第3章光生伏特器件.ppt
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第3章光生伏特器件主讲:
扬州职业大学电子工程系贾湛2012.1贾湛制作内容:
光电二极管、内容:
光电二极管、光电晶体管、光电晶体管、PINPIN管、雪崩管、雪崩光电二极管、光电池、阵列式光电器件、象限式光电二极管、光电池、阵列式光电器件、象限式光电器件、位置敏感探测器(光电器件、位置敏感探测器(PSDPSD)等)等第3章光生伏特器件光生伏特器件光生伏特器件利用光生伏特效应工作的光电器件。
利用光生伏特效应工作的光电器件。
光生伏特效应是少数载流子导电的光电效应,在性能上与光生伏特效应是少数载流子导电的光电效应,在性能上与光敏电阻有很大差异。
光敏电阻有很大差异。
光生伏特器件特点:
光生伏特器件特点:
暗电流小、噪声低、响应速度快、暗电流小、噪声低、响应速度快、光电特性的线性好、受光电特性的线性好、受温度的影响小等。
温度的影响小等。
光生伏特效应的材料:
光生伏特效应的材料:
硅(硅(Si)、锗()、锗(Ge)、硒()、硒(Se)、砷化镓()、砷化镓(GaAs)等半)等半导体材料。
其中硅光生伏特器件为目前应用最广泛的光导体材料。
其中硅光生伏特器件为目前应用最广泛的光生伏特器件。
生伏特器件。
光敏二极管的分类光敏二极管的分类按材料按材料硅光敏二极管硅光敏二极管锗光敏二极管锗光敏二极管化合物光敏二极管化合物光敏二极管按结特性:
按结特性:
PN结(扩散层、耗尽结(扩散层、耗尽层)、层)、PIN结结、异质结、异质结、肖特基结肖特基结光电二极管是在反向电压作用下工作的,没有光照时,反光电二极管是在反向电压作用下工作的,没有光照时,反向电流极其微弱,叫暗电流;有光照时,反向电流迅速增向电流极其微弱,叫暗电流;有光照时,反向电流迅速增大到几十微安,称为光电流。
光的强度越大,反向电流也大到几十微安,称为光电流。
光的强度越大,反向电流也越大。
光的变化引起光电二极管电流变化,这就可以把光越大。
光的变化引起光电二极管电流变化,这就可以把光信号转换成电信号,成为光电传感器件。
信号转换成电信号,成为光电传感器件。
3.13.1硅光电二极管硅光电二极管3.1.1硅光电二极管的工作原理硅光电二极管的工作原理光电二极管光电二极管根据基底不同根据基底不同可可分为以分为以PP型硅为衬型硅为衬底的底的2DU2DU型型与以与以NN型硅为衬底的型硅为衬底的2CU2CU型型两种结构形式。
两种结构形式。
如图示为如图示为2DU2DU型光型光电二极管的原理电二极管的原理结构图。
结构图。
工作在反向电压下工作在反向电压下电流电流电流电流电流电流电流电流第一部分第一部分第二部分第二部分第三部分第三部分第四第四部分部分第五部分第五部分符号符号意义意义字字母母意义意义字字母母意意义义字字母母意义意义意义意义意义意义2二极管AN型锗材料P普通X低频小功率(fa3MHz,Pc3MHz,PckT/q时(室温下kT/q0.26mV)时的电流I,称为反向电流或暗电流。
为多数载流子形成的扩散电流ID为原来少数载流子形成的反向漂移电流。
当光辐射作用在光电二极管上时,光电流为光电二极管的全电流(亮电流)为暗电流与光电流之和:
这时的电流参考方向是这时的电流参考方向是PN方向。
方向。
这时的这时的ID和和U皆为负皆为负值。
实际值。
