三极管参数大全.docx
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三极管参数大全
三极管知识简介
概述
半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件。
它最主要的功能是电流放大和开关作用。
三极管顾名思义具有三个电极。
二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。
其他的两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)。
由于不同的组合方式,形成了一种是NPN型的三极管,另一种是PNP型的三极管。
三极管的种类很多,并且不同型号各有不同的用途。
三极管大都是塑料封装或金属封装,常见三极管的外观,有一个箭头的电极是发射极,箭头朝外的是NPN型三极管,而箭头朝内的是PNP型。
实际上箭头所指的方向是电流的方向。
电子制作中常用的三极管有90××系列,包括低频小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP),低噪声管9014(NPN),高频小功率管9018(NPN)等。
它们的型号一般都标在塑壳上,而样子都一样,都是TO-92标准封装。
在老式的电子产品中还能见到3DG6(低频小功率硅管)、3AX31(低频小功率锗管)等,它们的型号也都印在金属的外壳上。
我国生产的晶体管有一套命名规则,电子工程技术人员和电子爱好者应该了解三极管符号的含义。
符号的第一部分“3”表示三极管。
符号的第二部分表示器件的材料和结构:
A——PNP型锗材料;B——NPN型锗材料;C——PNP型硅材料;D——NPN型硅材料。
符号的第三部分表示功能:
U——光电管;K——开关管;X——低频小功率管;G——高频小功率管;D——低频大功率管;A——高频大功率管。
另外,3DJ型为场效应管,BT打头的表示半导体特殊元件。
三极管最基本的作用是放大作用,它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号,当然这种转换仍然遵循能量守恒,它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。
三极管有一个重要参数就是电流放大系数b。
当三极管的基极上加一个微小的电流时,在集电极上可以得到一个是注入电流b倍的电流,即集电极电流。
集电极电流随基极电流的变化而变化,并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化,这就是三极管的放大作用。
三极管还可以作电子开关,配合其它元件还可以构成振荡器。
三极管的分类:
a.按材质分:
硅管、锗管
b.按结构分:
NPN、PNP
c.按功能分:
开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.
d.按功率分:
小功率管、中功率管、大功率管
e.按工作频率分:
低频管、高频管、超频管
f.按结构工艺分:
合金管、平面管
Z304三极管的主要参数及极性判别
1.常用小功率三极管的主要参数
常用小功率三极管的主要参数,参见表B311。
3AX低频小功率锗管及其他同类型锗管
部标新型号
旧型号
极限参数
直流参数
交流参数
PCM
/W
ICM
/mA
BUCBO
/V
BUCEO
/V
ICBO
/μA
ICEO
/mA
hFE
/β
UCES
/V
fβ
/kHZ
3AX31M
125
125
6
15
≤25
≤1
80~400
3AX31MA
3AX31B
3AX31C
3AX71A
3AX71B
3AX71C
12
18
24
20
30
40
≤20
≤12
≤6
≤0.8
≤0.6
≤0.4
80~400
3AX31D
3AX31E
3AX31C
3AX71D
3AX71E
125
125
20
12
≤12
≤0.6
≥8
≥8
≥8
30
3AX81A
3AX81B
200
200
