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模电答案
半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,定域的杂质离子带正电。
2、双极型三极管内部有基区、发射区和集电区,有发射结和集电结及向外引出的三个铝电极。
3、PN结正向偏置时,内、外电场方向相反,PN结反向偏置时,内、外电场方向相同。
4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和
反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时,需选用欧姆挡的R×1k档位,检测中若指针偏转较大,可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极;与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时,若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经老化不通。
6、双极型三极管简称晶体管,属于电流控制型器件,单极型三极管称为MOS管,属于电压控制型器件。
MOS管只有多数载流子构成导通电流。
7、晶闸管既有单向导电的整流作用,又有可以控制导通时间的作用。
晶闸管正向导通的条件是阳极加正电压时,门控极也要有正向触发电压,关断的条件是晶闸管反偏或电流小于维持电流。
8、晶闸管有阳极、阴极和门控极三个电极。
二、判断正误:
(每小题1分,共12分)
1、P型半导体中定域的杂质离子呈负电,说明P型半导体带负电.。
(×)
2、晶体管和场效应管一样,都是由两种载流子同时参与导电。
(×)
3、用万用表测试晶体管好坏和极性时,应选择欧姆档R×10K档位。
(×)
4、PN结正向偏置时,其内电场和外电场的方向相同。
(×)
5、无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力。
(×)
6、只要在二极管两端加正向电压,二极管就一定会导通。
(×)
7、二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击穿而造成永久损坏。
(×)
8、三极管集电极电流大于它的最大允许电流ICM时,该管必定被击穿。
(×)
9、场效应管若出厂前衬底与源极相连,则漏极和源极就不能互换使用。
(√)
10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同,因此可以互换使用。
(×)
11、晶闸管门极上加正向触发电压,晶闸管就会导通。
(×)
12、晶闸管触发脉冲与主电路不需要同步。
(×)
三、选择题:
(每小题2分,共20分)
1、单极型半导体器件是(C)。
A、二极管;B、双极型三极管;C、场效应管;D、稳压管。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的(A)元素构成的。
A、三价;B、四价;C、五价;D、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是(C)。
A、导通状态;B、截止状态;C、反向击穿状态;D、任意状态。
4、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等1KΩ,说明该二极管(A)。
A、已经击穿;B、完好状态;C、内部老化不通;D、无法判断。
5、PN结两端加正向电压时,其正向电流是(A)而成。
A、多子扩散;B、少子扩散;C、少子漂移;D、多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在(A)。
A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。
7、绝缘栅型场效应管的输入电流(C)。
A、较大;B、较小;C、为零;D、无法判断。
8、正弦电流经过二极管整流后的波形为(C)。
A、矩形方波;B、等腰三角波;C、正弦半波;D、仍为正弦波。
9、三极管超过(C)所示极限参数时,必定被损坏。
A、集电极最大允许电流ICM;B、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO;
C、集电极最大允许耗散功率PCM;D、管子的电流放大倍数。
10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是(B)
A、发射结正偏、集电结正偏;B、发射结反偏、集电结反偏;
C、发射结正偏、集电结反偏;D、发射结反偏、集电结正偏。
四、简述题:
(每小题3分,共24分)
1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。
上述说法对吗?
为什么?
答:
这种说法是错误的。
因为,晶体在掺入杂质后,只是共价键上多出了电子或少了电子,从而获得了N型半导体或P型半导体,但整块晶体中既没有失电子也没有得电子,所以仍呈电中性。
2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③3.7V,试判断管子的类型以及各管脚所属电极。
答:
管脚③和管脚②电压相差0.7V,显然一个硅管,是基极,一个是发射极,而管脚①比管脚②和③的电位都高,所以一定是一个NPN型硅管。
再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极,管脚③是基极,管脚①是集电极。
3、齐纳击穿和雪崩击穿能否造成二极管的永久损坏?
为什么?
