IGBT行业分析报告.docx
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IGBT行业分析报告.docx
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IGBT行业分析报告
2018年IGBT行业分析报告
2018年9月
IGBT作为一种新型电力电子器件,是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品,是工业控制及自动化领域的核心元器件,其作用类似于人类的心脏,能够根据工业装置中的信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等,以实现精准调控的目的。
因此,IGBT被称为电力电子行业里的“CPU”,广泛应用于电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等领域。
由于IGBT对设计及工艺要求较高,而国内缺乏IGBT相关技术人才、工艺基础薄弱且企业产业化起步较晚,因此IGBT市场长期被大型国外跨国企业垄断,国内市场产品供应较不稳定;随着国内市场需求量逐步增大,供需矛盾愈发突显。
我国政府于《中国制造2025》中明确提出核心元器件国产化的要求,“进口替代”已是刻不容缓。
一、行业主管部门、监管体制、主要法律法规及政策
1、行业主管部门及监管体制
本行业宏观管理部门为国家发改委,主要负责产业政策的制定,推进可持续发展战略,组织拟订高技术产业发展、产业技术进步的战略、规划和重大政策,协调解决重大技术装备推广应用等。
工业和信息化部是半导体分立器件制造行业的主管部门,其主要职责包括:
提出新型工业化发展战略和政策,协调解决新型工业化进程中的重大问题,拟订并组织实施工业、通信业、信息化的发展规划,推进产业结构战略性调整和优化升级;制定并组织实施工业、通信业的行业规划、计划和产业政策;监测分析工业、通信业运行态势,统计并发布相关信息,进行预测预警和信息引导;指导行业技术创新和技术进步,以先进适用技术改造提升传统产业等。
协调指导本行业发展的行业协会主要有中国电器工业协会电力电子分会及中国半导体行业协会分立器件分会。
行业协会履行行业管理职责,贯彻落实政府有关的政策、法规,协助政府开展行业统计、标准化、科技成果奖的评比、反倾销反补贴和保障措施等工作。
2、行业主要法律、法规及政策
目前,我国暂无针对IGBT行业的具体的法律及法规。
同时,由于IGBT具有巨大的国内和国际市场,且在产业结构升级、节能减排等领域发挥着不可替代的重要作用,为了鼓励国内IGBT产业的发展,打破国外企业在此领域的垄断,增强科技创新能力,推进节能降耗,建设资源节约型和环境友好型社会,近年来,政府部门制订了一系列政策鼓励、促进国内IGBT行业的发展。
二、IGBT行业概况
IGBT核心技术为IGBT芯片、快恢复二极管芯片的设计和生产以及IGBT模块的设计、制造和测试,IGBT芯片和快恢复二极管芯片是IGBT模块的核心。
1、集成电路(芯片)行业基本情况
集成电路系采用特种电路设计及加工工艺,集成于半导体晶片上的微型电子电路产品。
集成电路相比传统的分立电路,通过降低体积减小材料耗用量,大幅降低了制造成本,同时,其微小的体积及元件的紧密排布提高了信息的切换速度并降低了能耗,使得集成电路比分立电路在成本及效率上均有较大的优势。
完整的集成电路产业链包括设计、芯片制造、封装测试等环节,各环节具有各自独特的技术体系及特点,已分别发展成独立、成熟的子行业。
其中,集成电路设计系根据终端市场的需求设计开发各类芯片产品,集成电路设计水平的高低决定了芯片的功能、性能及成本。
伴随现代信息技术产业的快速发展,集成电路产业作为现代信息技术产业的基础和核心,已成为关系国民经济和社会发展全局的基础性、先导性和战略性产业,在推动国家经济发展、社会进步、提高人们生活水平以及保障国家安全等方面发挥着广泛而重要的作用,是当前国际竞争的焦点和衡量一个国家或地区现代化程度以及综合国力的重要标志之一。
