关键核心技术攻关任务揭榜工作方案.docx
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关键核心技术攻关任务揭榜工作方案
2019年关键核心技术攻关任务揭榜工作方案
为贯彻落实《省政府关于加快培育先进制造业集群的指导意见》(苏政发〔2018〕86号)和《省政府关于加快发展先进制造业振兴实体经济若干政策措施的意见》(苏政发〔2017〕25号)要求,加快建设自主可控的先进制造业体系,提升关键技术控制力,制定本方案。
一、工作目标
聚焦省重点培育的新型电力(新能源)装备、工程机械、物联网、高端纺织、前沿新材料、生物医药和新型医疗器械、集成电路、海工装备和高技术船舶、高端装备、节能环保、核心信息技术、汽车及零部件、新型显示等13个先进制造业集群,遴选一批必须掌握的关键核心技术,组织具备较强创新能力的企业单位揭榜攻关,逐步推动制约产业发展的重大关键核心技术突破,不断提高制造业的自主可控水平。
二、步骤安排
(一)集中发榜。
省工业和信息化厅系统梳理先进制造业集群发展面临的关键技术瓶颈,根据轻重缓急系统地安排揭榜工作计划,结合当年重点工作部署,集中发布年度揭榜任务,明确任务完成时限及具体指标要求。
(二)申请揭榜。
从事集群所属产业领域的单个企业,或者由企业牵头多个单位组成的联合体可成为揭榜申请主体。
揭榜申请企业应具有较强的创新能力,对申请揭榜的产品或技术拥有知识产权,技术先进且应用前景良好。
申请企业需承诺揭榜后能够在指定期限内完成揭榜任务。
(三)单位推荐。
各设区市、昆山市、泰兴市、沭阳县的工业和信息化主管部门(以下统称各地工信部门)为推荐单位,组织符合条件的企业填写申请材料,并在审核后集中向省工业和信息化厅报送《汇总表》和《申报材料》(格式附后)。
(四)揭榜企业遴选。
省工业和信息化厅组织行业专家和评测机构采用集中评审或现场评估等形式,综合考虑各申请企业的基础条件、创新能力、发展潜力、产品指标等因素,择优确定并公布揭榜企业名单。
每个揭榜任务原则上确定1家揭榜企业和若干入围企业(入围企业不超过2家)。
省财政对揭榜企业的攻关投入给予一定比例的事前补助;对按期完成揭榜任务的入围企业,按攻关投入给予一定比例的事后奖补。
(五)揭榜任务实施。
揭榜企业和入围企业按《申报材料》中的进度计划开展攻关工作,组织实施揭榜任务。
期间,省工业和信息化厅持续跟踪进展,适时组织行业专家对揭榜任务完成情况进行阶段性评估。
(六)发布揭榜成果。
揭榜企业和入围企业完成攻关任务后,由省工业和信息化厅组织行业专家或委托具备相关资质和检测条件的第三方专业机构开展评价工作。
评价工作基于揭榜任务和预期目标,依据攻关实际成果进行评估,适时公布评估结果。
经评估确定完成攻关任务的,公开发布攻关成功企业名单,并大力支持攻关成果推广应用。
三、工作要求
各地工业和信息化主管部门要加强组织领导,充分调动企业、科研院所、相关产业联盟及行业协会的积极性;密切跟踪揭榜企业和入围企业产品创新及应用进展,适时开展揭榜任务的阶段性评估,有效协调推进揭榜任务攻关组织实施工作。
鼓励各地结合本地区产业发展情况,在相关配套资金、项目、优惠政策等方面优先给予支持,为揭榜企业和入围企业完成攻关任务创造良好环境。
附件:
1.2019年第一批揭榜任务和预期目标
2.揭榜单位申报材料
3.揭榜申请单位信息汇总表
2019年第一批揭榜任务和预期目标
(27项任务)
一、集成电路(联系人:
电子信息产业处王小飞)
(一)亿门级FPGA芯片
揭榜任务:
对标国际先进水平,突破亿门级FPGA芯片自主研制瓶颈,掌握亿门级FPGA芯片的硬件设计、测试、封装、可靠性、FPGA开发工具研发等关键技术,建立完备的FPGA产品研发、制造、测试体系。
预期目标:
到2021年,达到以下技术目标:
1、工作电压:
内核:
0.8V,IO:
1.2-1.8V;
2、逻辑单元:
1000K;
