蓝宝石材料DOC.docx

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蓝宝石材料

<申请号>=CN98226909.9

<名称>=人造蓝宝石表面内拱度磨削机床

<申请（专利权）人>=张元胜

<发明（设计）人>=张元胜

<申请日>=1998.05.28

<地址>=518034广东省深圳市商报路天健工业区8栋4楼悦目光学公司

<摘要>=本实用新型涉及石料或类似材料的磨削设备，尤

其是进行曲面磨削的设备。

它由电机和传动件带动砂轮沿着与

主轴同轴的圆桶内侧既作往返直线运动又作转动；同时，圆桶

内粘贴被磨削物（如人造蓝宝石表面），使砂轮在运动时对其内

拱面产生磨削。

该设备对砂轮的弧度不需作严格限定，其加工

精度不受砂轮弧度的限制，而由测量精度决定，可达到

0.05mm；亦无需频繁更换砂轮，还可实现一次多片加工。

<申请号>=CN89105430.8

<名称>=人造蓝宝石气体放电器件的封装端

<申请（专利权）人>=卢义生

<发明（设计）人>=卢义生;俞鹤庆

<申请日>=1989.05.09

<地址>=江苏省南京市五所村310-2-710室

<摘要>=本发明提出的是一种气体放电器件采用人造蓝

宝石管、塞、环的封装结构——人造蓝宝石气体放电

器件的封装端。

管、塞、环系采用同一晶向（C轴）生

长的人造蓝宝石材料，它可有效地提高放电器件的寿

命和性能。

实现人造蓝宝石气体放电器件的研究进

入广泛应用的实用阶段。

它可用于各系列的高压金

属蒸气放电灯和普通高压钠灯和高显色性高压钠灯

以及钾铷激光光泵等。

<申请号>=CN200510003405.1

<名称>=蓝宝石基无掩膜横向外延生长高质量的Ⅲ族氮化物薄膜

<申请（专利权）人>=深圳大学;

<发明（设计）人>=彭冬生;冯玉春;牛憨笨;王文欣

<申请日>=2005.12.29

<地址>=518060广东省深圳市南山区南海大道2336号

<摘要>=一种蓝宝石衬底上无掩膜横向外延生长高质量的III族氮化物薄膜的新技术，该技术采用化学腐蚀的方法腐蚀蓝宝石衬底，以形成一定图案的蓝宝石衬底1，提供横向外延基底，缓冲层2为低温GaN薄膜，3为横向外延生长的高温GaN薄膜。

缓冲层2首先在没有腐蚀坑位置的蓝宝石衬底1处外延生长，形成一定的籽晶，在籽晶处外延生长的同时，改变外延生长工艺条件，使其横向外延，以使两翼在腐蚀坑处翼合，形成高质量、低位错密度的GaN薄膜3，这样就可以在GaN薄膜3上沉积高质量的III族氮化物薄膜4。

