第三章 二极管的题目.docx
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第三章二极管的题目
第三章二极管
一、判断题
因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
()
×
PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
()
√
二极管的四类理想模型分别是理想二极管模型、恒压模型、折线模型、小信号模型()。
√
掺入3价杂质元素形成的半导体叫N型半导体。
()
×
掺入5价杂质元素形成的半导体叫N型半导体。
()
√
N型半导体多子为电子,而P型半导体的少子为空穴()
×
N型半导体多子为电子,而P型半导体的少子也是电子。
()
√
PN结外加反向电压指N极电位比P极电位高。
()
×
PN结外加反向电压耗尽层变厚,扩散电流增加。
()
×
PN结外加反向电压耗尽层变厚,耗尽层变厚,扩散电流增加。
()
√
Si二极管的正向导通电压比较Ge二极管的正向导通电压高。
()
√
二极管的反向击穿有两种,一种是齐纳击穿,另一种雪崩击穿,齐纳击穿时所需反压一般比较雪崩击穿时高。
()
√
二极管的齐纳击穿是可逆的。
()
√
二极管的热击穿是可逆的,而击电穿是不可逆。
()
×
发光二极管正常工作时加正向偏置电压,而稳压二极管正常工作时一般加反向偏置电压。
()
√
PN结外加反向电压势垒区变窄。
()
×
二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。
()
√
二极管在工作频率大于最高工作频率fM时会损坏。
()
√
二极管在反向电压超过最高反向工作电压URM时会损坏。
()
√
在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
()
√
稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。
()
×
二、填空题
当PN结外加反向电压时,耗尽层厚度将变____,漂移电流的大小将___。
厚,增加
纯净的半导体叫____半导体。
掺入3价杂质元素形成的半导体叫____型半导体,它主要靠____导电。
本征,P型,空穴
掺杂半导体叫____半导体。
掺入5价杂质元素形成的半导体叫____型半导体,它主要靠____导电。
本征,N型,电子
PN结正向偏置是指P区接电源的__极、N区接电源的__极。
这时多子的作____运动较强,PN结厚度变____,结电阻较____。
正,负,扩散,薄,小
当温度升高时,由于二极管内部少数载流子浓度____,因而少子漂移而形成的反向电流____,二极管反向伏安特性曲线____移。
增加,增大,下
半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的____特性来实现的。
反向击穿
二极管P区接电位__端,N区接电位__端,称正向偏置,二极管导通;反之,称反向偏置,二极管截止,所以二极管具有____性。
高,低,单向
在本征半导体中掺入__价元素得N型半导体,掺入__价元素则得P型半导体。
5,3
PN结在____时导通,____时截止,这种特性称为____。
正向偏置,反向偏置,单向导电性
光电二极管能将___信号转换为___信号,它工作时需加___偏置电压。
光,电,反向
发光二极管能将___信号转换为___信号,它工作时需加___偏置电压。
电,光,正向
二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型,____型二极管适用于高频、小电流的场合,____型二极管适用于低频、大电流的场合。
点触型,面触型
二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况,其中____是可逆的,而会损坏二极管。
电击穿,热击穿
半导体中有____和____两种载流子参与导电,其中____带正电,而____带负电。
电子,空穴,空穴,电子
本征半导体掺入微量的五价元素,则形成___型半导体,其多子为___,少子为____。
N,电子,空穴
PN结正偏是指P区电位____N区电位。
高于
温度升高时,二极管的导通电压____,反向饱和电流____。
降低,增加
普通二极管工作时通常要避免工作于____,而稳压管通常工作于____。
反向击穿状态,反向击穿状态
构成稳压管稳压电路时,与稳压管串接适当数值的____方能实现稳压。
电阻
纯净的具有晶体结构的半导体称为____,采用一定的工艺掺杂后的半导体称为____。
本征半导体,杂质半导体
在PN结形成过程中,载流子扩散运动是____作用下产生的,漂移运动是____作用下产生的。
浓度差(分子热运动),内电场
PN结的内电场对载流子的扩散运动起___作用,对漂移运动起____作用。
阻碍,促进
发光二极管通以____就会发光。
光电二极管的随光照强度的增加而上升。
正向偏压,光电流
硅管的导通电压比锗管的____,反向饱和电流比锗管的____。
高,小
三、单项选择题
把电动势是1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端,则该管()
A、电流为零B、电流基本正常C、击穿D、被烧坏
D
稳压管工作时,其PN结()。
A、正向导通;B、流过的电流很大;C、反向击穿;D、流过的电流为零
C
在本征半导体中加入()元素可形成N型半导体。
A、五价B、四价C、三价D、三价与五价
A
当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。
A、增大B、不变C、减小D、无法判断
A
