单相桥式全控整流实验心得体会.docx
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单相桥式全控整流实验心得体会.docx
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单相桥式全控整流实验心得体会
单相桥式全控整流实验心得体会
篇一:
实验五单相桥式全控整流电路实验
实验五单相桥式全控整流电路实验
一.实验目的
1.了解单相桥式全控整流电路的工作原理。
2.研究单相桥式全控整流电路在电阻负载、电阻—电感性负载及反电势负载时的工作。
3.熟悉MCL—05锯齿波触发电路的工作。
二.实验线路及原理
参见图4-7。
三.实验内容
1.单相桥式全控整流电路供电给电阻负载。
2.单相桥式全控整流电路供电给电阻—电感性负载。
3.单相桥式全控整流电路供电给反电势负载。
四.实验设备及仪器
1.MCL系列教学实验台主控制屏。
2.MCL—18组件(适合MCL—Ⅱ)或MCL—31组件(适合MCL—Ⅲ)。
3.MCL—33组件或MCL—53组件(适合MCL—Ⅱ、Ⅲ、Ⅴ)
4.MCL—05组件或MCL—05A组件
5.MEL—03三相可调电阻器或自配滑线变阻器。
6.MEL—02三相芯式变压器。
7.双踪示波器
8.万用表
五.注意事项
1.本实验中触发可控硅的脉冲来自MCL-05挂箱,故MCL-33(或MCL-53,以下同)
的内部脉冲需断X1插座相连的扁平带需拆除,以免造成误触发。
2.电阻RP的调节需注意。
若电阻过小,会出现电流过大造成过流保护动作(熔断丝烧断,或仪表告警);若电阻过大,则可能流过可控硅的电流小于其维持电流,造成可控硅时断时续。
3.电感的值可根据需要选择,需防止过大的电感造成可控硅不能导通。
4.MCL-05面板的锯齿波触发脉冲需导线连到MCL-33面板,应注意连线不可接错,否则易造成损坏可控硅。
同时,需要注意同步电压的相位,若出现可控硅移相范围太小(正常范围约30°~180°),可尝试改变同步电压极性。
5.逆变变压器采用MEL-02三相芯式变压器,原边为220V,中压绕组为110V,低压绕组不用。
6.示波器的两根地线由于同外壳相连,必须注意需接等电位,否则易造成短路事故。
7.带反电势负载时,需要注意直流电动机必须先加励磁。
六.实验方法
1.将MCL—05(或MCL—05A,以下均同)面板左上角的同步电压输入接MCL—18的U、V输出端(如您选购的产品为MCL—Ⅲ、Ⅴ,则同步电压输入直接与主控制屏的U、V输出端相连),“触发电路选择”拨向“锯齿波”。
2.断开MEL-02和MCL-33的连接线,合上主电路电源,调节主控制屏输出电压Uuv至220V,此时锯齿波触发电路应处于工作状态。
MCL-18的给定电位器RP1逆时针调到底,使Uct=0。
调节偏移电压电位器RP2,使?
=90°。
断开主电源,连接MEL-02和MCL-33。
注:
如您选购的产品为MCL—Ⅲ、Ⅴ,无三相调压器,直接合上主电源。
以下均同
3.单相桥式全控整流电路供电给电阻负载。
接上电阻负载(可采用两只900Ω电阻并联),并调节电阻负载至最大,短接平波电抗器。
合上主电路电源,调节Uct,求取在不同?
角(30°、60°、90°)时整流电路的输出电压Ud=f(t),晶闸管的端电压UVT=f(t)的波形,并记录相应?
时的Uct、Ud和交流输入电压U2值。
若输出电压的波形不对称,可分别调整锯齿波触发电路中RP1,RP3电位器。
4.单相桥式全控整流电路供电给电阻—电感性负载。
断开平波电抗器短接线,求取在不同控制电压Uct时的输出电压Ud=f(t),负载电流id=f(t)以及晶闸管端电压UVT=f(t)波形并记录相应Uct时的Ud、U2值。
注意,负载电流不能过小,否则造成可控硅时断时续,可调节负载电阻RP,但负载电流不能超过,Uct从零起调。
改变电感值(L=100mH),观察?