这种横向外延技术不仅可以降低位错密度，而且克服了传统横向外延技术工艺复杂和晶向倾斜高的缺点。

<申请号>=CN95102002.1

<名称>=将掺杂的多晶材料转化成单晶材料

<申请（专利权）人>=通用电气公司

<发明（设计）人>=柯蒂斯·E·斯科特;玛丽·S·卡利赛夫斯基;莱昂内尔·M·莱维森

<申请日>=1995.02.14

<地址>=美国纽约州

<摘要>=将多晶陶瓷体转变成单晶体的固相方法，用能提

高转化的掺杂剂掺杂多晶陶瓷材料，在选定温度下加

热多晶体至足以将多晶体转变成单晶的时间。

所择

温度低于多晶材料的熔化温度，但高于该材料熔化温

度的一半。

所述掺杂剂的实例包括+3价阳离子如

铬、镓和钛。

多晶体还可以被不均匀地掺杂，以形成

掺杂至预定掺杂剂量的第一部分多晶体和未掺杂的

第二部分，以致加热掺杂多晶体会使第一部分转化成

单晶结构，而第二部分仍保持多晶结构。

<申请号>=CN200610088287.3

<名称>=铟镓氮外延薄膜及生长方法和在太阳能电池的应用

<申请（专利权）人>=南京大学

<发明（设计）人>=谢自力;张荣;刘斌;韩平;修向前;文博;刘成祥;赵红;郑有炓;顾书林;江若琏;施毅;朱顺明;胡立群

<申请日>=2006.07.07

<地址>=210093江苏省南京市汉口路22号

<摘要>=高结晶铟镓氮单晶外延膜，在蓝宝石衬底先设有

GaN缓冲层，且为20－200nm的低温GaN缓冲层；然后生长

厚度可达到1－80μm的高结晶的

In_xGa_1－

x（0≤x≤1）材料。

高结晶铟镓氮单晶外延膜的

生长方法，在蓝宝石衬底上利用MOCVD系统先生长GaN缓

冲层，在500－700℃温度范围生长厚度在20－200nm的低温

GaN缓冲层；然后利用MOCVD生长高结晶的

In_xGa_1－

xN材料；接着在GaN缓冲层上以500－1050

℃生长高质量

In_xGa_1－

xN材料；生长压力在0－700Torr，尤其控制在

300－700Torr；其中0≤X≤1材料厚度1μm以上。

太阳能电

池采用材料

In_0..3Ga_0.7

PR:

SUB>N薄膜，电极采用MSM结构。

<申请号>=CN99104715.X

<名称>=包含透镜的手表面玻璃及该透镜的制造方法

<申请（专利权）人>=科马杜尔公司

<发明（设计）人>=G·德拉布雷

<申请日>=1999.04.01

<地址>=瑞士洛科

<摘要>=本发明涉及一种由坚硬矿物材料特别是结晶材

料例如刚玉、蓝宝石或尖晶石制成的手表面玻璃,其包含一在表

玻璃材料厚度范围内成形的非圆形光学透镜（4）。

该透镜是通过

对最好位于表玻璃下表面（5）中的槽进行机加工和抛光形成

的。

它的外形可以具有入射角,以及可以例如为矩形,利用刷同

时添加抛光用介质撞击槽的底面进行机加工。

<申请号>=CN01123674.4

<名称>=氮化物半导体激光器

<申请（专利权）人>=日本电气株式会社

<发明（设计）人>=山口敦史;仓本大;仁道正明

<申请日>=2001.09.03

<地址>=日本东京

<摘要>=本发明的课题是降低使用氮化镓系材料的半导

体激光器的阈值电流密度。

根据本发明,在低位错密度的n型GaN

衬底21上,形成包含n型覆盖层33、和具有In_xAl_yGa_1－x－yN（0－1以下,发光层的带隙能量的微观波动的标准偏差是75至200meV。

<申请号>=CN200410077378.8

<名称>=一种发光二极管芯片及其制备方法

<申请（专利权）人>=方大集团股份有限公司

<发明（设计）人>=李刚;潘群峰;吴启保

<申请日>=2004.12.08

<地址>=518055广东省深圳市南山区西丽镇龙井方大工业城

<摘要>=本发明涉及一种发光二极管芯片，包括蓝宝石衬

底、在所述衬底上外延生长的N型氮化镓和P型氮化镓半导体

材料，还包括在所述氮化镓半导体材料上制备的透明导电薄

膜，所述透明导电薄膜包括氧化铟锡层和镍金合金层。

制备所

述发光二极管芯片的步骤包括：

1）刻蚀部分暴露N型氮化镓；

2）在P型氮化镓上先后蒸镀或溅射镍金，然后再进行合金；3）

蒸镀或溅射氧化铟锡层，然后再进行合金；4）蒸镀或溅射PN

电极。

由于本发明的发光二极管芯片保留了传统的氧化镍金与

P型氮化镓接触，可以获得较理想的欧姆接触；并且在镍金合

金上加了一层较厚的氧化铟锡，有利于电流的横向传输，可以

改善电流分布，对于整个发光二极管还可以保持较好的透光

率。

<申请号>=CN200610011685.5

<名称>=在透明电介质材料内部制备波导光栅的方法

<申请（专利权）人>=北京大学;

