国外集成电路命名方法.docx
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国外集成电路命名方法.docx
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国外集成电路命名方法
国外集成电路命名方法器件型号举例说明 (缩写字符:
AMD译名:
先进微器件公司(美))
AM
29L509
P
C
B
AMD首标
器件编号
封装形式
温度范围
分类
"L":
低功耗;
D:
铜焊双列直插
C:
商用温度,
没有标志的
"S":
肖特基;
(多层陶瓷);
(0-70)℃或
为标准加工
"LS":
低功耗肖特基;
L:
无引线芯片载体:
(0-75)℃;
产品,标有
21:
MOS存储器;
P:
塑料双列直插;
M:
军用温度,
"B"的为已
25:
中规范(MSI);
E:
扁平封装(陶瓷扁平);
(-55-125)℃;
老化产品。
26:
计算机接口;
X:
管芯;
H:
商用,
27:
双极存储器或EPROM;
A:
塑料球栅阵列;
(0-110)℃;
28:
MOS存储器理;
B:
塑料芯片载体
I:
工业用,
29:
双极微处理器;
C、D:
密封双列;
(-40~85)℃;
54/74:
同25;
E:
薄的小引线封装;
N:
工业用,
60、61、66:
模拟,双极;
G:
陶瓷针栅陈列;
(-25~85)℃;
79:
电信;
Z、Y、U、K、H:
塑料
K:
特殊军用,
80:
MOS微处理器;
四面引线扁平;
(-30~125)℃;
81、82:
MOS和双极处围电路;
J:
塑料芯片载体(PLCC);
L:
限制军用,
90:
MOS;
L:
陶瓷芯片载体(LCC);
(-55-85)℃<
91:
MOSRAM:
V、M:
薄的四面
125℃。
92:
MOS;
引线扁平;
93:
双极逻辑存储器
P、R:
塑料双列;
94:
MOS;
S:
塑料小引线封装;
95:
MOS外围电路;
W:
晶片;
1004:
ECL存储器;
也用别的厂家的符号:
104:
ECL存储器;
P:
塑料双列;
PAL:
可编程逻辑陈列;
NS、N:
塑料双列;
98:
EEPROM;
JS、J:
密封双列;
99:
CMOS存储器。
W:
扁平;
R:
陶瓷芯片载体;
A:
陶瓷针栅陈列;
NG:
塑料四面引线扁平;
Q、QS:
器件型号举例说明(缩写字符:
ANA译名:
模拟器件公司(美))
AD
644
A
S
H
/883B
ANA首标
器件
附加说明
温度范围
封装形式
筛选水平
AD:
模拟器件
编号
A:
第二代产品;
I、J、K、L、M:
D:
陶瓷或金属气
MIL-STD-
HA:
混合
DI:
介质隔离产
(0-70)℃;
密双列封装
883B级。
A/D;
品;
A、B、C:
(多层陶瓷);
HD:
混合
Z:
工作在+12V
(-25-85)℃;
E:
芯片载体;
D/A。
的产品。
(E:
ECL)
S、T、U:
F:
陶瓷扁平;
(-55-125)℃。
G:
PGA封装
(针栅阵列);
H:
金属圆壳气
密封装;
M:
金属壳双列
密封计算机部件;
N:
塑料双列直插;
Q:
陶瓷浸渍双列
(黑陶瓷);
CHIPS:
单片的芯片。
同时采用其它厂家编号出厂产品。
通用器件型号举例说明(缩字字符:
BUB译名:
布尔-布朗公司(美))
ADC
803
X
X
X
X
首标
器件编号
通用资料
温度范围
封装
筛选水平
A:
:
改进参数性能;
J、K、L:
M:
铜焊的金属壳封装;
Q:
高可
L:
自销型;
(0-70)℃;
L:
陶瓷芯片载体;
靠产品;
Z:
+12V电源工作;
A、B、C:
N:
塑料芯片载体;
/QM:
HT:
宽温度范围。
(-25-85)℃;
P:
塑封(双列);
MIL
R、S、T、V:
H:
铜焊的陶瓷封装
STD
(-55-125)℃。
(双列);
883产品。
G:
普通陶瓷(双列);
U:
小引线封装。
模拟器件产品型号举例说明(缩字字符:
BUB译名:
布尔-布朗公司(美))
-
--
X
X
X
首标
器件编号
温度范围
封装
筛选水平
H、J、K、L:
M:
铜焊金属壳封装;
Q:
高可靠产品;
(0-70)℃;
P:
塑封;
/QM:
MIL-STD-
A、B、C:
(-25-85)℃;
G:
陶瓷。
883产品。
R、S、T、V:
(-55-125)℃。
军用器件产品型号举例说明(放大器/多路转换器/ADC/VFC)
OPA
105
X
M
/XXX
首标
器件编号
温度范围
封装
高可靠性等级
V:
(-55-125)℃;
M:
金属的;
MIL-STD-883B。
U:
(-25-85)℃;
L:
芯片载体。
W:
(-55-125)℃。
DAC的型号举例说明
DAC
87
X
XXX
X
/XXX
首标
器件编号
温度范围
输入代码
输出
MIL-STD-883B表示
V:
(-55-125)℃;
CBI:
互补二进制
V:
电压输出;
U:
(-25-85)℃。
输入;
I:
电流输出。
COB:
互补余码补偿
二进制输入;
CSB:
互补直接二进制
输入;
CTC:
互补的两余码
输入。
首标的意义:
放大器
转换器
ADC:
A/D转换器;
OPA:
运算放大器;
ADS:
有采样/保持的A/D转换器;
INA:
仪用放大器;
DAC:
D/A转换器;
PGA:
可编程控增益放大器;
MPC:
多路转换器;
ISO:
隔离放大器。
PCM:
音频和数字信号处理的
A/D和D/A转换器。
模拟函数
MFC:
多功能转换器;
SDM:
系统数据模块;
MPY:
乘法器;
SHC:
采样/保持电路。
DIV:
除法器;
LOG:
对数放大器。
混杂电路
PWS:
电源(DC/DC转换器);
PWR:
电源(同上);
频率产品
VFC:
电压-频率转换器;
REF:
基准电压源;
UAF:
通用有源滤波器。
XTR:
发射机;
RCV:
接收机。
器件型号举例说明(缩写字符:
CYSC译名:
丝柏(CYPRESS)半导体有限公司)
CY
7C128
-45
C
M
B
首标
系列及
速度
封装
温度范围
加工
器件编号
B:
塑料针栅阵列;
C:
(0-70)℃;
B:
高可靠。
D:
陶瓷双列;
L:
(-40-85)℃;
F:
扁平;
M:
(-55-125)℃。
G:
针栅阵列(PGA);
H:
密封的LCC(芯片载体);
J:
PLCC(密封芯片载体);
K:
CERPAK;
L:
LCC;
P:
塑封;
Q:
LCC;
R:
PGA;
S:
小引线封装(SOIC);
T:
CERPAK;
V:
SOJ;
W:
CERDIP(陶瓷双列);
X:
小方块(dice);
HD:
密封双列;
HV:
密封直立双列;
PF:
塑料扁平单列(SIP);
PS:
塑料单列(SIP);
PZ:
塑料ZIP。
缩写字符:
FSC译名:
仙童公司(美)
μA
741
T
C
FSC首标
器件
封装形式
温度范围
F:
仙童(快捷)电路
编号
D:
密封陶瓷双列封装
C:
商用温度(0-70/75)℃;
SH:
混合电路;
(多层陶瓷双列);
[CMOS:
(-40-85)℃]
μA:
线性电路。
E:
塑料圆壳;
M:
军用温度(-55-125)
F:
密封扁平封装(陶瓷扁平);
L:
MOS电路(-55-85)℃;
H:
金属圆壳封装;
混合电路(-20-85)℃;
J:
铜焊双列封装(TO-66);
V:
工业用温度(-20-85)℃,
K:
金属功率封装(TO-3)
(-40-85)℃。
(金属菱形);
P:
塑料双列直插封装;
R:
密封陶瓷8线双列封装;
S:
混合电路金属封装(陶瓷
双列,F6800系列);
T:
塑料8线双列直插封装;
U:
塑料功率封装(TO-220);
U1:
塑料功率封装;
W:
塑封(TO-92);
SP:
细长的塑料双列;
SD:
细长的陶瓷双列;
L:
陶瓷芯片载体;
Q:
塑料芯片载体;
S:
小引线封装(SOIC)。
该公司与NSC合作,专门生产数字集成电路。
除原有的54/74TTL、HTTL、STTL、LSTTL、ASTTL、ALSTTL、FAST等外,还有CMOS的FACT,内含54/74AC、ACT、ACQ、ACTQ、FCT等系列。
缩写字符:
HAS译名:
哈里斯公司(美)
H
M
1
6508
B
2
HAS
系列
封装
器件
种类/产品
温度范围
音标
A:
模拟电路;
0:
芯片
编号
等级种类:
1:
(-55-200)℃;
C:
通信电路;
1:
陶瓷双列;
COMS:
2:
(-55-125)℃;
D:
数字电路;
1B:
铜焊的陶瓷双列;
A:
10V类;
4:
(-25-85)℃;
F:
滤波器;
2:
金属圆壳(TO-5);
B:
高速-低功耗;
5:
(0-75)℃;
I:
接口电路;
3:
环氧树脂双列;
D:
商用的;没标
6:
100%25℃抽测
M:
存储器;
4:
芯片载体;
的为一般产品。
(小批);
V:
高压模拟电路;
4P:
塑料芯片载体;
双极:
7:
表示"5"温度范围
PL:
可编程逻辑;
5:
LCC混合电路
A:
再设计,双金属的
的高可靠产品;
Y:
多片组合电路。
(陶瓷衬底);
P:
有功率降额选择的;
8:
MIL-STD-883B产品;
7:
小型陶瓷双列;
R:
锁定输出的;
9:
(-40-85)℃;
9:
扁平封装。
RP:
有功率降额限
9+:
(-40-85)℃,
制的锁定输出
已老化产品;
没标的为一般产品.
