180256字节Flash模块S12XFTMR256K1V1.docx
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180256字节Flash模块S12XFTMR256K1V1
256字节Flash模块(S12XFTMR256K1V1)
18.3.2.9.1的P-闪光保护的限制
一般的准则是P-闪光的保护只能是增加而不是删除。
表18-21规定
P均之间的有效转换闪光的保护方案。
任何企图写一个无效的情况下向FPROT登记将被忽略。
该FPROT寄存器的内容反映了积极的保护方案。
见FPHS和其他限制FPLS位说明。
表18-21。
个P-闪光保护方案视线
从保护方案保护Scenario1
0
1
2
3
4
5
6
7
0XXXX
1×X
2×X
3×
4×X
5XXXX
6×XXX
7×XXXXXXX
1允许有X标记的转换,参见图18-14为情景的定义。
18.3.2.10Ḏ闪光保护注册(DFPROT)
在DFPROT寄存器定义的Ḏ闪光部门受到保护,编程和擦除操作。
胶印模块基地+0x0009
ṛ
糯
复位
=未用或保留
图18-15。
Ḏ闪光保护注册(DFPROT)
在(无保留)的DFPROT寄存器位的限制,可写的保护可以添加
但并未消除。
写入必须增加存款保障计划的价值和DPOEN位只能从1书面
(保护残疾人)为0(保护启用)。
如果DPOPEN位被设置,存保计划的比特的状态是不相关的。
在复位序列,DFPROT寄存器装载的D含量闪光保护字节
在闪存领域的全球配置地址0x7F_FF0D设在P-快闪记忆体(见表18-3)
正如在图18-15复位状态F。
要更改为D-闪光的保护,将在复位序列加载的P-闪存部门包含的D-闪光保护字节必须保护,然后是D-闪光保护字节必须编程。
如果一个双位错误检测到在阅读
S12XS系列参考手册,修订版1.09
526飞思卡尔半导体
256字节Flash模块(S12XFTMR256K1V1)
个P-闪光词组包含的D-闪光时,复位序保护字节,DPOPEN位将被
清理和DPS位将被设置为离开的D-快闪记忆体得到充分的保障。
要改变任何在D保护区的数据闪存将导致保护冲突错误,FPVIOL位将在命令fstat寄存器组。
块擦除的D-快闪记忆体是不可能的
如果任何的D-闪存部门得到保护。
表18-22。
DFPROT域说明
字段说明
7
DPOPENḎ闪光保护控制
0启用Ḏ闪光的程序存储器的保护和擦除与保护的地址范围界定和DPS
位
1禁用Ḏ闪光的程序内存保护和擦除
4-0
存款保障计划[4:
0]Ḏ闪光保护大小-存款保障计划[4:
0]位决定在D型保护区,闪存,见表18-23。
表18-23。
Ḏ闪光保护地址范围
存款保障计划[4:
0]全球受保护的地址范围大小
0_00000x10_0000-0x10_00FF256字节
0_00010x10_0000-0x10_01FF512字节
0_00100x10_0000-0x10_02FF768字节
0_00110x10_0000-0x10_03FF1024字节
0_01000x10_0000-0x10_04FF1280字节
0_01010x10_0000-0x10_05FF1536字节
0_01100x10_0000-0x10_06FF1792字节
0_01110x10_0000-0x10_07FF2048字节
0_10000x10_0000-0x10_08FF2304字节
0_10010x10_0000-0x10_09FF2560字节
0_10100x10_0000-0x10_0AFF2816字节
0_10110x10_0000-0x10_0BFF3072字节
0_11000x10_0000-0x10_0CFF3328字节
0_11010x10_0000-0x10_0DFF3584字节
0_11100x10_0000-0x10_0EFF3840字节
0_11110x10_0000-0x10_0FFF4096字节
1_00000x10_0000-0x10_10FF4352字节
1_00010x10_0000-0x10_11FF4608字节
1_00100x10_0000-0x10_12FF4864字节
1_00110x10_0000-0x10_13FF5120字节
1_01000x10_0000-0x10_14FF5376字节
1_01010x10_0000-0x10_15FF5632字节
S12XS系列参考手册,修订版1.09
飞思卡尔半导体527
256字节Flash模块(S12XFTMR256K1V1)
表18-23。
Ḏ闪光保护地址范围
存款保障计划[4:
0]全球受保护的地址范围大小
1_01100x10_0000-0x10_16FF5888字节
1_01110x10_0000-0x10_17FF6144字节
1_10000x10_0000-0x10_18FF6400字节
1_10010x10_0000-0x10_19FF6656字节
1_10100x10_0000-0x10_1AFF6912字节
1_10110x10_0000-0x10_1BFF7168字节
1_11000x10_0000-0x10_1CFF7424字节