<发明（设计）人>=李焱;刘大勇;杨宏;龚旗煌

<申请日>=2006.04.14

<地址>=100871北京市海淀区颐和园路5号

<摘要>=本发明提供一种在透明电介质材料内部制备波导光栅的方法，属于精密微光电子学器件制备技术领域和光学信息处理领域。

该方法采用钛蓝宝石飞秒激光器等脉冲激光系统，通过相应的透镜将激光束聚焦到透明的电介质材料样品体内，根据波导光栅的根据对于器件性能的要求比如反射波长、反射率、透射率的需要设计波导光栅的结构和尺寸，通过控制激光束焦点在透明的电介质材料样品体内移动的方向、次数和速度，让透明的电介质材料样品被激光焦点照射发生周期性地折射率改变，形成波导光栅。

利用本发明只要控制激光脉冲能量、脉宽、聚焦物镜数值孔径、样品移动速度、重复扫描次数等参数，即可实现快速高精度制备波导光栅及其相关器件。

<申请号>=CN200510043168.1

<名称>=GaN半导体材料的异质外延方法

<申请（专利权）人>=西安电子科技大学

<发明（设计）人>=郝跃;李德昌

<申请日>=2005.09.01

<地址>=710071陕西省西安市太白路2号

<摘要>=本发明公开了一种GaN半导体系列材料的异质

外延方法。

该方法是在SiC衬底（111）面和蓝宝石衬底（0001）面

上，利用金属有机物化学气相淀积MOCVD工艺，首先淀积过

渡层和掩膜，并按照涉及图案刻蚀掩膜，进入并暴露出缓冲层

AlN作为生长种子区域；然后将该种子区GaN的生长温度置

于1050～1100℃的范围，压力置于40tor左右，在种子区的缓

冲层AlN上成核形种子，并以金字塔式外延生长，即在种子区

以纵向垂直生长为主，横向缓慢生长，当垂直生长到适当高度

后，改变生长工艺参数，在线进入SiN掩膜上部覆盖的冠状生

长过程，即从长成的塔顶部开始，以横向悬挂生长为主，纵向

缓慢生长。

本发明具有工艺简单，薄膜质量高之优点，可用于

对低缺陷密度半导体薄膜材料的制备。

<申请号>=CN200610098234.X

<名称>=新型半导体材料铟镓氮表面势垒型太阳电池及其制备方法

<申请（专利权）人>=南京大学

<发明（设计）人>=江若琏;谢自力;张荣;文博;周建军;刘斌;陈敦军;郑有炓;韩平;刘成祥

<申请日>=2006.12.06

<地址>=210093江苏省南京市汉口路22号

<摘要>=铟镓氮表面势垒型太阳电池，选用半导体材料

In_xGa_1－

xN（0≤x≤1）为光吸收区和

In_xGa_1－

xNMS或MIS结构表面势垒型太阳电池，在蓝

宝石衬底材料上生长20－200nm厚度的低温GaN缓冲层，退

火后接着外延生长1000－2000nm厚度的高温GaN缓冲层和

200－1000nm厚度的

In_xGa_1－

XN光吸收层，然后在

In_xGa_1－

xN上设有肖特基接触金属Ni和厚引线金属Au

形成肖特基结构，以及在

In_xGa_1－

xN上淀积2－20nm厚度的

Si₃N₄

S

UB>绝缘薄膜后再设肖特基接触金属和厚引线金属形成金属

－半导体－金属结构，并在n－InGaN材料上设有Ti/Al/Ni/Au

多层金属导电电极，形成MS和MIS两种结构的表面势垒

InGaN太阳电池。

<申请号>=CN200510011901.1

<名称>=光子晶体结构GaN基蓝光发光二极管结构及制作方法

<申请（专利权）人>=中国科学院半导体研究所

<发明（设计）人>=许兴胜;陈弘达;马勇

<申请日>=2005.06.09

<地址>=100083北京市海淀区清华东路甲35号

