;胶辊在运行过程中、涂胶过程中都会产生静电;如果出现背面粘胶,检查涂胶辊两测的托盘上的锡纸是否脱落或不完整;一般更换锡纸就ok了;
5.胶辊条纹
胶辊凹槽内未清洗干净,被残留光刻胶(已经变干)堵塞,造成凹槽内没有光刻胶浸润;如果一直消不掉,须重新清洗胶辊;
6.正面粘胶造成大面积短路
如果下料发现有粘胶,造成大面积短路,将酸刻机按“终了停止”,将酸刻机前的玻璃全部取出返工,然后清洗铬版;
7.曝光时cF/ito分流错误
分流机有一个传感器,通过感应bm来判定是否为cF,目的是将cF和ito分流。
调整时1、将光发射装置调整到一个单粒的中间,使光照射在bm上;2、将感应器的光发射装置和光接受装置调整于同一位置;由于各个cF排版方式不一样,所以做cF之前必须确认感应器的位置;
8.曝光图形模糊
检查送版时是否铬版药面放反;
9.cF过期
cF放置时间过久会吸潮,故cF过期需要在高温烘烤30分钟后方可使用;
篇二:
光刻技术领域专利审查工作岗位年度个人工作总结
光刻技术领域专利审查工作岗位
=个人原创,绝非网络复制,欢迎下载=
转眼之间,一年的光阴又将匆匆逝去。
回眸过去的一年,在×××(改成光刻技术领域专利审查岗位所在的单位)光刻技术领域专利审查工作岗位上,我始终秉承着“在岗一分钟,尽职六十秒”的态度努力做好光刻技术领域专利审查岗位的工作,并时刻严格要求自己,摆正自己的工作位置和态度。
在各级领导们的关心和同事们的支持帮助下,我在光刻技术领域专利审查工作岗位上积极进取、勤奋学习,认真圆满地完成今年的光刻技术领域专利审查工作任务,履行好×××(改成光刻技术领域专利审查岗位所在的单位)光刻技术领域专利审查工作岗位职责,各方面表现优异,得到了领导和同事们的一致肯定。
现将过去一年来在光刻技术领域专利审查工作岗位上的学习、工作情况作简要总结如下:
一、思想上严于律己,不断提高自身修养
篇三:
光刻技术
材料加工认识实习总结报告
邵梓桥
b11060420
实习概况与光刻技术简介
本周我们在老师的带领下参观了南京熊猫集团液晶谷和长青激光公司,在那里我们收到了工作人员的热情接待并了解了其相关技术与产品。
其中,熊猫集团生产先进的液晶显示面板,我们了解了其生产流程以及制作工艺,见识了许多高性能并且具有广大前景的新型液晶显示屏。
其工艺已经大致达到世界一流水准。
我发现其生产流程与我们的学习知识息息相关。
例如,光刻技术与我们学习的半导体知识就有着密切联系。
长青激光公司主要生产激光发射器,在电影以及投影设备领域具有广泛应用。
其生产过程精密而又复杂。
通过此次实习,我们大致了解了本专业的就业前景与发展方向,为我们之后的学习指明了方向,对我们深入学习通过了一剂强心剂。
在本次报告我主要介绍光刻技术,我结合在实习中得到的知识和事后查取的资料发表一些我的看法。
光刻技术简单说来是一种利用照相复制与化学腐蚀相结合的技术,在工件表面制取精密、微细和复杂薄层图形的化学加工方法。
多用于半导体器件与集成电路的制作。
光刻技术大多是在一片平整的硅片上构建半导体、mos管和电路的基础,这其中包含有很多步骤与流程。
首先要在硅片上涂上一层耐腐蚀的光刻胶,随后让强光通过一块刻有电路图案的镂空掩模板(mask)照射在硅片上。
被照射到的部分(如源区和漏区)光刻胶会发生变质,而构筑栅区的地方不会被照射到,所以光刻胶会仍旧粘连在上面。
接下来就是用腐蚀性液体清洗硅片,变质的光刻胶被除去,露出下面的硅片,而栅区在光刻胶的保护下不会受到影响。
随后就是粒子沉积、掩膜、刻线等操作,直到最后形成成品晶片(waFeR)。
总而言之,光刻技术的原理是利用光致抗蚀剂(或称光刻胶)感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点,将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。
今天我们参观了cec集团,在专业人员的引领介绍下了解了光刻的大致步骤,遗憾的是我们没有机会去车间亲眼见识一下生产过程。
光刻的一般流程有以下8步:
底膜处理、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶。
其中,底膜处理是光刻工艺的第一步,其主要目的是对底膜表面进行处理,以增强其与光刻胶之间的粘附性,大致经历清洗、烘干、增稠处理三个过程;进行底模处理后,便可进行涂胶,即在底模上涂一层粘附良好厚度适当,均匀的光刻胶;一般采用旋转法进行涂胶,其原理是利用底模转动时产生的离心力,将滴于模上的胶液甩开。
在光刻胶表面张力和旋转离心力的共同作用下,最终形成光刻胶膜。
前烘,又称软烘,就是在一定的温度下,使光刻胶膜里面的溶剂缓慢的、充分的逸出来,使光刻胶膜干燥;曝光就是对涂有光刻胶的基片进行选择性的光化学反应,使接受到光照的光刻胶的光学特性发生改变;显影就是用显影液溶解掉不需要的光刻胶,将光刻掩模板上的图形转移到光刻胶上。
显影液的选择原则是:
对需要去除的那部分光刻胶膜溶解的快,溶解度大;对需要保留的那部分光刻胶膜溶解度极小;坚膜也是一个热处理步骤。
