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高纯铟
高纯铟
1.金属铟概述
1.1铟的性质
铟(In)属于稀散金属,位于周期表ⅢA族,原子序数为49,相对原子质量为114.82,在地壳中含量与银相似,为1x10-5%;价数有+1和+3。
铟呈银白色,有强金属光泽,可塑性很大,延展性好,可以压延成极薄的铟片,莫氏硬度为1.2。
化学性质和铁相近,常温时不为空气所氧化,加热超过其熔点则迅速和氧、硫化合,无毒性。
铟可溶于各种浓度的盐酸、硫酸和硝酸等无机酸,致密的铟在沸水及某些碱液中不被腐蚀。
铟和溴在常温时即发生化合,加热时则可以与碘发生化合。
铟可以与多种金属生成合金。
应用形式为小锭或棒、丸、条、板、粒和单晶。
纯度分工业级和高纯度级(不纯物少于10×10-4%)。
表1为金属铟的主要物理性质。
表1金属铟的主要物理性质
性质
参数
性质
参数
密度(20℃)/g.cm-3
7.31
溶化热/Kj·mol-l
3.27
熔点/℃
156.6
汽化热/Kj·mol-l
232.4
沸点/℃
2075
热导率/W·mol-l
80.0
平均比热容
(0~lOO℃)/J.(kg·K)-1
243
电阻率/uΩ·cm
8.8
1.2铟的用途
铟是一种多用途金属,是制造半导体、焊料、无线电工业、整流器和热电偶的重要材料,且随着科技的进步其应用范围在不断扩大,特别是在高科技领域,铟的应用具有广阔的前景,图4示出了铟的主要用途。
图4铟的用途
A易熔合金
低熔点合金如伍德合金中每加1%的铟可降低熔点1.45℃,当加铟到19.1%时熔点可降到47℃。
铟基低熔点合金是作热信号及热控制器件的材料,主要用于弱电器件及光学工业中;在特殊电气真空仪器中作可动元件的特殊润滑剂;作自动消火栓;作异型薄管制弯曲处加工的固形充填物,而不发生如用砂时的易滑动、用树脂或铅的易断裂以及没有用树脂或铅时的难以清洗与清除之弊;利用含Bi大于55%的低熔点合金在凝固时的膨胀可充作安装难以固定的卡夹用材,或做珠宝加工的支撑夹具,便于精加工;无论作填充物或作夹具用,一旦加工完后,只需加热到其低熔点的温度时即可与主体分离,而低熔点合金仍可再用,类此还可作铸造模型的母型材用;作焊料,铟与锡的合金可作真空密封之用,如作玻璃-玻璃和玻璃-金属间的焊剂,In-Me远较Pb-Sn及Au-Sn优越,经登月舱在月球上着陆,查明了铟材在低温下的延展性十分可靠且不脆化与开裂;铟的二元、三元等低熔合金具有良好的高温抗伸强度及抗疲劳强度,常见的铟基低熔点合金见表2。
表2铟基焊接剂
组分/%
熔点/℃
组分/%
熔点/℃
In
Bi
Sn
Pb
Cd
Ag
M
In
Bi
Sn
Pb
Cd
Ag
Al
18.1
81.9
47
75
25
123
66.3
33.7
72
90
10
144
35,5
48.5
16
77.5
90
5
5
147
26
57
17
79
95
5
151.5
44
42
14
93
98.5
1.5
153
33
67
109
79.3
20.7
158
50
50
116~117
25
75
234
52
48
118
B焊接剂
铟与银、铋和铅等金属可形成一系列熔点间于47~234℃的金属焊接剂,俗称软合金。
因为铟焊料具有较好的润湿玻璃性能,且对某些贵金属基片的渗透较弱,故主要用于电子及低温物理领域焊接,既防止损坏印刷电路板,又可利用其熔点逐渐降低而实现堆焊电子元件等,如用在高真空系统中作焊接玻璃-玻璃、玻璃-金属及电子器件的焊接剂用。
合金In-Cu32-Zn15-Cd20-Ni2-Ag30.5具有良好的导电性,又有较优的力学性能和防腐能力,故在机械工业中用作焊接钢、铁及有色金属的焊料;某些铟基低熔合金,如In-Sn25-37.5Pb25-37.5、InSn75、In-Sn50及In-Pb50等具有抗碱腐蚀特性,可作为氯碱工业化工设备的焊接剂。