<摘要>=一种光子晶体结构GaN基蓝光发光二极管结构，

包括：

一蓝宝石衬底；一N型GaN层，该N型GaN层直接生

长在蓝宝石衬底上，该N

型GaN层的一侧的平面上刻蚀有一台阶，形成一大平面和一

小平面；一GaN材料有源层，该GaN材料有源层制作在N型

GaN层上的大平面上；一P型GaN层，该P型GaN层制作在

有源层上；一P型电极和P型焊盘，该P型电极和P型焊盘铺

设在P型GaN层上；一N型电极和N型焊盘，该N型电极和

N型焊盘铺设在N型GaN层上的小平面上；一光子晶体区，

该光子晶体区刻蚀形成在有源层和P型GaN层内，甚至直到N

型GaN层内，即刻蚀周期性圆孔结构；在该光子晶体区的中

心形成一光子晶体空白区。

<申请号>=CN200410025029.1

<名称>=掺氮空穴型氧化锌薄膜材料的喷雾热解制备方法

<申请（专利权）人>=中国科学院上海硅酸盐研究所

<发明（设计）人>=李效民;边继明;张灿云;赵俊亮

<申请日>=2004.06.09

<地址>=200050上海市定西路1295号

<摘要>=本发明涉及掺氮空穴型氧化锌薄膜材料的喷雾

热解制备方法，属于半导体材料领域。

本发明配制锌源和氮源

构成摩尔配比为Zn²⁺∶

NH₄

+＝1∶（1－3）的先驱体溶液，经超声波雾化器雾

化，雾化后的载气经气液分离管进入成膜室，在常压下单晶硅

片、石英玻璃片或蓝宝石片衬底表面沉积成p－ZnO薄膜并控

制衬底温度控制在500－800℃。

本发明所制备的p型ZnO薄

膜的电阻率在10^－2－

10^－3Ωcm，迁移率最高可达

145cm²V^－

1s^－1，同时具有

强的室温紫外发光特性和较高的结晶质量可满足氧化锌基发

光二极管（LEDs），激光二极管（LDs）等光电子器件方面的需要。

本发明具有工艺简单易行，操作方便，原料丰富，制作成本低

的特点。

<申请号>=CN200310112720.9

<名称>=改善氢化物汽相外延法制备GaMnN铁磁性薄膜晶体质量的方法

<申请（专利权）人>=南京大学

<发明（设计）人>=于英仪;张荣;修向前;谢自力;俞慧强;郑有炓;施毅;沈波;顾书林;江若琏;韩平;朱顺明;胡立群;叶宇达

<申请日>=2003.12.23

<地址>=210093江苏省南京市汉口路22号

<摘要>=改善氢化物汽相外延制备GaMnN铁磁性薄膜晶

体质量的方法，在氢化物气相外延（HVPE）生长GaMnN铁磁性薄膜材料电炉中，包括N₂管道和NH₃管道、设有金属镓源－HCl－N₂管道和金属锰源－HCl管道，对金属锰源－HCl管道，同时添加Ar气，将金属锰源输运至电炉的GaN薄膜材料的生长区；金属Ga的HCl载气，金属Mn的HCl载气量范围3－6sccm，Ar气流量为100－300sccm；金属Ga和Mn所在位置为820－860℃，反应区域温度，即蓝宝石α－Al₂O₃衬底所在位置的温度为；生长时间为8－20min的条件下可以获得完全的GaN和GaMnN合金薄膜。

<申请号>=CN00120889.6

<名称>=半导体面发光器件及增强横向电流扩展的方法

<申请（专利权）人>=中国科学院半导体研究所

<发明（设计）人>=刘祥林;陆大成;王晓晖;袁海荣

<申请日>=2000.08.15

<地址>=100083北京市912信箱

<摘要>=半导体面发光器件及增强横向电流扩展的方法,

包括:

在半导体面发光器件的n区（或p区）具有增强平行于p－n

结平面的电子迁移率的二维电子气（二维空穴气）,以及在光输

出面具有增强透光性网格状的电极。

含有新结构的半导体面发

光器件（如:

发光二极管,面输出的激光二极管等）具有光输出效

率高,整个发光面发光均匀,避免了对厚度要求极其苛刻的金属

透明电极,或减少了器件的厚度,以及由此带来制作成本低廉的

优点。

<申请号>=CN03110867.9

<名称>=溶胶－凝胶法制氮化镓纳米多晶薄膜

<申请（专利权）人>=中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

<发明（设计）人>=张继森;秦伟平;赵丹;秦冠仕;吴长锋;林海燕;刘晃清

<申请日>=2003.01.13

<地址>=130022吉林省长春市人民大街140号

<摘要>=本发明属于光电子材料技术领域，是一种用溶胶

－凝胶法制氮化镓纳米薄膜。

本发明利用第三主族元素的两性

现象，用强碱，像NaOH，或KOH等，把GaO溶解。

再利用酸，像HNO₃，HF等，重新沉积出Ga（OH）₃凝胶，然后加入NH₄F形成了GaN材料的前驱体。

将稀土或过渡金属离子掺入前驱体（NH₄）₃GaF₆中。

为利用甩胶技术或印刷方法制膜，再加入一些高分子增稠剂，如聚乙二醇400、聚氧乙烯等，以保证前驱体溶液的粘度。

最后把形成的GaN材料的前驱体在烘箱中烘干后，在NH₃气氛下，900℃就能够获得纳米级的GaN。

本发明与分子束外延和有机分子气相外延制备GaN晶体和薄膜材料相比，具有工艺过程简单、制备成本低等优点。

<申请号>=CN03112210.8

<名称>=一种P型氧化锌薄膜的制备方法

<申请（专利权）人>=山东大学

<发明（设计）人>=张德恒;孙征;宗福建;王卿璞;张锡建

<申请日>=2003.05.16

<地址>=250100山东省济南市山大南路27号

<摘要>=本发明涉及一种P型氧化锌薄膜的制备方法，属

于半导体光电材料与器件技术领域。

本发明的主内容选用蓝宝

石或硅作为衬底材料，用掺入5wt％的P₂O₅和0.2wt％的Ga₂O₃的ZnO烧结陶瓷靶作为源材料，在合适的溅射气体分压、溅射功率和较高的衬底温度下用射频磁控溅射技术制备出磷镓共掺杂的ZnO薄膜，然后在真空中经800℃高温光照退火40分钟，制备出P型ZnO薄膜。