随着国内经济不断发展以及国家对集成电路行业的大力支持,我国集成电路产业快速发展,产业规模迅速扩大,技术水平显著提升,有力推动了国家信息化建设。
IGBT芯片和快恢复二极管芯片行业作为特殊的集成电路芯片,是能源变换与传输的核心器件,在电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等行业发展中起到了关键作用。
同时,在“工业4.0”以及国家进口替代政策支持下,IGBT行业将迎来巨大的发展机遇。
2、IGBT基本情况介绍
IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor的缩写,即绝缘栅双极型晶体管。
它是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件,既有MOSFET的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点,又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点,在高压、大电流、高速等方面是其他功率器件不能比拟的,因而是电力电子领域较为理想的开关器件,是未来应用发展的主要方向。
正是由于具有上述优点,IGBT自20世纪80年代末开始工业化应用以来发展迅速,不仅在工业应用中取代了MOSFET和GTR,甚至已扩展到SCR及GTO占优势的大功率应用领域,还在消费类电子应用中取代了BJT、MOSFET等功率器件的许多应用领域。
作为工业控制及自动化领域的核心器件,IGBT模块在电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等诸多领域都有广泛的应用。
随着新能源汽车的发展以及变频白色家电的普及,IGBT的市场热度持续升温。
它不仅在工业应用中提高了设备的自动化水平、控制精度等,也大幅提高了电能的应用效率,同时减小了产品体积和重量,节约了材料,有利于建设节约型社会。
3、IGBT行业技术特点及技术水平
IGBT核心技术为IGBT芯片、快恢复二极管芯片的设计和生产以及IGBT模块的设计、制造和测试。
(1)IGBT芯片、快恢复二极管芯片的设计
IGBT芯片由于其工作在大电流、高电压、高频率的环境下,对芯片的可靠性要求较高,同时芯片设计需保证开通关断、抗短路能力和导通压降(控制热量)三者处于均衡状态,芯片设计与参数调整优化十分特殊和复杂。
国内可以自主研发IGBT芯片的公司较少。
快恢复二极管芯片是二极管芯片中的高端产品,需要对芯片的终端结构及有源区结构根据应用的要求进行优化设计,在保证芯片具有承受高电压、大电流能力的同时,还需要维持低于200纳秒的反向恢复时间及低的反向恢复损耗。
(2)IGBT芯片、快恢复二极管芯片的生产
IGBT芯片和快恢复二极管芯片生产步骤多,需要的生产设备较多,生产的组织、控制、设备调试等工作庞杂,如果缺乏相关经验需要较长时间的摸索才能掌握芯片的设计和生产工艺。
(3)IGBT模块的设计、制造和测试
IGBT模块的设计包括机械结构设计、电路布局设计、热设计、电磁设计等,一款IGBT模块的开发需要进行机-电-热-磁等方面的优化并兼顾模块生产工艺的可实现性等方面的因素。
IGBT模块制造是指根据特定的电路设计,将两个或以上的IGBT芯片和快恢复二极管芯片贴片到DBC板上,并用金属线键合连接,然后进行灌封,以满足芯片、线路之间的绝缘、防潮、抗干扰等要求,最后将电路密封在绝缘外壳内,并与散热底板绝缘的工艺。
IGBT模块由于集成度高,模块内部不同器件之间通常只间隔几毫米的距离,又需要能承受较大的电压和电流及可能存在的恶劣运行环境,因此在产品设计和工艺实现时需要考虑绝缘、耐压、散热、抗干扰、电磁兼容性等诸多因素,产品在设计和生产过程中需要用到电力电子、控制、材料、力学、热学、结构等多学科的知识。
要能大批量地生产出可靠性、稳定性高的IGBT模块,需要经过长时间的经验积累,才能了解器件和材料的特性,掌握生产工艺。
