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EMI抗干扰和ESD保护问题分析
新一代手机设计中的EMI抗干扰和ESD保护问题
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2006年08月07日
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最新的无线终端产品大多数都装备了高速数据接口、高分辨率LCD屏和相机模块,甚至有些手机还安装了通过DNB连接器接收电视节目的功能。
除增加新的功能外,手机尺寸的挑战依然没有变化,手机还在向小巧、轻薄方向发展。
众多功能汇聚在一个狭小空间内,导致手机设计中的ESD和EMI问题变得更加严重。
这些问题必须在手机设计的最初阶段解决,并需要按照应用选择有效的解决办法。
ESD和EMI防护设计的新挑战
传统的ESD保护或EMI滤波功能是由分立或无源器件解决方案占主导地位,例如,防护ESD的变阻器或防护EMI的基于串联电阻和并联电容器的PI型滤波结构。
手机质量标准的提高和新型IC的高EMI敏感度促使设计人员必须提高手机的抗干扰能力,因此某些方案的技术局限性已显露出来了。
简单比较变阻器和TVS二极管的钳位电压Vcl,就可以理解传统解决方案的局限性。
变阻器的钳位电压Vcl(8/20ms@Ipp=10A测试)显示大约40V,比TVS二极管的Vcl测量值高60%。
当必须实施IEC61000-4-2标准时,要想实现整体系统的稳健性就不能怱视这种差别。
除这个内在的电压差问题外,在手机使用寿命期内,随着老化现象的出现,无源器件解决方案还暴露出电气特性变化的问题。
因此,TVS二极管解决方案在ESD保护市场占据很大的份额,同时集成化的硅解决方案也是EMI滤波器不可或缺的组件。
是采用单线TVS还是ESD阵列保护?
关于某些充分利用ESD保护二极管的布局建议,我们通常建议尽可能把ESD二极管放置距ESD干扰源最近的地方。
最好放在I/O接口或键盘按键的侧边。
因此,在选择正确的保护方法之前必须先区分应用形式。
以键盘应用为例,因为ESD源是一个含有多个触点的大区域,最好是设计类似于单线路TVS的保护组件,围绕电路板在每个按键后放置一个ESD二极管。
如果采用阵列设计,保护功能将得到保证,但是这种设计将会受到潜在的ESD问题的影响,例如二条线路之间的辐射问题。
在这种情况下,手机内部的ESD干扰控制并没有被全面优化。
全新的单线保护
正当单线保护器件被广泛用于抑制ESD放电时,一种在同一封装内集成两个并联二极管的两级钳位概念产生了。
图1对传统的单线ESD保护与新型两级钳位二极管组件进行了对比。
与目前的单线ESD保护二极管相比,这种创新将ESD防护性能进一步提高了。
如果实施ESD放电,当在该IC输入端上施加15kV空气放电时,两个钳位级确保输出端残留最少的放电电压。
与单ESD解决方案相比,当施加15kV放电电压时,并联两个二极管的方案将输出残余电压降低40%。
此外,意法半导体(ST)开发的新封装SOD882还有助于节省PCB空间,因为即便内置两个二极管,每线仅占用面积0.6mm2。
同时,封装高度在0.4到0.5mm之间,特别适合纤薄型和滑板手机。
图1:
单ESD保护概念与双钳位二极管对比
虽然单ESD二极管在键盘应用中找到了适合自己的位置,但是我们不妨介绍一下二极管阵列解决方案。
在多条数据线路通过一个独特的连接器被集中在一点的情况中,ESD阵列二极管通常被用于节省电路板空间,提高连接器保护功能的稳健性。
SIM卡连、手机底座连接器、外部存储卡、手机连接器等都是这种情况,如图2所示。
ESD阵列优化PCB面积
ESD二极管阵列解决方案的最大优点是,在一个外部尺寸极小的封装内提供4个或5个TVS二极管。
实际上,这是保护整个I/O连接器所必须的,因为ESD干扰的入口点通常集中于一个相对较小的面积上。