它解决了现有技术存在的产品性能不稳定，电阻率较高、生产成本高等问题。

本发明具有生产工艺简单、成本低、产品性能稳定等优点，薄膜电阻率为10^－1Ωcm，空穴浓度为10¹⁸cm^－3。

<申请号>=CN200610013981.9

<名称>=蓝宝石衬底材料抛光液及其制备方法

<申请（专利权）人>=河北工业大学

<发明（设计）人>=刘玉岭;牛新环

<申请日>=2006.05.31

<地址>=300130天津市红桥区光荣道8号

<摘要>=本发明涉及蓝宝石衬底材料表面高精密加工过

程中化学机械抛光（CMP）抛光液及其制备方法。

抛光液成分和

重量％比组成为：

硅溶胶1～90、碱性调节剂0.25～5、醚醇类

活性剂0.5～10、螯合剂1.25～15、去离子水为余量。

该抛光

液的配制方法：

硅溶胶用不同倍数的去离子水稀释用碱性调节

剂调整pH值，然后边搅拌边加入醚醇类活性剂。

在相应的抛

光工艺条件下进行抛光，可实现蓝宝石衬底材料表面的高精密

加工，并能满足工业上对蓝宝石衬底片CMP精密加工的要求。

本发明具有成本低、低粗糙、高速率、不污染环境及腐蚀设备

的优点。

<申请号>=CN200510123107.6

<名称>=一种生长高结晶氮化铟单晶外延膜的方法

<申请（专利权）人>=南京大学

<发明（设计）人>=谢自力;张荣;韩平;修向前;刘斌;李亮;顾书林;江若琏;施毅;朱顺明;胡立群;郑有炓

<申请日>=2005.12.15

<地址>=210093江苏省南京市汉口路22号

<摘要>=一种生长高结晶氮化铟单晶外延膜的方法，在蓝

宝石衬底上利用MOCVD系统先生长GaN缓冲层，在500－

700℃温度范围生长厚度在20－100nm的低温GaN缓冲层；然

后利用MOCVD生长高结晶的InN材料。

GaN缓冲层生长后

对此缓冲层进行900－1100℃的高温退火；再利用MOCVD生

长高结晶的InN材料。

本发明实现了在蓝宝石衬底上利用低温

GaN做缓冲层在MOCVD系统中生长一种新型材料InN的方

法。

尤其是设计先生长缓冲层，然后生长高质量高结晶的InN

材料。

面积尺寸可以达到工业生产使用的尺寸。

<申请号>=CN200710091384.2

<名称>=接合体、发光容器以及高压放电灯用组装体

<申请（专利权）人>=日本碍子株式会社;

<发明（设计）人>=新见德一

<申请日>=2004.05.27

<地址>=日本爱知县

<摘要>=本发明提供一种在至少由接合面是蓝宝石组成的第一部件和至少由接合面是蓝宝石或多晶氧化铝组成的第二部件的结合体中，结合强度高，防止了在接合界面产生裂纹的接合体。

使接合材料用的原料介于第一部件

（2）和第二部件（4A、4B）之间，通过在1730℃以下对该原料进行热处理使第一部件和第二部件接合起来。

或者，接合材料（5A、5B）由包含稀土类元素、铝以及硅的氧化物或氮酸化物组成，氧化物或氮酸化物中硅的比率换算成二氧化硅的话在3mol％以上、10mol％以下。

<申请号>=CN200410041677.6

<名称>=利用In金属纳米点催化合成生长InN纳米点的方法

<申请（专利权）人>=南京大学

<发明（设计）人>=谢自力;张荣;修向前;毕朝霞;刘斌;于英仪;俞慧强;郑有炓;顾书林;沈波;江若琏;施毅;韩平;朱顺明;胡立群

<申请日>=2004.08.12

<地址>=210008江苏省南京市汉口路22号

<摘要>=利用In金属纳米点催化合成生长InN纳米点的

方法，利用MOCVD方法在蓝宝石（0001）衬底上催化合成生长

InN纳米点材料，蓝宝石（0001）衬底放入生长室，预先用

MOCVD生长技术在衬底表面形成金属纳米点，生长室温度在

330－400℃，只通入金属有机源三甲基铟5－15分钟，在衬底

表面淀积一层In金属纳米点；然后利用金属纳米点作为催化剂

和成核中心，在In金属纳米点的形成时，同时通入金属有机源

三甲基铟和三甲基铟，合成生长InN纳米点材料。

<申请号>=CN200610086105.9

<名称>=AlGaN基共振增强单色紫外探测器结构和生长方法

<申请（专利权）人>=南京大学

<发明（设计）人>=谢自力;江若琏;张荣;韩平;修向前;刘斌;李亮;赵红;郑有炓;顾书林;施毅;朱顺明;胡立群

<申请日>=2006.08.29

<地址>=210093江苏省南京市汉口路22号

<摘要>=AlGaN基共振增强单色紫外探测器结构：

在蓝宝

石衬底上设有厚度在50－2000nm的低温和高温GaN材料，

GaN材料上分别设有15－80nm和15－100nm的5－50个周期

的AlN/AlGaN多层结构的分布布拉格反射镜为底镜；在上述

底镜上设有n－AlxGal－xN/i－GaN/p－AlxGal－xN结构的谐

振腔：

即设有20－80nm厚的高温n－AlxGal－xN，5－30nm

厚的高温i－GaN吸收层，20－80nm厚的高温p－AlxGal－xN，

Al组分x≥0.3作为探测器的谐振腔；最后是层厚分别为15－

80nm和15－100nm的0－30个周期的AlN/AlGaN多层结构的

分布布拉格反射镜即顶镜完成RCE紫外探测器结构。

<申请号>=CN031