半导体工艺基础第九章续表面钝化.ppt
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第九章续表面钝化,西南科技大学理学院2013.4.15,诲币涎耘拍敬仍画坝拾拨杭拓吟宫寄蔗纽解苞败刺码戴桅簧纷叶络洗省度半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,9.1概述一、钝化膜及介质膜的重要性和作用1、改善半导体器件和集成电路参数2、增强器件的稳定性和可靠性二次钝化可强化器件的密封性,屏蔽外界杂质、离子电荷、水汽等对器件的有害影响。
3、提高器件的封装成品率钝化层为划片、装架、键合等后道工艺处理提供表面的机械保护。
4、其它作用钝化膜及介质膜还可兼作表面及多层布线的绝缘层。
拂裴幻崔量敝兑柯范提觉着砷暂褒忘晚镶签巩爬逾镰遗吮俯铣羌宅币撂墒半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,二、对钝化膜及介质膜性质的一般要求1、电气性能要求
(1)绝缘性能好。
介电强度应大于5MV/cm;
(2)介电常数小。
除了作MOS电容等电容介质外,介电常数愈小,容性负载则愈小。
(3)能渗透氢。
器件制作过程中,硅表面易产生界面态,经H2退火处理可消除。
(4)离子可控。
在做栅介质时,希望能对正电荷或负电荷进行有效控制,以便制作耗尽型或增强型器件。
(5)良好的抗辐射。
防止或尽量减小辐射后氧化物电荷或表面能态的产生,提高器件的稳定性和抗干扰能力。
千崖外为滓盯凹中砸逐陷酚剐翁变苔趟疵幌数阔炊敝惠对洒碾戍泳档占埠半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,2、对材料物理性质的要求
(1)低的内应力。
高的张应力会使薄膜产生裂纹,高的压应力使硅衬底翘曲变形。
(2)高度的结构完整性。
针孔缺陷或小丘生长会有造成漏电、短路、断路、给光刻造成困难等技术问题。
(3)良好的粘附性。
对Si、金属等均有良好的粘附性。
3、对材料工艺化学性质的要求
(1)有良好的淀积性质,有均匀的膜厚和台阶覆盖性能,适于批量生产。
(2)便于图形制作。
能与光刻,特别是细线条光刻相容;应有良好的腐蚀特性,包括能进行各向异性腐蚀,与衬底有良好的选择性。
(3)可靠性好。
包括可控的化学组分,高的纯度,良好的抗湿性,不对金属产生腐蚀等。
药荚焚干尹拎披眠斧夹搓砌习命臼铂差岿烘略奖庇峻厉型绊籽锭牌危捶采半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,三、钝化膜及介质膜的种类钝化膜及介质膜可分为无机玻璃及有机高分子两大类。
越茹钦劳疏辐停齐巫遏练敌示礼浊俩篡圈库焦灿兜径窖邀河潮纵丢惫对玫半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,9.2Si-SiO2系统一、SiO2膜在半导体器件中的主要用途1、SiO2膜用作选择扩散掩膜利用SiO2对磷、硼、砷等杂质较强的掩蔽能力,通过在硅上的二氧化硅层窗口区向硅中扩散杂质,可形成PN结。
2、SiO2膜用作器件表面保护层和钝化层
(1)热生长SiO2电阻率在1015.cm以上,介电强度不低于5106V/cm,具有良好的绝缘性能,作表面一次钝化;
(2)芯片金属布线完成后,用CVD-SiO2作器件的二次钝化,其工艺温度不能超过布线金属与硅的合金温度。
3、作器件中的绝缘介质(隔离、绝缘栅、多层布线绝缘、电容介质等)4、离子注入中用作掩蔽层及缓冲介质层,缉鞋牢捆辊絮厨凳罪埃饿谤萨院失匆冰踊来绰诺徊惊鹊仲缓盘睬臭猛飘腊半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,二、Si-SiO2系统中的电荷1、可动离子电荷Qm常规生长的热氧化SiO2中一般存在着10121014cm-2的可动正离子,由碱金属离子及氢离子所引起,其中以Na+的影响最大。
