329华东交通大学本科毕业设计论文格式模板.docx

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329华东交通大学本科毕业设计论文格式模板

本科毕业设计（论文）格式模板

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毕业设计（论文）诚信声明

本人郑重声明：

所呈交的毕业设计（论文）是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。

就我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表和撰写的研究成果，也不包含为获得华东交通大学或其他教育机构的学位或证书所使用过的材料。

如在文中涉及抄袭或剽窃行为，本人愿承担由此而造成的一切后果及责任。

本人签名____________

导师签名__________

年月日

华东交通大学毕业设计（论文）任务书

姓名

学号

毕业届别

2012届

专业

测控技术与仪器

毕业设计（论文）题目

纺织品中棉含量的近红外光谱快速测定

指导教师

郝勇

学历

博士

职称

讲师

1.具体要求

以纺织品为研究对象，采用近红外光谱技术，通过光谱采集参数优化，结合不同的光谱预处理方法建立纺织品中棉麻含量的数学模型，实现纺织品成分的快速无损检测。

2.主要完成的工作要求

（1）复杂样品光谱的采集范围：

780–2500nm

（2）定量模型的误差范围：

±5%

3.主要完成的工作量

（1）优化光谱采集参数，结合不同的信息提取方法，建立棉麻含量的近红外光谱定量分析模型不少于2个，采用的方法原理说明书的字数不少于1.5万字，译文字数不少于2000单词。

（2）模型建立和结果分析说明书编写（初、终稿）2本

4.进度安排

（1）查阅文献1周

（2）毕业实习1周

（3）方案确定0.5周

（4）光谱采集及相关指标测量确定1周

（5）棉麻含量定量分析模型优化建立7周

（6）模型计算说明编写（初、终稿）3.5周

（7）答辩

指导教师签字：

年月日

教研室意见：

教研室主任签字：

年月日

题目发出日期

设计（论文）起止时间

附注：

华东交通大学毕业设计（论文）开题报告书

课题名称

纺织品中棉含量的红外光谱快速测定

课题来源

课题类型

AX

导师

郝勇

学生姓名

学号

专业

测控技术与仪器

课题的目的和意义：

随着我国服装业的发展，纺织品的质量检测越来越受到人们的重视。

面料成分鉴别是纺织品质量检测的重要内容，传统的理化检测不仅分析过程复杂，它首先要经过复杂的预处理，剪成细条、烘干、冷却、称重，然后选择不同的试剂进行测量，再进行烘干、冷却、称重，最后通过计算得到结果。

使用该方法费时费力，有污染，测量的结果也很有可能因人而异，难以达到统一的标准。

而且受人为因素影响，需要有经验的工作人员操作。

近红外光谱技术是根据被测样品的近红外光谱特征得到其成分及含量，其分析效率高、速度快、成本低、非破坏性和易于在线分析等。

且样品无需预处理，不需要化学试剂,安全环保；可同时测量样品内的不同成分；适用于固态、颗粒状、粉末状以及液态等各种样品，已广泛应用于牛奶、烟草、茶叶等农产品分析和石油分析领域，并取得了较好的吸收特征，纺织纤维中含有大量的有机分子，因此用近红外光谱技术也可对纺织品进行检测。

本研究目的是采用近红外光谱分析技术，通过对纺织品中棉麻含量的快速检测的研究，创建一种快速、无损、有效地检测纺织品中棉麻含量的方法，通过模型的优化提高预测精度，为以后对纺织品中各种成分进行快速、无损检测提供一些可靠的依据。

方法及预期目标

以纺织品中棉麻含量为检测对象，深入研究了应用近红外光谱分析技术检测棉麻成分含量的一系列过程，涉及对检测条件参数的选取、数据处理、异常样品的剔除、以及回归模型的建立等方法。

