电子技术基础数字部分第五版答案康华光.docx
- 文档编号:3260322
- 上传时间:2022-11-21
- 格式:DOCX
- 页数:17
- 大小:17.02KB
电子技术基础数字部分第五版答案康华光.docx
《电子技术基础数字部分第五版答案康华光.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《电子技术基础数字部分第五版答案康华光.docx(17页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
电子技术基础数字部分第五版答案康华光
第一章数字逻辑习题
1.1数字电路与数字信号
1.1.2图形代表的二进制数
010110100
1.1.4一周期性数字波形如图题所示,试计算:
(1)周期;
(2)频率;(3)占空比例
MSBLSB
0121112(ms)
解:
因为图题所示为周期性数字波,所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期,T=10ms
频率为周期的倒数,f=1/T=1/0.01s=100HZ
占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比,q=1ms/10ms*100%=10%
1.2数制
1.2.2将下列十进制数转换为二进制数,八进制数和十六进制数(要求转换误差不大于42.
(2)127(4)2.718
解:
(2)(127)D=-1=(10000000)B-1=(1111111)B=(177)O=(7F)H72
(4)(2.718)D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H
1.4二进制代码
1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码:
(1)43(3)254.25
解:
(43)D=(01000011)BCD
1.4.3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示:
P28
(1)+
(2)@(3)you(4)43
解:
首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码,然后将二进制码转换为十六进制
数表示。
解:
(a)为与非,(b)为同或非,即异或
解:
(a)为与非,(b)为同或非,即异或
解:
(a)为与非,(b)为同或非,即异或
解:
(a)为与非,(b)为同或非,即异或
解:
(a)为与非,(b)为同或非,即异或
解:
(a)为与非,(b)为同或非,即异或
解:
(a)为与非,(b)为同或非,即异或
解:
(a)为与非,(b)为同或非,即异或
解:
(a)为与非,(b)为同或非,即异或
4>由已知函数的与非-与非表达式画出逻辑图
4>由已知函数的与非-与非表达式画出逻辑图
4>由已知函数的与非-与非表达式画出逻辑图
4>由已知函数的与非-与非表达式画出逻辑图
OLV=0.1V,ILV=1.5V,因此有:
(1)=0 (2)<1.5V=ViILV,属于逻辑门0 (3)<0.1 (4)由于CMOS管的栅极电流非常小,通常小于1uA,在10kΩ电阻上产生的压降小于10mV即 OLV=0.1V,ILV=1.5V,因此有: (1)=0 (2)<1.5V=ViILV,属于逻辑门0 (3)<0.1 (4)由于CMOS管的栅极电流非常小,通常小于1uA,在10kΩ电阻上产生的压降小于10mV即 OLV=0.1V,ILV=1.5V,因此有: (1)=0 (2)<1.5V=ViILV,属于逻辑门0 (3)<0.1 (4)由于CMOS管的栅极电流非常小,通常小于1uA,在10kΩ电阻上产生的压降小于10mV即 0 高阻 1 1 3.1.12(a) A L 0 0 0 0 1 1 0 高阻 1 1 3.1.12(a) A L 0 0 0 0 1 1 0 高阻 1 1 3.1.12(a) A L 0 0 0 0 1 1 0 高阻 1 1 3.1.12(a) A L 0 0 0 0 1 1 0 高阻 1 1 3.1.12(a) A L 0 0 0 0 1 1 0 高阻 1 1 3.1.12(a) A L 0 0 0 0 1 1 1.1.3vmA.. ≈444Ω 1.1.4vmA.. ≈444Ω 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 1 1 2)由真值表画卡诺图 1 1 1 1 1 2)由真值表画卡诺图 1 1 1 1 1 2)由真值表画卡诺图 1 1 1 1 1 2)由真值表画卡诺图 1 1 1 1 1 2)由真值表画卡诺图 1 1 1 1 1 2)由真值表画卡诺图 输入 输出 A B C L 0 0 0 0 L=C 0 0 1 1 0 1 0 1 __ LC= 0 输入 输出 A B C L 0 0 0 0 L=C 0 0 1 1 0 1 0 1 __ LC= 0 输入 输出 A B C L 0 0 0 0 L=C 0 0 1 1 0 1 0 1 __ LC= 0 输入 输出 A B C L 0 0 0 0 L=C 0 0 1 1 0 1 0 1 __ LC= 0 第六章习题答案 1.1.5已知某时序电路的状态表如表题6.1,6所示,输人为A,试画出它的状态图。 如果 电路的初始状态在b,输人信号A依次是0、1、0、1、1、1、1,试求其相应的输出。 解: 根据表题6。 1.6所示的状态表,可直接画出与其对应的状态图,如图题解6.1。 6(a) 所示。 当从初态b开始,依次输人0、1、0、1、1、1、1信号时,该时序电路将按图题解6, 1.6(b)所示的顺序改变状态,因而其相应的输出为1、0、1、0、1、0、1。 1.3试分析图题6。 