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模电复习题
浙江省2008年7月
一、填空题(本大题共10小题,每小题1分,共10分)
1.PN结的反向击穿有雪崩和________两种击穿。
2.杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的,少数载流子是由________产生的。
3.衡量双极型三极管放大能力的参数是________。
4.已知某晶体三极管的fT和β,则fβ=________。
5.根据外加电压的不同,场效应管的输出特性曲线族可划分为________区、饱和区、截止区和击穿区。
6.MOS场效应管按导电沟道划分为N和________两大类。
7.对放大器偏置电路的要求有两个:
一是合适,二是________。
8.放大电路的失真按失真机理分为线性失真和________失真两大类。
9.若引入反馈使放大器的增益________,这样的反馈称为负反馈。
10.放大电路中,为稳定静态工作点,应引入________反馈。
二、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)
11.温度升高时,晶体二极管的Is将()
A.增大B.减小
C.不变D.近似不变
12.PN结反向工作时,流过的电流主要是()
A.扩散电流B.漂移电流
C.传导电流D.扩散与漂移电流并存
13.已知某晶体管的α=0.99,则该管的β值是()
A.100B.101
C.98D.99
14.如改变三极管基极电压的极性,使发射结由正偏导通变为反偏,则集电极电流()
A.反向B.中断
C.增大D.不变
15.当场效应管被预夹断后,ID将随VDS的增大而()
A.增大B.减小
C.不变D.略微增大
16.场效应管用作α信号放大时,其静态工作点应设置在输出特性曲线的()
A.非饱和区B.饱和区
C.截止区D.击穿区
17.共射基本放大电路中,若测得晶体管的VCQ≈VCC,则可以判别晶体管工作在()
A.放大状态B.饱和状态
C.截止状态D.击穿状态
18.差分放大器中用电流源代替Ree是为了()
A.提高差模放大倍数B.提高共模放大倍数
C.提高共模抑制比D.提高差模输入电阻
19.所谓放大器工作在闭环状态是指()
A.考虑信号源内阻B.有反馈通路
C.接入负载D.信号源短路
20.负反馈放大电路的环路增益是指()
A.
B.
C.1+
D.
21.如果PN结的反向电流急剧增加,称为()
A.反向导通B.反向截止
C.反向击穿D.反向饱和
22.工作在放大状态的某PNP晶体管、各电极电位之间应满足的关系为()
A.VC
C.VC
23.场效应管工作在非饱和区时,其电压电流之间呈现________关系。
()
A.指数B.平方
C.对数D.线性
24.某放大电路负载开路时,输出电压为4V,负载短路时,输出电流为10mA,则该电路的输出电阻为()
A.200ΩB.300Ω
C.400ΩD.500Ω
25.某放大电路的增益A=100dB,若希望引入负反馈使其增益下降为Af=100倍,问反馈系数kf应选多少?
()
A.0.1B.0.01
C.0.001D.0.00999
浙江省2009年4月
一、填空题(本大题共10小题,每空1分,共10分)
1.当PN结外加正向电压时,耗尽层的宽度将_____。
2.在比例运算电路中,_____比例运算电路的闭环增益大于等于1。
3.理想集成运放的输出电阻为_____,因此具有很强的带负载能力。
4.晶体三极管的三种基本组态放大电路中,_____具有倒相作用。
5.负反馈放大电路的开环放大倍数为100,而闭环放大倍数为10,则该电路的反馈深度为______。
6.在差分放大电路中,常用_____来表示抑制共模信号的能力,希望它越大越好。
7.晶体三极管工作在饱和区时,发射结正偏,集电结_____。
8.根据栅—源电压为零时,导电沟道是否存在,将场效应管分为_____和耗尽型。
9.反馈放大器是一个由基本放大器和_____构成的闭合环路。
10.在差分放大器中,已知Vi1=20mv,Vi2=10mv,则共模电压Vic=_____。
二、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)
1.半导体二极管是温度的敏感器件,当温度升高时,参数IS和VD(on)的变化是()
A.IS上升,VD(on)下降B.IS上升,VD(on)上升
C.IS下降,VD(on)下降D.IS下降,VD(on)上升
2.晶体管共集电极放大电路的信号是从()
A.基极输入,集电极输出B.基极输入,发射极输出
C.发射极输入,集电极输出D.集电极输入,发射极输出
3.二极管的小信号模型是()
A.B.