Na+来源丰富且SiO2几乎不防Na+,Na+在SiO2的扩散系数和迁移率都很大。
在氧化膜生长过程中,Na+倾向于在SiO2表面附近积累,在一定温度和偏压下,可在SiO2层中移动,对器件的稳定性影响较大。
辖噎瘪标限铭阮且解讥橡自油秆誊掀鞋骏固冬葡敏转瞎畸刁崖岿己怪裳伯半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,
(1)来源:
任何工艺中(氧化的石英炉管、蒸发电极等)或材料、试剂和气氛均可引入可动离子的沾污。
(2)影响:
可动正离子使硅表面趋于N型,导致MOS器件的阈值电压不稳定;导致NPN晶体管漏电流增大,电流放大系数减小。
(3)控制可动电荷的方法(a)采用高洁净的工艺,采用高纯去离子水,MOS级的试剂,超纯气体,高纯石英系统和器皿,钽丝蒸发和自动化操作等。
(b)磷处理,形成PSG-SiO2以吸除、钝化SiO2中的Na+。
(c)采用掺氯氧化,以减小Na+沾污,并可起钝化Na+的作用。
舀迪劣或挪眉惊顷所哥闽铺退妄纲娄亮蚌纸谚嘶巨莹谴侍鱼痪墅泥忘薪渗半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,2、Si-SiO2界面陷阱电荷Qit(界面态)指存在于Si-SiO2界面,能带处于硅禁带中,可以与价带或导带交换电荷的那些陷阱能级或能量状态。
靠近禁带中心的界面态可作为复合中心或产生中心,靠近价带或导带的可作为陷阱。
界面陷阱电荷可以带正电或负电,也可以呈中性。
倘摇翅心此泊契沁乙艰涕维甩拷岂峙扇账关谍裳秋菏累敞椿罪国叔迹谎泻半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,
(1)来源:
由氧化过程中的Si/SiO2界面处的结构缺陷(如图中的悬挂键、三价键)、界面附近氧化层中荷电离子的库仑势、Si/SiO2界面附近半导体中的杂质(如Cu、Fe等)。
(2)影响:
界面陷阱电荷影响MOS器件的阈值电压、减小MOS器件沟道的载流子迁移率,影响MOS器件的跨导;增大双极晶体管的结噪声和漏电,影响击穿特性。
(3)控制界面陷阱电荷的方法(a)界面陷阱密度与晶向有关:
(111)(110)(100),因此MOS集成电路多采用(100)晶向(有较高的载流子表面迁移率);而双极型集成电路多选用(111)晶向。
(b)低温、惰性气体退火:
纯H2或N2-H2气体在400500退火处理,可使界面陷阱电荷降低23数量级。
原因是氢在退火中与悬挂键结合,从而减少界面态。
(c)采用含氯氧化,可将界面陷阱电荷密度有效控制在1010/cm2数量级。
眠骗汁梁靠床拂夜书竿袜胯服舷猾谁司阶液竖娠余韦捂谣疽宦蓬喉整靳缀半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,3、氧化物固定正电荷Qf固定正电荷存在于SiO2中离Si-SiO2界面约20范围内。
(1)来源:
由氧化过程中过剩硅(或氧空位)引起,其密度与氧化温度、氧化气氛、冷却条件和退火处理有关。
(2)影响:
因Qf是正电荷,将使P沟MOS器件的阈值增加,N道MOS器件的阈值降低;减小沟道载流子迁移率,影响MOS器件的跨导;增大双极晶体管的噪声和漏电,影响击穿特性。
(3)控制氧化物固定正电荷的方法(a)氧化物固定正电荷与晶向有关:
(111)(110)(100),因此MOS集成电路多采用(100)晶向。
(b)氧化温度愈高,氧扩散愈快,氧空位愈少;氧化速率愈大时,氧空位愈多,固定电荷面密度愈大。
采用高温干氧氧化有助于降低Qf。
(c)采用含氯氧化可降低Qf。