以贴片流程为例,就涉及到芯片位置的确定、不同材料的热膨胀系数及其特性、回流炉回流曲线及其他参数的设置等,这些生产工艺往往需要经过长期的研发试验才找到较为合适的方案。
由于国外企业起步较早,制造经验较为丰富,其制造工艺普遍领先于国内企业。
斯达股份通过十几年的钻研,不仅拥有了先进的制造工艺及测试技术,亦将其成功运用于实际生产中,并在IGBT高端应用领域具备竞争优势,目前已成为国内汽车级IGBT模块的领军企业。
4、IGBT芯片技术的发展
从20世纪80年代至今,IGBT芯片经历了6代升级,从平面穿通型(PT)到沟槽型电场—截止型(FS-Trench),芯片面积、工艺线宽、通态饱和压降、关断时间、功率损耗等各项指标经历了不断的优化,断态电压也从600V提高到6500V以上。
1)第一代:
产品采用“辐照”手段,由于体内晶体结构本身原因造成“负温度系数”,各IGBT原胞通态压降不一致,不利于并联运行,第一代IGBT电流只有25A,且容量小,有擎住现象,速度低。
2)第二代:
采用“电场中止技术”,增加一个“缓冲层”,在相同的击穿电压下实现了更薄的晶片厚度。
此技术在耐压较高的IGBT上运用效果明显。
3)第三代:
最大的改进是采用Trench结构,把沟道从表面变到垂直面,所以基区的PIN效应增强,栅极附近载流子浓度增大,从而提高了电导调制效应减小了导通电阻;同时由于沟道不在表面,栅极密度增加不受限制,工作时增强了电流导通能力。
4)第四代:
不再采用外延技术,而是采用离子注入的技术来生成P+集电极(透明集电极技术),可以精准的控制结深而控制发射效率尽可能低,增快载流子抽取速度来降低关断损耗,可以保持基区原有的载流子寿命而不会影响稳态功耗,同时具有正温度系数特点。
5)第五代:
FS-IGBT,是第四代产品“透明集电区技术”与“电场中止技术”的组合。
6)第六代:
FS-Trench-IGBT,是在第五代基础上改进了沟槽栅结构,并以新的面貌出现。
5、行业周期性、季节性及区域性特征
IGBT下游应用市场广泛,客户整体需求情况会受到宏观经济周期的影响,但由于IGBT作为新一代功率电力电子器件,市场增长较快,行业的周期性特征不太明显。
IGBT应用领域广泛,下游客户季节性需求呈现此消彼长的动态均衡关系,其季节性特征不明显,但是第一季度受到春节假期影响,工厂开工时间较短,因此第一季度销售占全年比重较小。
在行业区域性方面,IGBT下游客户相对集中于华东、华南等工业较为发达的地区。
三、IGBT行业现状及发展趋势
1、IGBT的市场规模及供求状况
(1)国内外IGBT市场规模持续上升
IGBT是诞生于20世纪80年代的功率半导体分立器件,进入工业应用时间较晚,虽然目前占整体功率半导体分立器件市场份额仍然不大,但它代表了未来的发展方向,市场规模增长很快。
根据市场调研机构Yole的报告显示,全球IGBT市场规模在未来几年时间将继续保持稳定的增长势头,市场规模至2018年将达到60亿美元。
在新能源、节能环保“十二五”规划等一系列国家政策措施的支持下,国内IGBT的发展亦获得巨大的推动力,市场持续快速增长。
2016年,国内IGBT市场规模达105.4亿元。
近几年我国IGBT市场规模情况如下图所示:
(2)传统工业控制及电源行业支撑IGBT市场稳步发展
IGBT模块是变频器、逆变焊机等传统工业控制及电源行业的核心元器件,且已在此领域中得到广泛应用。
目前,随着工业控制及电源行业市场的逐步回暖,预计IGBT模块在此领域的市场规模亦将得到逐步扩大。
①变频器行业
IGBT模块在变频器中不仅起到传统的三极管的作用,亦包含了整流部分的作用。
控制器产生的正弦波信号通过光藕隔离后进入IGBT,IGBT再根据信号的变化将380V(220V)整流后的直流电再次转化为交流电输出。
近年来,我国变频器行业的市场规模总体呈上升态势。
根据前瞻产业研究院整理,2016年我国变频器行业的市场规模为416.77亿元,平均4年复合增长率为8.74%。
2017年我国变频器市场规模约453.2亿元。