RH:
抗辐射产品。
产品等级:
A:
高速;
B:
甚高速;
没标的为一般速度.
部分器件编号:
0×××:
二极管矩阵;
61××:
微处理器;
63××:
CMOSROM;
64××:
CMOS接口;
65××:
CMOSRAM;
66××;CMOSPROM;
67××:
COMSEPROM;
76××;双极PROM;
77××:
可编程逻辑。
80C86系列型号举例说明
M
D
82C59A
S
/B
温度
封装
器件
速度(MHz)
高可靠产品
C:
商用(0-70)℃;
P:
塑封;
编号
外围电路:
B:
已老化,8次冲击的
I:
工业用(-40-85)℃;
D:
陶瓷双列;
5:
5MHz;
+:
已老化,
M:
军用(-55-125)℃;
X:
芯片;
空白:
8MHz;
工业温度等级;
X:
25℃。
R:
芯片载体(陶瓷);
CPU电路:
/883:
(-55-125)℃;
S:
塑料芯片载体。
空白:
5MHz;
MIL-STD-883产品。
2:
8MHz。
微波电路产品的通用符号系列:
系列:
封装:
A:
放大器(GaAsFET);
1:
32线金属密封扁平封装;
D:
数字电路(GaAs);
2:
16线金属密封扁平封装;
F:
FET(GaAs);
3:
48线金属密封扁平封装
M:
单片微波集成电路;
P:
高功率FET(GaAs);
R:
模拟电路(GaAs);
同时生产其它厂家相同型号的产品。
缩写字符:
INL译名:
英特希尔公司(美)
器件型号举例说明
ICL
8038
C
C
P
D
器件系列
器件编号
电
温度范围
封装
外引线数符号
D:
混合驱动器;
存储器件
特
(除D、DG、G外)
A:
TO-237;
A:
8;
G:
混合多路FET;
命名法
性
M:
(-55~125)℃
B:
塑料扁平封装
B:
10;
ICL:
线性电路;
首位数表示:
I:
(-20~85)℃;
C:
TO-220;
C:
12;
ICM:
钟表电路;
6:
CMOS工艺;
C:
(0~70)℃。
D:
陶瓷双列;
D:
14;
IH:
混合/模拟门;
7:
MOS工艺;
D、DG、G的温度
E:
小型TO-8;
E:
16;
IM:
存储器;
第二位数表示:
范围:
F:
陶瓷扁平封装
F:
22;
AD:
模拟器件;
1:
处理单元;
A:
(-55~125)℃
H:
TO~66;I:
16
G:
24;
DG:
模拟开关;
3:
ROM;
B:
(-20~85)℃;
线(跨距为0.6"X0.7")
H:
42;
DGM:
单片模拟开关;
4:
接口单元;
C:
(0~70)℃。
密封混合双列;
I:
28;
ICH:
混合电路;
5:
RAM;
J:
陶瓷浸渍双列
J:
32;
LH:
混合IC;
6:
PROM;
(黑瓷);
K;35;
LM:
线性IC;
第三、四位数表
K:
TO-3;
L:
40;
MM:
高压开关;
示:
L:
无引线陶瓷载体;
M:
48;
NE:
SIC产品;
芯片型号。
P:
塑料双列;
N:
18;
SE:
SIC产品。
S:
TO-52;
P:
20;
T:
TO-5(亦是
Q:
2;
TO-78,TO-99
R:
3;
TO-100)
S:
4;
U:
TO-72(亦是
T:
6;
TO-18,TO-71)
U:
7;
V:
TO-39;
V:
8(引线径0.2");
Z:
TO-92;
W:
10(引线径0.23")
/W:
大圆片;
Y:
8(引线径
/D:
芯片。
0.2",4端与壳接);
z:
10(引线径0.23",
5端与壳接)。
该公司已并入HAS公司。
缩写字符:
MOTA译名:
摩托罗拉公司(美)
器件型号举例说明
MC
1458
P
首标
器件编号
封装
MC:
有封装的IC;
1500~1599;
L:
陶瓷双列直插(14或16线);
MCC:
IC芯片;
(-55~125)℃军用线性
U:
陶瓷封装;
MFC:
低价塑封功能电路;
电路;
G:
金属壳TO-5型;
MCBC:
梁式引线的IC芯片;
1400~1499、3400~3499:
R:
金属功率型封装TO-66型;
MCB:
扁平封装的梁式引线IC;
(0~70)℃线性电路;
K:
金属功率型TO-3封装;