1_11010x10_0000-0x10_1DFF7680字节
1_11100x10_0000-0x10_1EFF7936字节
1_11110x10_0000-0x10_1FFF8192字节
18.3.2.11闪光共同Command对象登记表(FCCOB)
该FCCOB是通过CCOBIX指数涉及6个字数组中FCCOBIX登记册上。
宽字节读写允许的FCCOB登记。
胶印模块基地+0x000A
ṛ
糯复位
图18-16。
闪光共同Command对象高级注册(FCCOBHI)
胶印模块基地+0x000B
ṛ
糯复位
图18-17。
闪光共同Command对象低寄存器(FCCOBLO)
18.3.2.11.1FCCOB-非易失命令模式
非易失性存储器命令模式使用索引FCCOB登记提供一个命令码和内存控制器及其有关参数。
用户第一次设置所有必需FCCOB字段,然后启动
该命令的写一个1到寄存器的命令fstat陈叶冯位执行(1由用户的书面命令清除陈叶冯会计师完成标志为0)。
当用户清除寄存器中的命令fstat陈叶冯位
所有FCCOB参数字段被锁定,无法由用户改变,直到命令完成
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528飞思卡尔半导体
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(这表现在内存返回陈叶冯会计师1控制器)。
一些命令的返回信息
FCCOB寄存器阵列。
规划中的非易失命令模式FCCOB参数字段通用格式见表18-24。
返回值后,可在命令fstat注册陈叶冯旗阅读已归还
1的内存控制器。
写入没有得到执行参数字段(CCOBIX=110和CCOBIX
=111)被忽略的读取这些返回0x0000领域。
表18-24显示了通用闪存命令格式。
对在CCOB数组的第一个字的高字节包含的命令代码,其次是这个特定的Flash命令的参数。
有关详情
在FCCOB每个命令所需设置,请参阅第18.4.2闪存命令描述。
表18-24。
FCCOB-共筹集命令模式(典型用法)
CCOBIX[2:
0]字节FCCOB参数字段技术(NVM命令模式)
000您好FCMD[7:
0]定义闪存命令
劳,全球地址0[22:
16]
001您好全球地址[15:
8]
劳全球地址[7:
0]
010您好数据0[15:
8]
劳数据0[7:
0]
011您好数据1[15:
8]
劳资料1[7:
0]
100您好数据2[15:
8]
劳数据2[7:
0]
101您好数据3[15:
8]
劳数据3[7:
0]
18.3.2.12闪光Reserved0注册(FRSV0)
此Flash登记保留工厂测试。
胶印模块基地+0x000C
ṛ
糯
复位
=未用或保留
图18-18。
闪光Reserved0注册(FRSV0)
在FRSV0寄存器所有位改为0,不写。
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飞思卡尔半导体529
256字节Flash模块(S12XFTMR256K1V1)
18.3.2.13闪光Reserved1注册(FRSV1)
此Flash登记保留工厂测试。
胶印模块基地+0x000D
ṛ
糯
复位
=未用或保留
图18-19。
闪光Reserved1注册(FRSV1)
在FRSV1寄存器所有位改为0,不写。
18.3.2.14闪光ECC错误结果寄存器(FECCR)
在FECCR寄存器包含一个用于检测ECC的单位和双位失误造成的。
该FECCR登记提供对ECC的几所ECCRIX指数位相关领域的定义
在FECCRIX登记(见18.3.2.4)。
一旦ECC的故障已储存的资料,没有其他故障信息将延至具体ECC的故障标志已被清除记录。
在同时进行的ECC的故障事件的故障记录重点是对单个位故障双位错误。
胶印模块基地+0x000E
ṛ
糯
复位
=未用或保留
图18-20。
闪光ECC错误结果高寄存器(FECCRHI)
胶印模块基地+0x000F
ṛ
糯
复位
=未用或保留
图18-21。
闪光ECC错误结果低寄存器(FECCRLO)
所有FECCR位可读,但不可写。
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表18-25。
FECCR指数设置
ECCRIX[2:
0]FECCR寄存器内容
位[15:
8]位[7]位[6:
0]
000奇偶位读取
闪存块
0全球地址
[22:
16]
001全球地址[15:
0]
010数据0[15:
0]
011数据1[15:
0](P均闪光只)
100数据2[15:
0](P均闪光只)
101数据3[15:
0](P均闪光只)
110未使用,返回0x0000时读取
111未使用,返回0x0000时读取
表18-26。
FECCR指数=000位说明
字段说明
15:
8
公共行政[7:
0]ECC的校验位-包含8位宽的72个P-Flash数据字或6奇偶位分配给公共行政改革,[5:
0校验位],由22位全Ḏ闪光字的公共行政[7:
6]=00。
6-0
GADDR[22:
16]全球地址-GADDR[22:
16]字段包含在全球造成了严重的错误报告上7位。
该P-闪光一句话ECCRIX=001处理包含低16全球地址位。
那个
继ECCRIX=010至101个字处理包含64位宽度的数据短语。
这四个数据字和校验字节是从P-闪存块裸数据读取。
在D-闪光一句话ECCRIX=001处理包含低16全球地址位。
裸16位数据字处理ECCRIX=010。
18.3.2.15闪存选项寄存器(FOPT)
该FOPT登记是Flash登记册的方案。
胶印模块基地+0x0010
ṛ
糯
复位
=未用或保留
图18-22。
闪存选项寄存器(FOPT)
在FOPT注册所有位都读,但是不能写。
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飞思卡尔半导体531
256字节Flash模块(S12XFTMR256K1V1)
在复位序列,FOPT寄存器加载从Flash在Flash非易失字节
配置在全球的地址位于0x7F_FF0E在P-快闪记忆体领域(见表18-3)所示
在图18-22复位状态F。
如果一个双位错误检测到在读的P-闪光词组包含在复位序列字节的非易失性闪存,在FOPT注册所有位将被设置。
表18-27。
FOPT域说明
字段说明
7-0
内华达州[7:
0]非易失位-在内华达州[7:
0]位是作为非易失性位可用。
参阅位的非易失正确使用设备的用户指南。
18.3.2.16闪光Reserved2注册(FRSV2)
此Flash登记保留工厂测试。
胶印模块基地+0x0011
ṛ
糯
复位
=未用或保留
图18-23。
闪光Reserved2注册(FRSV2)
在FRSV2寄存器所有位改为0,不写。
18.3.2.17闪光Reserved3注册(FRSV3)
此Flash登记保留工厂测试。
胶印模块基地+0x0012
ṛ
糯
复位
=未用或保留
图18-24。
闪光Reserved3注册(FRSV3)
在FRSV3寄存器所有位改为0,不写。
18.3.2.18闪光Reserved4注册(FRSV4)
此Flash登记保留工厂测试。
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532飞思卡尔半导体
256字节Flash模块(S12XFTMR256K1V1)
胶印模块基地+0x0013
ṛ
糯
复位
=未用或保留
图18-25。
闪光Reserved4注册(FRSV4)
在FRSV4寄存器所有位改为0,不写。
18.4功能描述
18.4.1闪光作战司令部
闪光指挥作业用来修改快闪记忆体的内容。
接下来的部分描述:
•如何撰写FCLKDIV寄存器,它用来生成时基(FCLK)来自
OSCCLK对Flash编程和擦除命令操作
•命令用来设置写入闪存的命令参数和启动执行顺序
•有效的闪存可用于执行命令
18.4.1.1写作FCLKDIV登记
在此之前发出任何闪存编程或擦除重置命令后,用户必须写入FCLKDIV登记分OSCCLK降低到1兆赫的目标FCLK。
表18-7显示建议的基础上OSCCLK频率的FDIV字段值。
注意
编程或擦除闪存无法执行,如果总线时钟不到1MHz运行。
设置FDIV过高会破坏闪存由于过度。
设置FDIV过低会导致不完整的编程或擦除闪存单元。
当FCLKDIV寄存器写的FDIVLD位是自动设置的。
如果FDIVLD位是0,FCLKDIV登记册没有被写入自上次重置。
如果FCLKDIV登记没有被写入,任何Flash编程或擦除命令装入写在一个命令序列,将无法执行,并在命令fstat登记ACCERR位将集。
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飞思卡尔半导体533
256字节Flash模块(S12XFTMR256K1V1)
18.4.1.2命令写序
记忆体控制器将推出所有有效使用Flash命令进入命令写序。
发射前,命令,ACCERR和命令fstat登记FPVIOL位必须明确(见
第18.3.2.7)和陈叶冯旗应进行测试,以确定当前的命令状态写序。
如果陈叶冯会计师为0,前面的命令写入顺序仍然有效,新的命令写入顺序不能启动,所有写入FCCOB登记将被忽略。
警告
闪存写入任何登记时必须避免的Flash命令处于活动状态(陈叶冯会计师=0),以防止闪光寄存器内容和内存控制器的腐败行为。
18.4.1.2.1定义FCCOB内容
参数字段的FCCOB必须装载的Flash命令所有必需的参数被处决。
访问FCCOB参数字段通过控制在FCCOBIX注册CCOBIX位(见18.3.2.3)。
在FCCOB参数字段的内容转移到内存控制器,当用户清除
在陈叶冯指挥命令fstat完成注册标志(写1清除陈叶冯为0)。
在陈叶冯旗将保持清醒,直到闪光命令已完成。
建成后,内存控制器将返回陈叶冯会计师为1,FCCOB登记将被用来传达任何结果。
对于一个普通的命令写序列流程如图18-26。
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534飞思卡尔半导体
256字节Flash模块(S12XFTMR256K1V1)
阶段
阅读:
FCLKDIV注册
时钟寄存器
书面
检查
FDIVLD集?
