贴片电容封装与耐压值关系.docx

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贴片电容封装与耐压值关系

贴片电容:

封装与耐压值关系

2009-11-2612:

08

贴片电容的封装与耐压值的关系

　　贴片陶瓷电容器（统称贴片电容）是目前用量比较大的常用元件，就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。

下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。

不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司产品手册。

　　NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。

在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。

所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。

NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。

它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。

NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。

在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±ΔC。

NPO电容的漂移或滞后小于±%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。

其典型的容量相对使用寿命的变化小于±%。

NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。

下表给出了NPO电容器可选取的容量范围：

封装

DC=50V

DC=100V

0805

1206

1210

560---5600pF

560---2700pF

2225

μF

μF

NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。

X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。

当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。

X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。

它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。

下表给出了X7R电容器可选取的容量范围：

封装

DC=50V

DC=100V

0805

μF

μF

1206

μF

μF

1210

μF

μF

2225

μF---1μF

μμF

　　Z5U电容器　　Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。

这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。

对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。

但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。

尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。

尤其是在退耦电路的应用中。

下表给出了Z5U电容器的取值范围：

封装

DC=25V

DC=50V

0805

μμF

μμF

1206

μμF

μμF

1210

μμF

μμF

2225

μF---1μF

μF---1μF

Z5U电容器的其他技术指标如下:

工作温度范围

+10℃---+85℃

温度特性

+22%-----56%

介质损耗

最大4%

　　Y5V电容器　　Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。

Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达μF电容器。

Y5V电容器的取值范围如下表所示

封装

DC=25V

DC=50V

0805

μμF

μμF

1206

μF---1μF

μμF

1210

μμF

μμF

2225

μμF

μμF

Y5V电容器的其他技术指标如下:

工作温度范围

-30℃---+85℃

温度特性

+22%-----82%

介质损耗

最大5%

贴片电容器命名方法可到AVX网站上找到。

不同的公司命名方法可能略有不同。

以10uF为例：

耐压4V/，封装为3216；耐压4V，　　封装为3216；耐压10V/16V，封装为3528；耐压20V/25V，封装为6032；耐压35V，封装为7343/5846。

有470u左右的贴片电容，封装为7343。

外形尺寸与封装的对应关系是：

0402＝×0603＝×0805＝×1206＝×1210＝×1812＝×2225＝×

电容：

　　可分为无极性和有极性两类，无极性电容下述两类封装最为常见，即0805、0603；而有极性电容也就是我们平时所称的电解电容，一般我们平时用的最多的为铝电解电容，由于其电解质为铝，所以其温度稳定性以及精度都不是很高，而贴片元件由于其紧贴电路版，所以要求温度稳定性要高，所以贴片电容以钽电容为多，根据其耐压不同，贴片电容又可分为A、B、C、D四个系列，具体分类如下：

类型　封装形式　耐压　A　　3216　　10V　B　　3528　　16V　C　　6032　　25V　D　　7343　　35V　　贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示，贴片电容的系列型号有：

0402、0603、0805、1206、1812、2010、2225、2512，是英寸表示法，04表示长度是英寸，02表示宽度英寸，其他类同型号尺寸（mm）英制尺寸　公制尺寸　长度及公差宽度　及公差厚度0402　1005　±　±　±0603　1608　±　±　±0805　2012　±　±　±±±1206　3216　±　±　±±±1210　3225　±　±　±±1808　4520　±　±≤1812　4532　±　±≤2225　5763　±　±≤3035　7690　±　±≤　　贴片电容的命名：

贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求。

例风华系列的贴片电容的命名。

　　贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求。

一般订购贴片电容需提供的参数要有尺寸的大小、要求的精度、电压的要求、容量值、以及要求的品牌即可。

例风华系列的贴片电容的命名：

　　0805CG102J500NT　　0805：

是指该贴片电容的尺寸套小，是用英寸来表示的。

　　08表示长度是英寸；　　05表示宽度为英寸；　　CG：

是表示做这种电容要求用的材质，这个材质一般适合于做小于10000PF以下的电容；　　102：

是指电容容量，前面两位是有效数字、后面的2表示10后面有两个零，102＝10×10的二次方，也就是＝1000PF　　J：

是要求电容的容量值达到的误差精度为5%，介质材料和误差精度是配对的。

　　500：

电压表示，50后面零个零，也就指电容承受的耐压为50V，同样，500前面两位是有效数字，后面是指有多少个零。

　　N：

是指端头材料，现在一般的端头都是指三层电极（银/铜层）、镍、锡。

　　T：

是指包装方式，T表示编带包装，B表示塑料盒散包装。

　　贴片电容的颜色，常规见得多的就是比纸板箱浅一点的黄，和青灰色，这在具体的生产过程中会有产生不同差异；贴片电容上面没有印字，这是和他的制作工艺有关（贴片电容是经过高温烧结面成，所以没办法在它的表面印字），而贴片电阻是丝印而成（可以印刷标记）。

　　贴片电容有中高压贴片电容得普通贴片电容，　　系列电压有、10V、16V、25V、50V、100V、200V、500V、1000V、2000V、3000V、4000V　　贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示，贴片电容系列的型号有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010、2225等。

