华师电子电路基础作业.docx
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华师电子电路基础作业
1第1题
当PN结外加反向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层变宽
A.大于
B.小于
C.等于
D.不确定
您的答案:
A
题目分数:
2.0
此题得分:
0.0
2•第2题
影响放大器高频特性的原因是()。
A.极间耦合电容
B.发射极旁路电容
C.三极管结电容
D.温度
您的答案:
C
题目分数:
2.0
此题得分:
2.0
3.第3题
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()。
A.大
B..小
C.相等
D.无法判定
您的答案:
A
题目分数:
2.0
此题得分:
2.0
4.第4题
在本征半导体中掺入3价元素就成为()型半导体。
A.P型半导体
B.N型半导体
C.PN结
D.纯净半导体
您的答案:
C
题目分数:
2.0
此题得分:
0.0
5.第5题
测得某放大电路正常工作的晶体管三电极直流电位分别为12.2V、12V、0V,则三极管的三个电极分别是()。
A.(E、
B
C)
B.(C、
B
E)
C.(B、
C
E)
D.(B、
E、
C)
您的答案:
:
A
题目分数:
:
2.
0
此题得分:
:
2.
0
6.第6题
测得NPh型三极管三个电极的电位分别为UC=3.3V,UB=3.7V,
UE=3V,则该管工作在()
A.放大区
B.截止区
C.饱和区
D.击穿区您的答案:
C
题目分数:
2.0
此题得分:
2.0
7.第7题
在放大电路中,测得三极管三个电极电位分别为3.2V、3V、6V,则该管属于()
A.锗NPN型
B.锗PNP型
C.硅NPN型
D.硅PNP型
您的答案:
A
题目分数:
2.0
此题得分:
2.0
8.第8题
图示电路是()电路
A.微分电路
B.积分电路
C.指数电路
D.对数电路
您的答案:
A
题目分数:
2.0
此题得分:
2.0
9.第9题
在固定偏置放大电路中,当FC、RB的参数分别为()时,该电路的静态工作点处在放大区。
设三极管的B=100。
A.5.6kQ、
10kQ
B.5.6kQ、
510kQ
C.5.6kQ、
10MQ
D.100kQ、
1MQ
您的答案:
B
题目分数:
2.0
此题得分:
2.0
10.第10题锗二极管的死区电压是()
A.0.1~0.2V
B.0.5V
C.0.7V
D.0.6V
您的答案:
A
题目分数:
2.0
此题得分:
2.0
11.第11题
在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于()
A.晶体缺陷
B.温度
C.杂质浓度
D.掺杂工艺
您的答案:
C
题目分数:
2.0此题得分:
2.0
12.第12题
N型半导体可以在纯净半导体中掺入()价元素实现
A.3
B.4
C.5
D.6
您的答案:
C
题目分数:
2.0
此题得分:
2.0
13.第13题
测得三极管发射结正偏,集电结反偏,此时该三极管处于()
A.放大状态
B.截止状态
C.饱和状态
D.击穿状态您的答案:
C
题目分数:
2.0此题得分:
0.0
14.第14题
测某放大电路中三极管各极电位分别是0V、-6V、0.2V,贝U三
极管的三个电极分别是()
A.(E、CB)
B.(C、BE)
C.(B、CE)
D.(B、E、C)
您的答案:
C
题目分数:
2.0
此题得分:
2.0
15.第15题
影响多级放大器低频特性的原因是()。
A.极间耦合电容
B.三极管放大倍数
C.三极管结电容
D.温度
您的答案:
A
题目分数:
2.0
此题得分:
2.0
16.第16题
6V、11.8V、12V,
在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为则这只三极管属于()
A.硅PNP型
B.硅NPN型
C.锗PNP型
D.锗NPN型您的答案:
C题目分数:
2.0此题得分:
2.0
17.第17题
PN结具有()导电特性。
A.双向
B.单向
C.不确定
您的答案:
B
题目分数:
2.0
此题得分:
2.0
18.第18题
基本微分电路的电容器接在运放电路的()
A.反向输入端
B.同向输入端
C.反向端与输出端之间
D.输出端
您的答案:
C
题目分数:
2.0
此题得分:
2.0
19.第19题
当PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层变窄
A.大于
B.小于
C.等于
D.不确定
您的答案:
A
题目分数:
2.0
此题得分:
2.0
20.第20题
半导体中的少数载流子产生的原因是()
A.外电场
B.内电场
C.掺杂
D.热激发
您的答案:
D
题目分数:
2.0
此题得分:
2.0
21.第21题
测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三极
管的三个电极分别是()
A.
(B、
C、
E)
B.
(C、
B、
E)
C.
(E、
C、
B)
D.