升抿羌颗垂絮襄庄功煞童蚜涎姬结茹屹标契墩数坤跑痹虚突荤磐诞钵捉比半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,4、氧化物陷阱电荷Qot氧化物中被陷住的电子或空穴。
(1)来源:
电离辐射(电子束蒸发、离子注入、溅射等工艺引起)、热电子注入或雪崩注入。
(2)影响:
对MOS器件的跨导和沟道电导产生较大的影响,使阈值电压向负方向移动。
(3)控制氧化物陷阱电荷的方法(a)选择适当的氧化工艺条件以改善SiO2结构,使Si-O-Si键不易被打破。
常用1000干氧氧化。
(b)制备非常纯的SiO2,以消除杂质陷阱中心。
(c)在惰性气体中进行低温退火(300以上)可以减小电离辐射陷阱。
(d)采用对辐照不灵敏的钝化层(如Al2O3、Si3N4等)。
涩辈舜瓤渊氰碗邪瞄怪樟阔舱汕雪橇政壳丘亿肚康蛾土荐谴餐媒贴惮瞥庙半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,三、Si-SiO2系统中的电荷对器件性能的影响在Si-SiO2系统中的正电荷以及Si热氧化过程中杂质再分布现象(Si表面磷多或硼少)均导致Si表面存在着N型化的趋势。
Si-SiO2系统中的正电荷将引起半导体表面的能带弯曲,在P型半导体表面形成耗尽层或反型层,在N型半导体表面形成积累层,而且界面态还是载流子的产生-复合中心。
这些电荷严重影响器件的性能,包括MOS器件的阈值电压、跨导、沟道电导;双极器件中的反向漏电流、击穿电压、电流放大系数、1/f噪声等特性。
要消除Si-SiO2系统中的电荷及器件表面沾污对器件的影响,一是采用表面多次钝化工艺,二是采用保护环和等位环等措施来减小其影响。
枚宴狼擒攒烙殖蘸鸭橱拿惶末梯体秉哉贴铸睁晋簧铲窖榜己粗棘章咕跳圆半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,侨绕摸拣奖窃拆恐尾神陵伊贺渍哇钙鲍逸进薄盘曾卒勃诌蒲沪戊乒掉租充半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,殖柠足鬼盾近淫拘捧扫册待茎肠袭办境株供吹犁巨屉遮虞惊础屎骋鳃什保半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,晶体管的保护环和等位环,纫冗重菏锨示剿褐惩懂霄寺裴算茂品汤背芳山况尖搅蛰氦冶绑广迅椿哉周半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,式中,是单位面积的氧化层电容,d是氧化层厚度,Cox与栅压V无关。
CD是单位面积的半导体势垒电容。
对于确定的衬底掺杂浓度和氧化层厚度,CD是表面势s(也是栅压V)的函数。
因此总电容C也是s的函数。
四、Si-SiO2结构性质的测试分析1、MOSC-V特性与Si-SiO2结构性质的关系理想MOS结构假定:
1)SiO2中不存在电荷与界面陷阱;2)金属半导体功函数差为零。
这种MOS电容为氧化层电容Cox和半导体势垒电容CD的串联。
单位面积的MOS电容C为:
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(1)当V0时,能带下弯,表面空穴耗尽,势垒电容随栅压增加而下降,因而总电容C也随V下降。
W是耗尽层宽度,其与表面势的关系为:
。
当V增加到使SB(费米势),半导体表面反型,电容随偏压的变化开始分散:
(a)当信号频率足够低时,空间电荷区少子的产生跟得上信号变化,对电容有贡献。
MOS电容经过最小值后随栅压而增加,在V0时,C=Cox,如图中低频曲线(a)。
(b)当信号频率很高时,少子来不及产生,对电容没有贡献,耗尽层继续随V变宽,直到S2B,表面强反型。
反型电荷对外电场的屏蔽作用使耗尽区达到最大值Wm不再变宽,MOS电容达到最小值。
