电路基础知识VssVDDVEEVcc 的区别.docx
- 文档编号:4021394
- 上传时间:2022-11-27
- 格式:DOCX
- 页数:111
- 大小:2.85MB
电路基础知识VssVDDVEEVcc 的区别.docx
《电路基础知识VssVDDVEEVcc 的区别.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《电路基础知识VssVDDVEEVcc 的区别.docx(111页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
电路基础知识VssVDDVEEVcc的区别
电路基础知识VssVDDVEEVcc的区别
电路基础知识VssVDDVEEVcc的区别
1.电路基础知识
1.1Vss,VDD,VEE,Vcc的区别
说法一:
VCC、VDD、VEE、VSS是指芯片、分解电路的电源集结点,具体接电源的极性需视器件材料而定。
VCC一般是指直接连接到集成或分解电路内部的三极管C极,VEE是指连接到集成或分解电路内部三极管的E极。
同样,VDD、VSS就是指连接到集成内部、分解电路的场效应管的D和S极。
例如是采用P沟E/DMOS工艺制成的集成,那么它的VDD就应接电源的负,而VSS应接正电源。
它们是这样得名的:
VCC表示连接到三极管集电极(C)的电源。
VEE表示连接到三极管发射极(E)的电源。
VDD表示连接到场效应管的漏极(D)的电源。
VSS表示连接到场效应管的源极(S)的电源。
通常VCC和VDD为电源正,而VEE和VSS为电源负或者地。
说法二:
VDD,VCC,VSS,VEE,VPP区别
VDD:
电源电压(单极器件);电源电压(4000系列数字电路);漏极电压(场效应管)
VCC:
电源电压(双极器件);电源电压(74系列数字电路);声控载波(VoiceControlledCarrier)
VSS:
地或电源负极
VEE:
负电压供电;场效应管的源极(S)
VPP:
编程/擦除电压。
详解:
在电子电路中,VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压:
VCC:
C=circuit表示电路的意思,即接入电路的电压,D=device表示器件的意思,即器件内部的工作电压,在普通的电子电路中,一般Vcc>Vdd!
VSS:
S=series表示公共连接的意思,也就是负极。
有些IC同时有VCC和VDD,这种器件带有电压转换功能。
在“场效应”即COMS元件中,VDD乃CMOS的漏极引脚,VSS乃CMOS的源极引脚,这是元件引脚符号,它没有“VCC”的名称,你的问题包含3个符号,VCC/VDD/VSS,这显然是电路符号。
1.2TTL电平与CMOS电平的区别
1,TTL电平:
输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。
在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平
是0.2V。
最小输入高电平和低电平:
输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是
0.4V。
2,CMOS电平:
1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。
而且具有很宽的噪声容限。
3,电平转换电路:
因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl5v<==>cmos3.3v),所以互相连接时需
要电平的转换:
就是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西。
哈哈
4,OC门,即集电极开路门电路,OD门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才能
将开关电平作为高低电平用。
否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱
动门电路。
5,TTL和COMS电路比较:
1)TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。
2)TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。
COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常
现象。
3)COMS电路的锁定效应:
COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大
。
这种效应就是锁定效应。
当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易
烧毁芯片。
防御措施:
1)在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过不超过规定电压。
2)芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD端出现瞬间的高压。
3)在VDD和外电源之间加线流电阻,即使有大的电流也不让它进去。
4)当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:
开启时,先开启COMS电路得电
源,再开启输入信号和负载的电源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭COMS
电路的电源。
6,COMS电路的使用注意事项
1)COMS电路时电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。
所以
,不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或者下拉电阻,给它一个恒定的电平。
2)输入端接低内组的信号源时,要在输入端和信号源之间要串联限流电阻,使输入的
电流限制在1mA之内。
3)当接长信号传输线时,在COMS电路端接匹配电阻。
4)当输入端接大电容时,应该在输入端和电容间接保护电阻。
电阻值为R=V0/1mA.V0是
外界电容上的电压。
5)COMS的输入电流超过1mA,就有可能烧坏COMS。
7,TTL门电路中输入端负载特性(输入端带电阻特殊情况的处理):
1)悬空时相当于输入端接高电平。
因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。
2)在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平,输入端出呈现的是高电平而不是低电
平。
因为由TTL门电路的输入端负载特性可知,只有在输入端接的串联电阻小于910欧时,
它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来,串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电
平。
这个一定要注意。
COMS门电路就不用考虑这些了。
8,TTL电路有集电极开路OC门,MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门,它的输出就叫
做开漏输出。
OC门在截止时有漏电流输出,那就是漏电流,为什么有漏电流呢?
