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ff4006ke3资料
090305-1
内部资料
刘接刘
ff4006ke3资料
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更新描述
目录
版本信息2
1FF400R06KE3参数指标2
2FF400R06KE3特性曲线4
2.1IGBT逆变器输出特性曲线IC=F(VCE)(VGE=15V)4
2.2IGBT的输出特性曲线IC=F(VCE)TVJ=150℃5
2.3IGBT转移特性曲线IC=F(VGE)VCE=20V5
2.4IGBT的开关损耗EOn=f(IC)6
2.5IGBT的开关损耗Eon=f(RG)6
2.6IGBT的热阻抗7
2.7IGBT反偏电压安全工作区7
2.8二极管的正向导通特性8
2.9二极管的开关损耗Erec=f(IF)8
2.10二极管的开关损耗Erec=f(RG)9
2.11二极管的热电抗9
1FF400R06KE3参数指标
定义
测试条件
符号
数值
单位
集电极发射极电压
Tvj=25℃
VCE
600
V
直流集电极电流
Tc=70℃,Tvj=175℃
Tc=25℃,Tvj=175℃
ICCOM
IC
400
500
A
A
集电极重复峰值电流
Tp=1ms
ICRM
800
A
总的功率损耗
Tc=70℃,Tvj=175℃
PTOT
1250
W
门极射极峰值电压
VCES
+/-20
V
定义
测试条件
符号
最小值
典型值
最大值
单位
集电极发射机饱和电压
Ic=400A,VGE=15V,Tvj=25℃
Ic=400A,VGE=15V,Tvj=125℃
Ic=400A,VGE=15V,Tvj=150℃
VCEsat
1.45
1.60
1.70
1.90
V
V
V
栅极阈值电压
VGEth
4.9
5.8
6.5
V
栅极电荷量
QG
4.3
Uc
内部栅极电阻
RGint
1.0
Ω
输入电容
Cies
26.0
Nf
反向传输电容
Cres
0.76
Nf
集射截止电流
ICES
5.0
MA
栅极射极漏电流
IGES
400
MA
开通延迟时间(感性负载)
tdon
0.11
0.12
0.13
Us
Us
Us
上升时间(感性负载)
Tr
0.05
0.06
0.06
Us
Us
Us
关断延迟时间(感性负载)
tdoff
0.49
0.52
0.53
Us
Us
Us
下降时间(感性负载)
Tf
0.05
0.07
0.07
Us
Us
Us
每个脉冲开启能量损耗
Eon
3.2
3.4
Mj
Mj
Mj
每个脉冲关断能量损耗
Eoff
15.0
15.0
Mj
Mj
Mj
供应链数据
Isc
2800
2800
A
A
结到外壳的热电阻
Tthjc
0.12
外壳到散热片的热电阻
Rthch
0.03
反向重复峰值电压
VRRM
600
V
正向直流电流
IF
400
A
正向重复峰值电流
IFRM
800
A
I2t值
I2t
11000
10500
A2S
A2S
正向电压
VF
1.55
1.50
1.45
1.95
V
V
V
反向恢复峰值电流
IRM
270
330
350
A
A
A
恢复电量
Qr
15.0
29.0
32.0
Uc
Uc
Uc
反向恢复能量
Erec
3.60
7.40
8.30
Mj
Mj
Mj
结到壳的热电阻
Rthjc
0.22
壳到散热器的热电阻
Rthch
0.06
绝缘测试电压
VISOL
2.5
KV
模块基板材料
CU
内部绝缘材料
AL203
爬电距离
29.0
23.0
MM
间隙距离
23.0
11.0
MM
相对跟踪指数
CTI
>425
外壳到散热器的热电阻
RthCH
0.01
模块的杂散电感
LAce
20
Nh
模块的引线电阻
终端芯片
RCC’+EE’
0.70
MΩ
最大结温
TVJMAX
175
℃
在开关状态下的温度
TVJOP
-40
150
℃
储藏温度
TStg
-40
125
℃
安装力矩
M
3.00
6.00
NM
中断连接扭矩
M
2.5
5.0
NM
重量
G
340
g
2FF400R06KE3特性曲线
2.1IGBT逆变器输出特性曲线IC=F(VCE)(VGE=15V)
从输出特性曲线可以看出在VGE=15V的条件下,IGBT在温度较低的情况下它的饱和电压较低。
2.2IGBT的输出特性曲线IC=F(VCE)TVJ=150℃
从特性曲线可以看出子TVJ=150℃为常值的条件下,VGE越高饱和压降越低。
2.3IGBT转移特性曲线IC=F(VGE)VCE=20V
集电极电流IC和门射电压的VGE的关系反映了输入电压和输出电流的关系,即输入电压对输出电流的控制能力,成为IGBT的转移特性,从图中可以看出在集电极电流较大时,Ic与UGE的关系近似线性,曲线的斜率被定义为IGBT的跨导Gfs,,IGBT是电压控制型器件,其输入阻抗极高,输入电流非常小。
从图中可以看出温度较低时跨导较高。
2.4IGBT的开关损耗EOn=f(IC)
EOn=f(IC),Eoff=f(IC),VGE=±15V,RGon=1.5Ω,RGoff=1.5Ω,VCE=300v
从图中可以看出温度对开关损耗影响不大,在相同集电极电流的情况下关断损耗比开启损耗打的多。
2.5IGBT的开关损耗Eon=f(RG)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG),VGE=±15V,IC=400A,VCE=300V
从图中可以看出温度对开关损耗影响不大,在门极电阻较小时开启损耗比关断损耗小得多,在门极电阻较大时开启损耗比关断损耗大得多。
2.6IGBT的热阻抗
ZthJC=F(t)
从图中可以看出在较短时间内热阻抗随着时间成线性增加,到达一定时间后热阻抗为恒值。
2.7IGBT反偏电压安全工作区
VGE=±15V,RGoff=1.5Ω,TVJ=150℃
2.8二极管的正向导通特性
IF=F(VF)
从图中可以看出二极管开启电压随着温度的升高而降低。
2.9二极管的开关损耗Erec=f(IF)
Erec=f(IF),RGon=1.5Ω,VCE=300V
从图中可以看出二极管的开关损耗随着电流的增加而增加,随着温度的增加稍有增加。
2.10二极管的开关损耗Erec=f(RG)
Erec=f(RG),IF=400A,VCE=300V
从图中可以看出二极管的开关损耗随着电阻的增加而减小。
2.11二极管的热电抗
ZthJC=F(t)
从图中可以看出二极管的热电抗随着工作时间的增加逐渐增加,到达一定时间后电抗值为恒值。
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