答:
齐纳击穿和雪崩击穿都属于电击穿,其过程可逆,只要控制使其不发生质变引起热击穿,一般就不会造成二极管的永久损坏。
4、图1.44所示电路中,硅稳压管DZ1的稳定电压为8V,DZ2的稳定电压为6V,正向压降均为0.7V,求各电路的输出电压U0。
答:
分析:
根据电路可知,当ui>E时,二极管导通u0=ui,当ui 所以u0的波形图如下图所示: 5、半导体二极管由一个PN结构成,三极管则由两个PN结构成,那么,能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管? 如不能,说说为什么? 答: 将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。 因为,根据三极管的内部结构条件,基区很薄,只能是几个微米,若将两个二极管背靠背连接在一起,其基区太厚,即使是发射区能向基区发射电子,到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉,根本不可能有载流子继续扩散到集电区,所以这样的“三极管”是不会有电流放大作用的。 6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用? 三极管会损坏吗? 为什么? 答: 集电极和发射极对调使用,三极管不会损坏,但是其电流放大能力大大降低。 因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大,且结面积也不同。 7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同? 其导通和阻断的条件有什么不同? 答: 普通二极管根据其单向导电性可知,阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通,反之阻断,可用于整流、钳位、限幅和电子开关;普通三极管在放大电路中起放大作用,在数字电子技术中起开关作用,普通三极管用于放大作用时,只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用,当发射极反偏时就会阻断放大信号通过;用作开关元件时,当发射结和集电结都正偏时,它就会饱和导通,当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时,晶体管就截止,阻断信号通过。 晶闸管属于硅可控整流器件,只有导通和关断两种状态。 晶闸管具有PNPN四层半导体结构,有阳极,阴极和门极三个电极。 晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通,即: 晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的,还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通(晶闸管一旦导通后,门控极即失去作用);当晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受多大电压,晶闸管都处于阻断状态,或者晶闸管在导通情况下,其主回路电压(或电流)减小到接近于零值时,晶闸管也会自动关断。 8、晶闸管可控整流电路中为什么需要同步触发? 如果不采用同步触发,对电路输出电压将产生什么影响? 答: 实际应用的晶闸管触发电路是可控“触发”。 只有当触发脉冲与主电路电压同步时,在晶闸管承受的正半周电压范围内,门控极才能获得一个时刻相同的正向触发脉冲,晶闸管也才可能“触发”起到可控导通作用。 因此,晶闸管可控整流电路中必须采用同步触发,否则由于每个正半周的控制角不同,输出电压就会忽大忽小发生波动,从而产生失控现象。 五、计算分析题: (共15分) 1、图1.45所示三极管的输出特性曲线,试指出各区域名称并根据所给出的参数进行分析计算。 (6分) (1)UCE=3V,IB=60μA,IC=? (2)IC=4mA,UCE=4V,ICB=? (3)UCE=3V,IB由40~60μA时,β=? 解: A区是饱和区,B区是放大区,C区是截止区。 (1)观察图6-25,对应IB=60μA、UCE=3V处,集电极电流IC约为3.5mA; (2)观察图6-25,对应IC=4mA、UCE=4V处,IB约小于80μA和大于70μA; (3)对应ΔIB=20μA、UCE=3V处,ΔIC≈1mA,所以β≈1000/20≈50。 