3、DSP(25×18Slice)Slice:
工作频率:
600MHz;
4、集成数量:
800个;
5、片上存储容量:
60Mb;
6、PCIe:
Gen3,4Lanes;
7、存储器接口:
DDR4;
8、数据带宽不低于2400bps×64=153.6Gbps;
9、Serdes接口:
32路单通道16.3Gbps,6路单通道30.5Gbps;
10、LVDS速率:
1.25Gbps。
(二)GaN毫米波集成电路芯片
揭榜任务:
对标国际先进水平,提高GaN毫米波芯片的产业化供给能力,提高通信用产品的线性度、效率。
预期目标:
到2021年,达到以下技术目标:
1、GaN毫米波功率MMIC:
频带24.25-27.6GHz,饱和功率33dBm,饱和效率30%,8dBbackoff7%效率,增益18dB;
2、GaN毫米波DohertyMMIC:
频带24.25-27.6GHz,饱和功率33dBm,饱和效率25%,8dBbackoff15%效率,增益15dB;
3、GaN毫米波收发前端芯片:
频段24-30GHz,内部集成接收LNA,发射PA及收发开关;接收:
增益17dB,接收饱和输出功率17dBm;发射:
增益27dB,饱和输出功率31dBm,Pout23dBm时IM3优于35dBc。
(三)5G通信FBAR射频滤波芯片
揭榜任务:
对标国际先进水平,突破FBAR滤波芯片的国产化瓶颈,攻克器件设计、工艺、制造、封测全产业链关键技术,形成FBAR知识产权体系。
预期目标:
到2021年,达到以下技术目标:
1、5G通信wifi芯片,带宽81MHz,插损2.2dB,抑制度45dB;
2、5G通信n41芯片,带宽196MHz,插损3dB,抑制度40dB;
3、5G新频段3.5GHz芯片,带宽200MHz,插损3dB,抑制度45dB。
(四)VPS成像芯片
揭榜任务:
对标国际先进水平,解决现有主流图像传感器技术CIS像素尺寸无法持续缩小的技术瓶颈,使像元尺寸缩小到百纳米以下。
预期目标:
到2021年,达到以下技术目标:
像素尺寸0.5微米,像素规模1亿。
(五)大规模集成电路用12英寸单晶制造的电子级多晶硅材料
揭榜任务:
对标国际先进水平,实现电子级高纯多晶硅连续、稳定、大规模工业化生产,在电阻率、杂质浓度等量化指标和稳定性、产品晶型结构等指标上取得突破,达到世界一流水平,产品质量满足40nm及以下极大规模集成电路用12英寸单晶制造需求。
预期目标:
到2021年,达到以下技术目标:
1、纯度:
≥11N;
2、施主杂质浓度:
≤90ppta;
3、杂质浓度:
≤10ppta;
4、浓度:
≤80ppba;
5、氧浓度:
≤80ppba;
6、基体金属杂质浓度:
总金属杂质含≤0.1ppbw;
7、表面金属杂质浓度:
总杂质含≤0.1ppbw。
(六)32位通用MCU芯片
揭榜任务:
对标国际先进水平,研制32位通用MCU芯片,研发自主核心处理器及其软件系统,建立独立知识产权,满足32-位核心处理器中高端市场需求。
预期目标:
到2021年,达到以下技术目标:
1、全自主核心微处理器IP,RISC-V嵌入式CPU主频800Mhz@65nm,1.2DMIPS,2.5CoreMark/Mhz。
2、围绕MCU的片上存储系统、总线架构、模拟前端IP系列、通讯IP模块、控制专用IP模块、软件开发环境、应用库函数等、物联网操作系统。
(七)超薄芯片(ultra-thinfBGA)封装技术
揭榜任务:
对标国际先进水平,突破国内外超薄芯片(ultra-thinfBGA)专利和先进封装技术瓶颈,掌握超薄芯片(ultra-thinfBGA)产品的设计、材料研发、封装、测试、可靠性等关键技术,建立起比较完备的超薄芯片(ultra-thinfBGA)产品研发、制造、测试以及可靠性体系。
预期目标:
到2021年,达到以下技术目标:
1、Moldcap:
0.20mm;
2、Diethickness:
0.05mm;
3、Wireloop:
0.05mm;
4、Substratethickness:
0.1mm以下;
5、Packagethickness:
0.4mm以下;
6、Reliability:
MSL1;
7、EMIshielding。
(八)绝缘栅双极晶体管(IGBT)
揭榜任务:
对标国际先进水平,开发系列化IGBT器件及组件产品;推广IGBT在铁路机车与城市轨道交通中的应用,从应用端快速获取反馈信息进行产品改良;推动IGBT器件及功率组件在风电、太阳能发电、工业传动、通用高压变频器、新能源汽车和电力市场等领域的应用。
预期目标:
到2020年,达到以下目标:
1、1200V/200A芯片:
(1)饱和压降Vce(sat)<2.2V(Tj=125℃);
(2)开通能耗Eon<30mJ(Tj=125℃);
(3)关断能耗Eoff<30mJ(Tj=125℃)。
2、1700V/200A芯片:
(1)饱和压降Vce(sat)<2.5V(Tj=125℃);
(2)开通能耗Eon<70mJ(Tj=125℃);
(3)关断能耗Eoff<60mJ(Tj=125℃)。
3、3300V/62.5A芯片:
(1)饱和压降Vce(sat)<4V(Tj=125℃);
(2)开通能耗Eon<70mJ(Tj=125℃);
(3)关断能耗Eoff<75mJ(Tj=125℃)。
到2022年,达到以下目标:
全面掌握1200V、1700V、3300V、4500VIGBT芯片设计、芯片制造、模块封装技术。
二、物联网(联系人:
电子信息产业处韩小平)
(一)MEMS传感器(加速度)
揭榜任务:
对标国际先进水平,突破核心关键配套器件和材料技术,在分辨率、精度、可靠性等方面实现较大提升,实现使该领域的中端产品替代进口。
预期目标:
到2021年,达到以下目标:
1、量程:
±30g;
2、灵敏度≤60mv/g;
3、频率响应:
0~2300Hz;
4、非线性≤0.5%;
5、抗冲击:
10000g。
(二)数字式位移传感器
揭榜任务:
对标国际先进水平,对直线位移和角度位移控制(如数控系统光栅尺、电机伺服系统光栅编码器)的2类位移传感器进行攻关,解决产品核心关键配套器件和材料技术,满足伺服驱动的要求,在分辨率、精度、可靠性等方面实现较大提升,实现使该领域的中端产品替代进口。
预期目标:
到2021年,达到以下目标:
1、旋转式
(1)单圈24位分辨率;
(2)绝对定位精度5";
(3)重复定位精度3"。
2、直线式
(1)分辨率1um;
(2)重复定位精度3um。
三、新型显示(联系人:
电子信息产业处于勇)
(一)Micro-LED用紫外正性光刻胶
揭榜任务:
对标国际先进水平,开发高分辨率的光刻胶,满足Micro-LED制造需求。
预期目标:
到2021年,达到以下目标:
1、膜厚1um,残膜率大于99%;
2、旋涂片内均匀性小于50埃,分辨率0.3um;
3、感光速度小于400ms,工艺窗口大于20%,DOF窗口≥1.0,形貌角度可控。
四、核心信息技术
(一)动态人像识别系统(联系人:
科技处李凯)
揭榜任务:
对标国际先进水平,开发动态人像识别系统,实现人脸识别、人脸检测、图像比对等功能,能够为近场通信的人证比对、身份甄别等应用场景提供技术支撑。
预期目标:
到2020年,达到以下目标:
1.人脸检测:
安防监控行进场景下的动态人脸有效检出率≥97%;最大人脸检测角度≥80°;误报率水平由企业根据应用场景需求确定。
2.活体检测方式:
可以实现非配合下的单目RGB活检、单目IR活检、双目活检和3D结构光活检。
3.人脸识别:
安防监控行进场景下的动态人脸正确识别率(1:
N)≥90%;人像左右识别角度≥40°、人像上下识别角度≥20°;最小人脸像素≤40×40像素点;误报率水平由企业根据应用场景需求确定。
4.识别场景类型包括:
1:
1,1:
N,n:
N(1:
1指人脸核验,1:
N指人脸查找,n:
N指多人脸匹配查找);支持不同地域人脸特征识别。
5.系统响应时间≤1秒。
6.安防监控行进场景下1:
N人脸识别支持的注册集规模≥亿级。
(二)系统仿真与机电液控专业仿真软件(联系人:
软件处胡锦恒)
揭榜任务:
对标国际先进水平,研发可应用于航空、航天、车辆、船舶、能源等装备制造领域的系统仿真与机械、控制、电气、液压专业设计仿真的自主可控软件,实现专业化的系统级仿真和机电液控仿真软件。
预期目标:
到2020年,达到以下目标:
1、系统仿真:
提供多领域统一的可视化建模、编译分析、仿真求解及后处理功能,完全支持Modelica3.4标准;提供高效的符号分析处理能力,支持200万个方程规模的系统求解;提供仿真C代码生成功能,支持离线与实时代码生成;提供8种以上建模和仿真工具箱,提供10种以上的求解算法;完全支持FMI1.0和2.0,支持基于FMI的模型交换、模型导入导出,提供2个以上领域FMI规范接口;在4个以上行业开展示范应用,提供10000个模型组件。
2、机械动力学仿真:
支持多体系统运动学和动力学三维可视化建模、仿真与后处理;提供部件、运动副、力等完整组件库;提供5种以上求解算法支持;支持刚柔耦合仿真;支持3种以上三维CAD软件几何文件导入;提供车辆、航空等至少2个以上行业的机械专业建模与仿真模块;支持Modelica和FMI规范和多领域模型集成。
3、控制仿真:
支持专业化的控制系统可视化建模与仿真;提供控制系统分析类工具箱(支持时域分析与频域分析);提供控制系统设计类工具箱(支持根轨迹法、频域法);提供控制系统优化类工具箱(支持参数标定、目标优化、PID整定);提供控制系统专业模型库(常用控制律、滤波器、控制算法等);提供8种以上求解算法;支持Modelica和FMI规范和多领域模型集成。
4、液压仿真:
支持液压系统可视化建模、仿真功能及后处理功能;提供100个以上液压元件、液压组件及典型回路模型库;提供5种以上分析和优化工具,支持8种以上求解算法;提供液压专业完整前后处理界面;提供模型管理功能;支持Modelica和FMI规范和多领域模型集成;实现3个以上行业的典型应用。
5、电气仿真:
支持电气系统可视化设计与静态大图生成;提供100个以上组件的电气系统模型库;支持电气系统可视化建模仿真;提供电气专业完整前后处理界面;支持电气系统数字化信息统计;支持航天IDS接口规范,基于IDS提供电气系统自动导入、设备自动布局、自动布线功能;提供2种以上商用电气软件电路图导入功能,支持Modelica和FMI规范和多领域模型集成功能。
五、高端装备(联系人:
装备工业处刘旭东)
(一)大型可编程逻辑控制器PLC
揭榜任务:
对标国际先进水平,在精度、响应水平、环境耐受及可靠性等方面实现技术突破,实现国产大型可编程逻辑控制器PLC在常规用途下替代进口。
预期目标:
到2020年,达到以下目标:
1、支持的I/O设备点数≥1024;
2、程序内存≥200k步;
3、多任务特性(任务数量)≥128;
4、快速输入输出控制时间≤5us;
5、支持100M以太网通讯;
6、程序内存≥16M;
7、绝缘耐压:
DC500V,2MΩ以上;
8、抗噪声能力:
1000V(峰-峰值)、脉宽1us、1min。
(二)智能磨床数控系统
揭榜任务:
对标国际先进水平,研发高性能磨床数控系统,提高高端数控轧辊磨床产业的核心竞争力。
预期目标:
到2020年,达到以下目标:
1、最大通道数:
≥4组,最大联动轴数:
7轴;
2、最大插补轴数:
≥5轴,插补周期:
≤0.0625ms,插补方式:
直线,圆弧,螺旋线,CVC,样条曲线等;
3、最小分辨率:
10-6mm/deg;
4、小线段最大前瞻段数:
2048;程序段处理速度:
≥7200段/秒;
5、实现砂轮半径和厚度补偿、主轴恒功率磨削控制。
(三)超高精密半导体自动光学检测系统
揭榜任务:
对标国际先进水平,超高精密半导体自动光学检测系统,提高半导体芯片检测领域的技术水平。
预期目标:
到2020年,达到以下目标:
1、第一阶段完成350nm技术节点;
2、第二阶段完成到250nm技术节点;
3、第三阶段达到180nm技术节点;
4、第四阶段达到130nm技术节点。
(四)高精度航空航天动密封件网纹加工技术
揭榜任务:
对标国际先进水平,通过解决高精度航空发动机作动筒、液压泵、活门偶件等动密封件超精密网纹表面微观形状加工等工艺问题,改善工件的表面应力结构,增强其抗疲劳性及载荷承载能力,延长航空发动机的工作寿命及有效改善其使用性能。
预期目标:
到2020年,达到以下目标:
1、网纹角度,在中心线方向的夹角为110°~140°;
2、表面粗糙度Ra≤50.1μm;
3、轮廓偏斜度Rsk(k=-0.5~-1.5);
4、在4mm长度内,网纹的沟槽深度不大于或等于4μm的沟槽数至少有5个;
5、轮廓支撑长度率(tp)满足要求:
去除的峰值高度Rpk:
≤0.35μm;核心粗糙度深度Rk:
0.2μm~1.6μm;去除的谷值深度Rvk:
0.5μm~3μm;
6、在两个方向的网纹均匀、无尖角、毛刺和金属折叠。
(五)高性能纤维智能化高速多层织造装备
揭榜任务:
对标国际先进水平,研发高性能纤维智能化织造领域的核心技术,缩短与国外先进水平的技术差距,产品填补国内空白。
预期目标:
到2020年,达到以下目标:
1、单机直针铺纬≥20层/min,机器转速≥1800r/min;
2、智能检测系统状态感知节点≥8,检测出错率<0.5%;
3、光电纬纱状态感知系统纬纱在线检测能力≥288组,卷装直径1000mm;
4、掌握复杂生产环境下设备组网技术,实现设备集中管理。
(六)三维五轴数控激光切割机
揭榜任务:
对标国际先进水平,开发可应用于用于车身构件、内高压成形件和高强度钢成形件加工等领域的三维五轴数控激光切割机。
预期目标:
到2020年,达到以下目标:
1、加工范围(长×宽×高):
3000mm×1500mm×650mm;
2、X/Y/Z最大速度:
≥100m/min;
3、X/Y/Z最大加速度:
≥1g;
4、X/Y/Z定位精度:
±0.05mm;
5、X/Y/Z重复定位精度:
0.03mm;
6、A/B轴最大速度:
≥90r/min;
7、A/B轴最大加速度:
≥60rad/s2;
8、A/B轴定位精度:
±0.015°;
9、A/B轴重复定位精度:
0.005°。
(七)全碳化硅轴控牵引变流器+永磁同步牵引电机轨道牵引系统
揭榜任务:
对标国际先进水平,开发的新一代牵引系统采用全碳化硅轴控牵引变流器+永磁同步牵引电机,研制一款性能接近的产品替代进口。
预期目标:
到2020年,达到以下目标:
逆变器:
1、功率器件:
碳化硅MOSFET;
2、控制方式:
轴控,冗余性和可用性高;
3、连续输出功率:
1080-1800kVA;
4、短时最大输出功率:
≥2200kVA;
5、电机额定效率:
≥97%;
6、牵引电机功率:
≥250kW。
牵引系统:
1、综合节能率:
≥20%;
2、可用性提高:
≥30%;
3、设备重量减轻:
≥15%;
4、全寿命周期成本节约:
≥30%。
六、工程机械(联系人:
装备工业处刘旭东)
(一)全地面起重机断开式驱动桥
揭榜任务:
对标国际先进水平,研发大吨位全地面起重机的断开式驱动桥,带动起重机械领域传动系统整体水平提升。
预期目标:
到2020年,达到以下目标:
1、最大输入扭矩:
≥10000N.m;
2、最大桥荷:
≥30吨;
3、寿命:
≥1万小时;
4、行驶里程:
≥35万公里。
七、汽车及零部件(联系人:
产业政策处邹海鹏)
(一)自动驾驶车辆线控底盘系统
揭榜任务:
研究自主可控的自动驾驶电动汽车底盘线控系统,包括线控驱动系统、线控转向系统和线控制动系统;将自动驾驶决策控制信息与车辆底层控制系统深度集成,通过线控技术完成转向、驱动和制动执行机构的电控化,并提高这些线控系统的可靠性;实现自动驾驶电动汽车的操纵指令以电信号等形式经过车载网络传递给执行机构及其电子控制器。
预期目标:
到2020年,达到以下目标:
1、线控转向响应时间:
<0.1秒;
2、线控转向速度:
>36°/秒(转向轮);
3、制动控制全程执行时间:
<0.2秒;驱动控制全程执行时间:
<0.1秒;
4、车辆速度控制精度误差:
<5%;
5、横向轨迹跟踪控制精度误差:
<0.3米;
6、支持CAN、RS232、TCP/IP、TTL;
7、支持多路信号处理、路由功能;
8、支持OTA、CAN-FD、Cybersecurity;
9、支持模式控制:
驾驶员模式和无人驾驶模式;
10、支持功能安全,容错控制。
(二)预装式配充一体化充电站
揭榜任务:
攻克配充一体化设计技术、移相多脉冲变压器设计技术、液冷及热管理技术和智能功率分配技术,完成预装式配充一体化充电系统的样机,并通过示范工程建设对相关技术进行验证和评估,从而带动和引领电动汽车充换电设施产业的发展。
预期目标:
到2020年,达到以下目标:
配充一体化充电系统:
1、系统总功率:
≥2MW;
2、单个充电终端最大输出功率:
≥350kW;
3、输出电压范围:
150-950V;
4、系统效率:
≥96%;
5、功率分配充电终端数量:
≥6。
移相多脉冲变压器:
1、单个变压器功率:
≥1MW;
2、变压器效率:
≥98.5%。
液冷及热管理系统:
1、单个液冷模块制冷量:
≥21.5kW;
2、全系统制冷量:
≥80kW;
3、噪声:
≤65dB。
(三)新能源汽车用高性能特种充电电缆
揭榜任务:
提高新能源汽车用充电电缆在充电时间、电缆重量、使用寿命方面的技术水平,研发新能源汽车用的高性能特种充电电缆。
预期目标:
到2020年,达到以下目标:
1、满足快速充电要求:
主线芯35mm2充电电缆的通电电流可达500A;
2、信号芯导体拉力:
500N;
3、填充完整性:
125℃、10天,无碎裂;
4、电缆耐曲绕20000万次不断芯、不开裂,耐压不击穿;
5、电缆耐挂磨50000次不露内部线芯;
6、电缆环保要求无卤、ROHS、REACH;
7、电缆耐碾压:
碾压5次,耐压试验不击穿。
(四)电驱动一体化总成
揭榜任务:
对标国际先进水平,,突破高速减速器设计、齿轮加工与研磨、轴类精密加工、铸造壳体技术,研究高速驱动电机与减速器结构集成、润滑与冷却系统、NVH技术,掌握电驱动总成批量制造生产工艺与高效检测等产业化技术,开发出配套新能源汽车的高性能电驱动总成产品。
预期目标:
到2020年,达到以下目标:
1、驱动电机及高速减速器的最高转速:
≥21000转/分;
2、电驱动总成匹配额定功率:
40-80kW;比功率:
≥1.8kW/kg(峰值功率/总重量);最高效率≥92%;
3、空载情况下最高转速状态电驱动总成噪声:
≤80dB(A)。
八、生物医药和新型医疗器械(联系人:
消费品处刘群)
(一)肿瘤诊疗一体荧光影像手术导航设备
揭榜任务:
对标国际先进水平,,突破高灵敏度、大面积光源、高清图像及定量分析等荧光影像技术;实现微小肿瘤查找、肿瘤组织实时评估等精准肿瘤手术治疗实时导航;实现荧光影像与光动力治疗的集成应用。
预期目标:
到2020年,达到以下目标:
1、灵敏度:
面光源成像荧光示踪剂(ICG)最低检测浓度<10-9M;
2、面光源成像面积:
≥100cm2;
3、图像达320万像素、1080P;
4、荧光、可见光、激光多模图像融合:
自适应图像配准精度≤3个像素,图像融合相关系数>10;
5、光谱定量分析:
波长准确度偏差<1nm,荧光示踪剂(ICG)最低检测浓度<10-11M;
6、体内肿瘤组织检出最小直径<1mm。
(二)诊疗一体化MRI
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