何丰主编低频电子电路习题参考答案.docx
- 文档编号:4127908
- 上传时间:2022-11-28
- 格式:DOCX
- 页数:18
- 大小:19.59KB
何丰主编低频电子电路习题参考答案.docx
《何丰主编低频电子电路习题参考答案.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《何丰主编低频电子电路习题参考答案.docx(18页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
何丰主编低频电子电路习题参考答案
何丰主编低频电子电路习题参考答案
------------------------------------------------------------------------------------------------
何丰主编低频电子电路习题参考答案
第一章:
半导体基础元件与非线性电路
1-1解:
根据题意得:
?
i=Is?
e?
?
vvT?
?
1?
?
?
所以,?
i=?
eIs?
?
vvT?
2.16?
1=1.16?
?
?
1?
=?
5.84?
?
?
45.81?
(0.02V)(0.05V)(0.1V)1-2解:
根据题意得:
/V
1-4解:
根据题意得:
二极管的模型如下:
V
?
、电路图如下所示:
V1=5v2=5v
假设,VD断开,这时电流I=V1+V2=R1+R25+5=2mA33+2×10VAB=?
IR1+V1=(?
2)×3+5=?
1V故VD断开,流过其电流为零。
即
ID=0ID=?
IS
?
、电路图如下所示:
R1=2k?
R2=3k?
10V5V
I=10+5=3mA32+3×10
所以二极管两端的电压VAB
——————————————————————————————————————
------------------------------------------------------------------------------------------------
故二极管导通=?
IR1+V1=(?
2)×3+10=4V
?
VD=V1?
I1R1
所以可以得到?
?
VD=?
I2R2?
V2
V1?
VD10?
0.7==4.65mAI1=2R1
VD+V20.7+5I2=?
=?
=?
1.9mA2R2
?
I3=I1+I2=4.65?
1.9=2.75mA1-6解:
根据题意得:
+v0?
假设二极管VD断开
VD=V+Vi
V时,VD当V=?
2
二极管截止,=?
2+1.0sinwt<0vo=0
t
当V=0V时,VD=sinwt>0时,v0=vi
VD=sinwt<0时,v0=0
t
当V时,D=2VV=2+sinwt>0v0=2+sinwt
t
1-8:
解:
根据题意得:
题图如下:
6V
先做直流分析:
6V
IDQ=VDD?
VD(on)=6?
0.7R25.1=1.04mArVTj=I=25?
DQ
再做交流分析
——————————————————————————————————————
------------------------------------------------------------------------------------------------
+virj=25?
?
由于R2//rj=25?
vom=1
2vim=2.5mV
1-12解:
根据题意得:
V
?
?
VD1=?
vi?
VD(on)?
V=v?
VD2iD(on)?
?
?
VD1=?
vi?
V=v?
D2i
vi<?
VD(on)=?
0.6Vvi>VD(on)=0.6V?
、viVD1导通D1VD2导通D
2<?
0.6V
时,V导通,V截止,情况如下所示:
+v0?
vi+VD(on)=2I
vo=?
VD(on)+I=?
、vi(vi?
VD(on))>VD(on)=0.6VVD2导通VD1截止,情况如下:
+v0?
v0
vi?
vD(on)=2I
1=21=2
(v(v
i
?
vD(on)+vD(on)+vD(on——————————————————————————————————————
------------------------------------------------------------------------------------------------
i
)))
vo=vD(on
)+I
?
、当?
vD(on)
?
vi?
vD(on)时,即?
0.6V?
vi?
0.6V时,VD1、VD2截止
?
vo=vi
所以,输出电压和输入电压的关系图如下:
i
?
、解:
根据题意得
+
vI
?
k?
解:
根据题意得:
假设D1
可得
当D2D3D4断开vD1=10?
vIVD2=10VVD3=10V
vD4=10+vIEvI>0时,D4优先导通可得v=vI?
0.7
此时电路图如下所示
+vI
?
k?
v
——————————————————————————————————————
------------------------------------------------------------------------------------------------
D1=10?
vIvD2=10VvD3=0?
vE=0.7?
vID2先导通
故又可得到电路图如下
+vI
?
k?
vD1=10?
vIvC10?
0.7=×10=4.65V20
vD3=vC?
vE=5.35?
vIvA=4.65+0.7=5.35V
vD1=vA?
vI=5.35?
vI可得vD1>0.7V时,0<vI<4.65V
=vI此时D1D3导通,
时,vIvoD3截止。
D2D4导通vD1<0.7V>4.65V
,此时,D1vo=4.65V
vI<0的情况同理可以推测最终得到的图形如下:
1.13解:
根据题意得:
+
RLv
?