根据前瞻产业研究院整理数据,近年来,变频器市场中我国自主研发能力有所提升,特别是高压变频器在2017年的专利申请数稳定在160项以上。
同时,在实体经济的拉动作用下,变频器已进入新能源领域,在冶金、煤炭、石油化工等工业领域将保持稳定增长,在城市化率提升的背景下,变频器在市政、轨道交通等公共事业领域的需求也会继续增长,从而促进市场规模扩大。
未来几年,具有高效节能功能的高压变频器市场将受政策驱动持续增长,到2023年,高压变频器的市场将达到175亿元左右。
②逆变焊机行业
逆变式弧焊电源,又称弧焊逆变器,是一种新型的焊接电源。
这种电源一般是将三相工频(50赫兹)交流网路电压,先经输入整流器整流和滤波,变成直流,再通过大功率开关电子元件(IGBT)的交替开关作用,逆变成几千赫兹至几万赫兹的中频交流电压,同时经变压器降至适合于焊接的几十伏电压,后再次整流并经电抗滤波输出相当平稳的直流焊接电流。
根据中国产业信息网的统计,2017年全国电焊机产量累积为794.80万台,同比增长18.51%。
电焊机市场的持续升温亦将保证IGBT需求量逐步增大。
(3)新兴行业加速IGBT未来市场
在国际节能环保的大趋势下,IGBT下游的新能源汽车、变频家电、新能源发电等领域发展迅速,对IGBT模块需求逐步扩大,新兴行业的加速发展将持续推动IGBT市场的高速增长。
①新能源汽车行业
IGBT模块在新能源汽车中发挥着至关重要的作用,是新能源汽车电机控制器、车载空调、充电桩等设备的核心元器件。
IGBT主要应用于新能源汽车领域中以下几个方面:
根据达示数据统计显示,2017年12月全国新能源车(不包括微客)销量突破10万辆,全年累计(终端)销量累计73.5万辆,成为市场最为抢眼的板块。
2016年11月国务院印发的《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划的通知》指出,到2020年,新能源汽车实现当年产销200万辆以上,累计产销超过500万辆,对应2017-2020年新能源汽车产量每年平均40%的增速。
根据美国WardsA统计,2017年全球汽车销量超过9000万辆,随着新能源汽车替代率逐步上升,将持续拉动IGBT模块市场的需求。
②变频白色家电行业
具有变频功能的白色家电最核心的部件之一是其内部的“变频器”,而IGBT模块作为变频器的核心元器件,其高频开闭合功能能够带来以下优点:
1、较小的导通损耗和开关损耗;2、出色的EMI性能,可通过改变驱动电阻的大小满足EMI需求的同时保持开关损耗在合理范围内;3、强大的抗短路能力;4、较小的电压尖峰(对家电起到保护作用)。
中国作为全球最大的家电市场和生产基地,亦孕育着大规模的IGBT市场。
以空调行业为例,据《产业在线》数据显示,2017年中国家用空调产量14,350万台,同比增长28.7%;销售14,170万台,同比增长31%,其中内销8,875万台,同比增长46.8%,出口5,295万台,同比增长11%。
随着节能环保的大力推行,具有变频功能的白色家电将具有广阔的市场前景。
变频白色家电的推广不仅仅能够促进IGBT模块市场的持续扩张,更能够给IGBT模块提供稳定的市场需求。
③新能源发电行业
新能源发电主要以光伏发电和风力发电为代表。
根据国家能源局数据显示,2017年,我国光伏发电装机容量继续保持快速增长,新增装机53.06GW,连续五年位居世界第一,同比增长53.6%,截至2017年底,全国光伏发电累计装机容量达到130GW。
“十三五”规划中,全国光伏容量将达到150GW,市场容量巨大。
另外,根据中国产业信息网数据显示,21世纪以来随着以中国为代表的新兴市场风电装机容量的快速增长,2017年全球风电累计装机达到539,123兆瓦,新增装机容量为52,492兆瓦。
由于新能源发电输出的电能不符合电网要求,需通过光伏逆变器或风力发电逆变器将其整流成直流电,再逆变成符合电网要求的交流电后输入并网。
IGBT模块是光伏逆变器和风力发电逆变器的核心器件,新能源发电行业的迅速发展将成为IGBT模块行业持续增长的又一动力。