ESD保护二极管被焊接在I/O连接器附近,用于防止61000-4-2标准规定的8kV接触放电和15kV空气放电时所产生的任何损坏。
这意味着当通过一个330Ω电阻给一个150pF电容放电时,ESD保护二极管能够抵抗15kV的电压。
ST最近扩充了保护二极管阵列产品线,推出了一个名为M6的微型封装。
新产品比现有的SOT323和SOT666节省PCB空间高达75%和45%。
超高速数据线路保护
按照目标应用的信号传输速度选择TVS二极管是设计高效ESD保护功能的关键之一。
基本上,前面提及的信号的数据传输速率越高,ESD保护二极管的电容就要求越低。
因此,必须把保护组件在电流信号上产生的干扰降至最低。
这与TVS二极管的寄生电容有直接的关联。
例如,在USB2.0的情况中,因为数据传输速率达到480Mbps,所以需要ESD保护组件的电容极低。
实验室的测量结果显示,寄生线电容高于3.5pF的ESD保护二极管可能会在高速数据传输时产生很大的信号干扰。
结果可能导致USB2.0收发器无法正常读取数据。
而对于USB1.1接口,寄生电容大约50pF的二极管并不会构成任何数据完整性问题。
这就是USB2.0的ESD保护组件的额定寄生电容在0V时通常要求低于3pF的主要原因。
USBULC6-2P6就是专门为满足高速数据接口的需求而开发的。
这个产品的主要功能是保护USB接口。
所有引脚都符合要求最严格的IEC61000-4-2第4级ESD标准。
典型线路电容是2.5pF,保证低于3.5pF,可完全满足USB接口的所有设计要求。
图2:
ESD二极管阵列保护的Tflash连接器
两条数据线路之间的差分电容均衡性是设计人员必须考虑的另一个特性。
因此设计人员可以给电容参数差量极小的数据线路设计极其相似的组件。
这是硅二极管的一个十分显著的优点,因为变阻器的电容偏差大约10%到20%。
新的收发机发射信号的速度非常快,同时耗电也越来越大,为了有助于优化电池使用寿命,超低电容的ESD保护二极管的漏电流被降低到1微安以下。
除保护两条数据线路外,还必须保护Vbus线路。
这是这个特殊的保护器件的另一个增值之处,因为它保护D+、D-和Vbus三条线路。
专用的TVS二极管在相同的条件下像保护数据线路一样保护Vbus线路,防护ESD浪涌。
因为手机还有空间的限制因素,所以USB2.0的三条线路ESD防护不得超过SOT666封装尺寸。
USB2.0专用ESD防护电路见图3。
图3所示的轨对轨保护概念是效率最高的高速数据线路ESD防护概念,是速率每秒480Mbits高速串行线路的最佳折衷方案,它兼顾了数据完整性、信号均衡性、低功耗和最严格的ESD标准。
手机EMI抗干扰功能
在某情况下,ESD问题并不是工程师要解决的唯一问题。
因为手机发射和传送RF信号时,很多电子组件受到RF辐射,因此,必须抑制RF辐射以保护正常的工作。
甚至在某些情况下,某些IC自己也会产生RF辐射以及射频干扰。
基本上,很多接口都会容易受到GSM脉冲的攻击,如音频线路或LCD或相机模块,产生能够听见的噪声或可以看见的屏幕抖动。
这就是在设计手机时强烈推荐EMI滤波器的原因。
在某种意义上,EMI辐射抑制已成为下一代手机如多频手机或3G手机的关键问题,因为现有解决方案即将达到技术极限。
采用分立的电阻和电容的单一阻容PI型滤波器设计不再是节省空间的解决方案。
此外,因为衰减带宽很窄,阻容滤波器的滤波性能极差。
对于空间限制极严,工作频率扩大几个频段的多频手机和3G手机,这类滤波器的缺陷明显。
图3:
USB2.0保护拓扑
设计师开始关注衰减大和衰减频带宽的低通滤波器,以硅为材料的集成EMI滤波器是适合所有这些需求的滤波器,它表现出极宽的衰减范围,从800MHz到2GHz或3GHz,S21参数超过30db等。
同时,这些滤波器可针对高速数据应用实现低寄生电容结构和超小的PCB空间。
硅EMI滤波器:
LC型还是RC型?