实际I方向与参方向与参考方向相反。
考方向相反。
电流方向电流方向是从是从NN指指向向PP3.1.2光电二极管的基本特性光电二极管的全电流方程可近似为:
由光电二极管的全电流方程可以得到该图定义电流与电压正方向与原相反则图形恰好相反光电二极管的电流灵敏度为:
电流与电压几乎无关电流与电压几乎无关光电二极管的光谱响应定义为以等功率的不同单色辐射波长的光光电二极管的光谱响应定义为以等功率的不同单色辐射波长的光作用于光电二极管时,其电流灵敏度与波长的关系称为其光谱响应。
作用于光电二极管时,其电流灵敏度与波长的关系称为其光谱响应。
典型典型硅光电二极管硅光电二极管光谱响应长波限为光谱响应长波限为1.1mm左右,短波限左右,短波限接近接近0.4mm,峰值响应波长为峰值响应波长为0.9mm左右。
左右。
光谱响应光谱响应短波段的光谱容易被减短波段的光谱容易被减薄的薄的PN结吸收。
因此,结吸收。
因此,可以制造出具有不同光可以制造出具有不同光谱响应的光伏器件,例谱响应的光伏器件,例如蓝敏器件和色敏器件如蓝敏器件和色敏器件等。
蓝敏器件是在牺牲等。
蓝敏器件是在牺牲长波段光谱响应为代价长波段光谱响应为代价获得的(减薄获得的(减薄PN结厚结厚度,减少了长波段光子度,减少了长波段光子的吸收)。
的吸收)。
PN结硅光电二极管的亮电流产生要经过下面结硅光电二极管的亮电流产生要经过下面3个个过程:
过程:
1)PN结结区区内内的的光光生生载载流流子子渡渡越越结结区区的的时时间间,称称漂漂移移(Drift)时间记为)时间记为dr;2)在在PN结结区区外外光光生生载载流流子子扩扩散散到到PN结结区区内内所所需需要要的的时时间间,称称为为扩扩散散(Diffusion)时时间间记记为为p;约约为为100ns,它它是是限限制制PN结硅光电二极管时间响应的主要因素。
结硅光电二极管时间响应的主要因素。
3)由由PN结电容结电容Cj和管芯电阻及负载电阻和管芯电阻及负载电阻RL构成的构成的RC延迟延迟时间时间RC=Cj(Ri+RL)()(ns数量级)数量级)。
时间响应扩扩散散时时间间p是是时时间间响响应应的的主主要要因因素素的的原原因因是是:
入入射射辐辐射射在在PNPN结结势势垒垒区区以以外外激激发发的的光光生生载载流流子子必必须须经经过过扩扩散散运运动动到到势势垒垒区区内内才才能能受受内内建建电电场场作作用用,并并分分别别拉拉向向PP区区与与NN区区。
载载流流子子的的扩扩散散往往往往很很慢慢,扩扩散散时时间间pp很长。
很长。
如如果果扩扩展展PNPN结结区区就就可可以以缩缩小小结结外外区区域域的的大大小小,就就可可以以提提高高硅硅光光电电二二极极管管时时间间响响应应。
增增高高反反向向偏偏置置电电压压会会提提高高内内建建电电场场的的强强度度,扩扩展展PN结结的的耗耗尽尽区区,但但是是反反向向偏偏置置电电压压的的提提高高也也会会加加大大结结电电容容,使使RC时时间间常常数数RC增增大大。
因因此此,必必须须从从PN结结的的结结构构设设计计方方面面考考虑虑如如何何在在不不使使偏偏压压增增大大的的情情况况下下使使耗耗尽尽区区扩扩展到整个展到整个PN结器件结器件,才能消除扩散时间。
,才能消除扩散时间。
11)减小)减小PNPN结面积;结面积;22)增加势垒区宽度,提高电阻率和增加结深;)增加势垒区宽度,提高电阻率和增加结深;33)适当增加工作电压;)适当增加工作电压;44)尽量减少结构造成的分布电容;)尽量减少结构造成的分布电容;55)增加)增加PNPN结深,减小串联电阻;结深,减小串联电阻;66)设计选用最佳负载阻值。