那是因为当三机管截
止的时候,它的基极电流约等于0,但是并不是真正的为0,经过三极管的集电极的电流也
就不是真正的0,而是约0。
而这个就是漏电流。
开漏输出:
OC门的输出就是开漏输出;OD
门的输出也是开漏输出。
它可以吸收很大的电流,但是不能向外输出的电流。
所以,为了
能输入和输出电流,它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用。
OD门一般作为输出缓冲/驱
动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要。
9,什么叫做图腾柱,它与开漏电路有什么区别?
TTL集成电路中,输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出,没有的叫做OC门。
因为
TTL就是一个三级关,图腾柱也就是两个三级管推挽相连。
所以推挽就是图腾。
一般图腾式
输出,高电平400UA,低电平8MA
1.3LSB的定义
当选择模数转换器(ADC)时,最低有效位(LSB)这一参数的含义是什么?
有位工程师告诉我某某生产商的某款12位转换器只有7个可用位。
也就是说,所谓12位的转换器实际上只有7位。
他的结论是根据器件的失调误差和增益误差参数得出的,这两个参数的最大值如下:
失调误差=±3LSB,
增益误差=±5LSB,
乍一看,觉得他似乎是对的。
从上面列出的参数可知最差的技术参数是增益误差(±5LSB)。
进行简单的数学运算,12位减去5位分辨率等于7位,对吗?
果真如此的话,ADC生产商为何还要推出这样的器件呢?
增益误差参数似乎表明只要购买成本更低的8位转换器就可以了,但看起来这又有点不对劲了。
正如您所判断的,上面的说法是错误的。
让我们重新来看一下LSB的定义。
考虑一个12位串行转换器,它会输出由1或0组成的12位数串。
通常,转换器首先送出的是最高有效位(MSB)(即LSB+11)。
有些转换器也会先送出LSB。
在下面的讨论中,我们假设先送出的是MSB(如图1所示),然后依次送出MSB-1(即LSB+10)和MSB-2(即LSB+9)并依次类推。
转换器最终送出MSB-11(即LSB)作为位串的末位。
LSB这一术语有着特定的含义,它表示的是数字流中的最后一位,也表示组成满量程输入范围的最小单位。
对于12位转换器来说,LSB的值相当于模拟信号满量程输入范围除以212或4,096的商。
如果用真实的数字来表示的话,对于满量程输入范围为4.096V的情况,一个12位转换器对应的LSB大小为1mV。
但是,将LSB定义为4096个可能编码中的一个编码对于我们的理解是有好处的。
让我们回到开头的技术指标,并将其转换到满量程输入范围为4.096V的12位转换器中:
失调误差=±3LSB=±3mV,
增益误差=±5LSB=±5mV,
这些技术参数表明转换器转换过程引入的误差最大仅为8mV(或8个编码)。
这绝不是说误差发生在转换器输出位流的LSB、LSB-1、LSB-2、LSB-3、LSB-4、LSB-5、LSB-6和LSB-7八个位上,而是表示误差最大是一个LSB的八倍(或8mV)。
准确地说,转换器的传递函数可能造成在4,096个编码中丢失最多8个编码。
丢失的只可能是最低端或最高端的编码。
例如,误差为+8LSB((+3LSB失调误差)+(+5LSB增益误差))的一个12位转换器可能输出的编码范围为0至4,088。
丢失的编码为4088至4095。
相对于满量程这一误差很小仅为其0.2%。
与此相对,一个误差为-3LSB((-3LSB失调误差)(-5LSB增益误差))的12位转换器输出的编码范围为3至4,095。
此时增益误差会造成精度下降,但不会使编码丢失。
丢失的编码为0、1和2。
这两个例子给出的都是最坏情况。
在实际的转换器中,失调误差和增益误差很少会如此接近最大值。
1.4场效应管及三级管型号大全
晶体管型号
反压Vbe0
电流Icm
功率Pcm
放大系数
特征频率
管子类型
IRFU020
50V
15A
42W
*
*
NMOS场效应
IRFPG42
1000V
4A
150W
*
*
NMOS场效应
IRFPF40
900V
4.7A
150W
*
*
NMOS场效应
IRFP9240
200V
12A
150W
*
*
PMOS场效应
IRFP9140
100V
19A
150W
*
*
PMOS场效应
IRFP460
500V
20A
250W
*
*
NMOS场效应
IRFP450
500V
14A
180W
*
*
NMOS场效应
IRFP440
500V
8A
150W
*
*
NMOS场效应
IRFP353
350V
14A
180W
*
*
NMOS场效应
IRFP350
400V
16A
180W
*
*
NMOS场效应
IRFP340
400V
10A
150W
*
*
NMOS场效应
IRFP250
200V
33A
180W
*
*
NMOS场效应
IRFP240
200V
19A
150W
*
*
NMOS场效应