今天,半导体供应商正在提供LC型或RC型滤波器,问题在于如何为正确的应用选择正确的技术。
对上文提及的两种技术的纯滤波性能进行对比,在某种意义上我们看见相似的滤波特性,两种结构都表现出极宽的抑制频带。
这些主要特性的取得归功于能够最大限度降低滤波器(无论是RC还是LC型)的寄生电感的集成概念。
然后,LC滤波器能够优化低频的插入损耗。
与RC滤波器相比,滤波特性在技术规格中确实存在明显的差别。
但是考虑到特性曲线是在50Ω环境中测量到的,设计师可能注意到,在应用条件下,因为多数IC是高阻抗元器件,RC滤波器的串联电阻或LC滤波器的串联电感对插入损耗的影响可忽略不计。
因此,即使在滤波器技术规格中看到插入损耗的差异,这个差异也不真地适合应用条件。
尽管如此,我们可以使RC或LC滤波器信号传输能力实现差异化。
特别是在高频下,LC滤波器可能具有RC滤波器绝对没有的某些振荡效应。
这些寄生振荡可能会干扰信号甚至会产生比RC滤波器更长的延迟时间。
图4所示是通过硅LC滤波器进行的信号传输测试,从图中可以看到振荡效果。
最后,EMI滤波器是使用硅RC还是LC,两者之间没有明显的性能差异,因为它们的特性在实际应用中基本相同,低阻抗环境除外。
顺便提及一下,考虑到现有的硅技术,电阻的集成密度比电感器高出很多。
因此,LC滤波器的制造成本高于RC滤波器。
现在让我们对比无源LC滤波器和硅RC滤波器,大家熟知的两者之间的差异是,无源技术基于集成变阻器(而硅滤波器集成的是二极管)。
因此,这种滤波器不如硅RC滤波器耐用,同时过滤特性类似于分立电容器,这意味着抑制频带尖而窄,不能为新一代多频手机100%优化。
滤波器的RC耦合是设计人员必须精心选择的首要特性,本质上说,应用的信号传输速度越快,滤波器线路的总电容就应该越小。
因此,对于UART、RS232或音频线路,标准电容在几百个pF范围内的EMI滤波器足以确保优秀的滤波性能和最小的信号干扰。
对于高速接口像LCD或CMOS传感器,滤波器的寄生电容对视频信号完整性的影响很大,所以电容值必须降到最低限度,几十个兆赫兹的频率,电容必须小于20pF。
这又带来了新的问题,因为滤波器的滤波性能会因为本身电容变小而降低。
因为最近的半导体设计,现在市场上出现了超低电容EMI滤波器结构,以及超高衰减量、宽带抑制和符合IEC61000-4-2第4级的ESD保护功能。
意法半导体是市场上率先推出电容超低、抑制带宽极大并符合IEC61000-4-2第4级安全标准的滤波器结构,EMIF08-VID01F2在800MHz到3GHz频带内可以实现30dB以上的衰减抑制,同时在3V工作电压时其线电容只有17pF。
要想取得最佳的滤波性能,除考虑硅产品本身的特性外,还要考虑组件的封装和布局,这就是大多数基于硅的EMI滤波器采用400um管脚间距的倒装片封装或microQFN封装的原因。
微型封装的主要优势之处是寄生电感影响小,从而最大限度地提高了高频下的衰减特性;其次微型封装尺寸小,有助产品的微型化趋势。
400um管脚间距还可简化和最小化滤波器与I/O连接端子之间的布局连接,因此,使用管脚间距较小的新封装有助于提高PCB+布局+滤波器的系统整体性能。
图5所示是ST的一个超小滤波器的简图。
与分立的电容和电阻占用的PCB电路板空间相比,像EMIF08这样的倒装片和mQFN封装的硅滤波器可节省PCB空间近70%,将组件数量从18个减少到1个,同时还能维持或降低应用的整体成本。
最后,RC硅滤波器是一个具有竞争力的解决方案,其过滤性能、ESD保护和PCB空间占用超过了分立解决方案。
除单纯的性能对比外,集成解决方案更适合新一代手机对宽衰减带宽和高密度集成电路板的需求。
本文小结
在手机设计的初始阶段,ESD和EMI问题变得越来越突出,必须根据实际应用选择专门的方法来解决ESD和EMI问题。
虽然保护组件本身的性能十分关键,但是布局考虑也有助于提高系统的整体防护性能。
为提高新一代手机的EMI抗干扰性能和ESD抗静电性能,ST在2006年全面增强了产品组合,推出了微型超薄单线ESD保护产品,这是一个产品型号齐全的ESD阵列,其microQFN封装占用电路板空间比SOT666和其它专用产品如USB2.0接口专用超低电容保护组件低40%。
此外,新系列EMI滤波器取得了新的突破,在一个倒装片或400um管脚间距的microQFN封装内组装了超小或超大的电容结构。
作者:
S.Mosquera