为实际生产中纺织品成分的快速检测提供了参考，便于进行在线检测，从而可以替代常规的化学方法。

指导教师签名：

日期：

课题类型：

（1）A—工程设计；B—技术开发；C—软件工程；D—理论研究；

（2）X—真实课题；Y—模拟课题；Z—虚拟课题

（1）、

（2）均要填，如AY、BX等。

华东交通大学毕业设计（论文）评阅书

（1）

姓名

学号

专业

毕业设计（论文）题目

指导教师评语：

得分

指导教师签字：

年月日

评阅人评语：

得分

评阅人签字：

年月日

华东交通大学毕业设计（论文）评阅书

（2）

姓名

学号

专业

毕业设计（论文）题目

答辩小组评语：

等级

组长签字：

年月日

答辩委员会意见：

等级

答辩委员会主任签字：

年月日（学院公章）

注：

答辩小组根据评阅人的评阅签署意见、初步评定成绩，交答辩委员会审定，盖学院公章。

“等级”用优、良、中、及、不及五级制（可按学院制定的毕业设计（论文）成绩评定办法评定最后成绩）。

华东交通大学毕业设计（论文）答辩记录

姓名

学号

毕业届别

专业

题目

答辩时间

答辩组成员（签字）：

答辩记录：

记录人（签字）：

年月日

答辩小组组长（签字）：

年月日

附注：

III-Ⅴ族氮化物及其高亮度蓝光

LED外延片的MOCVD生长和性质研究

专业：

学号：

学生姓名：

指导教师：

摘要

宽禁带III－Ⅴ族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。

自1994年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了GaN基蓝光LED外延材料生长技术以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量或小批量生产GaN基LED。

尽管如此，这项高技术仍处于高度保密状态，材料生长的关键思想及核心技术仍未公开，还无法从参考文献及专利公报中获取最重要的材料生长信息。

本论文就是在这种情况下立题的，旨在研究GaN基材料生长中的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科学依据。

本文在自制常压MOCVD和英国进口MOCVD系统上对III－Ⅴ族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。

通过设计并优化外延片多层结构，生长的蓝光LED外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。

并获得了如下有创新和有意义的研究结果：

1．首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单晶膜的思想，并在GaN外延生长上得以实现。

采用这种缓冲层，显著改善了GaN外延膜的结晶性能，使GaN基蓝光LED器件整体性能大幅度提高，大大降低了GaN基蓝光LED的反向漏电流，降低了正向工作电压，提高了光输出功率。

…………

本文得到了国家863计划、国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件工程研究中心项目的资助。

关键词：

氮化物；MOCVD；LED；卢瑟福背散射沟道；光致发光；光透射谱

StudyonMOCVDgrowthandpropertiesofIII-Ⅴ

nitridesandhighbrightnessblueLEDwafers

Abstract

GaNbasedⅢ-ⅤnitrideshavepotentialapplicationsonhighbrightnessLEDs,shortwavelengthlasers,ultravioletdetectors,hightemperatureandhighpowerelectronicdevices.Studyonphysicsissuesandtechnologiesofnitridesopenanewareaof3thgenerationsemiconductor.

MorethantencompaniesinAmericaandJapanreportedtohavedevelopedthenitridesgrowthtechnologysinceNichiacompanyinJapanfirstrealizedthecommercializationofGaNbasedblueLEDin1994.

Inthisthesis,GaNanditsternaryweregrownbyahome-madeatmospherepressuremetalorganicchemicalvapordeposition（MOCVD）andThomasSwan6×2”MOCVDsystems.HighbrightblueLEDwaferswereobtainedbyoptimizingthenitridesgrowthtechnologyandwaferstructure.Someencouragingresultsarefollowingas:

1.Wepresenttheideaofusingabufferlayerofdeviationfromstoichiometryformaterialsgrowthonlargelatticemismatchsubstrates.Thisideawasrealizedinnitridesgrowthinthisthesis.TheepilayercrystallinequalitywasimprovedandthedislocationdensitywasdecreasedbyusingGaNlowandhightemperaturebufferlayersofdeviationfromstoichiometry.TheRBS/channelingspectraexhibitedthattheminimumyieldχminofGaNlayerswasjustonly1.5%.TheleakelectriccurrentofGaNbasedLEDwasobviouslydecreasedandlowerthan1μAat5voltreversevoltagebyusingthisnewbuffertechnology.

…………

Thisworkwassupportedby863programinChina.

Keyword:

Nitrides；MOCVD；LED；Photoluminescence；RBS/channeling；Opticalabsorption

目录

摘要Ⅰ

AbstractⅡ

第一章GaN基半导体材料及器件进展（多数文章为“绪论”）1

1.1III族氮化物材料及其器件的进展与应用1

1.2III族氮化物的基本结构和性质4

1.3掺杂和杂质特性12

1.4氮化物材料的制备13

1.5氮化物器件19

1.6GaN基材料与其它材料的比较22

1.7本论文工作的内容与安排24

第二章氮化物MOCVD生长系统和生长工艺31

2.1MOCVD材料生