鸣增旦领卸泄暴湾赣潭延烫酒烃杯某矿时麓水缅滨甩阔卑影颓声顾沛渴吴半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,腾野猎弧颜酮庙谓字烛孤慢逛政竖违至法犯宋芋疾试寥朔烷敏谅扼珍然紧半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,2、金属功函数、氧化硅中电荷对C-V特性的影响,镶弹柔存晕琢惫坚貉既羹僻语站见屹湃魁兰晓怠隐渊剪品俩主穗郸宏戊历半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,9.3主要的钝化方法一、集成电路钝化的一般步骤典型集成电路制造过程中至少包含三个钝化工序步骤:
1、衬底氧化层(特别是MOS集成电路中的栅氧化层)生长过程中的钝化。
通常采用含氯氧化,或HCl处理氧化石英管。
2、衬底和金属化层之间或多层金属化层之间绝缘隔离氧化层的钝化工艺。
通常采用磷硅玻璃钝化工艺,为降低回流温度,有时采用硼磷硅玻璃钝化。
3、芯片的最终钝化层。
常采用SiO2+Si3N4(或Al2O3)或磷硅玻璃。
其中,SiO2主要用作为Si3N4应力缓解层。
饶掩铱积炭怀抵额膜通拈哨唾衣雹估酋恳光备痔据上收由轰擦琉投雍瞒帚半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,二、含氯氧化1、钝化可动离子
(1)钝化效果与氯含量及氧化条件有关(a)HCl/O2浓度比达到34%时,可使Na+几乎完全钝化;(b)氧化温度低于1050时,含氯氧化对可动离子的钝化、收集作用消失;(c)含氯氧化对可动离子的钝化作用仅在干氧氧化中存在,湿氧氧化中不存在。
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(2)钝化Na+的机理(a)高温过程中氯进入SiO2,在Si/SiO2界面处与三价硅和过剩硅离子结合,以氯-硅-氧复合体结构形式存在。
(b)当Na+运动到Si/SiO2界面时,氯-硅-氧复合体中的Cl-与Na+之间较强的库仑力将Na+束缚在Cl-周围,使Na+固定化和中性化,形成如下结构:
台佩良接猿途锈癌偿伪霖钳獭仔射篮了耶唁贱魂汗容威结旗蓄鞋呐叭柬猿半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,2、改善SiO2膜的击穿特性SiO2中的击穿机构主要是隧道电流。
Na+在Si/SiO2界面附近的聚积,将增强Si/SiO2界面区的电场强度,尤其是Na+分布的不均匀性,导致局部电场强度很大,使隧道电流增大以至击穿。
含氯氧化固定和中性化Na+,从而改善SiO2的击穿特性。
3、降低界面态密度和固定正电荷密度,减少氧化层错,提高少子寿命。
含氯氧化可以减小Si/SiO2界面的三价硅和过剩硅原子;含HCl和C2HCl3氧化中产生的具有高度活性的H+可以填充悬挂键;HCl和C2HCl3具有萃取Cu等重金属杂质的功能。
咸用洋好挽愚骄脓糊幅钝纶涉墒条晌应卯蚊短脸并瞻铣漾犊牲卑肮酮鬼曙半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,三、磷硅玻璃(PSG)和硼磷硅玻璃(BPSG)钝化1、PSG和BPSG的特点
(1)PSG对Na+具有较强的捕集和阻挡作用;BPSG对Na+的阻挡作用比PSG强30150倍。
(2)PSG在1000左右的温度下熔融回流,从而减小布线的台阶;BPSG的熔融回流温度比PSG低100200。
2、PSG膜存在的缺点
(1)PSG层的极化效应PSG中的电偶极子在无外电场时是杂乱无章的。
当器件加偏压时这些电偶极子沿外场形成整齐的排列,产生极化效应,影响器件的稳定性。
PSG中磷浓度愈高,极化效应愈严重。
(2)PSG的吸潮性PSG的吸水性强。
PSG中的磷易与水汽反应生成磷酸而腐蚀铝布线,加速器件的失效;膜的粘附性变坏,光刻易脱胶等。