坚膜的目的就是使残留的光刻胶溶剂全部挥发,提高光刻胶与衬底之间的粘附性以及光刻胶的抗腐蚀能力;刻蚀就是将涂胶前所沉积的薄膜中没有被光刻胶覆盖和保护的那部分去除掉,达到将光刻胶上的图形转移到其下层材料上的目的;当刻蚀完成后,光刻胶膜已经不再有用,需要将其彻底去除,完成这一过程的工序就是去胶。
此外刻蚀过程中残留的各种试剂也要
清除掉。
去胶结束,整个光刻流程也就结束了。
这就是光刻技术的全过程。
光刻技术作为半导体及其相关产业发展和进步的关键技术之一,一方面在过去的几十年中发挥了重大作用;另一方面,随着光刻技术在应用中技术问题的增多、人们对应用本身需求的提高和光刻技术进步滞后于其他技术的进步凸显等等,寻找解决技术障碍的新方案、寻找coo更加低的技术和找到下一俩代可行的技术路径,去支持产业的进步也显得非常紧迫,备受人们的关注,这充分说明了光刻技术的重要性和对产业进步的影响。
。
因此,正确把握光刻技术发展的主流十分重要,不仅可以节省时间和金钱,同时可以缩短和使用之间的周期、缩短开发投入的回报时间,因为光刻技术开发的投入比较庞大。
众所周知,电子产业发展的主流和不可阻挡的趋势是"轻、薄、短、小",这给光刻技术提出的技术方向是不断提高其分辨率,即提高可以完成转印图形或者加工图形的最小间距或者宽度,以满足产业发展的需求;另一方面,光刻工艺在整个工艺过程中的多次性使得光刻技术的稳定性、可靠性和工艺成品率对产品的质量、良率和成本有着重要的影响,这也要求光刻技术在满足技术需求的前提下,具有较低的coo和coc。
因此,光刻技术的纷争主要是厂家可以提供给用户什么样分辨率和产能的设备及其相关的技术。
在光刻技术的研究和开发中,以光子为基础的光刻技术种类很多,但产业化前景较好的主要是紫外(uV)光刻技术、深紫外(duV)光刻技术、极紫外(euV)光刻技术和x射线(x-ray)光刻技术。
不但取得了很大成就,而且是目前产业中使用最多的技术,特别是前两种技术,在半导体工业的进步中,起到了重要作用。
紫外光刻技术是以高压和超高压汞(hg)或者汞-氙(hg-xe)弧灯在近(光刻工作总结)紫外(350~450nm)的3条光强很强的光谱线,特别是波长为365nm的i线为光源,配合使用像离轴照明技术(oai)、移相掩模技术(psm)、光学接近矫正技术(opc)等等,可为0.35~0.25μm的大生产提供成熟的技术支持和设备保障,在目前任何一家Fab中,此类设备和技术会占整个光刻技术至少50%的份额;同时,还覆盖了低端和特殊领域对光刻技术的要求。
深紫外技术是以krF气体在高压受激而产生的等离子体发出的深紫外波长(248nm和193nm)的激光作为光源,配合使用i线系统使用的一些成熟技术和分辨率增强技术(Ret)、高折射率图形传递介质(如浸没式光刻使用折射率常数大于1的液体)等,可完全满足o.25~0.18μm和0.18μm~90nm的生产线要求;同时,90~65nm的大生产技术已经在开发中,如光刻的成品率问题、光刻胶的问题、光刻工艺中缺陷和颗粒的控制等,仍然在突破中;至于深紫外技术能否满足65~45nm的大生产工艺要求,目前尚无明确的技术支持。
极紫外(euV)光刻技术早期有波长10~100nm和波长1~25nm的软x光两种,两者的主要区别是成像方式,而非波长范围。
前者以缩小投影方式为主,后者以接触/接近式为主,目前的研发和开发主要集中在13nm波长的系统上。
极紫外系统的分辨率主要瞄准在13~16nm的生产上。
但由于极紫外(euV)光刻掩模版的成本愈来愈高,产业化生产中由于掩模版的费用增加会导致生产成本的增加,进而会大大降低产品的竞争力,这是极紫外(euV)光刻技术快速应用的主要障碍。
为了降低成本,国外有的研发机构利用极紫外(euV)光源,结合电子束无掩模版的思想,开发成功了极紫外(euV)无掩模版光刻系统,但还没有商品化,进入生产线。
x射线光刻技术也是20世纪80年代发展非常迅速的、为满足分辨率100nm以下要求生产的技术之一。
主要分支是传统靶极x光、激光诱发等离子x光和同
步辐射x光光刻技术。
特别是同步辐射x光(主要是o.8nm)作为光源的x光刻技术,光源具有功率高、亮度高、光斑小、准直性良好,通过光学系统的光束偏振性小、聚焦深度大、穿透能力强;同时可有效消除半阴影效应(penumbraeffect)等优越性。
x射线光刻技术发展的主要困难是系统体积庞大,系统价格昂贵和运行成本居高不下等等。
不过最新的研究成果显示,不仅x射线光源的体积可以大大减小,近而使系统的体积减小外,而且一个x光光源可开出多达20束x光,成本大幅降低,可与深紫外光光刻技术竞争。
光刻技术作为产业发展的技术手段,那种技术为产业界所普遍接受和采纳,是一个集技术性和经济性综合比较的产物。
一方面,就狭义光刻技术(包括光刻机技术、涂胶/现像机技术等)本身而言,有技术和经济的权衡;另一方面,光刻技术的进步还会受到广义上光刻技术的影响。
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