C涂层及防腐合金
铟及铟基合金具有耐磨、耐腐及力学性能良好的特性,故常用作控制仪表、地球物理仪、监测辐射仪及红外线仪等的涂层,如In-Zn-Al作航空及汽车工业中的防腐涂层;纯度大于99%的铟作高速航空发动机银铅铟轴承材料及传统装饰纪念品的涂层;如今由于铝导线在电力工业中的发展,用铟作铝线接头和连接器的涂层可保证高的电导率及良好的力学性能。
铟的另一重要用途是镀在飞机发动机、汽车发动机的轴承上,可增加轴承的强度、硬度和抗腐蚀性,并使表面易于涂油,从而能大大提高轴承的使用期限。
In-Ag-Cu、In-Cu-Pb、In.Pb-AR及In-Cu等合金因制造高级高速发动机轴承而广泛用于航空及汽车工业;铟基合金可作玻璃透镜的抛光材料;金、钯、银、铜同铟组成的合金常用来制作假牙和装饰品,如In-Ni-Ga常用作牙科材料;In-Te77-82可作热电偶。
向润滑剂中添加少量铟的化合物,则可降低其腐蚀性;反射镜类仪器涂铟既能增大其反射性能、不怕海水腐蚀,又不易在空气中变暗,故为军工及海事中采用。
D电子、电池工业
高纯铟是电子工业上的重要原料,用于制造化合物半导体锑化铟、砷化铟、磷化铟等,以及作为半导体锗、硅的掺杂元素。
例如,锑化铟可用作红外线检波器的材料,磷化铟可用作微波振荡器等。
铟的另一较大用途是作二极管、晶体管和整流器中的合金接点材料,在电器开关的触点或碳刷上涂铟,可改善电器接触处的烧损;而In203与Ag20及AgCl组成的材料,可作良好的电接点材料;而液态Ga-In-Sn合金也是电接点的良好材料;InSb制备的集成电路可用于无接点开关与无电刷马达。
铟还可以用作锗晶体管的发射极与集电极,其中作为锗晶体管中的掺杂元素,在PNP锗晶体管生产中,铟的用量相当大。
铟的ⅢA-VA族化合物广泛用于光通信及红外仪器中,如InGaAs用于光通信长波段(1.3~1.7um)激光器;GalnP作发光元件;InAs及InAsP作霍尔元件;InSb作红外探测器用于制导装置及装备红外热成像仪;InP可用于制作大功率激光器。
铟最广泛、用量最大的用途是在电子工业中作液晶显示用的ITO(透明导电膜),用于手表、小计算器、便携式电视机、摄像机及文字处理机等,目前更向大型化、彩色化发展,如液晶电视、投影电视屏幕像显示管,且已进入光磁记录材料市场。
其次作为透明电极,充作飞机及机车挡风板玻璃窗的场致发光元件制作雾冰器,既保证了玻璃窗透明可见度,又可去雾、冰;透明热IT0或In203涂膜可作透明热反射体,如低压铟钠灯、反射热的建筑玻璃窗、冷冻食物的冰冻仓及烤箱炉门等。
铟丝可制作3.4K的电阻加热元件;铟有两种用于能源的电池,即太阳能铟光电池与含铟非晶态硅电池;用铟硒氧化物涂在塑料薄膜上以及用Gu-In-Se膜做成的光电池,比硅太阳能电池价廉且转换率高。
在无汞锌粉的制备中添加铟可以起到防腐的作用。
E原子能工业
铟镉铋合金在原子能工业上作吸收中子用的材料,铟箔可用来测量中子流并可测定其能量,这是因为铟在慢中子作用下具有易激发的特性,故用作测定反应堆中子流和其能量的指示剂。
In-Ag15-Cd80、In-Ag80-Cd5及In-Bi-Cd等可作核反应堆中吸收中子的核控制棒;In-Ca-C低熔点合金可作原子能工业中的冷却回路材料。
F化工催化剂
金属铟作催化剂用于以液态N204进行乙氰爆炸氧化反应中。
在100~400℃间使氢和重氢作用而产出HD2,或使蚁酸分解采用In/Ge催化剂。
400℃时脱酒精或脱水以及分解N20或在20%下的CCl4液中进行NH3的氧化反应等用氧化铟催化。