2、已知NPN型三极管的输入—输出特性曲线如图1.46所示,当 (1)UBE=0.7V,UCE=6V,IC=? (2)IB=50μA,UCE=5V,IC=? (3)UCE=6V,UBE从0.7V变到0.75V时,求IB和IC的变化量,此时的(9分) 解: (1)由(a)曲线查得UBE=0.7V时,对应IB=30μA,由(b)曲线查得IC≈3.6mA; (2)由(b)曲线可查得此时IC≈5mA; (3)由输入特性曲线可知,UBE从0.7V变到0.75V的过程中,ΔIB≈30μA,由输出特性曲线可知,ΔIC≈2.4mA,所以β≈2400/30≈80。 第2单元检测题(共120分,140分钟) 一、填空题: (每空1分,共40分) 1、基本放大电路的三种组态分别是: 共发射极放大电路、共集电极放大电路和 共基极放大电路。 2、放大电路应遵循的基本原则是: 发射结正偏;集电结反偏。 3、将放大器输出信号的全部或部分通过某种方式回送到输入端,这部分信号叫做反馈信号。 使放大器净输入信号减小,放大倍数也减小的反馈,称为负反馈;使放大器净输入信号增加,放大倍数也增加的反馈,称为正反馈。 放大电路中常用的负反馈类型有电压串联负反馈、电压并联负反馈、电流串联负反馈和电流并联负反馈。 4、射极输出器具有电压放大倍数恒小于1、接近于1,输入信号和输出信号同相,并具有输入电阻高和输出电阻低的特点。 5、放大电路的基本分析方法有静态分析法和动态分析法两种。 6、对放大电路来说,人们总是希望电路的输入电阻越大越好,因为这可以减轻信号源的负荷。 人们又希望放大电路的输出电阻越小越好,因为这可以增强放大电路的整个负载能力。 7、场效应管放大电路和双极型放大电路相比,具有输入电阻高,噪声小和集成度高等优点,但由于跨导较小,使用时应防止栅极与源极间短接击穿。 8、多级放大电路通常有直接耦合、阻容耦合和变压器耦合的三种耦合方式。 9、电压放大器中的三极管通常工作在小信号放大状态下,功率放大器中的三极管通常工作在极限参数情况下。 功放电路不仅要求有足够大的电压,而且要求电路中还要有足够大的电流,以获取足够大的功率。 10、晶体管由于在长期工作过程中,受外界温度的影响及电网电压不稳定的影响,即使输入信号为零时,放大电路输出端仍有缓慢的信号输出,这种现象叫做零点漂移。 克服零点漂移的最有效常用电路是差动放大电路。 11、影响放大电路低频响应的主要因素是耦合旁路电容;影响其高频响应的主要因素为三极管极间电容。 12、多级放大电路的级数越多,其电压增益越大;频带越窄。 二、判断下列说法的正确与错误: (每小题1分,共20分) 1、放大电路中的输入信号和输出信号的波形总是反相关系。 (×) 2、放大电路的反馈形式可采用负反馈,也可采用正反馈。 (×) 3、射极输出器的电压放大倍数等于1,因此它在放大电路中作用不大。 (×) 4、分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。 (√) 5、设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。 (√) 6、晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。 (×) 7、微变等效电路不能进行静态分析,也不能用于功放电路分析。 (√) 8、共集电极放大电路的输入信号与输出信号,相位差为180°的反相关系。 (×) 9、共基组态的放大电路,基本上没有电流放大,但具有功率放大。 (√) 10、基本放大电路通常都存在零点漂移现象。 (×) 11、甲类、乙类和甲乙类功放电路均存在有交越失真。 (×) 12、差动放大电路能够有效地抑制零漂,因此具有很高的共模抑制比。 (√) 13、放大器通常工作在小信号状态下,而功放电路是工作在极限状态下。 (√) 14、输出端交流短路后仍有反馈信号存在,可断定为电流负反馈。 (√) 15、共射放大电路输出波形出现上削波,说明电路出现了饱和失真。 (×) 16、放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。 (√) 17、共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。 (×) 18、采用适当的静态起始电压,可达到消除功放电路中交越失真的目的。 (√) 19、射极输出器是典型的电压串联负反馈放大电路。 (√) 20、由于耦合电容和三极管极间电容的影响而出现的频率失真是非线性失真。 (√) 三、选择题: (每小题2分,共20分) 1、基本放大电路中,经过晶体管的信号有(C)。 A、直流成分;B、交流成分;C、交直流成分均有。 2、基本放大电路中的主要放大对象是(B)。 A、直流信号;B、交流信号;C、交直流信号均有。 3、分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现(B)。 