20
30
10
15
≤30
≤15
≤1
≤0.7
≥6
≥8
3AX55M
3AX55A
3AX55B
3AX55C
3AX61
3AX62
3AX63
500
500
12
20
30
45
12
20
30
45
≤80
≤80
≤80
≤80
≤1.2
≤1.2
≤1.2
≤1.2
80~400
≥6
3DX低频小功率硅管及其他同类型硅管(NPN型)
旧型号
部标新型号
极限参数
直流参数
交流参数
PCM
/W
ICM
/mA
BUCBO
/V
BUCEO
/V
ICEO
/μA
ICBO
/μA
hFE
/β
fT
/MHZ
3DX4A
3DX101
300
50
≥10
≥10
≤1
≥9
≥200
3DX4B
3DX102
≥20
≥10
3DX4C
3DX103
≥30
≥10
3DX4D
3DX104
≥40
≥30
3DX4E
3DX105
≥50
≥40
3DX4F
3DX106
≥70
≥60
3DX4G
3DX107
≥80
≥70
3DX4H
3DX108
≥100
≥80
测试条件
IC=
50μA
IC=
50μA
UCB=20V
UCE=5V
IC=5mA
同左
3DX203A
700
700
≥150
≥15
≤5
≤20
55~400
3DX203B
≥200
≥25
55~400
3DX204A
≥250
≥15
55~400
3DX204B
≥300
≥25
55~400
测试条件
TC=75℃
IC=5mA
IE=5mA
UCB=10V
UCE=10V
UCE=1V
IC=0.1A
表7 3AD低频小功率锗管及其他同类型锗管(PNP型)
部标新型号
旧型号
极限参数
直流参数
交流参数
PCM
/W
ICM
/mA
BUCBO
/V
BUCEO
/V
ICBO
/μA
ICEO
/mA
hFE
/β
UCES
/V
fT
/kHZ
3AD50A
3AD6A
10
3
50
18
0.3
2.5
20~140
0.6
4
3AD50B
3AD6B
60
24
0.8
3AD50C
3AD6C
70
30
0.8
3AD52A
3AD52B
3AD52C
3AD1,2,3
3AD4,5
10
2
50
60
70
18
24
30
0.3
2.5
20~140
0.35
0.5
0.5
4
3AD56A
3AD56B
3AD56C
3AD18A
3AD18B
3AD18C,D,E
50
15
30
45
76
60
80
100
0.8
15
20~140
0.7
1
1
4
3AD57A
3AD57B
3AD57C
3AD725A
3AD725B
3AD57C
100
30
30
45
60
60
80
100
1.2
20
20~140
1.2
3
表8 3DD低频大功率硅管及其他同类型硅管(NPN型)
部标新型号
旧型号
极限参数
直流参数
交流参数
PCM
/W
ICM
/mA
BUCBO
/V
BUCEO
/V
ICBO
/mA
VCES
/V
hFE
/β
fT
/MHZ
3DD59A
3DD5A
25
5
≥30
≥3
≤1.5
≤1.2
≥10
3DD59B
3DD5B
DD11A
≥50
3DD59C
3DD5C
≥80
3DD59D
3DD5D
DD11B
≥110
3DD59E
3DD5E
DD11C
≥150
测试条件
TC=
75℃
IC=5mA
IE=10mA
UCE=20V
IC=1.25mA
IB=0.25mA
UCE=5V
IC=1.25mA
3DD101A
3DD12A
50
5
≥150
≥100
≤2
≤0.8
≥20
≥1
3DD101B
3DD15C
≥200
≥150
≤0.8
3DD101C
3DD03C
≥250
≥200
≤1.5
3DD101D
3DD15D
≥300
≥250
≤1.5
3DD101E
3DDE~G
≥350
≥300
≤1.5
测试条件
TC=
75℃
IC=5mA
IE=5mA
UCE=50V
IC=2.5A
IB=0.25A
UCE=5V
IC=2A
UCE=12V
IC=0.5A