　　贴片电容的材料常规分为三种，NPO，X7R，Y5V　　NPO：

此种材质电性能最稳定，几乎不随温度，电压和时间的变化而变化，适用于低损耗，稳定性要求要的高频电路。

容量精度在5%左右，但选用这种材质只能做容量较小的，常规100PF以下，100PF-1000PF也能生产但价格较高。

　　X7R：

此种材质比NPO稳定性差，但容量做的比NPO的材料要高，容量精度在10％左右。

　　Y5V：

此类介质的电容，其稳定性较差，容量偏差在20％左右，对温度电压较敏感，但这种材质能做到很高的容量，而且价格较低，适用于温度变化不大的电路中。

贴片电容封装尺寸：

毫米（英寸）

封装

（L）长度/公制（毫米）

（W）宽度/公制（毫米）

（t）端点/公制（毫米）

0201

±

±

±

0402

±

±

±

0603

±

±

±

0805

±

±

±

1206

±

±

±

1210

±

±

±

1812

±

±

±

1825

±

±

±

2225

±

±

±

贴片电容的材质规格　　贴片电容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材质规格，不同的规格有不同的用途。

下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。

不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是敝司三巨电子公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。

　　NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。

在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。

所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。

　　一、NPO电容器：

NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。

它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。

　　NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。

在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±ΔC。

NPO电容的漂移或滞后小于±%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。

其典型的容量相对使用寿命的变化小于±%。

NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。

NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。

　　二、X7R电容器：

X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。

当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

　　X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。

　　X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。

它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。

　　三、Z5U电容器：

Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。

这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。

对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。

但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。

　　尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。

尤其是在退耦电路的应用中。

　　Z5U电容器的其他技术指标如下:

　　工作温度范围　+10℃---+85℃　　温度特性　+22%-----56%　　介质损耗　最大4%　　四、Y5V电容器：

Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。

　　Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达μF电容器。

　　Y5V电容器的其他技术指标如下:

　　工作温度范围　-30℃---+85℃　　温度特性　+22%-----82%　　介质损耗　最大5%

电容的主要特性参数：

　　1）容量与误差：

实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。

一般使用的容量误差有：

J级±5%，K级±10%，M级±20%。

　　精密电容器的允许误差较小，而电解电容器的误差较大，它们采用不同的误差等级。

　　常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。

用字母表示：

D级—±%；F级—±1%；G级—±2%；J级—±5%；K级—±10%；M级—±20%。

　　2）额定工作电压：

电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作，所承受的最大直流电压，又称耐压。

对于结构、介质、容量相同的器件，耐压越高，体积越大。

　　3）温度系数：

在一定温度范围内，温度每变化1℃，电容量的相对变化值。

温度系数越小越好。

　　4）绝缘电阻：

用来表明漏电大小的。

一般小容量的电容，绝缘电阻很大，在几百兆欧姆或几千兆欧姆。

电解电容的绝缘电阻一般较小。

相对而言，绝缘电阻越大越好，漏电也小。

　　5）损耗：

在电场的作用下，电容器在单位时间内发热而消耗的能量。

这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。

通常用损耗角正切值来表示。

　　6）频率特性：

电容器的电参数随电场频率而变化的性质。

在高频条件下工作的电容器，由于介电常数在高频时比低频时小，电容量也相应减小。

损耗也随频率的升高而增加。

另外，在高频工作时，电容器的分布参数，如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等，都会影响电容器的性能。

所有这些，使得电容器的使用频率受到限制。

　　不同品种的电容器，最高使用频率不同。

小型云母电容器在250MHZ以内；圆片型瓷介电容器为300MHZ；圆管型瓷介电容器为200MHZ；圆盘型瓷介可达3000MHZ；小型纸介电容器为80MHZ；中型纸介电容器只有8MHZ。

　　测评贴片电容性能，从三个方面进行，首先是贴片电容的四个常规电性能，即容量Cap.损耗DF，绝缘电阻IR和耐电压DBV，一般地，X7R产品的损耗值DF<=%，越小越好，IR*Cap>500欧*法，BDV>.其次是贴片电容的加速寿命性能，在环境温度和直流负载条件下，芯片应能耐100小时不击穿，质量好的可耐1000小时不击穿。

再次就是产品的耐热冲击性能，将电容浸入锡炉10秒，多做几粒，显微镜下观察是否有表面裂纹，然后可测试容量损耗并与热冲击前对比判别芯片是否内部裂纹。

贴片电容在电路上出现问题，有可能是贴片电容本身质量不良，亦有可能是设计时选取规格欠佳或是在表面贴装机械力热冲击等对贴片电容造成一定的损伤等因素造成。

贴片电容封装尺寸与标准封装及额定功率英制（mil）　公制（mm）　额定功率（W）@70℃　0201　　　0603　　　　1/20W　0402　　　1005　　　　1/16W　0603　　　1608　　　　1/10W　0805　　　2012　　　　1/8W　1206　　　3216　　　　1/4W　1210　　　3225　　　　1/3W　1812　　　4832　　　　1/2W　2010　　　5025　　　　3/4W　2512　　　6432　　　　　1W

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单击小图看全图　　2009-11-26

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