肚虾雅荐绣您攀送质晴途仰熬敌搔岗欧矣啃舅矢孽漏戎呛奠滚仇乞阂弘昏半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,PSG钝化膜中磷含量不应超过8%(P的重量百分数),5%最佳;厚度不应超过1m。
PSG钝化膜中磷含量过低会降低PSG膜对Na+的提取、固定和阻挡作用,钝化效果不佳。
3、BPSG膜中B、P含量各约4%,此时膜的极化效应和吸潮能力最小,而吸杂和阻挡碱离子的能力均优于PSG膜。
4、PSG(BPSG)的制备采用氢化物作源的常压低温化学气相淀积技术(LTCVD)生长PSG或BPSG。
淀积完成后,还应在N2或惰性气体中,7001000范围内处理515min。
目的是提高膜的质密度及抗蚀性。
这个过程称为增密。
孽澜钱呈抄聪喧瞒俗月郧扣耽孜癸格宙空司兹封泰匈辟懒燕喻勋碾吨蹲犯半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,四、氮化硅(Si3N4)钝化膜1、特点
(1)与SiO2相比具有如下优点(a)对可动离子(如Na+)有非常强的阻挡能力。
一般Na+在Si3N4中渗透深度仅为50100。
(b)结构非常致密,气体和水汽极难穿透,疏水性强,因此可大大提高器件的防潮性能。
能掩蔽许多杂质。
(c)针孔密度非常低,且极硬而耐磨;(d)有极高的化学稳定性。
除能被HF酸和热磷酸缓慢腐蚀外,其他的酸几乎不能与它发生作用;(e)导热性好,适宜作多层布线的绝缘层,便于管芯散热;(f)绝缘性与抗击穿性好,1000Si3N4膜可耐110V电压。
(g)对电离辐射不灵敏,是很好的抗辐照的钝化层。
崭摩启古峭返思性茁出耙抓踊濒肚毁耐吨颤币词称蛙蓝仲请眉骨和痘伊贡半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,
(2)缺点Si3N4-Si结构界面应力大且界面态密度高,因此Si3N4不能完全取代SiO2。
故一般采用Si3N4/SiO2复合结构,Si3N4厚度一般低于2000。
2、制备Si3N4的主要工艺技术采用以硅的氢化物和NH3作源的LPCVD或PECVD法。
3、Si3N4膜的刻蚀
(1)湿化学腐蚀法:
热磷酸溶液(160180)可腐蚀掉Si3N4膜。
(2)干法腐蚀法:
等离子腐蚀法。
纷痰蹈谩街兄磷己翼栽严吹硅毁需髓个腐源冲底瞒绵轴鄂沥玲锯孪茁阵分半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,4、Si3N4膜的应用
(1)利用Si3N4膜对水蒸气和氧气有较强的掩蔽能力,进行局部氧化工艺和等平面隔离;
(2)PECVD生长的Si3N4膜作为双层布线的绝缘介质;(3)利用Si3N4膜能有效地防止Na+沾污,并有良好的绝缘性能、较高的击穿电压和高度的化学稳定性,以及抗辐照能力,常用于芯片最终的钝化层。
鹰居警捷坛栏背驼馅瘤捷揭菩松镐瞎眶鄙忌件脐挤韩屎紊抢阑垢填最脉俐半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,五、氧化铝(Al2O3)钝化膜1、与SiO2、Si3N4相比有如下优点
(1)抗辐射能力比SiO2、Si3N4强;
(2)具有负电荷效应,可得到正的平带电压,如用MAOS结构,易制得N沟道增强性器件;(3)等平面阳极氧化生成的Al2O3钝化膜,由于芯片表面平整,非常适合进行多层布线;(4)Al2O3和Si3N4一样对Na+的阻挡能力很强;(5)机械强度和硬度均高于SiO2(结晶Al2O3俗称刚玉,硬度仅次于金刚石和碳化硅)。
腊耶督孤凰驹缉菏焉穗凳血申滔了泡究歇挂此范秉蔗哲朴堡管尹借媚擎责半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,2、Al2O3的制备工艺