表9 3DG高频小功率硅管及其他同类型硅管(NPN型)
旧型号
部标新型号
极限参数
直流参数
交流参数
PCM
/W
ICM
/mA
BUCBO
/V
BUCEO
/V
ICBO
/μA
ICEO
/μA
hFE
/β
fT
/MHZ
3DG6A
3DG100M
100
20
20
15
≤0.01
≤0.01
25~270
≥150
3DG6A
3DG100A
30
20
≥30
≥150
3DG6B
3DG100B
40
30
≥30
≥150
3DG6C
3DG100C
30
20
≥30
≥300
3DG6D
3DG100D
40
30
≥30
≥300
3DG103M
100
20
≥15
≥12
≤0.1
≤0.1
25~270
≥500
3DG11A,B
3DG103A
≥20
≥15
≥30
≥500
3DG104B
3DG103B
≥40
≥30
≥30
≥500
3DG104C
3DG103C
≥20
≥15
≥30
≥700
3DG104D
3DG103D
≥40
≥30
≥30
≥700
测试条件
Ic=
100μA
Ic=
100μA
UCB=10V
UCE=10V
UCE=10V
Ic=30mA
UCE=10V
IE=50mA
fT=100MHZ
3DG121M
500
100
≥30
≥20
≤0.1
≤0.2
25~270
≥150
3DG5A
3DG121A
≥40
≥30
≥30
≥150
3DG7C
3DG121B
≥60
≥45
≥30
≥150
3DG5C~F
3DG121C
≥40
≥30
≥30
≥300
3DG7B,D
3DG121D
≥60
≥45
≥30
≥300
测试条件
Ic=
100μA
Ic=
100μA
UCB=10V
UCE=10V
UCE=10V
Ic=30mA
UCE=10V
IE=50mA
fT=100MHZ
3DG130M
700
300
≥30
≥20
≤1
≤5
25~270
≥150
3DG130A
≥40
≥30
≤0.5
≤1
≥30
≥150
3DG130B
≥60
≥45
≤0.5
≤1
≥30
≥150
3DG130C
≥40
≥30
≤0.5
≤1
≥30
≥300
3DG130D
≥60
≥45
≤0.5
≤1
≥30
≥300
测试条件
Ic=
100μA
Ic=
100μA
UCB=10V
UCE=10V
UCE=10V
Ic=50mA
UCE=10V
IE=3mA
fT=100MHZ
3DG高频小功率管β值
3DG8/6/11/1210-3030-6060-100100-150150-200200以上
红 黄绿蓝白不标色
3AX26/3120-3030-4040-5050-6565-8585-115
3AX42/43红橙黄绿蓝紫
表10 3AG高频小功率锗管及其他同类型锗管
参数
型号
PCM/mW
ICM/mA
U(BR)CEO/V
ICEO/μA
hFE/β
fT/MHZ
3AG1
50
10
-10
≤7
20~230
≥20
3AG2
50
10
-10
30~220
≥40
3AG3
50
10
-10
30~220
≥60
3AG4
50
10
-10
30~220
≥80
表11 3DK硅开关管及其他同类型硅管(NPN型)
型号
直流参数
交流
参数
开关参数
极限参数
ICEO
/μA
ICEO
/μA
hFE
/β
fT
/MHZ
tON
/ns
tOff
/ns
BUCBO
/V
BUCEO
/V
PCM
/W
ICM
/mA
Tfm
/℃
3DK1A
≤0.1
0.5
30~200
≥200
≤20
≤30
≥30
≥20
100
30
175
3DK1B
≤0.1
30~200
≤40
≤60
≥30
≥20
3DK1C
≤0.1
30~200
≤60
≤80
≥30
≥20
3DK1D
≤0.5
≥10
≤20
≤30
≥30
≥15
3DK1E
≤0.5
≥10
≤40
≤60
≥30
≥15
3DK1F
≤0.5
≥10
≤60
≤80
≥30
≥15
测试条件
UCB=
10V
UCE=
10V
UC=1V
IC=10mA