=90°,Ud=f(t)、id=f(t)的波形,并加以分析。
注意,增加Uct使?
前移时,若电流太大,可增加与L相串联的电阻加以限流。
5.单相桥式全控整流电路供电给反电势负载。
把开关S合向左侧,接入直流电动机,短接平波电抗器,短接负载电阻Rd。
(a)调节Uct,在?
=90°时,观察Ud=f(t),id=f(t)以及UVT=f(t)。
注意,交流电压UUV须从0V起调,同时直流电动机必须先加励磁。
(b)直流电动机回路中串入平波电抗器(L=700mH),重复(a)的观察。
七.实验报告
1.绘出单相桥式晶闸管全控整流电路供电给电阻负载情况下,当?
=60°,90°时的Ud、UVT波形,并加以分析。
2.绘出单相桥式晶闸管全控整流电路供电给电阻—电感性负载情况下,当?
=90°时的Ud、id、UVT波形,并加以分析。
3.作出实验整流电路的输入—输出特性Ud=f(Uct),触发电路特性Uct=f(?
)及Ud/U2=f(?
)。
4.实验心得体会。
篇二:
实验二单相桥式全控整流电路实验电力电子技术实验
一.实验目的
1.了解单相桥式全控整流电路的工作原理。
2.研究单相桥式全控整流电路在电阻负载、电阻—电感性负载及反电势负载时的工作。
3.熟悉NMCL—05组件或NMCL—36组件。
二.实验线路及原理
参见图1-3。
三.实验内容
1.单相桥式全控整流电路供电给电阻负载。
2.单相桥式全控整流电路供电给电阻—电感性负载。
四.实验设备及仪器
1.教学实验台主控制屏;2.NMCL—33组件;
3.NMCL—05组件或NMCL—36组件;4.MEL-03组件;5.NMCL—35组件;6.双踪示波器(自备);7.万用表(自备)。
五.注意事项
1.本实验中触发可控硅的脉冲来自NMCL-05挂箱(或NMCL—36组件),故NMCL-33的内部脉冲需断,以免造成误触发。
2.电阻RD的调节需注意。
若电阻过小,会出现电流过大造成过流保护动作(熔断丝烧断,或仪表告警);若电阻过大,则可能流过可控硅的电流小于其维持电流,造成可控硅时断时续。
3.电感的值可根据需要选择,需防止过大的电感造成可控硅不能导通。
4.NMCL-05(或NMCL—36)面板的锯齿波触发脉冲需导线连到NMCL-33面板,应注意连线不可接错,否则易造成损坏可控硅。
同时,需要注意同步电压的相位,若出现可控硅移相范围太小(正常范围约30°~180°),可尝试改变同步电压极性。
5.逆变变压器采用NMCL—35组式变压器,原边为220V,副边为110V。
6.示波器的两根地线由于同外壳相连,必须注意需接等电位,否则易造成短路事故。
六.实验方法
图1-3单相桥式全控整流电路
1.将NMCL—05(或NMCL—36)面板左上角的同步电压输入接NMCL—32的U、V输出端),“触发电路选择”拨向“锯齿波”。
2.断开NMCL-35和NMCL-33的连接线,合上主电路电源,此时锯齿波触发电路应处于工作状态。
NMCL-31的给定电位器RP1逆时针调到底,使Uct=0。
调节偏移电压电位器RP2,使?
=90°。
断开主电源,连接NMCL-35和NMCL-33。
3.单相桥式全控整流电路供电给电阻负载。
接上电阻负载(可采用两只900Ω电阻并联),并调节电阻负载至最大,短接平波电抗器。
合上主电路电源,调节Uct,求取在不同?
角(30°、60°、90°)时整流电路的输出电压Ud=f(t),晶闸管的端电压UVT=f(t)的波形,并记录相应?
时的Uct、Ud和交流输入电压U2值。
若输出电压的波形不对称,可分别调整锯齿波触发电路中RP1,RP3电位器。
4.单相桥式全控整流电路供电给电阻—电感性负载。
断开平波电抗器短接线,求取在不同控制电压Uct时的输出电压Ud=f(t),负载电流id=f(t)以及晶闸管端电压UVT=f(t)波形并记录相应Uct时的Ud、U2值。
注意,负载电流不能过小,否则造成可控硅时断时续,可调节负载电阻RP,但负载电流不能超过。
Uct从零起调。
改变电感值(L=100mH),观察?