IRFP150
100V
40A
180W
*
*
NMOS场效应
晶体管型号
反压Vbe0
电流Icm
功率Pcm
放大系数
特征频率
管子类型
IRFP140
100V
30A
150W
*
*
NMOS场效应
IRFP054
60V
65A
180W
*
*
NMOS场效应
IRFI744
400V
4A
32W
*
*
NMOS场效应
IRFI730
400V
4A
32W
*
*
NMOS场效应
IRFD9120
100V
1A
1W
*
*
NMOS场效应
IRFD123
80V
1.1A
1W
*
*
NMOS场效应
IRFD120
100V
1.3A
1W
*
*
NMOS场效应
IRFD113
60V
0.8A
1W
*
*
NMOS场效应
IRFBE30
800V
2.8A
75W
*
*
NMOS场效应
IRFBC40
600V
6.2A
125W
*
*
NMOS场效应
IRFBC30
600V
3.6A
74W
*
*
NMOS场效应
IRFBC20
600V
2.5A
50W
*
*
NMOS场效应
IRFS9630
200V
6.5A
75W
*
*
PMOS场效应
IRF9630
200V
6.5A
75W
*
*
PMOS场效应
IRF9610
200V
1A
20W
*
*
PMOS场效应
晶体管型号
反压Vbe0
电流Icm
功率Pcm
放大系数
特征频率
管子类型
IRF9541
60V
19A
125W
*
*
PMOS场效应
IRF9531
60V
12A
75W
*
*
PMOS场效应
IRF9530
100V
12A
75W
*
*
PMOS场效应
IRF840
500V
8A
125W
*
*
NMOS场效应
IRF830
500V
4.5A
75W
*
*
NMOS场效应
IRF740
400V
10A
125W
*
*
NMOS场效应
IRF730
400V
5.5A
75W
*
*
NMOS场效应
IRF720
400V
3.3A
50W
*
*
NMOS场效应
IRF640
200V
18A
125W
*
*
NMOS场效应
IRF630
200V
9A
75W
*
*
NMOS场效应
IRF610
200V
3.3A
43W
*
*
NMOS场效应
IRF541
80V
28A
150W
*
*
NMOS场效应
IRF540
100V
28A
150W
*
*
NMOS场效应
IRF530
100V
14A
79W
*
*
NMOS场效应
IRF440
500V
8A
125W
*
*
NMOS场效应
晶体管型号
反压Vbe0
电流Icm
功率Pcm
放大系数
特征频率
管子类型
IRF230
200V
9A
79W
*
*
NMOS场效应
IRF130
100V
14A
79W
*
*
NMOS场效应
BUZ20
100V
12A
75W
*
*
NMOS场效应
BUZ11A
50V
25A
75W
*
*
NMOS场效应
BS170
60V
0.3A
0.63W
*
*
NMOS场效应
2SC4582
600V
15A
75W
*
*
NPN
2SC4517
550V
3A
30W
*
*
NPN
2SC4429
1100V
8A
60W
*
*
NPN
2SC4297
500V
12A
75W
*
*
NPN
2SC4288
1400V
12A
200W
*
*
NPN
2SC4242
450V
7A
40W
*
*
NPN
2SC4231
800V
2A
30W
*
*
NPN
2SC4119
1500V
15A
250W
*
*
NPN
2SC4111
1500V
10A
250W
*
*
NPN
2SC4106
500V
7A
50W
*
20MHZ
NPN
晶体管型号
反压Vbe0
电流Icm
功率Pcm
放大系数
特征频率
管子类型
2SC4059
600V
15A
130W
*
*
NPN
2SC4038
50V
0.1A
0.3W
*
180MHZ
NPN
2SC4024
100V
10A
35W
*
*
NPN
2SC3998
1500V
25A
250W
*
*
NPN
2SC3997
1500V
15A
250W
*
*
NPN
2SC3987
50V
3A
20W
1000
*
NPN(达林顿)
2SC3953
120V
0.2A
1.3W
*
400MHZ
NPN
2SC3907
180V
12A
130W
*
30MHZ
NPN
2SC3893
1400V
8A
50W
*
8MHZ
NPN
2SC3886
1400V
8A
50W
*
8MHZ
NPN
2SC3873
500V
12A
75W
*
30MHZ
NPN
2SC3866
900V
3A
40W
*
*
NPN
2SC3858
200V
17A
200W
*
20MHZ
NPN
2SC3807
30V
2A
1.2W
*
260MHZ
NPN
2SC3783
900V
5A
100W
*
*
NPN
晶体管型号
反压Vbe0
电流Icm
功率Pcm
放大系数
特征频率