PCB抗干扰
PCB电路抗干扰在电子系统设计中,为了少走弯路和节省时间,应充分考虑并满足抗干扰性的要求,避免在设计完成后再去进行抗干扰的补救措施。
形成干扰的基本要素有三个:
(1)干扰源,指产生干扰的元件、设备或信号,用数学语言描述如下:
du/dt,di/dt大的地方就是干扰源。
如:
雷电、继电器、可控硅、电机、高频时钟等都可能成为干扰源。
(2)传播路径,指干扰从干扰源传播到敏感器件的通路或媒介。
典型的干扰传播路径是通过导线的传导和空间的辐射。
(3)敏感器件,指容易被干扰的。
如:
A/D、D/A变换器,单片机,数字IC,弱信号放大器等。
抗干扰设计的基本原则是:
抑制干扰源,切断干扰传播路径,提高敏感器件的抗干扰性能。
(类似于传染病的预防)
1抑制干扰源
抑制干扰源就是尽可能的减小干扰源的du/dt,di/dt。
这是抗干扰设计中最优先考虑和最重要的原则,常常会起到事半功倍的效果。
减小干扰源的du/dt主要是通过在干扰源两端并联电容来实现。
减小干扰源的di/dt则是在干扰源回路串联电感或电阻以及增加续流二极管来实现。
抑制干扰源的常用措施如下:
(1)继电器线圈增加续流二极管,消除断开线圈时产生的反电动势干扰。
仅加续流二极管会使继电器的断开时间滞后,增加稳压二极管后继电器在单位时间内可动作更多的次数。
(2)在继电器接点两端并接火花抑制电路(一般是RC串联电路,电阻一般选几K到几十K,电容选0.01uF),减小电火花影响。
(3)给电机加滤波电路,注意电容、电感引线要尽量短。
(4)电路板上每个IC要并接一个0.01μF~0.1μF高频电容,以减小IC对电源的影响。
注意高频电容的布线,连线应靠近电源端并尽量粗短,否则,等于增大了电容的等效串联电阻,会影响滤波效果。
(5)布线时避免90度折线,减少高频噪声发射。
(6)可控硅两端并接RC抑制电路,减小可控硅产生的噪声(这个噪声严重时可能会把可控硅击穿的)。
按干扰的传播路径可分为传导干扰和辐射干扰两类。
所谓传导干扰是指通过导线传播到敏感器件的干扰。
高频干扰噪声和有用信号的频带不同,可以通过在导线上增加滤波器的方法切断高频干扰噪声的传播,有时也可加隔离光耦来解决。
电源噪声的危害最大,要特别注意处理。
所谓辐射干扰是指通过空间辐射传播到敏感器件的干扰。
一般的解决方法是增加干扰源与敏感器件的距离,用地线把它们隔离和在敏感器件上加蔽罩。
切断干扰传播路径的常用措施如下:
(1)充分考虑电源对单片机的影响。
电源做得好,整个电路的抗干扰就解决了一大半。
许多单片机对电源噪声很敏感,要给单片机电源加滤波电路或稳压器,以减小电源噪声对单片机的干扰。
比如,可以利用磁珠和电容组成π形滤波电路,当然条件要求不高时也可用100Ω电阻代替磁珠。
(2)如果单片机的I/O口用来控制电机等噪声器件,在I/O口与噪声源之间应加隔离(增加π形滤波电路)。
控制电机等噪声器件,在I/O口与噪声源之间应加隔离(增加π形滤波电路)。
(3)注意晶振布线。
晶振与单片机引脚尽量靠近,用地线把时钟区隔离起来,晶振外壳接地并固定。
此措施可解决许多疑难问题。
(4)电路板合理分区,如强、弱信号,数字、模拟信号。
尽可能把干扰源(如电机,继电器)与敏感元件(如单片机)远离。
(5)用地线把数字区与模拟区隔离,数字地与模拟地要分离,最后在一点接于电源地。
A/D、D/A芯片布线也以此为原则,厂家分配A/D、D/A芯片引脚排列时已考虑此要求。
(6)单片机和大功率器件的地线要单独接地,以减小相互干扰。
大功率器件尽可能放在电路板边缘。
(7)在单片机I/O口,电源线,电路板连接线等关键地方使用抗干扰元件如磁珠、磁环、电源滤波器,屏蔽罩,可显著提高电路的抗干扰性能。
3提高敏感器件的抗干扰性能
提高敏感器件的抗干扰性能是指从敏感器件这边考虑尽量减少对干扰噪声的拾取,以及从不正常状态尽快恢复的方法。
提高敏感器件抗干扰性能的常用措施如下:
(1)布线时尽量减少回路环的面积,以降低感应噪声。
(2)布线时,电源线和地线要尽量粗。
除减小压降外,更重要的是降低耦合噪声。
(3)对于单片机闲置的I/O口,不要悬空,要接地或接电源。
其它IC的闲置端在不改变系统逻辑的情况下接地或接电源。
(4)对单片机使用电源监控及看门狗电路,如:
IMP809,IMP706,IMP813
ESD的一些问答第一部分
1、问:
为什么有些ESD地线有阻抗而有些没有呢?