C.D.
4.放大器电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12KΩ的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为()
A.10KΩB.2KΩ
C.3KΩD.4KΩ
5.对放大电路,要求增大输入电阻,稳定输出电流,应选择()
A.电流串联负反馈B.电压并联负反馈
C.电流并联负反馈D.电压串联负反馈
6.与工作在运算电路中的运放不同,电压比较器中的运放通常工作在()
A.深度负反馈状态B.开环或正反馈状态
C.放大状态D.线性工作状态
7.典型差动放大电路的公共射极电阻REE,对_____抑制作用。
()
A.差模信号有B.共模信号有
C.差模与共模信号均有D.差模与共模信号均没有
8.同相输入的过零电压比较器的电压比较特性曲线是()
A.B.
C.D.
9.同相比例电路中引入的负反馈是()
A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈
C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈
10.负反馈放大电路的开环增益是A,反馈系数为kf,则环路增益的表达式是()
A.
B.-Akf
C.AkfD.1+Akf
11.场效应管用作放大交流小信号时,应工作在()
A.饱和区B.非饱和区
C.截止区D.击穿区
12.对放大电路,闭环是指电路()
A.考虑交流信号源内阻B.接入直流电源
C.存在反馈通路D.接入负载
13.当信号频率等于截止频率时,放大倍数的值约为中频放大倍数的_____倍。
()
A.0.1B.0.5
C.0.707D.0.9
14.判别负反馈放大电路的反馈极性所用的方法通常称为()
A.方框图法B.瞬时极性法
C.短路法D.开路法
15.集成运算放大器实质上是一种()
A.交流放大器B.高电压增益的交流放大器
C.高增益的高频放大器D.高电压增益的直接耦合放大器
浙江省2009年7月
一、填空题(本大题共10小题,每小题1分,共10分)
1.在P型半导体中,导电时以______为主。
2.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于______。
3.晶体三极管工作在放大区时,IC=______IB。
4.晶体三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置和______结反向偏置。
5.场效应管工作在非饱和区时,其ID和VDS之间呈______关系。
6.通常将开始形成反型层所需的VGS值称为______电压。
7.三种晶体三极管基本组态放大电路中,______组态输入电阻最小。
8.已知某晶体三极管的高频参数fT、β,则共基截止频率fα约为______。
9.需要一个阻抗变换电路,其输入电阻小,应引入______负反馈电路。
10.为充分提高负反馈的效果,串联负反馈要求信号源内阻______。
二、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)
1.半导体中的载流子是指()
A.自由电子B.空穴
C.离子D.自由电子和空穴
2.稳压二极管在稳压状态时,它的PN结处在______状态。
()
A.反向截止B.反向击穿
C.正向导通D.零偏
3.测得三极管IB=30μA时,IC=2.4mA,而IB=40μA时,IC=3mA,则该管的交流电流放大倍数为()
A.80B.60
C.75D.100
4.晶体三极管的输出特性曲线分为四个区,请问哪个区具有基区宽度调制效应?
()
A.饱和区B.截止区
C.放大区D.击穿区
5.根据场效应管的转移特性,可知场效应管是一种______器件。
()
A.电压控制电压源B.电流控制电压源
C.电压控制电流源D.电流控制电流源
6.某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自源极流出,大小为8mA,则该管是()
A.P沟道耗尽型MOS管B.N沟道耗尽型MOS管
C.P沟道增强型MOS管D.N沟道增强型MOS管
7.共集电极放大电路的特点之一是()
A.输入电阻高B.电压增益大
C.输入输出反相D.输出电阻高
8.集成运算放大器实质上是一种()
A.交流放大器B.高增益的交流放大器
C.高增益的直接耦合放大器D.高增益的高频放大器
9.负反馈可以改善放大器的性能,问关于放大器下述哪种说法不正确?