2、国内IGBT行业竞争格局
(1)外国企业占据绝大部分市场
目前国内外IGBT市场仍主要由外国企业占据,虽然我国IGBT市场需求增长迅速,但由于国内相关人才缺乏,工艺基础薄弱,国内企业产业化起步较晚,IGBT模块至今仍几乎全部依赖进口,市场主要由欧洲、日本及美国企业占领。
同时,国内企业由于芯片供应主要源于国外,制约性较强,因此发展较为缓慢。
(2)国内企业正力求突破
由于IGBT行业存在技术门槛较高、人才匮乏、市场开拓难度大、资金投入较大等困难,国内企业在产业化进程中一直进展缓慢。
随着全球制造业向中国的转移,中国已逐渐成为全球最大的IGBT市场,IGBT国产化需求已是刻不容缓。
在市场需求的吸引下,一批具备IGBT相关经验的海外华人归国投身IGBT行业,同时国家大量资金流入IGBT行业,我国IGBT产业化水平有了一定提升,部分企业已经实现量产。
3、进入行业的主要障碍
IGBT作为新兴的功率半导体器件,应用前景广阔,虽然国内政策上一直鼓励IGBT相关产业的发展,但是由于产品认证周期比较长,真正在产业化上取得突破,得到用户认可的国内企业目前还较少,主要是由于本行业存在较高的进入壁垒。
(1)技术壁垒
①芯片设计
IGBT芯片是IGBT模块的核心,其设计工艺极为复杂,不仅要保持模块在大电流、高电压、高频率的环境下稳定工作,还需保持开闭和损耗、抗短路能力和导通压降维持平衡。
快恢复二极管芯片在IGBT模块中与IGBT芯片配合使用,需要承受高电压、大电流的同时,要求具有极短的反向恢复时间和反向恢复损耗。
企业只有具备深厚的技术底蕴和强大的创新能力,积累丰富的经验和知识储备,才能在行业中立足。
因此,行业内的后来者往往需要经历一段较长的技术摸索和积累,才能和业内已经占据技术优势的企业相抗衡。
②模块设计及制造工艺
IGBT模块对产品的可靠性和质量稳定性要求较高,生产工艺复杂,生产中一个看似简单的环节往往需要长时间摸索才能熟练掌握,如铝线键合,表面看只需把电路用铝线连接起来,但键合点的选择、键合的力度、时间及键合机的参数设置、键合过程中应用的夹具设计、员工操作方式等等都会影响到产品的质量和成品率。
IGBT模块作为工业产品的核心器件,需要适应不同应用领域中各种恶劣的工作环境,因此对产品质量的要求较高。
如电焊机行业,考虑到逆变电焊机工作环境较为恶劣,使用负荷较重,在采购核心部件IGBT模块时会优先考虑模块的耐久性,因此芯片参数和模块制造工艺的可靠性是生产IGBT模块的核心。
而且IGBT和下游应用结合紧密,往往需要研发人员对下游应用行业较为了解才能生产出符合客户要求的产品。
目前国内具有相关实践、经验丰富的研发技术人才仍然比较缺乏,新进入的企业要想熟练掌握IGBT芯片或模块的设计、制造工艺,实现大规模生产,需要花费较长的时间培养人才、学习探索及技术积累。
(2)品牌和市场壁垒
IGBT模块是下游产品中的关键部件,其性能表现、稳定性和可靠性对下游客户来说至关重要,因此认证周期较长,替换成本高。
对于新增的IGBT供应商,客户往往会保持谨慎态度,不仅会综合评定供应商的实力,而且通常要经过产品单体测试、整机测试、多次小批量试用等多个环节之后,才会做出大批量采购决策,采购决策周期较长。
因此,新进入本行业者即使生产出IGBT产品,也需要耗费较长时间才能赢得客户的认可。
(3)资金壁垒
IGBT行业亦属于资本密集型行业,产业链涵盖芯片设计、芯片制造、模块制造及测试等环节,其生产、测试设备基本需要进口,设备成本较高,同时产品的研发和市场开拓都需要较长时间,客户往往要经过较长时间试用才会认可新的品牌,此外,本行业对流动资金需求量也较大,新进入者在前期往往面临投入大、产出少的情况,需要较强的资金实力作后盾,才能持续进行产品的研发、生产和销售。
4、行业利润水平的变动趋势及变动原因
近年来,国内IGBT行业发展迅猛,下游客户需求量增幅较快。
由于IGBT模块技术含量高,产品在技术、客户积累以及资金投入等方面具有较高的进入壁垒,市场竞争程度相对较低,部分行业优质企业凭借自身技术研发、产业链完善、质量管理等综合优势,能够在该领域获得相对较高的利润率水平。