2.1(a)所示时序电路,画出其状态表和状态图。 设电路的初始状态 为0,试画出在图题6.2.1(b)所示波形作用下,Q和z的波形图。 解: 状态方程和输出方程: 1.1.6分析图题6.2。 4所示电路,写出它的激励方程组、状态方程组和输出方程,画出状 态表和状态图。 解: 激励方程 状态方程 解: 状态方程和输出方程: 1.1.7分析图题6.2。 4所示电路,写出它的激励方程组、状态方程组和输出方程,画出状 态表和状态图。 解: 激励方程 状态方程 解: 状态方程和输出方程: 1.1.8分析图题6.2。 4所示电路,写出它的激励方程组、状态方程组和输出方程,画出状 态表和状态图。 解: 激励方程 状态方程 解: 状态方程和输出方程: 1.1.9分析图题6.2。 4所示电路,写出它的激励方程组、状态方程组和输出方程,画出状 态表和状态图。 解: 激励方程 状态方程 解: 状态方程和输出方程: 1.1.10分析图题6.2。 4所示电路,写出它的激励方程组、状态方程组和输出方程,画出状 态表和状态图。 解: 激励方程 状态方程 解: 状态方程和输出方程: 1.1.11分析图题6.2。 4所示电路,写出它的激励方程组、状态方程组和输出方程,画出状 态表和状态图。 解: 激励方程 状态方程 解: 状态方程和输出方程: 1.1.12分析图题6.2。 4所示电路,写出它的激励方程组、状态方程组和输出方程,画出状 态表和状态图。 解: 激励方程 状态方程 (1)状态表,激励表 (2)用卡诺图化简得激励方程 (3)画出电路图 (4)检查自启动能力。 当计数器进入无效状态110时,在CP脉冲作用下,电路的状态将按 (1)状态表,激励表 (2)用卡诺图化简得激励方程 (3)画出电路图 (4)检查自启动能力。 当计数器进入无效状态110时,在CP脉冲作用下,电路的状态将按 (1)状态表,激励表 (2)用卡诺图化简得激励方程 (3)画出电路图 (4)检查自启动能力。 当计数器进入无效状态110时,在CP脉冲作用下,电路的状态将按 解: 采用8K×8位的sRAM构成16K×16位的存储器系统,必须同时进行字扩展和位扩展。 用2片8K×8位的芯片,通过位扩展构成8K×16位系统,此时需要增加8根数据线。 要将 8K×16位扩展成16K×16位的存储器系统,还必须进行字扩展。 因此还需2片8K×8位的 芯片通过同样的位扩展,构成8K×16位的存储系统,再与另一个8K×16位存储系统进行 字扩展,从而实现16K×16位的存储器系统,此时还需增加1根地址线。 系统共需要4片 8K×8位的SRAM芯片。 用增加的地址线A13控制片选使能CE便可实现字扩展,两片相同地址的sRAM可构成16 位数据线。 其逻辑图如图题解7。 2.5所示。 其中(0)和 (1)、 (2)和(3)分别构成两个 8K×16位存储系统;非门将A13反相,并将A13和/A13分别连接到两组8K×16的片选使 能端CE上,实现字扩展。 解: 采用8K×8位的sRAM构成16K×16位的存储器系统,必须同时进行字扩展和位扩展。 用2片8K×8位的芯片,通过位扩展构成8K×16位系统,此时需要增加8根数据线。 要将 8K×16位扩展成16K×16位的存储器系统,还必须进行字扩展。 因此还需2片8K×8位的 芯片通过同样的位扩展,构成8K×16位的存储系统,再与另一个8K×16位存储系统进行 字扩展,从而实现16K×16位的存储器系统,此时还需增加1根地址线。 系统共需要4片 8K×8位的SRAM芯片。 用增加的地址线A13控制片选使能CE便可实现字扩展,两片相同地址的sRAM可构成16 位数据线。 其逻辑图如图题解7。 2.5所示。 其中(0)和 (1)、 (2)和(3)分别构成两个 8K×16位存储系统;非门将A13反相,并将A13和/A13分别连接到两组8K×16的片选使 能端CE上,实现字扩展。 解: 采用8K×8位的sRAM构成16K×16位的存储器系统,必须同时进行字扩展和位扩展。 用2片8K×8位的芯片,通过位扩展构成8K×16位系统,此时需要增加8根数据线。 要将 8K×16位扩展成16K×16位的存储器系统,还必须进行字扩展。 因此还需2片8K×8位的 芯片通过同样的位扩展,构成8K×16位的存储系统,再与另一个8K×16位存储系统进行 字扩展,从而实现16K×16位的存储器系统,此时还需增加1根地址线。 系统共需要4片 8K×8位的SRAM芯片。 用增加的地址线A13控制片选使能CE便可实现字扩展,两片相同地址的sRAM可构成16 位数据线。 其逻辑图如图题解7。 2.5所示。 其中(0)和 (1)、 (2)和(3)分别构成两个 8K×16位存储系统;非门将A13反相,并将A13和/A13分别连接到两组8K×16的片选使 能端CE上,实现字扩展。 解: 采用8K×8位的sRAM构成16K×16位的存储器系统,必须同时进行字扩展和位扩展。 用2片8K×8位的芯片,通过位扩展构成8K×16位系统,此时需要增加8根数据线。 要将 8K×16位扩展成16K×16位的存储器系统,还必须进行字扩展。 因此还需2片8K×8位的 芯片通过同样的位扩展,构成8K×16位的存储系统,再与另一个8K×16位存储系统进行 字扩展,从而实现16K×16位的存储器系统,此时还需增加1根地址线。 系统共需要4片 8K×8位的SRAM芯片。 用增加的地址线A13控制片选使能CE便可实现字扩展,两片相同地址的sRAM可构成16 位数据线。 其逻辑图如图题解7。 2.5所示。 其中(0)和 (1)、 (2)和(3)分别构成两个 8K×16位存储系统;非门将A13反相,并将A13和/A13分别连接到两组8K×16的片选使 能端CE上,实现字扩展。
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 电子技术 基础 数字 部分 第五 答案 康华