MCCF:
倒装的线性电路;
1300~1399、3300~3399:
F:
陶瓷扁平封装;
MLM:
与NSC线性电路
消费工业线性电路。
T:
塑封TO-220型;
引线一致的电路;
P:
塑封双列;
MCH:
密封的混合电路;
P1:
8线性塑封双列直插;
MHP:
塑封的混合电路;
P2:
14线塑料封双列直插;
MCM:
集成存储器;
PQ:
参差引线塑封双列
MMS:
存储器系统。
(仅消费类器件)封装;
SOIC:
小引线双列封装。
与封装标志一起的尚有:
C:
表示温度或性能的符号;
A:
表示改进型的符号。
缩写符号:
MPS译名:
微功耗系统公司(美)
器件型号举例说明
MP
4136
C
Y
MPS
器件编号
分档和温度范围
D:
陶瓷及陶瓷浸渍双列;R:
SOIC(8线)
首标
(用文字和
J、K、L:
商用/工业用
N:
塑封双列及TO-92;S:
SOIC;
数字表示)
温度;
Y:
14线陶瓷双列;L:
LCC;
S、T、U:
军用温度。
Z:
8线陶瓷双列;G:
PGA;
J:
TO-99封装;Q:
QFP;
T:
TO-52封装;CHIP:
芯片或小片。
P:
8线塑封双列及PLCC;
K、H、M:
TO-100型封装。
同时生产其它厂家相同型号的产品。
缩写字符:
NECJ译名:
日本电气公司(日)
NECE日本电气公司美国电子公司(美)
器件型号举例说明
μP
D
7220
D
NEC首标
系列
器件编号
封装
A:
混合元件;
A:
金属壳类似TO-5型封装;
B:
双极数字电路;
B:
陶瓷扁平封装;
C:
双极模拟电路;
C:
塑封双列;
D:
单极型数字电路
D:
陶瓷双列;
(MOS)。
G:
塑封扁平;
H:
塑封单列直插;
J:
塑封类似TO-92型;
M:
芯片载体;
0
V:
立式的双列直插封装;
L:
塑料芯片载体;
K:
陶瓷芯片载体;
E:
陶瓷背的双列直插。
缩写字符:
NSC译名:
国家半导体公司(美)
器件型号举例说明
LM
101A
F
系列
器件编号
封装
AD:
模拟对数字;
(用3、4或5位数字符号表示)
D:
玻璃/金属双列直插;
AH:
模拟混合;
A:
表示改进规范的;
F:
玻璃/金属扁平;
AM:
模拟单片;
C:
表示商业用的温度范围。
H:
TO-5(TO~99,TO-100,TO-46);
CD:
CMOS数字;
其中线性电路的1-、2-、3-
J:
低温玻璃双列直插(黑陶瓷);
DA:
数字对模拟;
表示三种温度,分别为:
K:
TO-3(钢的);
DM:
数字单片;
(-55~125)℃
KC:
TO-3(铝的);
LF:
线性FET;
(-25~85)℃
N:
塑封双列直插;
LH:
线性混合;
(0~70)℃。
P:
TO-202(D-40,耐热的);
LM:
线性单片;
S:
"SGS"型功率双列直插;
LP:
线性低功耗;
T:
TO-220型;
LMC:
CMOS线性;
W:
低温玻璃扁平封装(黑瓷扁平);
LX:
传感器;
Z:
TO-92型;
MM:
MOS单片;
E:
陶瓷芯片载体;
TBA:
线性单片;
Q:
塑料芯片载体;
NMC:
MOS存储器。
M:
小引线封装;
L:
陶瓷芯片载体。
该公司同时生产其它厂家相同型号的产品。
缩写字符:
PHIN译名:
菲利浦公司(荷兰)
器件型号举例说明
MA
B
8400
-A
-DP
系列
温度范围
器件
表示两层意义
封装
(用两位符号表示)
A:
没规定范围
编号
第一层表示改进型;
(用两位符号表示)
1.数字电路用两
B:
(0~70)
第二层表示封装;
第一位表示封装形式:
符号区别系列。
C:
(-55~125)
C:
圆壳;
C:
圆壳封装;
2.单片电路用两
D:
(-25~70)
D:
陶瓷双列;
D:
双列直插;
符号表示。
E:
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如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
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- 关 键 词:
- 国外 集成电路 命名 方法