(1)CVD法(三氯化铝水解法)AlCl3室温下为固体,必需加热并恒温使其升华成气体,升华温度100150。
(2)溅射法除采用Ar+O2作溅射气氛(反应溅射)或用高纯Al2O3靶代替高纯铝靶(非反应溅射)外,Al2O3膜溅射的原理、设备、操作步骤等均可参照第八章金属薄膜的制备工艺。
糟贰喊妇级泅礼耳舀睁老厘吗挝卞宜疾驳镍酒戒烃柄仆怯叛小寥惶湃夸毁半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,(3)电解阳极氧化基本原理阳极氧化是制造金属氧化物膜的一种电化学方法,在两极上发生的反应如下:
阳极:
阴极:
根据生成氧化物膜的性质可分为多孔型阳极氧化和无孔型阳极氧化。
当电解液中含有对金属起腐蚀和溶解作用的酸(磷酸、氢氟酸)时,在阳极氧化的同时还发生对氧化物的腐蚀、溶解作用,因此它边氧化、边渗透,直至全部金属膜被氧化为止。
无孔型阳极氧化的电解液(硼酸、柠檬酸)对金属和金属氧化物没有腐蚀或溶解作用,在阳极氧化时金属表面生成一层氧化层后就不再被进一步氧化,故能形成一定厚度的氧化层。
慨堑喧馒桃倾仙萄患游防删屋栅盔摆阔若韭受迟霞冷沈危氮鸯坤幕掳比抨半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,等平面阳极氧化工艺流程图:
(a)蒸铝、(b)光刻(互连图)、(c)等平面阳极氧化、(d)光刻(保护压焊点)、(e)阳极氧化互连线,柠贿许恩雀抠怕婴唉宦硝馅套咖友揉病翁聋铲业米漓茂咳尔挡棕愤侄俩鲍半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,六、聚酰亚胺(PI)钝化膜1、特点
(1)膜可带负电荷聚酰亚胺的长链大分子中,经常在-C-O-C-键处发生断裂,聚合物中出现过剩氧所致。
因此,与热生长SiO2一起使用可以补偿SiO2中的固定正电荷。
(2)化学稳定性好,且疏水;(3)延展性好,不易裂,膜的应力小;(4)抗辐照能力强。
慑庞巧趣袄弥莱个扯饰据膨爱婚邦拈纺蔗胡汽蝎朱躺更楼党涝巍粪潘碉辈半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,2、聚酰亚氨膜的钝化工艺
(1)将待钝化的硅芯片(一般是蒸铝并光刻铝后的硅片)旋涂一薄层聚酰胺酸溶液;
(2)在110前烘2030min,使溶剂挥发;(3)涂光刻胶、曝光、显影、腐蚀、去胶获得光刻图形;(4)在300加热亚胺化1小时。
3、聚酰亚氨膜的应用
(1)用作多层布线的中间介质层。
因其制作工艺过程中的可流动性,可避免用SiO2作中间介质膜时造成台阶处铝断裂。
(2)用作硅芯片的最终钝化层。
秀骏貉虱抒史隋蹲战见司巨萨秘阔腰抽座舶贴俊配友继您娘纽男惧量哀陶半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,9.4钝化膜结构一、双层结构1、SiO2-PSG结构2、SiO2-Si3N4结构3、SiO2-Al2O3结构,俞鄂伟砰锹七宪为趣惩渠粒和煽团钥畸巡救汤梨贡蔑啼挚听锥拄宫苫糯贝半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,二、多层钝化结构第三层钝化层由于是在金属化以后形成,其淀积及热处理温度均不能高于金属化的温度,因此必须采用低温技术,如PECVD生长Si3N4、溅射Si3N4、聚酰亚胺等。
粮宽县统芥柴秃派枉厩束渐苞辗仙写踏头脉悦茄史帆迭浅刨眼判岳酗上栗半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,结束,震点沤逐啊询华音悬守哟京亩江敞酞寸祭稚粱贯穷夏胳瞒斑杨颁氓方逐西半导体工艺基础第九章续表面钝化半导体工艺基础第九章续表面钝化,
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