(B、
E、
C)
您的
勺答案:
B
题目分数:
2.0
此题得分:
0.0
22.第22题
PNF型晶体管工作在放大区时,三个电极直流电位关系为()
A.UCvUE B.UBvUC C.UC D.UBvUE C 题目分数: 2.0 此题得分: 2.0 23.第23题 在放大电路中,测得三极管三个电极电位分别为12V,11.3V,0V,则该管属于() A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型您的答案: A题目分数: 2.0此题得分: 2.0 24.第24题 在放大电路的耦合方式中,()级间静态工作点会影响。 A.变压器耦合 B.直接耦合 C.阻容耦合 D.光电耦合 您的答案: B 题目分数: 2.0 此题得分: 2.0 25.第25题 二极管两端电压大于()时,二极管才导通。 A.击穿电压 B.死区电压 C.饱和电压 D.放大电压 您的答案: B 题目分数: 2.0 此题得分: 2.0 26.第26题 负反馈使放大电路增益()。 A.增大 B.下降 C.不变 D.不确定 您的答案: B 题目分数: 2.0 此题得分: 2.0 27.第27题 电源电路中滤波的作用是() A.将正弦波变方波 B.将交流电变直流电 C.将高频信号变成低频信号 D.使脉动直流电压变为平滑的直流电压 您的答案: D 题目分数: 2.0 此题得分: 2.0 28.第28题 并联型稳压电路通常应用于()场合 A.电压固定、负载电流小、负载变化不大 B.电压固定、负载电流大 C.负载变化大 D.稳压范围宽 您的答案: A 题目分数: 2.0 此题得分: 2.0 29.第29题 图示电路为()电路。 RlVo 此题得分: 0.0 30.第30题 在固定偏置放大电路中,调小偏置电阻Rb的数值,将使静态工作点()。 A.升高 B.降低 C.不变 D.不定 您的答案: A 题目分数: 2.0 此题得分: 2.0 31.第31题 R的数值,容易出现() 在固定偏置放大电路中,调大偏置电阻失真。 A.饱和 B.截止 C.低频 D.交越 您的答案: B 题目分数: 2.0 此题得分: 2.0 32.第32题 在固定偏置放大电路中,调小偏置电阻R的数值,容易出现()失真。 A.饱和 B.截止 C.低频 D.交越 您的答案: A 题目分数: 2.0 此题得分: 2.0 33.第33题 整流的目的是() A.将正弦波变方波 B.将交流电变直流电 C.将高频信号变成低频信号 D.将非正弦信号变为正弦信号 您的答案: B 题目分数: 2.0 此题得分: 2.0 34.第34题 固定输出的三端稳压器内部采用( A.开关 B.串联 C.并联 D.复合 您的答案: B 题目分数: 2.0 此题得分: 2.0 35.第35题 )型稳压电路结构 R2的作用是() OCL功率放大电路如图示,T2、 A.充当T1的集电极负载 B.消除交越失真 C.增大输出功率 D.减少三极管的穿透电流 您的答案: B 题目分数: 2.0 此题得分: 2.0 36.第36题 整流滤波后输出直流电压不稳定的主要因数是() A.温度的变化 B.负载电流的变化 C.电网电压的波动 D.电网电压的波动和负载电流的变化两个方面 您的答案: D 题目分数: 2.0 此题得分: 2.0 37.第37题 电路中稳压的作用是() A.正弦波变方波 B.将交流电变直流电 C.将滤波后的电压进一步稳定 D.使脉动直流电压变为平滑的直流电压 您的答案: C题目分数: 2.0 此题得分: 2.0 38.第38题 OCL功率放大电路如图示,T4、R1、R2的作用是() V T*Rl A.充当T1的集电极负载 B.消除交越失真 C.增大输出功率 D.减少三极管的穿透电流 您的答案: B 题目分数: 2.0 此题得分: 2.0 39.第39题 硅二极管的死区电压是() A.0.1~0.2V B.0.5V C.0.7V D.0.6V 您的答案: A 题目分数: 2.0 此题得分: 0.0 40.第40题 )低频特性最好。 在放大电路的耦合方式中, A.变压器耦合 B.直接耦合 C.阻容耦合 D.光电耦合 您的答案: B 题目分数: 2.0 此题得分: 2.0 41.第41题 当PN结外加正向电压时,内外电场方向() A.相反 B.相同 C.不确定 您的答案: A 题目分数: 2.0 此题得分: 2.0 42.第42题 在本征半导体中掺入5价元素就成为()型半导体。 A.P型半导体 B.N型半导体 C.PN结 D.纯净半导体 您的答案: C 题目分数: 2.0 此题得分: 0.0 43.第43题 测得某放大电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极 管的三个电极分别是() A.(E、 C) B.(B、 C E) C.(B、 E、 C) D.(C、 E) 您的答案: : C 题目分数: : 2. 0 此题得分: : 2. 0 44.第44题 2.8V、3.5V、6V, 在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为则这只三极管属于() A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型 您的答案: B 题目分数: 2.0 此题得分: 2.0 45.第45题 当PN结外加反向电压时,内外电场方向() A.相反 B.相同 C.不确定 您的答案: B 题目分数: 2.0 此题得分: 2.0 46.第46题 欲将方波转换成三角波,应选用() A.微分运算电路 B.积分运算电路 C.差分输入运算电路 D.乘法电路 您的答案: B 题目分数: 2.0 此题得分: 2.0 47.第47题 在开关型稳压电路中,调整管工作在()状态 A.放大 B.饱和 C.截止 D.开关 您的答案: D 题目分数: 2.0 此题得分: 2.0 48.第48题 在固定偏置放大电路中,调大偏置电阻Rb的数值,静态工作点将 ()0 A.升高 B.降低 C.不变 D.不定 您的答案: B 题目分数: 2.0 此题得分: 2.0 49.第49题 在桥式整流电路中,若整流桥中有一个二极管开路,则输出() A.输出电压只有半周波形 B.输出电压仍为全波波形 C.输出电压无波形,且变压器或整流管可能烧坏 D.对电路无实质性影响 您的答案: A 题目分数: 2.0 此题得分: 2.0 50.第50题 OTL功率放大电路如图示,D1、D2的作用是() A.充当T3的集电极负载 B.消除交越失真 C.增大输出功率 D.减少三极管的穿透电流 您的答案: B 题目分数: 2.0 此题得分: 2.0 作业总得分: 86.0
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