=90°,Ud=f(t)、id=f(t)的波形,并加以分析。
注意,增加Uct使?
前移时,若电流太大,可增加与L相串联的电阻加以限流。
七.实验报告
1.绘出单相桥式晶闸管全控整流电路供电给电阻负载情况下,当?
=60°,90°时的Ud、UVT
波形,并加以分析。
?
=60°,Ud,UVT
?
=90°,Ud,UVT
2.绘出单相桥式晶闸管全控整流电路供电给电阻—电感性负载情况下,当?
=90°时的Ud、id、UVT波形,并加以分析。
?
=90°时的Ud
?
=90°时的id
?
=90°时的UVT
3.作出实验整流电路的输入—输出特性Ud=f(Uct),触发电路特性Uct=f(?
)及Ud/U2=f
(?
)。
感抗型负载:
触发电路特性Uct=f(?
)及Ud/U2=f(?
)
篇三:
论文单相桥式全控整流电路的设计
单相桥式全控整流电路的设计
摘要
电力电子学主要研究各种电力电子器件,以及由这些电力电子器件所构成的各式各样的电路或装置,以完成对电能的变换和控制。
它既是电子学在强电或电工领域的一个分支,又是电工学在弱电或电子领域的一个分支,或者说是强弱电相结合的新科学。
电力电子学是横跨“电子”、“电力”和“控制”三个领域的一个新兴工程技术学科。
随着科学技术的日益发展,人们对电路的要求也越来越高,由于在生产实际中需要大小可调的直流电源,而相控整流电路结构简单、控制方便、性能稳定,利用它可以方便地得到大中、小各种容量的直流电能,是目前获得直流电能的主要方法,得到了广泛应用。
在电能的生产和传输上,目前是以交流电为主。
电力网供给用户的是交流电,而在许多场合,例如电解、蓄电池的充电、直流电动机等,需要用直流电。
要得到直流电,除了直流发电机外,最普遍应用的是利用各种半导体元件产生直流电。
这个方法中,整流是最基础的一步。
整流,即利用具有单向导电特性的器件,把方向和大小交变的电流变换为直流电。
整流的基础是整流电路。
由于电力电子技术是将电子技术和控制技术引入传统的电力技术领域,利用半导体电力开关器件组成各种电力变换电路实现电能和变换和控制,而构成的一门完整的学科。
整流电路应用非常广泛,而单相全控桥式晶闸管整流电路又有利于夯实基础,故我们将单结晶体管触发的单相晶闸管全控整流电路这一课题作为这一课程的课程设计的课题。
关键词:
单相,桥式,全控
目录
摘要....................................................................1
1.工作原理..............................................................1
IGBT的简介.......................................................1
IGBT的概述..................................................1
IGBT的基本特性..............................................1
IGBT的参数特点..............................................2
单相桥式全控整流电路的基本原理....................................3
电路组成....................................................3
工作原理....................................................3
2.电路总体设计..........................................................5
总电路图..........................................................5
确定各器件参数....................................................5
参数关系....................................................5
参数的计算..................................................6
晶闸管的选择......................................................7
3.触发电路的设计........................................................8
4.工作过程及参数设定....................................................9
工作过程..........................................................9
参数设定和仿真图..................................................9
触发角为600.................................................9
触发角为900................................................11
5.心得体会.............................................................13
参考文献.............................................................14
单相桥式全控整流电路的设计1
1.工作原理
IGBT的简介
IGBT的概述
IGBT,绝缘栅双极型功率管,是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。
IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域.正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限,远远不能满足电力电子应用技术发展的需求;高压领域的许多应用中,要求器件的电压等级达到10KV以上,目前只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。
国外的一些厂家如瑞士ABB公司采用软穿通原则研制出了8KV的IGBT器件,德国的EUPEC生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用,日本东芝也已涉足该领域。
与此同时,各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术,主要采用1um以下制作工艺,研制开发取得一些新进展。
图1-1IGBT等效电路和电气图形符号
IGBT的基本特性
IGBT的基本特性分为动态特性和静态特性。
陕西科技大学课程设计说明书2
IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。
IGBT的伏安特性是指以栅源电压ugs为参变量时,漏极电流与栅极电压之间的关系曲
线。
输出漏极电流比受栅源电压ugs的控制,ugs越高,Id越大。
它与GTR的输出特性
相似.也可分为饱和区1、放大区2和击穿特性3部分。
在截止状态下的IGBT,正向电压由J2结承担,反向电压由J1结承担。
如果无N+缓冲区,则正反向阻断电压可以做到同样水平,加入N+缓冲区后,反向关断电压只能达到几十伏水平,因此限制了IGBT的某些应用范围。
IGBT的转移特性是指输出漏极电流Id与栅源电压ugs之间的关系曲线。
它与
MOSFET的转移特性相同,当栅源电压小于开启电压ugs时,IGBT处于关断状态。
在IGBT
导通后的大部分漏极电流范围内,Id与ugs呈线性关系。
最高栅源电压受最大漏极电流限制,其最佳值一般取为15V左右。
IGBT的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。
IGBT处于导通态时,由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管,所以其值极低。
尽管等效电路为达林顿结构,但流过MOSFET的电流成为IGBT总电流的主要部分。
IGBT动态特性在开通过程中,大部分时间是作为MOSFET来运行的,只是在漏源电压下降过程后期,PNP晶体管由放大区至饱和,又增加了一段延迟时间。
t为开通延迟时间,tri为电流上升时间。
实际应用中常给出的漏极电流开通时间t即为ttri之和。
漏源电压的下降时间由tfe1和tfe2组成。
IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压,栅极电压可由不同的驱动电路产生。
当选择这些驱动电路时,必须基于以下的参数来进行:
器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。
因为IGBT栅极-发射极阻抗大,故可使用MOSFET驱动技术进行触发,不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大,故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。
IGBT在关断过程中,漏极电流的波形变为两段。
因为MOSFET关断后,PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除,造成漏极电流较长的尾部时间,td为关断延迟时间,trv为电压uds的上升时间。
IGBT的开关速度低于MOSFET,但明显高于GTR。
IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间,但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。
IGBT的开启电压约3~4V,和MOSFET相当。
IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近,饱和压降随栅极电压的增加而降低。
IGBT的参数特点
(1)开关速度高,开关损耗小。
在电压1000V以上时,开关损耗只有GTR的1/10,与电力MOSFET相当。
(2)相同电压和电流定额时,安全工作区比GTR大,且具有耐脉冲电流冲击能力。
单相桥式全控整流电路的设计3
(3)通态压降比VDMOSFET低,特别是在电流较大的区域。
(4)输入阻抗高,输入特性与MOSFET类似。
(5)与MOSFET和GTR相比,耐压和通流能力还可以进一步提高,同时保持开关频率高的特点。
单相桥式全控整流电路的基本原理
电路组成
该电路为单相桥式全控整流电路,由变压器﹑四个晶闸管﹑电感及电阻组成,如图1-2所示。
图1-2单相桥式全控整流电路图带阻感负载
工作原理
第一阶段:
在U2正半波的(0~α)区间:
晶闸管VT1、VT4承受正压,但无触发脉冲,处于关断状态。
假设电路已工作在稳定状态,则在0~α区间由于电感释放能量,晶闸管VT2、VT3维持导通。
第二阶段:
在U2正半波的?
t?
?
时刻及以后:
在?
t?
?
处触发晶闸管VT1、VT4使其导通,电流沿a→VT1→L→R→VT4→b→Tr的二次绕组→a流通,此时负载上有输出电压(ud?
u2)和电流。
电源电压反向加到晶闸管VT2、VT3上,使其承受反压而处于关断状态。
第三阶段:
在U2负半波的(π~π+α)区间:
当?
t?
π时,电源电压自然过零,感应电势使晶闸管VT1、VT4继续导通。
在电压负半波,晶闸管VT2、VT3承受正压,因无触发脉冲,VT2、VT3处于关断状态。
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- 单相 桥式全控 整流 实验 心得体会