丙烯的氧化和在空气中于375℃下使2-3-二甲基萘生产萘都是用In203/Al203催化剂。
In203/C是使溴和氢合成HBr的良好催化剂。
InCl3多用于催化取代反应过程中,如在95%下作苯与n-苄基氯取代反应的催化剂,只需1min即可获得氯二苯基甲烷与HCl,其产出率高达85.7%。
在250~325℃和5.1~25.3MPa下使乙烯水合为C2H3OH(气相)时,在硅胶或炭上的铟硼酸盐是一良好催化剂。
在0~225℃间环醚的聚合中常用的催化剂是In/Al203。
In2S3和In203是用于Li2O/NiO进行离解N204的助催化剂。
日本研究用In203作催化剂,以便使煤、木炭及焦油在300~600℃下发生氧化,而从水中提取氢作新能源。
此外,研究中的光纤维通信中InGaAsO/InP异质结激光器,也是铟的新用途。
1.3几种重要的铟化合物
AIT0薄膜
氧化铟锡或掺锡氧化铟薄膜是一种重掺杂、高简并N型半导体,简称IT0薄膜。
经扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和平面图像高分辨率电镜(HREM)研究采用各种技术生长的ITO薄膜的微结构表明,该材料是复杂的立方铁锰矿型结构(即立方In203)的多晶体,组成多晶体的大晶粒中含有亚晶粒区,电子迁移率在15~450cm2/(V·s)范围内,因此,该化合物具有优异的电学和光学性能。
由于IT0薄膜材料具有优异的光电特性,膜层硬度高且耐磨耐蚀,导电性能及加工性能极好,因而近年来得以迅速发展。
其主要应用在乎面液晶显示、太阳能电池电极、热辐射反射镜等方面。
此外,ITO膜能防静电、防雾、除雾。
可应用于需要屏蔽电磁波的地方,如计算机房、雷达的屏蔽保护区,甚至可用于防雷达隐形飞机上。
国内已成功将IT0膜用于平面及曲面飞机风挡、双引自行车及医疗设备中。
B磷化铟
磷化铟相对分子质量为145.80,熔点为1070℃,是非可燃性固体,易与强氧化剂、硫和强酸反应,不溶于弱酸和水,无挥发性、无气味,具有优异的半导体性能,被称为第三代半导体主要材料之一,可能取代硅制作大规模集成电路。
常用于半导体化合物、低压钠灯、无汞干电池阴极和IT0透明电池材料。
C三甲基铟、三乙基铟和二甲基乙基铟
高纯三甲基铟、三乙基铟和二甲基乙基铟为白色晶体,对氧和水很敏感,暴露在空气中会立刻燃烧。
一般用于金属有机化学气相沉积(MOCVD)的原材料和添加剂,在很多半导体结构和器件中有着广泛的应用。
2.2高纯铟的制备
2.2.1金属铟的回收与生产
铟在地球化学上属于“分散元素”,没有单独开采的工业矿床,它主要以微量与有色金属铅、锌、铜、锡矿物共生,其他还有明矾石、菱铁矿、钼辉石等,是资源综合利用的产物。
铟的矿物种类不多,但共生矿分布很广,在共生矿铟含量达十万分之几就有工业生产价值。
铟品位较高且目前最有工业回收价值的矿物主要为闪锌矿,含量为0.00001%~0.1%,在铅锌冶炼的过程中铟作为副产品回收,锡冶炼厂也回收铟。
以下介绍国内外铟的回收与生产工艺。
APorto-Marghera(P-M)多次中和法
1969年,Porto-Marghera(P-M)锌厂与都灵冶金中心联合成立了世界上第一个实现从锌浸出渣中同时综合回收镓、铟、锗的单位。
其原料成分和工艺流程分别见表3和图5。
表3Porto-Marghera(P-M)多次中和法回收镓、铟、锗原料成分(%)
元素
Zn
Ga
Si02
CaO
Pb
Ag
含量
16~18
0.02~0.04
11~12
2.5~3.5
1~3
0.018~0.02
元素
Fe2O3
In
Ge
Al203
S
Cl
含量
26~28
0.04~0.09
0.06~0.O9
1.5~2.0
7~8
0.006~0.008