()
A.减少放大器的增益B.改变输入电阻
C.改变输出电阻D.改善信号源的噪声系数
10.某放大电路的电压增益为40dB,而加入负反馈后变为6dB,它的反馈深度F为()
A.30dBB.34dB
C.46dBD.50dB
11.温度增加时,在ID不变的情况下,晶体二极管的VD(on)将()
A.增大B.减小
C.不变D.未知
12.已知某晶体三极管的β=99,则该管的共基电流放大系数α为()
A.1.00B.0.995
C.0.99D.0.985
13.当场效应管的VGS A.饱和区B.非饱和区 C.击穿区D.截止区 14.要求晶体管工作在放大区,若是NPN晶体管,则三个电极电位VB、VE、VC之间应满足何种关系? () A.VC>VB>VEB.VC>VE>VB C.VC 15.反馈放大器工作在开环状态是指() A.考虑信号源作用B.接入反馈网络 C.断开反馈网络D.考虑负载作用 浙江省2010年4月 一、填空题(本大题共10小题,每小题1分,共10分) 1.温度升高,对二极管的各种参数将发生影响,其中反向饱和电流将______。 2.半导体有两种导电方式: 在外加电场作用下将形成______电流。 3.晶体三极管ICEO的中文含义是______。 4.晶体三极管工作在放大区时具有______作用。 5.MOS管作开关应用时,其工作状态应在截止区和______之间转换。 6.场效应管的非饱和区又称变阻区,它是沟道未被______的工作区。 7.三种基本组态晶体管放大电路中,______组态输入电阻最低。 8.在单级放大电路中,若输入电压为正弦波形,用示波器观察v0和vi的波形,当放大电路为共射电路时,则v0和vi的相位______。 9.某一放大电路,要使输出电压稳定,应引入______负反馈电路。 10.已知放大电路输入信号电压为1mV,输出电压为1V,加入负反馈后,为达到同样输出时需要的输入信号为10mV,该电路的反馈深度F为______。 二、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 1.PN结击穿后,它的反向电流将() A.急剧减小B.减小 C.几乎不变D.急剧增大 2.PN结反向工作时,流过的电流主要是() A.扩散电流B.漂移电流 C.传导电流D.扩散和漂移电流并存 3.工作在放大状态的某NPN晶体三极管,各电极电位关系为() A.VC C.VC 4.以下晶体管的参数中,不属于管子的极限参数的是() A.VBR(CEO)B.ICM C.PCMD.β 5.场效应管工作在饱和区时具有______的转移特性。 () A.线性B.指数律 C.平方律D.对数律 6.场效应管是一种() A.电压控制器件B.电流控制器件 C.双极型器件D.少子工作的器件 7.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12kΩ的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为() A.10kΩB.2kΩ C.4kΩD.3kΩ 8.设单级共射放大电路Avsm=100dB,fH=105Hz,当输入信号频率f=106Hz时,该电路的电压放大倍数约为() A.100dBB.90dB C.80dBD.70dB 9.反馈放大电路的含义是() A.输出与输入之间有信号通路 B.电路中存在反向传输的信号通路 C.除放大电路以外还有信号通路 D.电路中存在使输入信号削弱的反向传输通路 10.负反馈放大电路产生自激的条件是() A. (jωo)=1B. (jωo)=-1 C. (jωo)<1D. (jωo)>1 11.在纯净的半导体中加入少量的+5价元素,形成() A.本征半导体B.N型半导体 C.P型半导体D.杂质半导体 12.温度减少时,晶体三极管的______将增加。 () A.VBE(on)B.β C.ICBOD.ICEO 13.P沟道增强型MOS管工作在饱和区的条件是() A.VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th)B.VGS>VGS(th),VDS C.VGS 14.设计一只单级晶体管放大电路,要求输入电压和输出电压同相,输出电阻很低,应选择() A.共射放大B.共基放大 C.共集放大D.共源放大 15.直流负反馈的作用是() A.稳定直流工作点B.稳定电压放大倍数 C.稳定输出电流D.稳定输出电压 浙江省2010年7月 一、填空题(本大题共10小题,每小题1分,共10分) 1.在N型半导体中,掺入_________价杂质元素。 2.