答:
ESD地线的目的是将一导电面连接到与电源地等电位的地方,“硬地”是用不具有附加电阻的地线直接连接到地的;电源地与公共点接点之间的电阻基本为0Ω。
“软地”是具有内部串联电阻的地线,典型值为1M,这样设计的目的是限制当操作者暴露在110V和最大250V的环境中时可能产生的伤害电流。
ESD联合会ANEOS/ESDS6.1—1991建议用“硬地”方式使ESD台面或者地板垫子接地。
2、问:
我常穿一只防静电鞋,但常被告之两脚都要穿,为什么?
答:
防静电鞋仅在穿戴正确并且要与导电地板或消耗地连在一起时才起作用。
行走是摩擦生电的一个极好的例子。
若你正确使用防静电鞋,且与ESD地板紧密连接,那么你身上的电荷泄入到地。
因此,你与地之间构成的网络在电压上是相同的,但你一抬起穿有防静电鞋的脚,你就会再次充电,要么从你的衣服感应,要么因为摩擦和抬脚而产生摩擦电。
若你穿有两只防静电鞋,你就会进一步大大减小比几伏电压高得多的净电荷的机会(典型值为2000—5000V),因为你处于接地状态时间延长了,所以建议在靠近运动物体时,务必穿一双防静电鞋。
3、问:
需要在机器与地间连接1M电阻吗?
答:
不需要。
参照生产厂商在机器或设备方面接地的要求可知,1M电阻是用于保护人体的,参考以下的问题。
旁注:
将所有靠近ESD敏感工作站的孤立导体接地都是有好处的。
可使意外的电场或电荷积累减至最小。
4、问:
1M电阻在半导体装配过程中的作用是什么?
答:
假设1:
我们正谈论ESD控制问题;假设2:
人体与半导体及带有半导体的器件接触,在防静电腕、防静电鞋、拉链、地线等地方均可发现1M串联电阻,其作用是限制可通过人体的电流量,保护人体安全。
1M电阻的主要限定要求是:
在250V交流有效值时,电流被限制到250微安,正好是大多数人的感知水平(神经系统发生反射的临界值)。
电流在休表及体内物理感知的不同取决于人体大小、重量、水份、皮肤条件等。
5、问:
内部含有电路板的装运箱是否需盖上盖子?
这些装运箱是如何工作的?
答:
一般需要盖上盖子,正确安装在装运箱上的盖子能对其内的电路板提供足够强的屏蔽,这些装运箱不仅能提供通常用途下的机械完整性,而且也能为内部提供ESD安全性。
若拿掉盖子,任何杂散电场都可以引起电路板上众多独立导体的充电,这些诱生电荷是ESD的产生源。
杂散电场的潜在源是很多的:
人、衣物,未接地二轮车、显示器、家具、分隔间、任一非接地导体、任一绝缘体、电磁干扰等。
在敞开的ESD装运箱中的电路板,在用接地车运输时会经过(或暴露到)几个带电源(电场),也会使内部设备发生问题。
6、问:
若脚垫和防静电腕连到一起,它们需连到大地吗?
答:
不,只是所处理的设备应拔去插头且电气连接到ESD地,只要导电部分(体表皮肤、ESD脚垫、设备机壳、操作部件等)是等势的,ESD(泄放电荷)就不会发生,大地很适合作基准电压,如果你确认所有导电部分都连到地,那么就保证了这些导电部分均处于相同的电位,一旦两导体间存在电势差,就会导致电荷泄放产生ESD。
7、问;环境空气的相对温度是如何影响ESD的?