图5P-M多次中和法提镓、铟、锗流程
原料先经1250℃烟化,所得烟尘经碱洗(pH=8.0)脱氯,再经中浸(pH=5.5)脱锌与镉,中浸渣经还原酸浸,镓、铟、锗转人溶液,经传统丹宁沉锗后,沉锗后液经第一次中和得富含镓0.5%~2.5%及铟0.6%~12%的中和渣,由此转送都灵冶炼中心回收镓与铟:
先经酸还原溶解,经第二次中和(pH=4.2),用碱溶解,不溶物富含铟由此回收铟。
此法由于采用多次中和,过程冗长,回收率不高。
B综合法
我国在1975年工业试验成功,并部分投入工业化。
原料为锌浸出渣,内含锌22.15%、镓0.003%~0.019%、铟0.03%~0.14%及锗0.006%~0.012%,经锌粉置换富集后采用还原酸浸、D2EHPA萃铟、丹宁沉锗、随后用乙酰胺萃镓,再经碱化造液电解得金属镓,获得4N金属铟、锗及镓的回收率分别为90%、60%及60%。
其流程图如图6所示。
图7选冶联合提镓、铟、锗流程
C选冶联合法
此法充分综合利用资源,可在有色系统中开展黑色金属铁的附带生产,经济效益高,兼收处理废渣而保护环境之利。
其流程图如图7所示。
D氧化造渣法
基于铟对氧的亲和力远比铅大的原理,当含铟0.4%~2.0%的粗铅在配有溶剂后熔化,在800℃左右即鼓人空气,在铅液上形成含铟2%~5%的氧化浮渣。
经中浸(pH=5.2)脱锌,继而酸浸(残酸15~20g/L)脱铅,所得含铟约3~20g/L的酸浸液,根据含铟浓度采用D2EHPA萃取后置换,或者直接置换,所得海绵铟经团压后在碱覆盖下于350℃左右熔炼得99.5%粗铟,在配置成含铟80~100g/L、氯化钠100g/L的电解液中,采用电流密度50~100A/m2,槽电压0.20~0.35V下电解即得4N铟,电流效率可达95%~99%。
工艺流程如图8所示。
图8氧化造渣提铟工艺
国外有学者将铟浮渣进行还原熔炼时加入ZnCl2和PbCl2,其中铟转入氯化物渣,经水碎、用HCl+H2SO4酸溶解后,锌置换得海绵铟,再通过碱熔铸、电解得金属铟。
E电解富集提铟法
电解富集提铟法是氨基磺酸电解提铅法的延伸。
采用电解液:
H2NSO2OHl00g/L、基磺酸铅80g/L、明胶0.4g/L,在电流密度110A/m,与槽压0.22V下电解得精铅,Pb.Me合金中的铟富集于阳极泥,可进一步处理提铟。
前苏联用此法从Pb-Sb电解铅,耗H2NSO2OH为每吨Pb30~40kg,此法简单无毒害,产品质量高,只需考虑H,NSO,OH价格成本。
工艺流程如图9所示。
图9电解富集提铟法
F离子交换法
德国Duisburg铜厂采用钠型亚氨二醋酸阳离子树脂从锌镉渣中回收铟。
此法的选择性好,但成本高。
如为盐酸体系,可用H型KY-2强酸性阳离子树脂吸附铟,用0.2mol/LHCl或NH4OH解析。
某厂用KφⅡ阳离子交换法提铟,使铟回收率提高到94%。
工艺流程如图10所示。
图10离子交换法提铟工艺
G湿式硫酸法
前苏联等用此法生产铟,兼综合回收硒与铊。
含铟0.003%~0.006%、硒0.21%~0.28%及铊0.056%~0.130%的烟尘,配人木炭后制成粒度为3~5mm的粒料,在300℃焙烧,可从烟气回收硒,而含铟与铊的焙砂,经酸浸、中和与置换等工序得含铟10%~13%的In(OH)3水解产物,经酸溶后电解得铟。
此工艺冗长,铟回收率低,但易操作,能综合利用硒、铊与碲。
工艺流程如图11所示。
H萃取-电解法
从硫酸或盐酸介质中用D2EHPA或Versatic911H萃铟在中外均已工业化,而用N,N-二(甲庚基)乙酰胺(N503)从盐酸介质中萃铟更显优越,特别在HCl为4.5~6.0mol及15%~30%N503条件下萃铟最佳。
其萃取与反萃机理可描述为:
HInCl4(A)+[N503H+]Cl-(O)→[N503H+][InCl-4]+HCl(A)