A、截止失真;B、饱和失真;C、晶体管被烧损。 4、共发射极放大电路的反馈元件是(B)。 A、电阻RB;B、电阻RE;C、电阻RC。 5、功放首先考虑的问题是(C)。 A、管子的工作效率;B、不失真问题;C、管子的极限参数。 6、电压放大电路首先需要考虑的技术指标是(B)。 A、放大电路的电压增益;B、不失真问题;C、管子的工作效率。 7、射极输出器的输出电阻小,说明该电路的(A) A、带负载能力强;B、带负载能力差;C、减轻前级或信号源负荷。 8、功放电路易出现的失真现象是(C)。 A、饱和失真;B、截止失真;C、交越失真。 9、基极电流iB的数值较大时,易引起静态工作点Q接近(B)。 A、截止区;B、饱和区;C、死区。 10、射极输出器是典型的(C)。 A、电流串联负反馈;B、电压并联负反馈;C、电压串联负反馈。 四、简答题: (共23分) 1、共发射极放大器中集电极电阻RC起的作用是什么? (3分) 答: RC起的作用是把晶体管的电流放大转换成放大器的电压放大。 2、放大电路中为何设立静态工作点? 静态工作点的高、低对电路有何影响? (4分) 答: 设立静态工作点的目的是使放大信号能全部通过放大器。 Q点过高易使传输信号部分进入饱和区;Q点过低易使传输信号部分进入截止区,其结果都是信号发生失真。 3、指出图2.50所示各放大电路能否正常工作,如不能,请校正并加以说明。 (8分) 答: (a)图缺少基极分压电阻RB1,造成VB=UCC太高而使信号进入饱和区发生失真,另外还缺少RE、CE负反馈环节,当温度发生变化时,易使放大信号产生失真; (b)图缺少集电极电阻RC,无法起电压放大作用,同时少RE、CE负反馈环节; (c)图中C1、C2的极性反了,不能正常隔直通交,而且也缺少RE、CE负反馈环节; (d)图的管子是PNP型,而电路则是按NPN型管子设置的,所以,只要把管子调换成NPN型管子即可。 4、说一说零点漂移现象是如何形成的? 哪一种电路能够有效地抑制零漂? (4分) 答: 直接耦合的多级放大电路,其各级静态工作点Q是相互影响的,当输入由于一些原因使输入级的Q点发生微弱变化(例如温度的变化),输出将随时间缓慢变化,这样就形成了零点漂移。 产生零漂的原因是: 晶体三极管的参数受温度的影响。 解决零漂最有效的措施是: 采用差动放大电路。 5、为削除交越失真,通常要给功放管加上适当的正向偏置电压,使基极存在的微小的正向偏流,让功放管处于微导通状态,从而消除交越失真。 那么,这一正向偏置电压是否越大越好呢? 为什么? (4分) 答: 这一正向电压较小,仅使两个管子都工作在微导通状态即可。 因为,交越失真实际上是两个功放管都存在正向死区电压造成的,消除交越失真,实际上就是解决死区电压的问题。 如果这一正向偏置电压大于死区电压较多,势必造成两个功放管不能正常工作。 五、计算题: (共17分) 1、如图2.51所示分压式偏置放大电路中,已知RC=3.3KΩ,RB1=40KΩ,RB2=10KΩ,RE=1.5KΩ,β=70。 求静态工作点IBQ、ICQ和UCEQ。 (8分,图中晶体管为硅管) 解: 静态工作点为: 2、画出图2.51所示电路的微变等效电路,并对电路进行动态分析。 要求解出电路的电压放大倍数Au,电路的输入电阻ri及输出电阻r0。 (9分) 解: 图2-23的微变等效电路如下图所示。 动态分析: ri=RB1//RB2//rbe=40000//10000//943≈843Ωr0=RC=3.3KΩ 第3单元检测题(共100分,120分钟) 一、填空题: (每空1分,共25分) 1、集成运放工作于线性应用时,必须在电路中引入负反馈;集成运放若工作在非线性区时,则必须在电路中引入正反馈或处于开环状态。 2、集成运放工作在非线性区的特点: 一是输出电压只具有两种状态,二是其净输入电流约等于零。 3、理想运放工作在线性区时有两个重要特点: 一是差模输入电压约等于零,称为虚短;二是两输入端电流约等于零,称为虚断。 4、集成运放的理想化条件是: Au0=∞,ri=∞,ro=0,KCMR=∞。 5、为获得输入电压中的高频信号,应选用高通滤波器。 6、同相运算电路可实现Au>1的放大器,反相运算电路可实现Au<0的放大器,积分运算电路可将方波电压转换成三角波电压。 7、单门限电压比较器的基准电压UR=0时,输入电压每经过一次零值,输出电压就要产生一次跳变,这时的比较器称为过零比较器。 8、施密特滞回电压比较器的电压传输过程中具有回差特性。 9、“虚地”是反相输入电路的特殊情况。 10、常用的比较器有单门限比较器、滞回比较器和窗口比较器。 二、判断下列说法的正确与错误: (每小题1分,共10分) 1、电压比较器的输出电压只有两种数值。 (√) 2、集成运放使用时不接反馈环节,电路中的电压增益称为开环电压增益。 (√) 3、“虚短”就是两点并不真正短接,但具有近似相等的电位。 (√) 4、积分运算电路输入为方波时,输出是尖脉冲波。 (×) 5、集成运放不但能处理交流信号,也能处理直流信号。 (√) 6、集成运放工作于开环状态,其输入与输出之间存在线性关系。 (×) 7、同相输入和反相输入的运放电路都存在“虚地”现象。 (×) 8、理想运放构成的线性应用电路,电压增益与运放内部的参数无关。 (√) 9、单门限比较器的输出只有一种状态。 (×) 10、微分运算电路中的电容器接在电路的同相输入端。 (×) 三、选择题: (每小题2分,共20分) 1、理想运放的开环增益Au0为(A),输入电阻为(A),输出电阻为(B)。 A、∞;B、0;C、不定。 2、国产集成运放有三种封闭形式,目前国内应用最多的是(C)。 A、扁平式;B、圆壳式;C、双列直插式。 3、由运放组成的电路中,工作在非线性状态的电路是(C)。 A、反相放大器;B、积分运算器;C、电压比较器。 4、理想运放的两个重要结论是(B)。 A、虚短与虚地;B、虚断与虚短;C、断路与短路。 5、集成运放一般分为两个工作区,它们分别是(B)。 A、正反馈与负反馈;B、线性与非线性;C、虚断和虚短。 6、(B)输入比例运算电路的反相输入端为虚地点。 A、同相;B、反相;C、双端。 7、集成运放的线性应用存在(C)现象,非线性应用存在(B)现象。 A、虚短;B、虚断;C、虚断和虚短。 8、各种电压比较器的输出状态只有(B)。 A、一种;B、两种;C、三种。 9、基本积分电路中的电容器接在电路的(C)。 A、反相输入端;B、同相输入端;C、反相端与输出端之间。 10、分析集成运放的非线性应用电路时,不能使用的概念是(B)。 A、虚地;B、虚短;C、虚断。 四、问题: (共18分) 1、集成运放一般由哪几部分组成? 各部分的作用如何? (4分) 答: 集成运放由输入级、中间级、输出级和偏置电压四部分组成。 输入级是决定运放性能好坏的关键环节,一般采用差动放大电路,作用是使运放具有较高的输入电阻和很强的抑制零漂能力;中间级一般采用多级共发射极直接耦合放大电路,作用是获得高开环电压放大倍数(103~107);输出级常采用互补对称的射极输出器组成,作用是为了得到较低的输出电阻和较强的带负载能力,并能提供足够大的输出电压和输出电流;偏置电路一般由各种晶体管恒流源电路构成,其作用是向上述三个环节提供合适而又稳定的偏置电流,以满足电路具有合适工作点的要求。 2、何谓“虚地”? 何谓“虚短”? 在什么输入方式下才有“虚地”? 若把“虚地”真正接“地”,集成运放能否正常工作? (4分) 答: 电路中某点并未真正接“地”,但电位与“地”点相同,称为“虚地”;电路中两点电位近似相同,并没有真正用短接线相连,称为“虚短”,若把“虚地”真正接“地”,就等于改变了电路结构,如反相比例运放,把反相端也接地时,就不会有ii=if成立,反相比例运算电路也就无法正常工作。 3、集成运放的理想化条件主要有哪四个? (3分) 答: 集成运放的理想化条件是: Au0=∞,ri=∞,ro=0,KCMR=∞。 4、在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中,单门限电压比较器和滞回比较器的输出电压各变化几次? (4分) 答: 在输入电压从足够低逐渐增大至足够高的过程中,单门限电压比较器和滞回比较器的输出电压均只跃变一次。 5、集成运放的反相输入端为虚地时,同相端所接的电阻起什么作用? (3分) 答: 同相端所接电阻起电路平衡作用。 五、计算题: (共27分) 1、图3.41所示电路为应用集成运放组成的测量电阻的原理电路,试写出被测电阻Rx与电压表电压U0的关系。 (8分) 解: 从电路图来看,此电路为一反相比例运算电路,因此: 2、图3.42所示电路中,已知R1=2K,Rf=5K,R2=2K,R3=18K,Ui=1V,求输出电压Uo。 (9分) 解: 此电路为同相输入电路。 3、图3.43所示电路中,已知电阻Rf=5R1,输入电压Ui=5mV,求输出电压U0。 (10分) 解: A1为输出跟随器,U01=Ui1=5mV;第二级运放A2为差分减法运算电路,所以: 第4单元检测题(共100分,120分钟) 一、填空题: (每空1分,共22分) 1、一个直流稳压电源的基本组成部分必须包括整流环节、电容滤波环节和稳压环节三大部分。 2、整流电路中的变压器,其作用是将220V的市电变换为稳压电路需要的电压值;桥式整流电路则是利用具有单向导电性能的二极管,将交流电变换为脉动的直流
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