是
否
写:
FCLKDIV注册
注:
FCLKDIV必须建立在每个复位
阅读:
命令fstat注册
FCCOB
空房情况
陈叶冯集?
是
否
结果从先前的命令
访问错误的
保护冲突
检查
ACCERR/FPVIOL集?
否
是
写:
命令fstat注册
清除ACCERR/FPVIOL0x30
更多
参数?
是
否
写:
命令fstat寄存器(发布命令)陈叶冯0x80清除
阅读:
命令fstat注册
位轮询
命令完成
检查
陈叶冯集?
否
是
退出
图18-26。
通用Flash命令写入顺序流程图
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飞思卡尔半导体535
256字节Flash模块(S12XFTMR256K1V1)
18.4.1.3有效闪光模块命令
表18-28。
闪光模式下的命令
FCMD
命令无抵押担保
NS1蛋白NX2SS3型ST4NS5区NX6七号信令ST8
0x01擦除验证所有块
0x02擦除验证座
0x03擦除验证的P-闪光组
0x04读取一次
0x06计划的P-闪光
0x07计划一旦
0x08清除所有块
0x09擦除闪存座
字符0x0A擦除的P-闪存部门
0x0B不安全的闪光
0x0C验证后门访问键
字符0x0D设置用户保证金水平
0x0ESET域保证金水平
0x10擦除验证Ḏ闪光组
0x11程序D闪光
0x12擦除Ḏ闪光部门
1无担保普通的单芯片模式。
2不安全的正常扩展模式。
三无抵押专用单芯片模式。
4不安全的特殊模式。
5担保正常的单芯片模式。
6担保正常扩展模式。
7担保专用单芯片模式。
8担保特殊模式。
18.4.1.4的P-Flash命令
表18-29总结了有效的P-Flash命令连同命令上的影响
个P-闪光块和其他资源在Flash模块。
S12XS系列参考手册,修订版1.09
536飞思卡尔半导体
256字节Flash模块(S12XFTMR256K1V1)
表18-29。
个P-Flash命令
FCMD指挥职能上的P-闪存
0x01擦除核查所有
块验证被删除所有P-闪光(和D-闪光)块。
0x02擦除块验证验证一个P-闪光块被删除。
0x03擦除验证
个P-闪光组确认的是,在开始的话给了多少的地址被删除。
0x04
阅读阅读一旦在P非易失性信息登记专用64字节的字段闪光块0
先前使用的编程命令一旦计划。
0x06计划的P-闪存程序在一个P-闪存块短语。
0x07
计划一旦计划专用64字节领域的非易失性信息的P登记闪光块
0即允许编程一次。
0x08
清除所有的块擦除所有P-闪光(和D-闪光)块。
一个擦除所有闪存块,才可能在FPLDIS,FPHDIS和FPOPEN在FPROT寄存器位,并在DFPROT寄存器DPOPEN位被设置之前启动命令。
0x09
擦除闪存块擦除一个P-闪光(或D-闪光)块。
一个抹去充分的P-闪光块,才可能在FPLDIS,FPHDIS和FPOPEN
在FPROT寄存器位被设置之前启动命令。
字符0x0A擦除的P-闪光
扇区擦除采用P-闪存部门的所有字节。
0x0B
不安全的闪存支持的释放被擦除所有P-闪光(和D-闪存微控制器的安全方法)盖帽和核实所有P-闪光(和D-闪存)的擦除块。
0x0C验证后门
访问键支持一个释放通过验证的安全密钥设置微控制器的安全方法。
字符0x0D设置用户保证金
级别指定用户保证金阅读所有的P-闪存块的水平。
0x0E集场保证金
级别指定一个外地保证金读为所有的P-闪光块(特殊模式只)。
18.4.1.5Ḏ闪光命令
表18-30总结了有效Ḏ闪光的命令以及关于命令的影响
Ḏ闪光块。
表18-30。
Ḏ闪光命令
FCMD指挥职能对D-Flash存储器
0x01擦除核查所有
块确认所有D-闪光(和P-闪光),块擦除。
0x02擦除块验证确认的D-闪光块被删除。
0x08
清除所有的块擦除所有D-闪光
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