(1)
[N503H+][InCl-4]+H2O(A)N503(0)+H3O+(A)+Cl-(A)+InCl3(A)
(2)
二者的萃取与反萃率均高达97%~99%,铟的回收率均可达90%左右。
但此法耗酸大,且锡的干扰大。
其他含铟料(如含铟0.01%~0.08%的铜转炉法等)也可按此法处理。
工艺流程如图12所示。
20世纪80年代末我国发展了用D2EHPA从含铟的焊锡硅氟酸电解液中萃铟,且投人工业生产。
料液含(g/L)In5.0~7.4、Sn+2125~108、Sn4+、约17、Pb65及总酸529~210。
采用30%D2EHPA直接萃铟,萃余液返焊锡电解而无危害影响;富铟有机相经盐酸反萃、净化脱锡后即可按前述工艺获得金属铟。
此工艺简短,环保好,但萃铟率偏低,仅为80%左右。
I盐酸浸出-离心萃取法
利用铟与铁在采用D2EHPA萃铟过程中的萃取动力学差异,选用环隙式离心萃取器,在水流比为15%~30%间快速将铟萃取(萃铟率大于96%、萃铁率不大于3.7%),突破了Fe3+的干扰,铟回收率大于82%。
此法适于处理含铟高的锌焙砂或烟尘,如将料中铟于沉钒时全转入铁钒渣,则可将其煅烧(530~590℃)后酸浸,通过萃取工序生产铟。
工艺流程如图13所示。
图13盐酸浸出一离心萃取法从焊锡硅氟酸电解液提铟
J氧化-还原焙烧法
硫化锌精矿制粒后在1050~1200℃下氧化沸腾焙烧,焙砂即转到800℃左右、CO的通入量约为8%的还原沸腾焙烧炉,使难溶的铁酸锌分解为易溶ZnO,同时使类质同象存在于铁酸锌中的铟、锗、镓获得“自由”,采用中性湿法浸出可获得很高的浸出率(%):
Zn97.9~98.5、In84.2~89.9、Ge92.5~95.2及Ga88.7~91.3。
此液可选用萃取、置换或中和等方法分离与提取铟、锗、镓,含锌母液经除铁后返净化或者直接送电解生产锌;而银在渣率仅为6%~9%的浸出渣中将富集12~17倍,可回收银与锌,综合回收铟、锗、镓。
此工艺技术经济指标先进,能直接从锌生产中综合回收铟、锗、镓及银,并能提高锌生产力,是一种有工业应用价值的生产方法。
2.2.2高纯铟的制备方法
常规提纯铟的方法有很多,主要有沉淀法、离子交换法、萃取法、电解法、真空热处理法、蒸馏法、结晶法、金属有机化合物法和低卤化物法等。
A沉淀法
该方法包括沉淀铟和沉淀杂质两个方面,但是制备高纯铟比较困难。
B离子交换法
先用离子交换法提纯氯化铟溶液,用铝片置换后得到海绵铟,然后将海绵铟进行电解
精炼,产品纯度可达5N以上。
C萃取法
用乙醚进行二次萃取后,用氨水中和含铟溶液,得In(OH)3沉淀,将此沉淀用氢还原或配成电解液进行电解可得到纯度大于5N的铟。
利用烷基磷萃取铟,用盐酸从有机相反萃,最后用铝或锌置换,沉淀成为海绵铟。
通过进一步精炼可生产出5N的铟。
有文献报道,用螯合剂萃取水溶液中的铟,萃取率可达100%。
D电解法
该法在生产实践中广泛采用,其中较常用的是汞齐电解法。
由于铟在汞中有相当大的溶解度(70.3%),因此该法可有效地除去铅、锌、铜、铁等杂质。
电解得到的高纯铟需在真空中加热以除汞,为了进一步提高纯度,还可以再进行区熔提纯。
该法的不足之处是必须利用汞和一系列其他高纯物质,不过该方法正在改善之中。
制备高纯铟的主要流程图如图14所示。
图14高纯铟的制备
采用电解法需选择电解液成分、阴极材料和电解槽,并确定电解条件。
在电解法制备高纯铟的过程中,由于镉、铊的氧化还原电势和铟接近,用电解法不能除去,而镉是铟中主要杂质,所以在电解之前必须除镉。
工业除镉有蒸馏法、溶剂萃取法和在甘油碘化钾溶液中加碘除镉的方法。
电解液中加氯化钠可减少溶液的电阻。
溶液需要保持微酸性(pH=2.0),以免铟水解。