管子类型
2SC3720
1200V
10A
200W
*
*
NPN
2SC3680
900V
7A
120W
*
*
NPN
2SC3679
900V
5A
100W
*
*
NPN
2SC3595
30V
0.5A
1.2W
90
*
NPN
2SC3527
500V
15A
100W
13
*
NPN
2SC3505
900V
6A
80W
12
*
NPN
2SC3460
1100V
6A
100W
12
*
NPN
2SC3457
1100V
3A
50W
12
*
NPN
2SC3358
20V
0.15A
*
*
7000MHZ
NPN
2SC3355
20V
0.15A
*
*
6500MHZ
NPN
2SC3320
500V
15A
80W
*
*
NPN
2SC3310
500V
5A
40W
20
*
NPN
2SC3300
100V
15A
100W
*
*
NPN
2SC1855
20V
0.02A
0.25W
*
550MHZ
NPN
2SC1507
300V
0.2A
15W
*
*
NPN
晶体管型号
反压Vbe0
电流Icm
功率Pcm
放大系数
特征频率
管子类型
2SC1494
36V
6A
40W
*
175MHZ
NPN
2SC1222
60V
0.1A
0.25W
*
100MHZ
NPN
2SC1162
35V
1.5A
10W
*
*
NPN
2SC1008
80V
0.7A
0.8W
*
50MHZ
NPN
2SC900
30V
0.03A
0.25W
*
100MHZ
NPN
2SC828
45V
0.05A
0.25W
*
*
NPN
2SC815
60V
0.2A
0.25W
*
*
NPN
2SC380
35V
0.03A
0.25W
*
*
NPN
2SC106
60V
1.5A
15W
*
*
NPN
2SB1494
120V
25A
120W
*
*
PNP(达林顿)
2SB1429
180V
15A
150W
*
*
PNP
2SB1400
120V
6A
25W
1000-20000
*
PNP(达林顿)
2SB1375
60V
3A
2W
*
*
PNP
2SB1335
80V
4A
30W
*
*
PNP
2SB1317
180V
15A
150W
*
*
PNP
晶体管型号
反压Vbe0
电流Icm
功率Pcm
放大系数
特征频率
管子类型
2SB1316
100V
2A
10W
15000
*
PNP(达林顿)
2SB1243
40V
3A
1W
*
70MHZ
PNP
2SB1240
40V
2A
1W
*
100MHZ
PNP
2SB1238
80V
0.7A
1W
*
100MHZ
PNP
2SB1185
60V
3A
25W
*
75MHZ
PNP
2SB1079
100V
20A
100W
5000
*
PNP(达林顿)
2SB1020
100V
7A
40W
6000
*
PNP(达林顿)
2SB834
60V
3A
30W
*
*
PNP
2SB817
160V
12A
100W
*
*
PNP
2SB772
40V
3A
10W
*
*
PNP
2SB744
70V
3A
10W
*
*
PNP
2SB734
60V
1A
1W
*
*
PNP
2SB688
120V
8A
80W
*
*
PNP
2SB675
60V
7A
40W
*
*
PNP(达林顿)
2SB669
70V
4A
40W
*
*
PNP(达林顿)
晶体管型号
反压Vbe0
电流Icm
功率Pcm
放大系数
特征频率
管子类型
2SB649
180V
1.5A
1W
*
*
PNP
2SB647
120V
1A
0.9W
*
140MHZ
PNP
2SB449
50V
3.5A
22W
*
*
PNP
2SA1943
230V
15A
150W
*
*
PNP
2SA1785
400V
1A
1W
*
140MHZ
PNP
2SA1668
200V
2A
25W
*
20MHZ
PNP
2SA1516
180V
12A
130W
*
25MHZ
PNP
2SA1494
200V
17A
200W
*
20MHZ
PNP
2SA1444
100V
1.5A
2W
*
80MHZ
PNP
2SA1358
120V
1A
10W
*
120MHZ
PNP
2SA1302
200V
15A
150W
*
*
PNP
2SA1301
200V
10A
100W
*
*
PNP
2SA1295
230V
17A
200W
*
*
PNP
2SA1265
140V
10A
30W
*
*
PNP
2SA1216
180V
17A
200W
*
*
PNP
晶体管型号
反压Vbe0
电流Icm
功率Pcm
放大系数
特征频率
管子类型
2SA1162
50V
0.15A
0.15W
*
*
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 电路基础知识Vss VDD VEE Vcc 的区别 电路 基础知识 Vss 区别