半导体中有_________和空穴两种载流子。 3.晶体三极管工作在放大状态时,其发射结应正偏,集电结应_________。 4.PNP型晶体三极管处于放大状态时,三个电极中_________极电位最高。 5.N沟道MOS管,VGS越向正值方向增大,ID越_________。 6.MOS场效应管按栅极开路时有无导电沟道分为增强型和_________两种类型。 7.与共发、共集组态相比较,共基组态的输入电阻较_________。 8.晶体管放大电路的非线性失真分为饱和和_________两种。 9.希望增大放大电路的输入电阻并稳定输出电流,应引入_________负反馈。 10.某一放大电路,其信号源内阻很大,应引入_________负反馈电路,才能使反馈更加有效。 二、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 1.当PN结外加正向电压时,阻挡层的宽度将() A.增大B.减小 C.不变D.近似不变 2.当PN结反向工作时,其结电容主要是() A.势垒电容B.扩散电容 C.平面电容D.势垒和扩散电容并存 3.晶体三极管工作在饱和区时,要求() A.发射结正偏,集电结反偏B.发射结正偏,集电结正偏 C.发射结反偏,集电结反偏D.发射结反偏,集电结正偏 4.三极管的ICEO大,说明其() A.工作电流大B.击穿电压高 C.寿命长D.热稳定性差 5.结型场效应管的基本工作原理是() A.改变导电沟道中的载流子浓度B.改变导电沟道中的横截面积 C.改变导电沟道中的有效长度D.改变导电沟道中的体积 6.衡量场效应管控制能力的主要参数是() A.电流放大倍数B.电压放大倍数 C.跨导D.转移电阻 7.有两个放大电路Ⅰ和Ⅱ,其|Av|都为100,它们分别与具有相同内阻的电压源连接后,测得V01=4.85V,V02=4.95V,由此得知电路Ⅱ比Ⅰ好,因为它的() A.放大倍数大B.输入电阻高 C.输出电阻小D.频带宽 8.在差动放大电路中,共模输入信号等于两个输入信号的() A.和值B.差值 C.迭加D.平均值 9.已知某一放大器的A=100,现要求引入负反馈后,增益Af=10,问反馈系数kf应为多少? () A.0.01B.0.05 C.0.09D.0.10 10.反馈量是指() A.反馈网络从放大电路输出回路中取出的信号 B.反馈到输入回路的信号 C.前面两信号之比 D.前面两信号之差 11.稳压二极管正常工作时,它处在______状态。 () A.截止B.击穿 C.导通D.不定 12.已知三极管的ICQ=1mA,则在常温下跨导gm为() A.19.2msB.38.5ms C.77msD.154ms 13.已知场效应管的λ=0.01,IDQ=1mA,则rds为() A.10kΩB.50kΩ C.100kΩD.200kΩ 14.下列哪个答案不是共集电极电路的特点? () A.输入电阻很高B.电压增益约为1 C.输出电阻很低D.输入输出电压反相 15.某放大电路的增益为105,则折算成dB数为() A.60dBB.80dB C.100dBD.120dB 浙江省2011年4月 一、填空题(本大题共10小题,每空1分,共10分) 1.变容二极管是利用PN结的势垒电容而制成的,应工作在______状态。 2.晶体三极管的三个电极对地电位分别为VA=-2V,VB=-2.2V,VC=-6V,则该管的管型是______。 3.负反馈放大电路产生自激振荡的条件是______。 4.MOS管作为开关应用时,其工作状态应在非饱和区和______之间转换。 5.晶体管的高频参数fT是指β(ω)下降到______dB时所对应的频率。 6.集成运算放大器最大输出电压为±Vom,若该运放工作在开环或正反馈状态,其输出电压是______。 7.在放大电路中,要稳定输出电压,应引入______负反馈。 8.在差分放大器中,已知Vi1=15mv,Vi2=10mv,则输入差模电压Vid=______。 9.理想集成运放的共模抑制比为______,因此具有很强的抑制共模信号的能力。 10.场效应管工作在饱和区时,其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈______关系。 二、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 1.二极管的伏安方程是() A.iD=Is( -1)B.iD=Is C.iD=-IsD.iD=Is 2.晶体三极管工作在饱和状态时,其两个PN结的偏置状态是() A.发射结正偏,集电结正偏B.发射结正偏,集电结反偏 C.