fT=30MHZ
UCE=1V
IC=10mA
IC
=100
μA
IC
=200
μA
IE
=100
μA
3DK7
≤1
≤1
20~150
≥150
≤50
≤80
≥25
≥15
≥4
30
150
3DK7A
≤0.1
≤0.1
20~200
≥120
65
<180
>5
50
175
3DK7B
≤0.1
≤0.1
≥120
65
<180
3DK7C
≤0.1
≤0.1
≥120
45
<130
3DK7D
≤0.1
≤0.1
≥120
45
90
3DK7E
≤0.1
≤0.1
≥120
45
60
3DK7F
≤0.1
≤0.1
≥120
45
40
测试条件
UCB=
10V
UCE=
10V
UCE=1V
IC=10mA
IC=10mA
IB1=1mA
IB2=2mA
IC=
10mA
IB1=IB2
=10mA
IC=
10μA
IC=
10μA
IE=
10
μA
表12 场效应管
参数
符号
单位
型号
3DO1
3DO4
3DJ2
3DJ8F
3DO6
3CO1
饱和漏极电流
IDSS
μA
0.3~10
0.5×103~15×103
0.3~10
15
2.5~5
<1000nA
栅源夹断电压
UGS(Off)
V
<|-9|
<|-9|
<|-9|
<|-9|
2~2.5
|-2|~|-8|
栅源绝缘电阻
RGS
Ω
≥109
≥109
≥107
107
≥109
共源小信号低频跨导
gm
μA/V
≥1000
≥2000
≥2000
6000
>2000
≥10
高频振荡频率
fT
MHZ
≥90
≥300
≥300
90
>500
最高漏源电压
UDS(BR)
V
20
20
>20
20
20
15
最高栅源电压
UGS(BR)
V
40
≥20
>20
20
20
20
最大耗散功率
UDSM
mW
100
1000
100
100
100
100
备注
N沟道耗尽型MOS管
高互导管
N沟道增强型开关管
P沟道增强型MOS管
几种常用晶体管特性参数
型号
材料与
极性
最大额定值
直流参数
交流参数
PCM
/W
ICM
/mA
BUCEO
/V
BUCBO
/V
ICBO
/μA
ICBO
/μA
hFE
/β
fT
/MHZ
9011
硅NPN
0.4
0.03
50
30
5
100
28-198
370
9012
硅PNP
0.625
-0.5
-40
-20
-5
-100
64-202
9013
硅NPN
0.625
0.5
40
20
5
100
64-202
9014
硅NPN
0.625
0.1
50
45
5
50
60-1000
270
9015
硅PNP
0.45
-0.1
-50
-45
-5
-50
60-600
190
9016
硅NPN
0.4
0.025
30
20
4
100
28-198
620
9018
硅NPN
0.4
0.05
30
15
5
50
28-198
1100
8050
硅NPN
1
1.5
40
25
6
100
85-300
190
8550
硅PNP
1
-1.5
-40
-25
-6
-100
60-300
200
2.三极管电极和管型的判别
(1)目测法
①管型的判别
一般,管型是NPN还是PNP应从管壳上标注的型号来辨别。
依照部颁标准,三极管型号的第二位(字母),A、C表示PNP管,B、D表示NPN管,例如:
3AX为PNP型低频小功率管3BX为NPN型低频小功率管
3CG为PNP型高频小功率管3DG为NPN型高频小功率管
3AD为PNP型低频大功率管3DD为NPN型低频大功率管
3CA为PNP型高频大功率管3DA为NPN型高频大功率管
此外有国际流行的9011~9018系列高频小功率管,除9012和9015为PNP管外,其余均为NPN型管。
韩国产4位数
②管极的判别
常用中小功率三极管有金属圆壳和塑料封装(半柱型)等外型,图T305介绍了三种典型的外形和管极排列方式。
(2)用万用表电阻档判别
三极管内部有两个PN结,可用万用表电阻档分辨e、b、c三个极。
在型号标注模糊的情况下,也可用此法判别管型。
①基极的判别