答:
相对湿度(RH)对表面积累电荷的性能产生直接影响。
相对湿度越高,零部件储存电荷的时间就越短,表面电荷减小(因为相对湿度增加)的方式可通过复合或传导,当相对湿度增加,空气的电导率也随之增加。
但即使是在100%相对湿度时,电荷泄放速率的增加也不能取代适当的ESD控制操作规程。
8、问:
相对温度的百分比是需控制在某一特定值?
若是,如何才能决定这一数值呢?
答:
在空气逐渐干燥时(相对温度的百分比减小),产生静电的能力变化是确定且明显的。
在相对湿度10%(很干燥的空气)时,在地毯上行走时,就能产生35kV的电荷,但在相对湿度55%时将锐减至7.5kV。
工作环境的相对湿度的最佳范围在25%—50%。
一些清洁场所一般要求相对湿度在50%,由于存在对腐蚀和湿度的影响较敏感的器件,其他环境需要较低的相对湿度。
在最佳湿度范围检验设备及ESD抑制产品,有些ESD抑制产品是与湿度有关的。
9、问:
强磁场(比如磁铁)会引起ESD吗?
磁场与ESD间有一些什么联系吗?
答:
只要磁场源和物体都是静止的,就不会由于强磁场而产生ESD。
磁场波动或物体移过磁力线,则将感应出电流(假如物体是导电的)。
完全暴露在脉动磁场中的孤立导体,将积累足够的电荷而引起ESD问题,磁场也可从电磁噪声(EMI)产生,如果没有正确地屏蔽,那么就将会在孤立的导体上感应电流(电荷),有些EMI源是PC、ESD、变压器、荧光灯等,在一般工作环境中,这些很可能是不太重要的骚扰源。
10、问:
我们的电子装配车间有ESD导电地板,使用ESD专用接地鞋带,要求每个操作人员都要穿钢趾安全鞋。
若不穿ESD专用接地鞋带,则不能通过接地鞋带检测器。
我们的ESD专用接地鞋带用的是#2048型号的塑料,用某种材质做成的鞋,具有106—108的阻抗,能减少静电,我应该买一台新的测试器或新鞋或其他什么东西吗?
答:
首先,确保你的测试器最近已经校准,若没有则需校准。
测试鞋的标准与接地鞋带不同,标准ESDS9.1—1995,对109以下的阻抗使用100V阻抗仪,大多数接地鞋带测试器使用6—12V的开路电压,远低于对鞋采用的100V电压。
如鞋本身材料在高压下导电,那么要么买一台更高电压的测试器,要么重新考虑静电泄放控制中的重要因素。
一些脚部接地(脚跟带)测试器是在出厂时被校准在750k—100M,其他仅有10M的,一些新的测试仪,提供大约20—22V开路电压,或许也有一定效果,另外,有一些ESD鞋,用于检测脚部接地测试器,因为它们在较低电压(在消耗区间里)时,能非常容易地导电。
11、问:
测试防静电腕时有没有最低要求,而且最低或更合理的要求是什么?
答:
在测试防静电腕时没有预先规定的最低要求,但一个非常好的经验是:
在你每次戴上防静电腕或开始另一件工作时都对它进行测试,测试频度取决于你全力保护的ESD敏感设备,如果该设备相当昂贵并由一位操作者控制,经常的监视器是必要的,但如果该设备不是特别敏感且相对价格较低,那么定期的测试就足够了,在测试防静电腕时有几件你应查看的事情:
确信防静电腕与手腕密切接触;导电纤维或金属/导电物质紧贴着皮肤;金属扣环上的按扣很合适,线圈端的揿钮接头应很好地扎紧,香蕉插头弹簧弹性好,与香蕉插头塞孔接触紧密,其他应查看的事情是:
线圈中的间歇中断(通常在末端),脏物、油和熔接在带子里面的外壳(这将降低带子的导电性能),对线圈中金属扣环上的按扣施1—5磅的张力是安全的。
12、问:
要是采取了所有其他的ESD预防措施,戴防静电腕还有必要吗?
(也就是两个接地(脚)带,罩衫、地板消耗材料、接地板等),如是,为什么?
答:
如果操作
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