设计选用最佳负载阻值。
4.温度特性温度特性温度增加,光电流增加,暗电流也增加,信温度增加,光电流增加,暗电流也增加,信噪比降低。
噪比降低。
减小响应时间,可采取如下措施减小响应时间,可采取如下措施光电二极管的噪声包含光电二极管的噪声包含低频噪声低频噪声Inf、散粒噪声散粒噪声Ins和和热热噪声噪声InT等等3种噪声。
其中,散粒噪声是光电二极管的主要种噪声。
其中,散粒噪声是光电二极管的主要噪声,低频噪声和热噪声为其次要因素。
噪声,低频噪声和热噪声为其次要因素。
散粒噪声是由于电流在半导体内的散粒效应(散粒噪声是由于电流在半导体内的散粒效应(一个线一个线性系统,当其输入上有随机扰动时,对于该系统输出上产性系统,当其输入上有随机扰动时,对于该系统输出上产生电压涨落生电压涨落)引起的,它与电流的关系)引起的,它与电流的关系光电二极管的电流应包括光电二极管的电流应包括暗电流暗电流Id、信号电流信号电流Is和背和背景辐射引起的景辐射引起的背景光电流背景光电流Ib,因此散粒噪声应为因此散粒噪声应为5.噪声根据电流方程,并考虑反向偏置情况,光电二极管电流与入射辐射的关系,得到忽略低频噪声,考虑负载电阻RL的热噪声有光电二极管正向电阻约光电二极管正向电阻约10k左右。
在无左右。
在无光照情况下,反向电阻为光照情况下,反向电阻为;有光照时,;有光照时,反向电阻随光照强度增加而减小,阻值反向电阻随光照强度增加而减小,阻值可达到几可达到几k或或1k以下。
在光照下,其以下。
在光照下,其电压电流与光照强度成比例,电压可达电压电流与光照强度成比例,电压可达0.20.4V。
短路电流可达数十至数百。
短路电流可达数十至数百A。
3.2其他类型的光生伏特器件为了提高为了提高PNPN结硅光电二极管的时间响应,消除在结硅光电二极管的时间响应,消除在PNPN结外结外光生载流子的扩散运动时间,常采用在光生载流子的扩散运动时间,常采用在PP区与区与NN区之间生成区之间生成II型层。
型层。
在反向电压作用下,耗尽区扩展到在反向电压作用下,耗尽区扩展到整个半导体,光生载流子只产生漂整个半导体,光生载流子只产生漂移电流,因此,移电流,因此,它的时间响应只它的时间响应只取决于取决于dr与与RC,但漂移时间还是但漂移时间还是很小。
而结电容变小则很小。
而结电容变小则RC延迟时延迟时间间RC减小,在减小,在ns左右。
左右。
提高了响提高了响应速度;应速度;3.2.1PIN3.2.1PIN型光电二极管型光电二极管型光电二极管型光电二极管由于耗尽层变宽,增加了吸收层厚度,改善了对长由于耗尽层变宽,增加了吸收层厚度,改善了对长波光的吸收,提高了灵敏度,增大了长波响应率。
波光的吸收,提高了灵敏度,增大了长波响应率。
APD是利用雪崩倍增效应使光生电流达到很高的数值,电流增益可达106。
为了实现雪崩过程,基片杂质浓度很高,使之容为了实现雪崩过程,基片杂质浓度很高,使之容为了实现雪崩过程,基片杂质浓度很高,使之容为了实现雪崩过程,基片杂质浓度很高,使之容易碰撞电离;片子厚度较薄,保证较高的电场强度易碰撞电离;片子厚度较薄,保证较高的电场强度易碰撞电离;片子厚度较薄,保证较高的电场强度易碰撞电离;片子厚度较薄,保证较高的电场强度3.2.2雪崩光电二极管雪崩光电二极管(APDAvalanchePhotodiode)市场上的型雪崩光电二极管基本上都是市场上的型雪崩光电二极管基本上都是PIN型雪崩光电二极管。