1.2V
?
VV1.2VI
R?
R=I?
10maxR?
5=200.8VI?
V2
R?
V2
R=Imin?
5=5
得出:
VI=18.75VRL=0.5k?
+RL
——————————————————————————————————————
------------------------------------------------------------------------------------------------
v0
?
I
第二章:
半导体受控器件基础
2-6解:
根据题意得:
?
、VBE=0.7VVCE=11.7V处于放大区域(放大状态)硅?
、VBE=?
0.2VVCE=?
0.2V处于饱和区锗
锗
NPN
硅PNP
ec
e
2-7解:
根据题意得:
VBE=?
3.2+2.5=?
0.7VVCE=?
7+2.5=?
4.5V放大
VBE=VB?
VE=?
3.2+2.5=?
0.7V?
、VCE=VC?
VE=7?
3.2=3.8V截止2-11解:
根据题意得:
?
、
VGS(th)=1V
NEMOSVDS>0uoxCoxw2iD=(vDS?
1)2l
?
、
VGS(th)=-1V
PEMOS
——————————————————————————————————————
------------------------------------------------------------------------------------------------
?
、VDS<0uoxCoxw2iD=(vDS+1)2l
VGS(th)=VGS(off
N沟道结型
v?
?
iD=IDSS?
1+GS?
3.5?
?
?
、2)=?
3.5V
VGS(th)=VGS(off)=?
1.5VNDMOS
voxCoxwiD=2l(vGS+1.5
10V)22-12解:
根据题意得:
3V
VVGS=0VVDS=
7VV
3V
VVGS=?
7V
VDS=?
7VGS>VGS?
VGS(th)
2-13解:
根据题意得
VGS(off)=0.75V=VGS(th)
第三章:
半导体受控器件的分析
3-4解:
根据题意得:
P沟道结型
?
、P沟道VGS加正压VDS加负电压
非饱和区
?
、N沟道耗尽MOS
——————————————————————————————————————
------------------------------------------------------------------------------------------------
=0VGSVGS(th)为负VGS>VGS(th)
如果VDS>VGS?
VGS(th)=?
VGS(th)则为饱和区反之,则为非饱和区
3-5解:
根据题意得
ICQ5=VEE?
VBEQRC+RE=15?
0.6=1mA14+0.3
ICQ1=ICQ21=ICQ5=0.5mA2
改:
设A=100V,求解:
根据题意得
Rid,Rod,Avd
ICQ5=
VEE?
VBEQRC+RE
=
15?
0.6
?
1mA
14+0.3
ICQ1=ICQ2
11
=IEE=ICQ5=0.5mA22
rbe=rbb'+rb'e=5.35k?
Rid=2rbe=10.7k?
ib1
Ro4=rce4
?
?
βR2?
1+?
——————————————————————————————————————
------------------------------------------------------------------------------------------------
R2+rbe4+rce?
?
re3+R1?
?
rce1=rce2=rce4
AVd2=
VAV==200k?
re3==52?
ICQ1ICQ1
?
182.7
βrce2Ro4
rbe2
Rod=rce2?
?
Ro4?
180k?
3-6解:
根据题意得
?
、
VCC
应加正电压
NEMOS
应加VGS
?
、电源极性加错,未加积极偏置
?
、VCC
电源极性加错
+
v0?
?
、电源极性加错
(+12V)
+v0
——————————————————————————————————————
------------------------------------------------------------------------------------------------
?
3-7解:
根据题意得
CC+12V
RC
Re
?
、解:
根据题意得
Rb220VB=VCC=×12=4VRb2+Rb120+40RB=Rb1?
?
Rb2=40?
?
20=40×20=13.
33k?
40+20
IBQ=VB?
VBEQ
RB+1+βRe
=4-0.7=0.029mA13.3+50×2ICQ=1.43mA
VCEQ=VCC?
ICQ(RC+Re)
=12-1.43×4.5=5.6V>0.3V故处在放大区分压式计算
VBQRb2=?
?
VCC=4VRb1+Rb2
?
VBQ?
VBEQ
Re
=4.8VIEQ4?
0.7?
=1.65mA2VCEQ
?
、解:
根据题意得V
RBB20=×12=8V30=10?
?
20=10×20/30=6.67k?
8?
0.7=0.0684mA
ICQ=3.35mA6.67+50×2IBQ=
——————————————————————————————————————
------------------------------------------------------------------------------------------------
VCEQ=12?