但由于需要不断的研发投入,利润水平较易受到研发资金投入的影响。
四、影响行业发展的因素
1、有利因素
(1)国家政策为行业发展提供有利支持
功率半导体分立器件行业是我国重点鼓励和支持的产业之一,为推动节能减排,促进电力电子技术和产业的发展,国家发改委等有关部门陆续出台资金补贴计划等一系列政策及文件,支持新型电力电子器件的产业化发展。
《国民经济和社会发展第十三个五年规划纲要》提出大力推进先进半导体等新兴前沿领域创新和产业化,形成一批新增长点。
(2)节能减排政策将推动IGBT市场需求增长
随着我国经济的快速发展,能源需求量越来越大,国内能源供应紧缺的矛盾日益突出。
近年来国家出台了多项节能减排政策促进相关行业的发展,受益于此,工业控制、变频白色家电等节能效果明显的产品近年来市场规模不断扩大,而工业控制、变频白色家电均为IGBT模块的主要应用领域,使IGBT模块的市场需求快速增长。
(3)新能源领域的发展将推动行业快速发展
由于传统石化能源储量有限且污染严重,近年来以风能、太阳能等为代表的新能源产业发展迅速。
风能、太阳能发电产生的电力要经过逆变器才能并网使用,IGBT模块是逆变器的核心电子元器件,因此未来新能源领域的快速发展将会推动IGBT行业的快速发展。
(4)IGBT模块应用范围日益广泛
随着国内产业结构的调整升级,智能电网、精密控制、信息通信、轨道交通、航空航天等领域也发展迅速,对IGBT的需求不断扩大,大大拓展了IGBT的应用范围。
(5)“进口替代”政策支持
国内IGBT模块市场长期以来为国外跨国企业所垄断,供给在总量和结构上都远远不能满足国内市场需求,尤其在新能源汽车等较难涉足的高端行业更是如此,因此“进口替代”刻不容缓。
在国家大力扶持“进口替代”型企业的宏观趋势下,逐渐增加的进口替代机会是IGBT模块产业发展的又一重要驱动力。
目前,中国IGBT模块产业进入了一个黄金发展期,国家的经济发展、节能减排的驱动、新能源汽车的普及、产业政策的扶持、全球化趋势等助推中国成为IGBT模块需求增速最快的市场。
2、不利因素
(1)行业基础相对薄弱
IGBT行业在我国属于新兴高技术产业,直到目前国内具有相关研发和生产管理经验的人员仍十分缺乏,具有一定积累的企业更是少之又少。
虽然目前部分企业有了一定突破,但在整体规模和研发实力等方面,国内企业的竞争力和国外企业相比仍然差距很大。
(2)芯片国产率较低
我国IGBT行业近年来规模不断扩大,国内也有一批半导体企业正在进入IGBT行业,但是国内能够自主研发设计芯片的企业较少,国内企业仍主要依靠进口芯片进行生产,因此生产成本较高,进口依赖较强,经营稳定性较差。
五、行业经营模式及盈利模式
IGBT芯片、快恢复二极管芯片企业根据是否自建晶圆生产线分为存在两种经营模式:
IDM模式和Fabless模式。
1、IDM模式
IDM模式即垂直整合制造商,是指包含电路设计、晶圆制造、封装测试以及投向消费市场全环节业务的企业模式,IGBT芯片、快恢复二极管芯片设计只是其中的一个部门,同时企业拥有自己的晶圆厂、封装厂和测试厂。
该模式对企业技术、资金和市场份额要求极高,目前仅有英飞凌、三菱等少数国际巨头采用此模式。
2、Fabless模式
Fabless模式即无晶圆厂的集成电路设计企业,该模式下的企业仅专注于集成电路设计,没有自己的工厂,芯片的制造由外包工厂完成。
由于无需投资建立晶圆制造生产线,减小了投资风险,且能较快速开发出终端需要的芯片。
六、行业上下游之间的关联性
IGBT行业产业链包括芯片设计、芯片制造和模块的设计、制造和测试,其中IGBT芯片是IGBT行业的核心。
行业下游客户分布广泛,包括工业控制及自动化、新能源汽车、新能源发电、电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子等众多领域。
未来随着变
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