型雪崩光电二极管。
PIN型光电二极管型光电二极管在较高的反向偏置电压的作用下耗尽区扩展在较高的反向偏置电压的作用下耗尽区扩展到整个到整个PN结结区,形成自身保护(具有很结结区,形成自身保护(具有很强的抗击穿功能)不必设置保护环。
强的抗击穿功能)不必设置保护环。
初始的载流子在强电场的作用下获得很大的动能,其在高初始的载流子在强电场的作用下获得很大的动能,其在高初始的载流子在强电场的作用下获得很大的动能,其在高初始的载流子在强电场的作用下获得很大的动能,其在高速运动过程总与晶体的晶格碰撞,产生新的电子空穴对,速运动过程总与晶体的晶格碰撞,产生新的电子空穴对,速运动过程总与晶体的晶格碰撞,产生新的电子空穴对,速运动过程总与晶体的晶格碰撞,产生新的电子空穴对,称为碰撞电离过程。
此过程多次重复。
称为碰撞电离过程。
此过程多次重复。
称为碰撞电离过程。
此过程多次重复。
称为碰撞电离过程。
此过程多次重复。
电离产生的载流子电离产生的载流子数远大于光激发产生的光生载流子数数远大于光激发产生的光生载流子数,形成,形成,形成,形成雪崩倍增效应雪崩倍增效应雪崩倍增效应雪崩倍增效应。
电流倍增系数电流倍增系数M定义:
定义:
I为倍增输出的电流为倍增输出的电流I0为倍增前输出的电流为倍增前输出的电流从图从图3-8所示的伏所示的伏-安特安特性曲线可以看出,在雪崩性曲线可以看出,在雪崩击穿点附近电流随偏压变击穿点附近电流随偏压变化的曲线较陡,当反向偏化的曲线较陡,当反向偏压有较小变化时,光电流压有较小变化时,光电流将有较大变化。
将有较大变化。
但随着但随着M增加,噪声电流比信号电增加,噪声电流比信号电流增加得更快。
流增加得更快。
雪崩击穿现象雪崩击穿现象在强电场作用在强电场作用下,当通过耗尽区的每个载流子下,当通过耗尽区的每个载流子平均能产生一对电子平均能产生一对电子空穴时,空穴时,M时,时,PN结上所加的反向偏结上所加的反向偏压就是雪崩击穿电压压就是雪崩击穿电压UBR。
M与反向电压与反向电压U的的经验公式:
经验公式:
雪崩光敏二极管的工作偏压必须适当。
过小雪崩光敏二极管的工作偏压必须适当。
过小时,增益太小;过大时,噪声大,而且电压过高时,增益太小;过大时,噪声大,而且电压过高可能使管子被击穿烧毁。
可能使管子被击穿烧毁。
由于击穿电压会随温度由于击穿电压会随温度漂移,必须根据环境温度变化相应调整工作电压漂移,必须根据环境温度变化相应调整工作电压。
由于材料本身由于材料本身(特别是表面部特别是表面部分分)具有一定的缺陷,具有一定的缺陷,使使PN结的各区域电场分布不均匀,结的各区域电场分布不均匀,局部的高电场区首先发生击局部的高电场区首先发生击穿,使漏电流变大,这相当穿,使漏电流变大,这相当于增强了噪声。
为避免这一于增强了噪声。
为避免这一情况发生,在选择材料和工情况发生,在选择材料和工艺上应加以注意。
艺上应加以注意。
光电池是一种不需加偏置电压(自偏置)就能把光能光电池是一种不需加偏置电压(自偏置)就能把光能直接转换成电能的直接转换成电能的PN结光电器件,结光电器件,其本质就是一个其本质就是一个其本质就是一个其本质就是一个PNPN结。
结。
结。
结。
分分分分两大类:
即太阳能光电池和测量光电池。
两大类:
即太阳能光电池和测量光电池。
太阳能光电池:
太阳能光电池:
主要用作向负载提供电源,对它的要主要用作向负载提供电源,对它的要求主要是光电转换效率高、成本低。
具有结构简单、体积求主要是光电转换效率高、成本低。
具有结构简单、体积小、重量轻、高可靠性、寿命长、等特点,如今越来越广小、重量轻、高可靠性、寿命长、等特点,如今越来越广泛地应用。
泛地应用。
测量光电池测量光电池:
主要功能是在不加偏置的情况下将光信:
主要功能是在不加偏置的情况下将光信号转换成电信号,要求线性范围宽、灵敏度高、光谱响应号转换成电信号,要求线性范围宽、灵敏度高、光谱响应合适、稳定性高、寿命长等。
它常被应用在光度、色度、合适、稳定性高、寿命长等。
它常被应用在光度、色度、光学精密计量和测试设备中。
光学精密计量和测试设备中。
3.2.3硅光电池按硅光电池衬底材料的不同可分为按硅光电池衬底材料的不同可分为P型型Si为基底的为基底的2DR型和型和N型型Si为基底为基底2CR型。
型。
图中所示的梳齿状或图中所示的梳齿状或“E”字型电极,其目的是减小硅字型电极,其目的是减小硅光电池的内电阻。
光电池的内电阻。
1.1.基本结构基本结构2DR型型分类分类硅光电池:
光谱响应宽,频率特性好硅光电池:
光谱响应宽,频率特性好硒光电池:
波谱峰值位于人眼视觉内硒光电池:
波谱峰值位于人眼视觉内薄膜光电池:
薄膜光电池:
CdS增强抗辐射能力增强抗辐射能力紫光电池:
紫光电池:
PN结结0.20.3m,短波峰值短波峰值600nm按用途按用途按材料按材料太阳能光电池:
用作电源(效率高,太阳能光电池:
用作电源(效率高,成本低)成本低)测量用光电池:
探测器件(线性、灵敏测量用光电池:
探测器件(线性、灵敏度高等)度高等)阵列式:
分立的受光面阵列式:
分立的受光面象限式:
参数相同的独立光电池象限式:
参数相同的独立光电池硅蓝光电池:
硅蓝光电池:
PN结距受光面很近结距受光面很近硅光电池按功能分:
硅光电池按功能分:
阵列式阵列式象限式象限式硅蓝光电池硅蓝光电池透光层很薄,透光层很薄,面积大面积大当光作用于当光作用于PNPN结时,耗尽区内的光生电子与空穴结时,耗尽区内的光生电子与空穴在内建电场力的作用下分别向在内建电场力的作用下分别向NN区和区和PP区运动,在区运动,在闭合的电路中将产生输出电流闭合的电路中将产生输出电流IILL,且负载电阻且负载电阻RRLL上产生电压降为上产生电压降为UU。
显然有:
显然有:
U=ILRL2.硅光电池工作原理硅光电池工作原理RRLL光电池输出电流光电池输出电流IL应应包括光生电流包括光生电流IP、扩、扩散电流与暗电流等三散电流与暗电流等三部分:
部分:
短路(短路(U=0)电流:
)电流:
开路(开路(IL=0)电压:
)电压:
由由算出:
算出:
负载所获得的功率为:
PL=IL2RL
(1)当RL=0(短路)时,U=0,输出功率PL=0;
(2)当RL=(开路)时,IL=0,输出功率PL=0;(3)RL0时,存在着最佳负载电阻Ropt,在最佳负载电阻情况下负载可以获得最大的输出功率Pmax。
小电阻线性好小电阻线性好2000lx,Uoc不变不变3.硅光电池硅光电池最大功率最大功率通过图3-11分析得到经验公式最佳负载电阻最佳负载电阻Ropt随随入射辐射通量的增加入射辐射通量的增加而减小。
而减小。