判别管极时应首先确认基极。
对于NPN管,用黑表笔接假定的基极,用红表笔分别接触另外两个极,若测得电阻都小,约为几百欧~几千欧;而将黑、红两表笔对调,测得电阻均较大,在几百千欧以上,此时黑表笔接的就是基极。
PNP管,情况正相反,测量时两个PN结都正偏的情况下,红表笔接基极。
实际上,小功率管的基极一般排列在三个管脚的中间,可用上述方法,分别将黑、红表笔接基极,既可测定三极管的两个PN结是否完好(与二极管PN结的测量方法一样),又可确认管型。
②集电极和发射极的判别
确定基极后,假设余下管脚之一为集电极c,另一为发射极e,用手指分别捏住c极与b极(即用手指代替基极电阻Rb)。
同时,将万用表两表笔分别与c、e接触,若被测管为NPN,则用黑表笔接触c极、用红表笔接e极(PNP管相反),观察指针偏转角度;然后再设另一管脚为c极,重复以上过程,比较两次测量指针的偏转角度,大的一次表明IC大,管子处于放大状态,相应假设的c、e极正确。
3.三极管性能的简易测量
(1)用万用表电阻档测ICEO和β
基极开路,万用表黑表笔接NPN管的集电极c、红表笔接发射极e(PNP管相反),此时c、e间电阻值大则表明ICEO小,电阻值小则表明ICEO大。
用手指代替基极电阻Rb,用上法测c、e间电阻,若阻值比基极开路时小得多则表明β值大。
(2)用万用表hFE档测β
有的万用表有hFE档,按表上规定的极型插入三极管即可测得电流放大系数β,若β很小或为零,表明三极管己损坏,可用电阻档分别测两个PN结,确认是否有击穿或断路。
4.半导体三极管的选用
选用晶体管一要符合设备及电路的要求,二要符合节约的原则。
根据用途的不同,一般应考虑以下几个因素:
工作频率、集电极电流、耗散功率、电流放大系数、反向击穿电压、稳定性及饱和压降等。
这些因素又具有相互制约的关系,在选管时应抓住主要矛盾,兼顾次要因素。
低频管的特征频率fT一般在2.5MHz以下,而高频管的fT都从几十兆赫到几百兆赫甚至更高。
选管时应使fT为工作频率的3~10倍。
原则上讲,高频管可以代换低频管,但是高频管的功率一般都比较小,动态范围窄,在代换时应注意功率条件。
一般希望β选大一些,但也不是越大越好。
β太高了容易引起自激振荡,何况一般β高的管子工作多不稳定,受温度影响大。
通常β多选40~100之间,但低噪声高β值的管子(如1815、9011~9015等),β值达数百时温度稳定性仍较好。
另外,对整个电路来说还应该从各级的配合来选择β。
例如前级用β高的,后级就可以用β较低的管子;反之,前级用β较低的,后级就可以用β较高的管子。
集电极-发射极反向击穿电压UCEO应选得大于电源电压。
穿透电流越小,对温度的稳定性越好。
普通硅管的稳定性比锗管好得多,但普通硅管的饱和压降较锗管为大,在某些电路中会影响电路的性能,应根据电路的具体情况选用,选用晶体管的耗散功率时应根据不同电路的要求留有一定的余量。
对高频放大、中频放大、振荡器等电路用的晶体管,应选用特征频率fT高、极间电容较小的晶体管,以保证在高频情况下仍有较高的功率增益和稳定性。
光敏三极管
光敏三极管在原理上类似于晶体管,只是它的集电结为光敏二极管结构。
它的等效电路见图T313。
由于基极电流可由光敏二极管提供,故一般没有基极外引线(有基极外引线的产品便于调整静态工作点)。
如在光敏三极管集电极c和发射极e之间加电压,使集电结反偏,则在无光照时,c、e间只有漏电流ICEO,称为暗电流,大小约为0.3μA。
有光照时将产生光电流IB,同时IB被“放大”形成集电极电流IC,大小在几百微安到几毫安之间。
光敏三极管的输出特性和晶体管类似,只是用入射光的照度来代替晶体管输出特性曲线中的IB。
光敏三极管制成达林顿形式时,可获得很大的输出电流而能直接驱动某些继电器。
光敏三极管的缺点是响应速度(约5~10μs)比光敏二极管(几百毫微秒)慢,转换线性差,在低照度或高照度时,光电流放大系数值变小。
使用光敏三极管时,除了管子实际运行时的电参数不能超限外,还应考
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