(10+2)×3.35=?
28V处于饱和区IEQ
VCEQ8?
0.7==3.65mA2=12?
(10+2)×3.65=?
31.8V2012=0.235V
截止区?
、VB=1000+20
3-9解:
根据题意得
交流电路
R6
小信号等效电路
3-10解:
根据题意得
vi=Riii+(ii+gmvgs)R2vgs=iiRg?
gmvgsR1
gmR1Rgvi
Ri==Rg+R1+
ii1+gmR1
vi?
v1v2?
v1v1
+=RgR1R2
v2=vi
v?
v?
v2
=gmvgs+
dsR1
R2+gm(R1R2+R2Rg+R1Rg)
R1R2+RgR2+R1Rg
R2+Rg+gm(R1Rg+R1R2+R2Rg)+
rds
——————————————————————————————————————
------------------------------------------------------------------------------------------------
3-12解:
根据题意得
ICQ2R2?
ICQ3R3ICQ3?
IR=
?
VEE?
VBE(on)
R3+R4
6?
0.6==0.5mA1.8+9
ICQ2=IEQ1=
R31.8IR=×0.5=0.2mA
4.5R2
ICQ1?
IEQ1=0.2mA
补充的题:
解:
根据题意得
RB=RB1?
?
RB2=140?
?
22=19k?
R22E=VB=?
?
VCC=×9=1.22VRB1+RB2140+22
VBE=VB?
IBRB=1.22?
IB?
?
19
BE
VCE=VCC?
ICRC=9?
2ICICQ=1.8mAVCEQ=5.2V
E
第四章:
放大单元与基本组成电路
4-2滑动变阻器处连接错误4-3解:
根据题意得?
、IBQ
ICQ
VCEQ12-0.7==31.3μA=Rb+1+βRe300+61×
1VCC?
VBEQ=1.88mAIEQ?
1.91mA=VCC?
ICQ(Rc+Re)=12?
1.88(3+1)?
——————————————————————————————————————
------------------------------------------------------------------------------------------------
4.48V
VT26=61×?
0.83k?
IEQ1.91?
、rb'e=(1+β)
AV=?
β(RCRL)
rbe60×1.5=?
?
?
96.80.93
Ri
=Rb?
?
rbe?
0.93k?
Ro=Rc=3k?
?
、vi=Ri0.93vs=10×?
2.96mAvo=306.9mARi+Rs2+0.93
4-4解:
根据题意得VCEQ=VCC?
ICQ(RC+RE)=?
6+3.5=?
2.5Vrb'eVT=β=100×26=2.6k?
rbe=rbb'+rb'e=2.9k?
ICQ
'RL1.5=?
100×=?
51.72AV=?
βrbe2.9
不失真
vo=?
AVvi?
2.59?
2.6V
VCE
既有饱和失真也有截止失真4-5解:
根据题意得?
、
IBQ=VEE?
VBE(on)
Rb+1+βRe=12?
0.7=21.7mA260+51×5.1
IEQ=1.1mAVCEQ
?
、Ri=?
VEE+IEQRe=?
12V+1.1×5.1=?
6.39V
VT261+=β×51=1.21k?
rbe=1.41k?
()IEQ1.1=Rb?
?
?
?
rbe+(1+β)Re?
?
RL?
?
rb'e=
Ri=260?
?
(1.4+260.1)?
130.4k?
rbe+Rs'1.41+0.5260kR=Re?
?
=5.1?
?
?
37.4?
o1+β51
——————————————————————————————————————
------------------------------------------------------------------------------------------------
Av=(1+β)RL'
'rbe+1+βRL=51×2.55=0.991.4+51×2.55
4-6
例图
4-11解根据题意得ID1=ID2=ISS=1mA
R?
?
AVd=?
gm?
RD?
?
L?
=?
2×(10?
?
5)=?
6.672?
?
Rid?
?
Rod=2RD=20k?
4-13解:
根据题意得
Pomax1VCC?
VCE(Sat)=RL2()2=11×11=6.05w20PD=2VCCIom
π=2×12
π×11=8,4w10
1PC=(PD?
Pomax)=1.18w2
4-14解:
根据题意得Pomax?
VCC?
V?
?
CE(sat)?
11×112===7.56w
2RL16Pcmax=0.2Pomax=1.5w
第五章:
放大器频率特性基础
5-2解:
根据题意得
103(5+s)A(s)==s?
?
s?
?
2s?
?