最大功率为最大功率为Pm=ImUm=(0.60.7)UocIp由由画出:
画出:
4.4.光电池的光电转换效率光电池的光电转换效率光电池的最大光电转换效率与入射光的波长光电池的最大光电转换效率与入射光的波长及材料的性质有关。
晶硅类理论转换效率极及材料的性质有关。
晶硅类理论转换效率极限为限为29%29%。
而现在的太阳能电池的转换效率为。
而现在的太阳能电池的转换效率为17%17%19%19%。
光电池的输出功率与入射辐射通量之比定义光电池的输出功率与入射辐射通量之比定义为光电池的光电转换效率,记为为光电池的光电转换效率,记为。
显然,光电池的最大光电转换效率显然,光电池的最大光电转换效率m为为取决于:
取决于:
1)光生载流子扩散到结区的时间)光生载流子扩散到结区的时间2)光生载流子在势垒区中漂移时间)光生载流子在势垒区中漂移时间3)势垒电容引起的介电时间驰豫)势垒电容引起的介电时间驰豫硅光电池硅光电池pnpn结面积大结面积大结面积大结面积大,极间电容大,因而,极间电容大,因而频率特性差。
这与其它光电二极管不同。
频率特性差。
这与其它光电二极管不同。
6.温度特性温度特性光电池的温度特性是指光照下光电光电池的温度特性是指光照下光电池开路电压池开路电压Voc与短路电流与短路电流Isc随温随温度的变化情况。
度的变化情况。
温度过高会致使半导体晶格破坏温度过高会致使半导体晶格破坏5.频率特性频率特性1.硅系太阳能电池硅系太阳能电池1)单晶硅太阳能电池单晶硅太阳能电池优点:
优点:
转化率高转化率高(24.4%),技术最为成熟,技术最为成熟缺点:
缺点:
成本高,基底厚度达成本高,基底厚度达350-450m。
提高转化率的途径:
提高转化率的途径:
单晶硅表面微结构处理和分区掺单晶硅表面微结构处理和分区掺杂工艺杂工艺德国费莱堡太阳能系统研究所保持至世界领先水平德国费莱堡太阳能系统研究所保持至世界领先水平主要应用3)非晶硅薄膜太阳能电池非晶硅薄膜太阳能电池优点:
优点:
成本低成本低缺点:
缺点:
转化率低转化率低(13%)制备方法:
制备方法:
多采用化学气相沉积法,还有液相外多采用化学气相沉积法,还有液相外延法和溅射沉积法延法和溅射沉积法解决方法:
解决方法:
制造叠层太阳能电池制造叠层太阳能电池2)多晶硅薄膜太阳能电池多晶硅薄膜太阳能电池优点:
优点:
成本低,转化率不衰退成本低,转化率不衰退缺点:
缺点:
转化率较低转化率较低(18%)制备方法:
制备方法:
多采用化学气相沉积法,还有液相多采用化学气相沉积法,还有液相外延法和溅射沉积法外延法和溅射沉积法主要包括:
主要包括:
砷化镓、硫化镉、碲化镉及铜铟硒砷化镓、硫化镉、碲化镉及铜铟硒薄膜电池薄膜电池硫化镉硫化镉(CdS)、碲化镉、碲化镉(CdSe):
镉有剧毒,不镉有剧毒,不理想理想砷化镓砷化镓(GaAs):
高转化率高转化率(37.4%),成本高。
能,成本高。
能隙隙1.42eV,光谱响应可见和紫外,温度特性好光谱响应可见和紫外,温度特性好,已开始用于空间太电池,已开始用于空间太电池铜铟硒铜铟硒(CuInSe2):
优点:
优点:
转化率高转化率高(17%),价,价格低廉,性能良好,工艺简单。
格低廉,性能良好,工艺简单。
缺点:
缺点:
铟和铟和硒都是稀有元素,发展受限硒都是稀有元素,发展受限2.多元化合物薄膜太阳能电池多元化合物薄膜太阳能电池4.纳米晶化学太阳能电池纳米晶化学太阳能电池工作原理:
染料分子吸收太阳光能跃迁到激发态,激发工作原理:
染料分子吸收太阳光能跃迁到激发态,激发态不稳定,电子快速注入到紧邻的态不稳定,电子快速注入到紧邻的TiOTiO22的导带,染料分的导带,染料分子中失去的电子很快从电解质中的导补偿,进入子中失去的电子很快从电解质中的导补偿,进入TiO2TiO2导带中的电子最终进入导电膜,然后通过外回路产生光导带中的电子最终进入导电膜,然后通过外回路产生光电流。
优点:
成本低廉,转化率已稳定在电流。
优点:
成本低廉,转化率已稳定在10%10%以上,寿以上,寿命达命达15201520年。
年。
3.有机太阳能电池有机太阳能电池工作原理:
工作原理:
有机半导体产生的电子和空有机半导体产生的电子和空穴束缚在激子之中穴束缚在激子之中,电子和空穴在界面电子和空穴在界面(电电极和导电聚合物的结合处极和导电聚合物的结合处)上分离。
上分离。
优点:
价格低、易成形、可通过化学修优点:
价格低、易成形、可通过化学修饰调控性能饰调控性能太阳能电池板太阳能电池板:
将太阳的辐射能将太阳的辐射能力转换为电能,或送往蓄电池中力转换为电能,或送往蓄电池中存储起来,或推动负载工作。
存储起来,或推动负载工作。
太阳能控制器太阳能控制器:
控制整个系统的工作状态,并对蓄电池控制整个系统的工作状态,并对蓄电池起到过充电保护、过放电保护的作用。
起到过充电保护、过放电保护的作用。
蓄电池蓄电池:
在有光照时将太阳能电池板所发出的电能储在有光照时将太阳能电池板所发出的电能储存起来,到需要的时候再释放出来。
存起来,到需要的时候再释放出来。
逆变器逆变器:
将太阳能发电系统所发出的直流电能将太阳能发电系统所发出的直流电能(12VDC、24VDC、48VDC)转换成交流电能转换成交流电能(220VAC、110VAC)太阳能电池发电站太阳能电池发电站目前太阳能发电的上网电价则约目前太阳能发电的上网电价则约目前太阳能发电的上网电价则约目前太阳能发电的上网电价则约为为为为3.53.5元元元元/千瓦时,是普通发电机千瓦时,是普通发电机千瓦时,是普通发电机千瓦时,是普通发电机组上网电价的组上网电价的组上网电价的组上网电价的1010倍左右倍左右倍左右倍左右1954年美国贝尔实验室年美国贝尔实验室制成了世界上第一个实制成了世界上第一个实用的太阳能电池,效率用的太阳能电池,效率为为4%,于,于1958年应用年应用到美国的先锋到美国的先锋1号人造号人造卫星上。
卫星上。
我国我国1958年开始进行年开始进行太阳能电池的研制工太阳能电池的研制工作,并于作,并于1971年将研年将研制的太阳能电池用在制的太阳能电池用在了发射的第二颗卫星了发射的第二颗卫星上。
上。
1974197419741974年世界上第一架太阳能电池飞机在美国首次试飞。
年世界上第一架太阳能电池飞机在美国首次试飞。
年世界上第一架太阳能电池飞机在美国首次试飞。
年世界上第一架太阳能电池飞机在美国首次试飞。
现在,最先进的太阳能飞机,飞行高度可达现在,最先进的太阳能飞机,飞行高度可达现在,最先进的太阳能飞机,飞行高度可达现在,最先进的太阳能飞机,飞行高度可达2222万多米,航万多米,航万多米,航万多米,航程超过程超过程超过程超过4000400040004000公里。
公里。
公里。
公里。
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