在电解过程中,要控制制备的产品以免被加入电解液的添加物(为了改善电解条件)所污染。
阴极铟清洗后在高纯石墨中铸锭,纯度可达6N。
E真空热处理法
该法将铟在真空条件下加热,使挥发性杂质分离。
由于铟具有低的蒸气压,有可能除去一些不与铟起作用的挥发性杂质,真空热处理法与电解法相结合可以除去Ge和Hg。
将汞齐电解后的铟置于涂炭的石英舟中,在温度为600~700℃、真空度为133×10-4~133×10-5Pa下处理3~4h,Ge和Hg可以降到0.08×10-4%。
但S、Se和Te对铟有更高的亲和力,不能通过真空热处理法分离。
F结晶法
该法即区域熔炼和熔化结晶提纯,通常在铟深度纯化的最后阶段进行。
该法优于真空蒸馏法的是在较低温度(<200℃)下进行和容易找到合适的容器材料。
当区域熔炼和由
熔体若晶提纯时,大部分杂质被排人铟锭的末端。
G金属有机化合物法
最近,利用金属有机化合物制备高纯物质的方法得到了广泛的应用。
为了纯化金属有机化合物,可以采用精馏、由熔体结晶、色层分离等普通方法。
当合成金属有机化合物时,金属中的杂质得到明显的纯化。
H低卤化物法
通过铟的卤化物,特别是低卤化物法纯化铟是最方便的,在所有用低卤化物法纯化铟的情况下,都是通过铟的歧化反应由纯化的低卤化物析出铟。
铟的低卤化物是歧化为金属和高卤化物,在水溶液中歧化程度更大。
一般采用一氯化铟,即用水处理粉碎的一氯化铟,为防止铟歧化后生成三价铟水解,事先加酸使水酸化,洗涤沉淀铟,然后熔融铸成锭。
制备化合物半导体材料如磷化铟、锑化铟等须使用6N以上的高纯铟,而用以上方法中任何一个都不能获得大多数杂质含量少于0.1×10-4%~0.01X10-4%的金属铟,因为应用于半导体电子的铟,单个杂质含量不应该超过0.1×10-4%~0.01×10-4%,所以往往要综合上述方法。
制备这种高纯铟须强化提纯手段如直拉单晶法提纯,并切去单晶头尾和使用更高纯的试剂等,这必然导致产品生产成本较高。
最近,常采用包括低氯化铟的综合工艺流程,研究者指出利用低氯化铟制备高纯铟具有很大的发展前景。
这是因为一氯化铟作为铟化合物,与其他铟化合物相比较具有一系列的优点:
(1)易于用各种方法合成,其中以NH4CI与In反应生成InCl最为方便。
InCl在标准
条件下,在干燥的空气中是稳定的。
(2)具备用各种方法(包括精馏和区域再结晶)纯化的物理、化学性质,它满足蒸馏纯化的所有要求:
直到1000℃是稳定的,具有宽广的液态温度范围和不高的沸点(651℃)此外,在InCl沸点温度时,仅仅某些其他金属氯化物具有相当大的蒸气压。
(3)在所有挥发和易熔的铟化合物中具有最大的铟原子质量对铟化合物分子质量之比。
(4)容易在水中歧化InCl的方法析出铟,方法简单,工艺性强,不要求特别的仪器和试剂(除水和少量的盐酸),可大规模在室温下进行。
(5)高真空区域熔炼法对铟进行的最后纯化也是在低温下进行的。
该步骤能补充纯化铟中某些金属和气体杂质。
单晶的生长能保证所必需的高纯铟结构的完整性。
其工艺如图15所示,采用该工艺可以使产品成本大大降低。
图15高纯铟的制备
2.3高纯铟化合物制备
2.3.1ITO靶材的制备
制备ITO靶材的关键技术包括单分散铟锡氧化物超微粉的制备、高密度ITO靶材的成形及其烧结。
铟锡氧化物超微粉的制备工艺有湿法和干法之分。
硝酸铟的分解是湿法制备氧化铟超细粉的常规方法。
采用硝酸铟水溶液加氨水,生成氢氧化铟后焙烧,或者从外部添加沉淀剂生成氢氧化铟再焙烧。
该工艺的弊端是粉体易引入杂质,颗粒易团聚且不规则。
采用改进后的高氯酸盐沉淀氢氧化铟、冷冻干燥法制粉工艺
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