用万用表的R×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω,若改用R×1k档,测量同一二极管,则其正向电阻值()。
A、增加B、不变C、减小D、不能确定
A
当温度升高时,二极管正向特性和反向特性曲线分别()。
A、左移,下移B、右移,上移C、左移,上移D、右移,下移
A
在PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流,当PN结外加反向电压时,扩散电流()漂移电流。
A、小于,大于B、大于,小于C、大于,大于D、小于,小于
B
设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程为()。
A、
B、
C、
D、
C
下列符号中表示发光二极管的为()。
C
稳压二极管工作于正常稳压状态时,其反向电流应满足()。
A、ID=0B、ID D 杂质半导体中()的浓度对温度敏感。 A、少子B、多子C、杂质离子D、空穴 A 从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于()时处于正偏导通状态。 A、0B、死区电压C、反向击穿电压D、正向压降 B 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于()。 A、温度B、掺杂工艺C、掺杂浓度D、晶体缺陷 C PN结形成后,空间电荷区由()构成。 A、电子和空穴B、施主离子和受主离子 C、施主离子和电子D、受主离子和空穴 B 硅管正偏导通时,其管压降约为()。 A、0.1VB、0.2VC、0.5VD、0.7V D 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻,所测电阻是二极管的电阻,由于不同量程时通过二极管的电流(),所测得正向电阻阻值()。 A、直流,相同,相同B、交流,相同,相同 C、直流,不同,不同D、交流,不同,不同 C 在25ºC时,某二极管的死区电压Uth≈0.5V,反向饱和电流IS≈0.1pA,则在35ºC时,下列哪组数据可能正确: ()。 A、Uth≈0.525V,IS≈0.05pAB、Uth≈0.525V,IS≈0.2pA C、Uth≈0.475V,IS≈0.05pAD、Uth≈0.475V,IS≈0.2pA D 四、计算分析题 已知稳压管的稳定电压UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA,最大功耗PZM=150mW。 试求稳压管正常工作时电阻R的取值范围。 解: R为240-1.2KΩ 如图所示电路中,发光二极管导通电压UD=1V,正常工作时要求正向电流为5~15mA。 试问: (1)开关S在什么位置时发光二极管才能发光? (2)R的取值范围是多少? 解: ,R为267→800Ω 电路如下图所示。 (1)利用硅二极管恒压降模型求电路的ID和vO=VO=? (VD=0.7V); (2)在室温(300K)情况下,利用二极管的小信号模型求vO的变化范围。 (4分) 解: 2、电路如图所示。 (1)利用硅二极管的恒压降模型求电路的ID和vO=VO=? (VD=0.7V) (2)在室温(300K)情况下,利用二极管的小信号模型求vO的变化范围。 电路如下图所示,已知ui=5sinωt(V),二极管导通电压UD=0.7V。 试画出ui与uO的波形,并标出幅值。 解: 波形如下图,ui大于3.7或者小于-3.7时,二极管导通,否则截止。 电路如下图所示,其输入电压uI1和uI2的波形如图(b)所示,二极管导通电压UD=0.7V。 试画出输出电压uO的波形,并标出幅值。 解: uO的波形如图所示。 电路如下图所示,二极管导通电压UD=0.7V,常温下UT≈26mV,电容C对交流信号可视为短路;ui为正弦波,有效值为10mV。 试问二极管中流过的交流电流有效值为多少? 解: 二极管的直流电流 ID=(V-UD)/R=2.6mA 其动态电阻 rD≈UT/ID=10Ω 故动态电流有效值 Id=Ui/rD≈1mA 现有两只稳压管,它们的稳定电压分别为6V和8V,正向导通电压为0.7V 若将它们串联相接,则可得到_种稳压值;若将它们并联相接,则又可得到_种稳压值 4,2 已知稳压管的稳定电压UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA,最大功耗PZM=150mW。 试求图所示电路中电阻R的取值范围。 解: 稳压管的最大稳定电流 IZM=PZM/UZ=25mA 电阻R的电流为IZM~IZmin,所以其取值范围为 已知图所示电路中稳压管的稳定电压UZ=6V,最小稳定电流IZmin=5mA,最大稳定电流IZmax=25mA。 (1)分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值; (2)若UI=35V时负载开路,则会出现什么现象? 为什么? 解: (1)当UI=10V时,若UO=UZ=6V,则稳压管的电流为4mA,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。 故 当UI=15V时,稳压管中的电流大于最图P1.9 小稳定电流IZmin,所以 UO=UZ=6V 同理,当UI=35V时,UO=UZ=6V。 (2) 29mA>IZM=25mA,稳压管将因功耗过大而损坏。 电路如图(a)、(b)所示,稳压管的稳定电压UZ=3V,R的取值合适,uI的波形如图(c)所示。 试分别画出uO1和uO2的波形。 解: 波形如下图所示 五、设计题 设计一个稳压管并联式稳压电路,要求输出电压为VO=4V,输出电流IO=15mA,如输入直流电压为VI=6V,且有10%的波动,试选用稳压管型号和合适的限流电阻值,并检验他们的功率定额。
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