发射结反偏,集电结正偏D.发射结反偏,集电结反偏 3.场效应管共漏极放大电路的信号是从() A.栅极输入,漏极输出B.源极输入,漏极输出 C.栅极输入,源极输出D.漏极输入,源极输出 4.设计一运算电路实现三角波——方波的变换,应选用______实现。 () A.同相比例电路B.反相比例电路 C.积分电路D.微分电路 5.当集成运放工作在线性放大状态时,可运用______两个重要的概念。 () A.开环和闭环B.虚短和虚断 C.虚短和虚地D.线性和非线性 6.要增大放大器的输出电阻及减小输入电阻,可采用______放大电路。 () A.电流并联负反馈B.电压并联负反馈 C.电流串联负反馈D.电压串联负反馈 7.由运算放大器构成的电压比较器,抗干扰能力最强的是() A.单限电压比较器B.过零电压比较器 C.迟滞电压比较器D.窗口电压比较器 8.负反馈放大电路的开环增益是A,反馈系数为kf,则闭环增益Af的表达式是() A. B. C.AkfD.1+Akf 9.设计一负反馈放大器,实现电压——电流的变换,应引入() A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈 C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈 10.放大电路在信号的高频段时,放大倍数下降的原因是() A.耦合电容和旁路电路的存在B.晶体管极间电容和分布电容的存在 C.晶体管非线性的影响D.放大电路的静态工作点设置不合理 11.放大器产生零点漂移的主要原因是() A.电压增益太大B.环境温度变化 C.采用直接耦合方式D.采用阻容耦合方式 12.由NPN管组成的单级共发射电路,当集电极电阻Rc增大时,工作点Q的ICQ和VCEQ的变化是() A.ICQ增大、VCEQ增大B.ICQ增大、VCEQ减小 C.ICQ不变、VCEQ减小D.ICQ不变、VCEQ不变 13.随着温度的升高,晶体三极管的______将减小。 () A.βB.VBE(on) C.ICBOD.ICEO 14.集成运算放大电路的输入级通常采用______电路。 () A.共集电极放大B.共发射极放大 C.差分放大D.共基极放大 15.设计一单级晶体管放大器,要求输入电阻大,输出电阻小,应选择______电路。 () 浙江省2011年7月 一、填空题(本大题共10小题,每小题1分,共10分) 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与_______有很大关系。 2.稳压管是一种特殊的二极管,它一般工作在_______状态。 3.VA的大小可用来表示晶体三极管输出特性曲线的上翘程度,其值与_______宽度有关。 4.常温下,若晶极管的ICQ=2mA,则gm=_______。 5.场效应管按结构分为结型和_______两种类型。 6.N沟道场效应管工作在变阻区时,其等效电阻与VGS有关,VGS越大,则等效电阻_______。 7.设置合适且稳定的静态工作点是保证放大器不出现_______失真的前提。 8.差动放大电路中,射极耦合电阻REE对共模信号_______。 9.串联负反馈只有在信号源内阻_______时,其反馈效果才显著。 10.负反馈放大电路中,要稳定输出电流,应引入_______负反馈。 二、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 1.P型半导体是在本征半导体中加入以下何种物质后形成的? ( ) A.电子B.空穴 C.三价硼元素D.五价磷元素 2.当半导体二极管的反向击穿电压小于6V时,主要发生何种击穿? ( ) A.雪崩击穿B.齐纳击穿 C.热击穿D.碰撞击穿 3.衡量双极型三极管放大能力的参数是( ) A.ICBOB.β C.ICEOD.VBE(on) 4.三极管工作在饱和区,要求( ) A.发射结正偏,集电结正偏B.发射结正偏,集电结反偏 C.发射结反偏,集电结正偏D.发射结反偏,集电结反偏 5.场效应管本质上是一个( ) A.电流控制电流源器件B.电压控制电流源器件 C.电流控制电压源器件D.电压控制电压源器件 6.MOS场效应管的高频小信号电路模型,适合分析下列哪种情况? ( ) A.输入信号很大B.输出信号很大 C.输入输出信号都很大D.输入输出信号都很小 7.差分放大器由双端输入变为单端输入,差模电压增益( ) A.增加一倍B.为双端输入时的1/2 C.不变D.不确定
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