10(10+s)?
10+?
10?
1+?
?
1+2?
210210×?
?
?
?
?
?
?
s?
500?
1+?
2
10(1+s)5?
?
==s?
?
s?
?
s?
?
s?
?
?
1+?
?
1+?
1+?
?
1+2?
2?
1021010210××?
?
?
?
?
?
?
?
w?
?
500?
1+j?
5?
?
jw)=w?
?
w?
?
1+j1+j?
?
?
?
10200?
?
?
?
?
20lg?
20lg106(5+s)A(
——————————————————————————————————————
------------------------------------------------------------------------------------------------
5-3解:
根据题意得
A(jw)=105
w?
?
w?
?
w?
?
1+j1+j?
1+j?
5?
?
6?
?
2π×10?
?
2π×10?
?
2π×107?
?
5-5解:
根据题意得
fH11=2πRtCtRt=?
?
Rs?
?
RB+rbb'?
?
rbe
'Ct=Cb'e+(1+gmRL)Cb'c其中RL'=RC?
?
rce
fH
fH2=?
12πRCM1
1
fH1'L2CM2'1+gmRL=Cb'c?
Cb'c'gmRL+1fH2
当fH2?
fH1时,fH?
fH1
第六章:
集成器件基础
6-1解:
根据题意得直流分析
VC
+
V
?
10V
I=
I1=VB?
2VBE(on)REVBE(on)——————————————————————————————————————
------------------------------------------------------------------------------------------------
RB2=36==72mA50.7=0.7mA1IE2=I?
I1=71.3mA
IE1IE2=+I1=5.2mA1+β
=300?
rbe=0.305k?
设:
rbb'
rbe1
交流分析V=rbb'+(1+β)=0.375k?
IEQ1
+
Vi
?
vi=ib1rbe1+ib2rbe2+iRE2
ib2rbe2=?
?
(β+1)ib1?
ib2?
?
RB2
i=ie2+
可(β+1)ib1?
ib2得:
Ri=R(1+β)R(1+β)βvi=rbe1+rbe2B2+(1+
β)RE2+B2RE2?
14.1k?
ib1RB2+rbe2RB2+rbe2
E2v0=iR
vo=vi
令(β+1)RE2RB2(1+β)β+?
?
RE2RB2+rbe2?
0.71RiRB2?
?
Ri=rbe1+(1+β)rbe2+(1+β)RE2+β(1+β)RE2?
18.1k?
v0(1+β2
v=)RE2irbe1+(1+β)rbe2+(1+β)2R?
0.71
E2
6-2解:
根据题意得
β?
?
RR?
?
C
——————————————————————————————————————
------------------------------------------------------------------------------------------------
A?
?
L2?
vd=?
?
rw
be+(1+β)R2
Ion)
EE=VEE?
VBE(=6?
0.7
R5.3=1mA1
r2VT26b'e=I(1+β)=51×=2.7k?
EE0.5
Avd=?
50×(5.15.1)
2.7+51×0.05=?
24.3R=2?
Rw?
id?
?
rbe+(1+β)2?
?
=2[2.7+51×0.05]=10.5k?
Rod=2RC=10.2k?
6-9解:
1、3正确
第七章:
反馈放大结构与应用
7-2解:
根据题意得
?
、电流并联正反馈?
、电压并联负反馈?
、R1所在反馈支路电流串联负反馈R2所在反馈支路电压并联负反馈?
、电压并联负反馈
7-3解:
根据题意得
电压串联负反馈
Avf
v0ic2R3=?
?
?
vvivf
f
R2
——————————————————————————————————————
------------------------------------------------------------------------------------------------
=vo
R2+R6
62
R
A=+1由vi?
vf得:
vf
R
采用电压源驱动
7-4解:
根据题意得反馈类型:
电压并联负反馈
2
Pomax
2?
VCC?
VCE(sat)?
91?
()===4w
2RL2×8
Vom=(9?
1)=8V=Vim
Pd=
2VCCVCC?
VCE(sat)
(
πRL
)=2×98=5.73w
π
8
Pomax
?
?
70%η=Pd
——————————————————————————————————————
------------------------------------------------------------------------------------------------
1
PC=(Pd?
Pomax)=0.865w
2
R
3
的作用是减小失调
7-9解:
根据题意得
因构成电压负反馈
CC
Rf
Av
vf=0ivi?
iiRBi=?
v0
ff
Rifvf?
?
Rfi?
iAR
B
得出构成电压并联
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 主编 低频 电子电路 习题 参考答案